JPH0322582A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JPH0322582A JPH0322582A JP15792689A JP15792689A JPH0322582A JP H0322582 A JPH0322582 A JP H0322582A JP 15792689 A JP15792689 A JP 15792689A JP 15792689 A JP15792689 A JP 15792689A JP H0322582 A JPH0322582 A JP H0322582A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概 要］
埋め込み型の半導体レーザに関し
半導体ウエハ上に所定寸法の複数のメサを形或可能とす
ることにより特性の均一な半導体レーザを高歩留りで製
造可能とすることを目的とし一導電型の化合物半導体基
板に表出する（１００）面に，該化合物半導体基板にお
ける〔１１０ ）方向に平行なストライプ状の開口を有
するマスク層を形或する工程と，少なくとも活性層を挟
んで或るダブルヘテロ構造を有する結晶層を，有機金属
気相成長法を用いて，該開口内に表出する該化合物半導
体基板表面に選択的に戊長させる第ｌの成長工程と，該
マスク層を除去する工程と，該マスク層を除去して表出
した該化合物半導体基板表面に，例えば液相成長法を用
いて，該ダブルヘテロ構造を有する結晶層を埋め込む結
晶層を成長させる第２の成長工程とを含むように構成す
る。
ることにより特性の均一な半導体レーザを高歩留りで製
造可能とすることを目的とし一導電型の化合物半導体基
板に表出する（１００）面に，該化合物半導体基板にお
ける〔１１０ ）方向に平行なストライプ状の開口を有
するマスク層を形或する工程と，少なくとも活性層を挟
んで或るダブルヘテロ構造を有する結晶層を，有機金属
気相成長法を用いて，該開口内に表出する該化合物半導
体基板表面に選択的に戊長させる第ｌの成長工程と，該
マスク層を除去する工程と，該マスク層を除去して表出
した該化合物半導体基板表面に，例えば液相成長法を用
いて，該ダブルヘテロ構造を有する結晶層を埋め込む結
晶層を成長させる第２の成長工程とを含むように構成す
る。
本発明は，活性層とクラッド層から或るメサが低屈折率
の層により埋め込まれた構造，いわゆる埋め込み型の半
導体レーザに関する。
の層により埋め込まれた構造，いわゆる埋め込み型の半
導体レーザに関する。
近年，ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ
）システム等において，高効率かつ温度特性の良好な半
導体レーザが要求されている。埋め込み型の半導体レー
ザは，活性領域が禁制帯幅の広い半導体により取り囲ま
れた構造となっており，活性領域におけるキャリャと光
の閉じ込め効果が大きいため，発光効率が高く．また．
低電流で動作するため．特性の温度依存性が小さい等の
特徴を有する。
）システム等において，高効率かつ温度特性の良好な半
導体レーザが要求されている。埋め込み型の半導体レー
ザは，活性領域が禁制帯幅の広い半導体により取り囲ま
れた構造となっており，活性領域におけるキャリャと光
の閉じ込め効果が大きいため，発光効率が高く．また．
低電流で動作するため．特性の温度依存性が小さい等の
特徴を有する。
？発明が解決しようとする課題〕
従来の埋め込み型半導体レーザの製造方法は，例えばＧ
ａＡｓ結晶のような化合物半導体基板に表出する（１０
０）面上に平坦に，少なくとも活性層を含むダブルヘテ
ロ（ＤＨ）構造の層を形成したのち， Ｄｌｌ層上に，
（１１０）方向に平行な，例えばＳｉＯ■膜ま？はＳｉ
３Ｎ４膜から或るストライプ状のマスク層を形成し．表
出する部分のＤＨ層をエッチング除去してＤｌｌ構造の
メサを形或ずる。さらに，メサ周囲に表出した基板表面
に，活性層より大きな禁制帯幅を有する半導体層を液相
成長させることにより，メサを埋没してしまう埋め込み
層を形成する。
ａＡｓ結晶のような化合物半導体基板に表出する（１０
０）面上に平坦に，少なくとも活性層を含むダブルヘテ
ロ（ＤＨ）構造の層を形成したのち， Ｄｌｌ層上に，
（１１０）方向に平行な，例えばＳｉＯ■膜ま？はＳｉ
３Ｎ４膜から或るストライプ状のマスク層を形成し．表
出する部分のＤＨ層をエッチング除去してＤｌｌ構造の
メサを形或ずる。さらに，メサ周囲に表出した基板表面
に，活性層より大きな禁制帯幅を有する半導体層を液相
成長させることにより，メサを埋没してしまう埋め込み
層を形成する。
上記のようにして選択エッチングにより形成されたメザ
の側壁部には，通常，（１１１）Ａ面が表出する。（１
１１）Ａ面は，例えばＩｎＰ層の場合にはＩｎ原子が，
また， ＩｎＧａＡｓＰ層の場合にはＩｎ原子とＧａ原
子が配列した面であり，この面には，例えばＩｎＰから
戒る埋め込み層が成長し難い性質がある。このため，基
板の（１００）面に成長ずる埋め込み層と上記メサとの
界面には格子欠陥が多く，その結果，この界面に沿って
大きなリーク電流が流れる問題があった。
の側壁部には，通常，（１１１）Ａ面が表出する。（１
１１）Ａ面は，例えばＩｎＰ層の場合にはＩｎ原子が，
また， ＩｎＧａＡｓＰ層の場合にはＩｎ原子とＧａ原
子が配列した面であり，この面には，例えばＩｎＰから
戒る埋め込み層が成長し難い性質がある。このため，基
板の（１００）面に成長ずる埋め込み層と上記メサとの
界面には格子欠陥が多く，その結果，この界面に沿って
大きなリーク電流が流れる問題があった。
一方，この問題点を避けるために，上記メサの形戒にお
いて， ｌＩＢｒ（臭素水素）水と０２０■（過酸化水
素）水との混合溶液をエッチング剤として用いて等方性
のエッチングを行うことにより，メサの側壁部に（１１
１）面のような特定の面を表出させない方法が採られる
こともあった。しかしながら等方性エッチングを行った
場合，ウエハ面内におけるエッチング速度が均一でなく
，一般に，ウエハ中央部に比べて周辺部のエッチング速
度が大きい。このため，ウエハ周辺部に形成されたメサ
ほとその高さが大きく，一方，幅が小さくなる。この現
象は，大面積のウエハほと顕著である。このようにして
，一つのウエハ上に形成された半導体レーザ素子ごとに
，活性層の幅にバラツキが生じ特性の不均一，歩留りの
低下を招く問題があった。
いて， ｌＩＢｒ（臭素水素）水と０２０■（過酸化水
素）水との混合溶液をエッチング剤として用いて等方性
のエッチングを行うことにより，メサの側壁部に（１１
１）面のような特定の面を表出させない方法が採られる
こともあった。しかしながら等方性エッチングを行った
場合，ウエハ面内におけるエッチング速度が均一でなく
，一般に，ウエハ中央部に比べて周辺部のエッチング速
度が大きい。このため，ウエハ周辺部に形成されたメサ
ほとその高さが大きく，一方，幅が小さくなる。この現
象は，大面積のウエハほと顕著である。このようにして
，一つのウエハ上に形成された半導体レーザ素子ごとに
，活性層の幅にバラツキが生じ特性の不均一，歩留りの
低下を招く問題があった。
本発明は上記従来の問題を解決し，活性層を含むＤＩ＋
構造のメサを，ウエハ上に所定寸法で均一に形成可能と
し，これにより特性の揃った半導体レーザを高歩留りで
製造可能とすることを目的とする。
構造のメサを，ウエハ上に所定寸法で均一に形成可能と
し，これにより特性の揃った半導体レーザを高歩留りで
製造可能とすることを目的とする。
上記目的は，一導電型の化合物半導体基板に表出する（
１００）面に，該化合物半導体基板における（１１０
）方向に平行なストライブ状の開口を有するマスク層を
形成する工程と，少なくとも活性層を含んで戒るダブル
ヘテロ構造を有する結晶層を有機金属気相成長法を用い
て，該開口内に表出する該化合物半導体基板表面に選択
的に成長させる第１の成長工程と，該マスク層を除去す
る工程と．該マスク層を除去して表出した該化合物半導
体基板表面に，該ダブルヘテロ構造を有する結晶層を埋
め込む結晶層を成長させる第２の成長工程とを含むこと
を特徴とする本発明に係る半導体レーザの製造方法によ
って達威される。
１００）面に，該化合物半導体基板における（１１０
）方向に平行なストライブ状の開口を有するマスク層を
形成する工程と，少なくとも活性層を含んで戒るダブル
ヘテロ構造を有する結晶層を有機金属気相成長法を用い
て，該開口内に表出する該化合物半導体基板表面に選択
的に成長させる第１の成長工程と，該マスク層を除去す
る工程と．該マスク層を除去して表出した該化合物半導
体基板表面に，該ダブルヘテロ構造を有する結晶層を埋
め込む結晶層を成長させる第２の成長工程とを含むこと
を特徴とする本発明に係る半導体レーザの製造方法によ
って達威される。
活性層を含むＤＨ構造の層をメサエソチングする代わり
に，メサを形成する位置に対応する開口が設けられたマ
スク層を基板上に形成し，この開口内にＤＩ構造の層を
エビタキシャル成長させてメサを形成する。この成長に
ＭＯＣＶＤ法を用いると，■液相成長が可能な面積のウ
エハよりも大面積のウエハに，所定の高さと幅を有する
メサを均一に形或でき，特性および製造歩留りが向上さ
れる■これらメサの側壁部には（ＩＩＩ）Ｂ面が表出す
るが， （１１１）Ｂ面は，例えばＩｎＰ層の場合に
はＰ（燐）原子が，また＋ ＩｎＧａＡｓＰ層の場合に
はＰ原子とＡｓ（砒素）原子が配列した面で，この面に
は，例えばＩｎＰから或る埋め込み層の戊長が容易であ
る性質があるため，基板の（１００）面に成長ずる埋め
込み層と上記メサとの界面における格子欠陥が少なく，
その結果，この界面に沿って流れるリーク電流が低減さ
れる 等の効果がある。
に，メサを形成する位置に対応する開口が設けられたマ
スク層を基板上に形成し，この開口内にＤＩ構造の層を
エビタキシャル成長させてメサを形成する。この成長に
ＭＯＣＶＤ法を用いると，■液相成長が可能な面積のウ
エハよりも大面積のウエハに，所定の高さと幅を有する
メサを均一に形或でき，特性および製造歩留りが向上さ
れる■これらメサの側壁部には（ＩＩＩ）Ｂ面が表出す
るが， （１１１）Ｂ面は，例えばＩｎＰ層の場合に
はＰ（燐）原子が，また＋ ＩｎＧａＡｓＰ層の場合に
はＰ原子とＡｓ（砒素）原子が配列した面で，この面に
は，例えばＩｎＰから或る埋め込み層の戊長が容易であ
る性質があるため，基板の（１００）面に成長ずる埋め
込み層と上記メサとの界面における格子欠陥が少なく，
その結果，この界面に沿って流れるリーク電流が低減さ
れる 等の効果がある。
埋め込み層の形或は，従来と同様に，液相成長法を用い
て行う。これは，液相成長法を用いると欠陥の少ない埋
め込み界而が得られ，かつ，平坦な成長表面が得られや
すいためである。
て行う。これは，液相成長法を用いると欠陥の少ない埋
め込み界而が得られ，かつ，平坦な成長表面が得られや
すいためである。
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は， ＤＨ構造のメナをＭＯＣＶＤにより形或す
る本発明における第１の成長工程を説明するための要部
断面図である。第１図（ａ）を参照して，例えばＩ Ｘ
ＩＯＩ８７ｃｍ２程度の濃度のｎ型不純物を含有するＩ
ｎＰ結晶から威る化合物半導体基板１の（１００）面を
表出し，この面全体に，厚さ約１０００人のＳｉ０２ま
たはＳｉＪａから或るマスク層２を形成する。マスク層
２に，周知のリソグラフ技術を用いて，化合物半導体基
板１の（１１０ ）方向に平行に延伸するストライブ状
の開口３を形戒する。（１１０ ）方向は紙面に垂直で
あり，開口３の幅一。は約２μｍである。実際には，図
示のような開口３が約３００μｍのピノチで多数配列さ
れる。
る本発明における第１の成長工程を説明するための要部
断面図である。第１図（ａ）を参照して，例えばＩ Ｘ
ＩＯＩ８７ｃｍ２程度の濃度のｎ型不純物を含有するＩ
ｎＰ結晶から威る化合物半導体基板１の（１００）面を
表出し，この面全体に，厚さ約１０００人のＳｉ０２ま
たはＳｉＪａから或るマスク層２を形成する。マスク層
２に，周知のリソグラフ技術を用いて，化合物半導体基
板１の（１１０ ）方向に平行に延伸するストライブ状
の開口３を形戒する。（１１０ ）方向は紙面に垂直で
あり，開口３の幅一。は約２μｍである。実際には，図
示のような開口３が約３００μｍのピノチで多数配列さ
れる。
次いで，周知のＭＯＣＶＤ装置を用いて，第ｌ図（ｂ）
に示すように，開口３内に表出する化合物半導体基板１
表面に，ｎ型１ｎＰから或るハソファ層６，ノンドープ
のＩｎＧａＡｓＰから或る活性Ｎ７およびｐ型１ｎＰか
ら成るクラッド層８を選択的６こユピクキシャル成長さ
せる。ハソファ層６の不純物濃度と厚さは７ ＸＩＯｌ
７／ｃｍ”と０．６ ａｍ程度，クラソド層８の不純物
濃度と厚さは８ＸＩＯ１７／Ｃ−と０．４ μｍ程度で
ある。また， ＩｎＧａＡｓＰ活性層７は吸収端波長λ
Ｅ９ξ１．３μｍの禁制帯幅Ｅｇを有し．厚さは約０．
１ μｍである。なお， ＩｎＰハッファ層６およびク
ラッド層８の禁制帯幅（Ｅｇ）の値は吸収端波長λＥ９
にして約０．９２μｍである。マスク層２上には非晶質
または多結晶層が生戒ずるが，その生成速度は極めて遅
い。このようにして，大きな禁制帯幅（Ｅｇ）を有する
ハッファ層６およびクラッド層８と，これらにより挟ま
れた小さな禁制帯幅（Ｅｇ）を有する活性層７から或る
ストライプ状のメサが形成される。上記各層６なしい８
の厚さにより，メサの高さは約１．１ μｍとなる。
に示すように，開口３内に表出する化合物半導体基板１
表面に，ｎ型１ｎＰから或るハソファ層６，ノンドープ
のＩｎＧａＡｓＰから或る活性Ｎ７およびｐ型１ｎＰか
ら成るクラッド層８を選択的６こユピクキシャル成長さ
せる。ハソファ層６の不純物濃度と厚さは７ ＸＩＯｌ
７／ｃｍ”と０．６ ａｍ程度，クラソド層８の不純物
濃度と厚さは８ＸＩＯ１７／Ｃ−と０．４ μｍ程度で
ある。また， ＩｎＧａＡｓＰ活性層７は吸収端波長λ
Ｅ９ξ１．３μｍの禁制帯幅Ｅｇを有し．厚さは約０．
１ μｍである。なお， ＩｎＰハッファ層６およびク
ラッド層８の禁制帯幅（Ｅｇ）の値は吸収端波長λＥ９
にして約０．９２μｍである。マスク層２上には非晶質
または多結晶層が生戒ずるが，その生成速度は極めて遅
い。このようにして，大きな禁制帯幅（Ｅｇ）を有する
ハッファ層６およびクラッド層８と，これらにより挟ま
れた小さな禁制帯幅（Ｅｇ）を有する活性層７から或る
ストライプ状のメサが形成される。上記各層６なしい８
の厚さにより，メサの高さは約１．１ μｍとなる。
上記エビタキシャル成長は， （１００）面における速
度に比べて（１１１）Ｂ面における速度が極めて遅いた
め，上記メサは， （１１１）Ｂ面が表出した側壁に囲
まれた構造となる。また，ｌ：１００）方向，すなわち
厚さ方向の成長速度は，ＭＯＣＶＤにおける原料ガスの
供給速度により律速されるので，原料ガスの流量を変え
ることにより制御可能であり． ＭＯＣＶＤ法の特徴と
あいまって，所望の厚さ，すなわち，高さのメサを，ウ
エハ面内に均一な分布で形戒するこ？ができる。
度に比べて（１１１）Ｂ面における速度が極めて遅いた
め，上記メサは， （１１１）Ｂ面が表出した側壁に囲
まれた構造となる。また，ｌ：１００）方向，すなわち
厚さ方向の成長速度は，ＭＯＣＶＤにおける原料ガスの
供給速度により律速されるので，原料ガスの流量を変え
ることにより制御可能であり． ＭＯＣＶＤ法の特徴と
あいまって，所望の厚さ，すなわち，高さのメサを，ウ
エハ面内に均一な分布で形戒するこ？ができる。
開口３の幅をー。とし，バッファＮ６の厚さをｄとする
と，メサの幾何学的形状から，活性層７の幅へは次式で
与えられる。
と，メサの幾何学的形状から，活性層７の幅へは次式で
与えられる。
Ｗ０＝囚 ＠− ２１／２ ｘ ｄ ・・・ （１）
開口３の幅ｈ。は，通常のフォトリングラフ技術により
，ウエハ面内で充分な均一性を保証できる。
開口３の幅ｈ。は，通常のフォトリングラフ技術により
，ウエハ面内で充分な均一性を保証できる。
したがって，バッファ層６およびクラッド層８の厚さ分
布を均一にすれば３広い面積にわたって，高さおよび活
性層幅の均一なＤＨ構造のメサを形成可能である。また
，メサの側壁は， （１１１）Ｂ面が表出しているため
，後述する埋め込み層を液相成長法にまり形或ずる際に
，成長原料溶液との濡れがよく，従来と同様に１欠陥の
少ない埋め込み界面が形成される。
布を均一にすれば３広い面積にわたって，高さおよび活
性層幅の均一なＤＨ構造のメサを形成可能である。また
，メサの側壁は， （１１１）Ｂ面が表出しているため
，後述する埋め込み層を液相成長法にまり形或ずる際に
，成長原料溶液との濡れがよく，従来と同様に１欠陥の
少ない埋め込み界面が形成される。
第２図は，上記のようにして形成されたＤＩ構造のメサ
の周囲に埋め込み層を形或する本発明における第２の成
長工程を説明するための要部断面図である。上記のよう
にしてメサを形成したのら，第２図（ａ）に示すように
，例えばＳｉＯ■から成るマスク層２を，緩衝弗酸（Ｈ
Ｆ）溶液を用いて除去する。
の周囲に埋め込み層を形或する本発明における第２の成
長工程を説明するための要部断面図である。上記のよう
にしてメサを形成したのら，第２図（ａ）に示すように
，例えばＳｉＯ■から成るマスク層２を，緩衝弗酸（Ｈ
Ｆ）溶液を用いて除去する。
次いで，周知のスライドボート法等の液相成長法を用い
て，化合物半導体基板１表面に２Ｘ１０”／ｃｍ２程度
のｐ型不純物を含有するＩｎＰから或る電流狭窄層１０
をエビタキシャル成長させる。電流狭窄層１０の平坦部
における厚さは０．３μｍ程度である。（１１１）Ｂ面
が表出しているメサの側壁部に垂直方向にもＩｎＰ層の
成長が行われるため，電流狭窄層１０はメサの頂上から
前記平坦部までなだらかに傾斜した断面構造となる。
て，化合物半導体基板１表面に２Ｘ１０”／ｃｍ２程度
のｐ型不純物を含有するＩｎＰから或る電流狭窄層１０
をエビタキシャル成長させる。電流狭窄層１０の平坦部
における厚さは０．３μｍ程度である。（１１１）Ｂ面
が表出しているメサの側壁部に垂直方向にもＩｎＰ層の
成長が行われるため，電流狭窄層１０はメサの頂上から
前記平坦部までなだらかに傾斜した断面構造となる。
次いで，同様の液相成長法を用いて，電流狭窄層ＩＯ上
に， ５ ＸＩＯ”／ｃｍ２程度のｎ型不純物を含有
するＩｎＰから戒る電流ブロックＪＷＩＩをエビタキシ
ャル成長させる。電流ブロック層１１の平坦部における
厚さは０．４μｍ程度である。したがって，メサは，電
流狭窄層１０と電流ブロック層１１とでほとんど埋め込
まれた構造となる。なお，電流狭窄層１０と電流ブロッ
ク層ｌ１を液相成長させる場合に，成長溶液の飽和濃度
を調節することにより，メザ上の平坦ブロックには電流
狭窄層１０と電流プロック層１ｌを成長させないでおく
ことができる。
に， ５ ＸＩＯ”／ｃｍ２程度のｎ型不純物を含有
するＩｎＰから戒る電流ブロックＪＷＩＩをエビタキシ
ャル成長させる。電流ブロック層１１の平坦部における
厚さは０．４μｍ程度である。したがって，メサは，電
流狭窄層１０と電流ブロック層１１とでほとんど埋め込
まれた構造となる。なお，電流狭窄層１０と電流ブロッ
ク層ｌ１を液相成長させる場合に，成長溶液の飽和濃度
を調節することにより，メザ上の平坦ブロックには電流
狭窄層１０と電流プロック層１ｌを成長させないでおく
ことができる。
上記ののち．液相成長法を用いて，メサのクラッド層８
および電流ブロック層１１上に，４Ｘ１０”／ｃｍ２程
度のｐ型不純物を含有するＩｎＰから或るキャップ層ｌ
２をエビタキシャル成長させる。メサ上におけるキャッ
プ層ｌ２の厚さは，０．５μｍ程度である。このように
して作製したウエハの化合物半導体基板１側に， Ｎｉ
層とＡｕＧｅ合金層とを積層して或るｎ側電極ｌ４を，
また，メサの頂上に対応するキャップ層１２の表面に，
ＡｕＺｎ合金から或るｐ側電極１５を，周知の真空蒸
着技術を用いて堆積し．これらを熱処理してアロイ化し
たのち，発光端面を臂開して共振器を形成して埋め込み
型の半導体レーザが完威される。
および電流ブロック層１１上に，４Ｘ１０”／ｃｍ２程
度のｐ型不純物を含有するＩｎＰから或るキャップ層ｌ
２をエビタキシャル成長させる。メサ上におけるキャッ
プ層ｌ２の厚さは，０．５μｍ程度である。このように
して作製したウエハの化合物半導体基板１側に， Ｎｉ
層とＡｕＧｅ合金層とを積層して或るｎ側電極ｌ４を，
また，メサの頂上に対応するキャップ層１２の表面に，
ＡｕＺｎ合金から或るｐ側電極１５を，周知の真空蒸
着技術を用いて堆積し．これらを熱処理してアロイ化し
たのち，発光端面を臂開して共振器を形成して埋め込み
型の半導体レーザが完威される。
本発明により， ３０ｍｍ四方のウエハ上に形成された
１００ ＸＩＯＯ個の半導体レーザ素子のうちの８０％
は，レーザ発振のしきい値電流１ｔｈが２０ｍＡ以下と
特性が揃ったものを得ることができた。これは従来の製
造方法に比べ約１．６倍の良品率である。
１００ ＸＩＯＯ個の半導体レーザ素子のうちの８０％
は，レーザ発振のしきい値電流１ｔｈが２０ｍＡ以下と
特性が揃ったものを得ることができた。これは従来の製
造方法に比べ約１．６倍の良品率である。
１１
１２
〔発明の効果〕
本発明によれば，活性層を含むダブルヘテロ構造のメサ
を，ウエハ上に所定寸法で均一に形成可能とし，半導体
レーザの製造歩留りを向上できる効果がある。
を，ウエハ上に所定寸法で均一に形成可能とし，半導体
レーザの製造歩留りを向上できる効果がある。
第ｌ図は本発明における第ｌの成長工程説明図，第２図
は本発明における第２の成長工程説明図である。 図において， １は化合物半導体基板， ２はマスク層，３は開口．
６はバソファ層， ７は活性層， ８はクラッド層， １０は電流狭窄層，１１は電流ブロック層，ｌ２はキャ
ップ層，１４はｎ側電極 １５はｐ側電極 である。
は本発明における第２の成長工程説明図である。 図において， １は化合物半導体基板， ２はマスク層，３は開口．
６はバソファ層， ７は活性層， ８はクラッド層， １０は電流狭窄層，１１は電流ブロック層，ｌ２はキャ
ップ層，１４はｎ側電極 １５はｐ側電極 である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一導電型の化合物半導体基板に表出する（１００）面に
、該化合物半導体基板における〔１１０〕方向に平行な
ストライプ状の開口を有するマスク層を形成する工程と
、 少なくとも活性層を挟んで成るダブルヘテロ構造を有す
る結晶層を、有機金属気相成長法を用いて、該開口内に
表出する該化合物半導体基板表面に選択的に成長させる
第１の成長工程と、 該マスク層を除去する工程と、 該マスク層を除去して表出した該化合物半導体基板表面
に、該ダブルヘテロ構造を有する結晶層を埋め込む結晶
層を成長させる第２の成長工程とを含むことを特徴とす
る半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15792689A JPH0322582A (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15792689A JPH0322582A (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0322582A true JPH0322582A (ja) | 1991-01-30 |
Family
ID=15660491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15792689A Pending JPH0322582A (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0322582A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06258259A (ja) * | 1993-03-04 | 1994-09-16 | Hitachi Ltd | 面内分布測定方法及び装置 |
| JP2006278938A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Anritsu Corp | 半導体発光素子 |
-
1989
- 1989-06-20 JP JP15792689A patent/JPH0322582A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06258259A (ja) * | 1993-03-04 | 1994-09-16 | Hitachi Ltd | 面内分布測定方法及び装置 |
| JP2006278938A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Anritsu Corp | 半導体発光素子 |
| JP4541208B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2010-09-08 | アンリツ株式会社 | 半導体発光素子 |
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