JPH0322497A - セラミック多層配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明はセラミック多層配線基板に係り、特にメタルキ
ャップ封止型に適するセラミック多層配線基板に関する
。

（従来の技術） セラミック多層配線基板の所定領域面に、たとえばＩＣ
素子を搭載，実装し、この実装されたＩＣ素子をメタル
キャップなどで封止して成る封止型電子部品が、各種の
電子機器類で広く使用されている。ところで、上記封止
型電子部品の構戊には、第３図に要部を斜視的に示すよ
うに構成されたゼラミック多層配線基板が用いられてい
る。

第３図において、１はセラミック多層配線基板本体、２
は前記配線基板本体１の電子部品実装パターン領域面｛
ａを囲むように形設されているウェルド領域（メタライ
ズ領域）、３はリード端子である。なお、このウェルド
領域２は、メタルキャップ（図示せず）の端縁を溶着，
封止するための被封止用金属リングもしくはウェルドリ
ング（図示せず）を、たとえば銀ろうなどにより接着し
気密に支持する役割をなすものである。

（発明が解決しようとする課題） しかし、上記セラミック多層配線基板の構成においては
、次のような不都合がある。すなわち、被封止用金属リ
ング（ウェルドリング）をセラミック多層配線基板面に
充分強固かつ、気密に接着するためには、前記ウェルド
領域２の幅を広くして、銀ろうなどのフイレットが形或
し易いように設定する必要がある。つまり、ウェルド領
域２に所要の機能を十分に持たせようとすると、電子部
品の実装有効面積が低減してしまい、構成される電子部
品の小形化が損われる。特にこの種の封止型電子部品が
、さらに小形化される傾向にある現状では、前記セラミ
ック多層配線基板における電子部品の実装有効面積の低
減は由々しい問題と言える。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明は上記字状に対処してなされたもので、セラミッ
ク多層配線基板本体と、前記配線基板本体の電子部品実
装パターン領域面を囲んで配設された被封止用金属リン
グを気密に溶着するウェルド領域とを備えたセラミック
多層配線基板において、前記ウェルド領域の一部か、配
線基板本体の端面全集に亘り互いに離隔して設けられた
縦溝部に被着，配設されていることを特徴とする。

（作　用） 上記構成によれば、セラミック多層配線弘板の端縁部に
ウェルド領域が設けられているため、電子部品の実装有
効面積を広く確保し得る。またウェルド領域は、セラミ
ック多層配線基板本体に対して接合面が広くなるため、
被封止用金属リングを容易かつ気密，強固に溶着し得る
ばかりでなく、側面（端面）の縦溝部に設けたウェルド
領域を威すメタライズによって、メタルキャップで封止
して所要の電子部品を構成した場合シールド作用も呈す
る。

（実施例） 以下第１図および第２図を参照して本発明の実施例を説
明する。第１図は本発明に係るセラミック多層配線基板
の要部を斜視的に示したもので、１はセラミック配線基
板本体、２゜は前記配線基板本体１の電子部品吏装パタ
ーン領域面１ａを囲みかつ、配線基板本体１全周の端而
に適宜離隔して設けられた縦溝部２１を含むウェルド領
域（メタラィズ領域）、また前記セラミック配線基板本
体には電子部品実装パターン領域面１ａなどに電気的に
接続するリード端子３（図示せず）を具備しいる。

しかして、このようなセラミック多層配線基板は、次の
ようにして製造し得る。たとえば所要のセラミックシ一
トを積層し、加圧，成形した後、焼威処理を施してセラ
ミック多層配線基板を製造するに当り、前記加圧，成形
時に周辺端面に所要の間隔をおいて（互いに離隔して）
、縦型の溝が形設されるように予め加工した金型を使用
するか、加圧，成形後もしくは焼成処理後、切削加工な
どにより周辺端面に互いに離隔した縦型の溝２１を形設
する。上記により、セラミック多層配線基板本体１の周
辺端面に縦型の溝２１を形設した後、その多層配線基板
本体１の周辺端面の縦型溝２ａを含む周辺面に、メタラ
イズ処理を施して所要のウェルド領域２゜を形設．具備
せしめることによって所望のセラミック多層配線基板が
得られる。

このようにして、縦型溝２ａ’を含む周辺面に所５ 要のウェルド領域２゜を構成して成るセラミック多層配
線基板に対する、被封止用金属リング４の溶着，配置は
次のように行われる。つまり、前記セラミック多層配線
基板の縦型溝２１を含む周辺部に形設してある所要のウ
ェルド領域２゜上に、被封止用金属リング（ウェルドリ
ング）４を接合，装着する。第２図は上記により被封止
用金属リング４をセラミック多層配線基板の縦型溝２１
を含む周辺面部に形設してある所要のウェルド領域２゜
上に接合，装着した状態を斜視的に示したものである。

第２図から明らかのように、被封止用金属リング４は、
セラミック多層配線基板の縦型溝２ａを含む周辺面部に
配設される形となるため、セラミック多層配線基板上の
、電子部品の実装有効面積も比較的広く採り得るように
なり、本発明者らの実験によると、電子部品の実装有効
面積は従来の構成の場合に比べ、５〜ｌ７％程度増大す
る。

また、前記ウェルド領域２゜の一部を威しているセラミ
ック多層配線基板側面（端面）の縦型溝２ａ’部に被着
乃至充填されたメタライズにより、６ ５ＡＡ一 封止化（パッケージ化）した際、グランド電位と同電位
を保持するため、シールド効果も向上する。

しかも、セラミック多層配線基板の縦型溝２ａ’を含む
所要のウェルド領域２゛上に接合，装着される被封止用
金属リング４も、縦型溝２１を含む比較的広い面積でセ
ラミック多層配線基板本体１に接続一体化したメタライ
ズに接合するため、強固な接合が保持されるし、加えて
放熱性もよくなる。

［発明の効果］ 上記説明したように、本発明に係るセラミック多層配線
基板は、電子部品の実装有効面積の増大を図り得る。し
たがって、封止型電子部品の大容量化もしくは小形化な
どを容易に達成し得る。しかも被封止用金属リングの接
合，一体化も強固にかつ、気密に達成し得るばかりでな
く、封止型電子部品を構成した時は良好なシールド効果
を付与し得ると言う利点を呈する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るセラミック多層配線基板の要部を
示す斜視図、第２図は本発明に係るセラミック多層配線
基板に被封止用金属リングを接合，一体化した状態を示
す斜視図、第３図は従来のセラミック多層配線基板の要
部を示す斜視図である。 １・・・・・・セラミック多層配線基板本体１ａ・・・
・・・電子部品実装領域 ２゜・・・・・・ウェルド領域 ２ａ’・・・縦溝部 ３・・・・・・リード端子 ４・・・・・・被封止用金属リング 出廟人　　　　　株式会社　東芝

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　セラミック多層配線基板本体と、前記配線基板本体の
   電子部品実装パターン領域面を囲んで配設された被封止
   用金属リングを気密に溶着するウェルド領域とを備えた
   セラミック多層配線基板において、 前記ウェルド領域の一部が、配線基板本体の端面全集に
   亘り互いに離隔して設けられた縦溝部を含めて構成され
   ていることを特徴とするセラミック多層配線基板。