JPH03222348A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野〕 不発明は、半導体装置の構造に関する。

［従来の技術］ 従来、半導体装置の構造としては、特願平ｏ１−０１５
５１１号に示され、第２図に示されるような構造が知ら
れていた。第２図は従来の半導体装置の構造を基板側か
ら見た図であり、１は少くとも表面が絶縁されている基
板でその絶縁表面上に２の装置外部との配線パターン及
び３の装置内部の配線パターンが、５０半導体素子の電
極上に形成されている金属突起４に相対するように形成
されている。８は絶縁樹脂であり、半導体素子５と、基
板１はこの絶縁樹脂によって、配線パターンと、金属突
起の電気的接続を保ったまま、接着している。一般に半
導体素子の電極ピッチは５０〜２００μ扉であり、外部
装置との結線を行う際は、さらにそのピッチを拡大し、
第２図２に示されるような配線パターンを形成すること
が多かった。６は基板の端面を示し、７は基板端面と半
導体素子の距離を示す。従来の半導体装置の構造を液晶
パネルに応用した例を第３図に示す。１１は基板ガラス
であり、１６０対向ガラスとの間に液品が封入されてい
る。１１０基板ガラス上には、第２図で説明したよつｔ
ｘ方式に従って、駆動用半導体素子１５が実装されてい
る。１２は駆動用半導体素子へ入力信号を送出するため
の入力配線ノ＜ターンであり、１７のフレキシブルコケ
フタ−と異方性導電膜、ハンダ付は等で接続され、外部
回路と接続されていた。また駆動用半導体素子１５から
の出力は出力配線パターン１３を通して液晶封入部へ導
かれ、液晶駆動のための信号を成品に印加していた。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、従来の半導体装置の構造では、第３図で示され
るように、半導体素子の出力配線ツクターンすなわち装
置内部の配線パターンと半導体素子をはさんで基板端面
側に入力配線パターンすなわち装置外部との配線パター
ンを有するような構造になっているために、基板端面と
半導体素子の距離７が必然的に長くなってしまうという
問題点を有していた。一般に基板は、例えば液晶表示装
置であれば液晶表示部、イメージセンサ−であればフォ
トダイオード及び駆動回路等、その装置にとって必要不
可決な部分をできる限り大きくし、実装部等はできる限
り小さくし、基板からの装置の取り効率を上げようとす
るため、できるだけ基板端面と半導体素子の距離７のよ
うなスペースは削除する設計が行われる。そのため、従
来の半導体装置の構造では基板からの装置の取り効率が
悪いという問題点を有していたのである。

そこで、本発明では前述のような問題点を解決するため
に、基板端面と半導体素子の距離７をできる限り小さく
し、基板からの装置の取り効率をできるだけ高めるよう
な半導体装置の構造を提供することを目的としている。

［課題を解決するための手段］ 前記問題点を解決するため、本発明の半導体装置の構造
では、半導体素子と、前記半導体素子の能動素子形成面
上に形成された電極と、前記電極上に配置された導電性
物質が、基板と前記基板上に前記電極に相対して形成さ
れている配線パターンは半導体装置の構造において、前
記半導体装置外部に接続されている配線パターンは、前
記半導体素子と前記基板の端面とを最短で結ぶ領域以外
に多く存在させたことを特徴とする。

［作用コ 本発明では、フェースダウン実装されている半導体素子
から外部へ引き出される配線パターンを半導体素子の画
面から多く引き出す構造としたので、半導体素子の電極
ピッチを、外部との接続が容易に得られるように配線パ
ターンのピッチを拡大する部分が半導体素子と基板端部
の間ではなく半導体素子の側方を用いることができるた
め、半導体素子と基板端部の距離が短くなるという作用
を有する。

［実施例］ 以下に、本発明を実施例に基づき、詳細に説明する。

第１図は、本発明による半導体装置の構造を基板圓から
見た図である。１は基板であり、少なくとも表面が絶縁
された、金属、ガラス、セラミックス等が用いられるこ
とが多い。第１図では、ガラス等の透明基板を用いた例
で説明する。基板上には、半導体素子５を基板外部と接
続するための装置外部との配線パターン２と、基板上に
形成された回路との接続を行うための装置内部の配線パ
ターン３とが形成されている。これらの配線、くターン
は、通常、Ｏｒ、Ｎｉ、Ｔａ等の金属や工ＴＤ等の金属
酸化物をフオトノくターニングして形成するか、導電イ
ンクを０刷して形成することが多い。装置内部の配線パ
ターン乙のピッチは、基板１上に形成される回路のピッ
チが、半導体素子５上に形成されている金属突起４のピ
ッチと同程度か、それ以下であるため、パターン設計上
素直に引きまわせば良いため問題無いが、装置外部との
接続は、通常、金属突起４のピッチより広くなげれば、
接続しにくく、かつ半導体素子に供給する電源等は低イ
ンピーダンスを求められることが多いため、装置外部と
の配線パターン２はできる限り幅広く設計することが多
い。装置外部との配線パターン４は半導体素子５の測面
方向へり［き出されており、こうすることで、配線パタ
ーンのピッチの拡大および低インピーダンス化すなわち
パターンの幅広化を行っているのである。当然、半導体
素子５の外部接続用金属突起も装置外部との配線パター
ン４に相対する位置に形成されている。

通常、半導体素子の側内は何も形成されないムダなスペ
ースであることが多いので、ここに装置外部との接続場
所を形成することになる。こうすることによって、６０
基板端面と、半導体素子５との距離７は、半導体素子５
の基板端面６＠に装置外部との接続場所を設ける方式に
比較して、基板端面と半導体素子の距離７を充分に短く
することができるのである。第１図では、４本の装置外
部との配線パターンを示したが、その数はもちろん半導
体素子、半導体装置によっても異なるし、パターンの引
き出しも、図のように半導体素子の側面方向を中心に行
えばよく、四角、及び一部は半導体素子と基板端面とを
結ぶ領域に存在してもかまわない。要は、いかに、半導
体素子側面のムダなスペースを装置外部との接続パター
ンの引きまわしに用いれるかを考えた設計を行えば良い
のである。半導体素子５は、８の絶縁樹脂によって基板
１と接着しているのであるが、さらにこの様子をわかり
やすくするために、第１図のＡ−Ａ’断面図を第４図に
示す。第４図中で、５は半導体素子を示し、その電極９
上に、例えばＯｒ　−Ｏｕ　。

Ｔｉ−Ｐｄ等の金属を被着した後、金属突起４を形成す
る。金属突起５は、Ａｕ　＊　Ｏｕ　、　／）ンダ等の
金属であり、電気メツキ、スパッタ等で形成されること
が多い。電極９は、半導体素子に供給する電源、入力信
号、あるいは出力信号を半導体素子外部へ取り出す接続
部である。４の金属突起が、一基板１上の装置外部との
配線パターン２及び装置内部の配線パターン３に、絶縁
樹脂８の接着力で押しつげられている。ここでは、接着
剤による半導体素子の７リツプチツプ実装についての例
で説明したが、従来から行われているハンダバンプによ
る共晶接続法や゛、金属突起の代替物質を印刷等で形成
する方法でもかまわない。

さらに、本発明の半導体装置の構造を液晶パネルに応用
した例を第５図に示す。１１は基板ガラスであり、前述
の基板に棺等し、１゛６の対向ガラスとの間に液晶が封
入されている。１１の基板ガラス上には第１図で説明し
たような方式に従ってパネルの駆動用半導体素子１５が
実装されている１２は駆動用半導体素子へ入力信号を送
出するための入力配線パターンであり、１３は駆動用半
導体素子からの出力をパネルに出力するための出力配線
パターンであり、それぞれ、装置外部との配線パターン
２及び装置内部の配線パターン３に相等する。入力配線
パターンは図示されるように、駆動用半導体素子間の空
スペースで接続ピッチを拡大し、１７のフレキシブルコ
ネクターと異方性専電膜で実装、接続される。これは、
何もフレキシブルコネクターを用いなくとも、ハンダ付
ケｔワイヤーボンディング等既知の実装手段を用いても
良い。

［発明の効果コ 以上説明したように、本発明の半導体装置の構造では、
半導体素子がフェースダウン実装されている基板上で゛
半導体素子の基板端面側の測面側から多くの装置外部と
の配線パターンを引き出し、そこで、装置外部との接続
をとるようにしたので以下の効果を有する。

ｆｉｌ　　半導体素子と基板端面との距離を小さくする
ことができるため、基板寸法を小さくでき、゛基板の原
板からの取り効率が向上するので、基板のコストを低下
させることができる。これは、基板の面積当りのコスト
の高いようなアクティブマトリクス液晶パネル基板、イ
メージセンサ−用基板等において著しい効果となる。

（２）半導体素子側面の基板上のスペースは一般的に広
いため、配線パターンが太く形成でき、インピーダンス
を低下させることができる。

（３）基板寸法が小さくなるため、基板性能に関係のな
い部分が小さくでき、基板を用いた製品の商品価値を高
めることができる。液晶パネル等では、額渕と呼ばれる
部位に相等し、ここが小さい程、商品価値は高まる。

（４）基板寸法が小さくなるため、製品の重量を減らす
ことができる。小型製品程、その効果は大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明による半導体装置の構造を、基板裏面
より見た平面図であり、第２図は、従来の半導体装置の
構造を基板裏面より見た平面図である。第３図は従来の
半導体装置の構造を示す斜視図であり、第４図は本発明
による半導体装置の構造を示す断面図である。第５図は
本発明による半導体装置′の構造を示す斜視図である。 １・・・・・・・・・基　板 ２・・・・・・・・・装置外部との配線パターン３・・
・・・・・・・装置内部の配線パターン４・・・・−・
・・・金属突起 ５・・・・・・・・・半導体素子 ６・・・・・・・・・基板端面 ・−・・・・・・・基板端面と半導体素子の距離・・・
・・・・・−絶縁樹脂 ・・・・・・・・・電　極 ・・・・・・・・・基板ガラス ・−・・・・・・・入力配線パターン ・・・・・・・・・出力配線パターン ・・・・・・・・・駆動用半導体素子 ・・・・・・・・・対向ガラス ・・・・・・・・・フレキシブルコネクター塩 上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体素子と、前記半導体素子の能動素子形成面上に形
   成された電極と、前記電極上に配置された導電性物質が
   、基板と前記基板上に前記電極に相対して形成されてい
   る配線パターンとの電気的接続に用いられ、前記配線パ
   ターンは半導体装置内部と半導体装置外部に接続されて
   いる半導体装置の構造において、前記半導体装置外部に
   接続されている配線パターンは、前記半導体素子と、前
   記基板の端面とを最短で結ぶ領域以外に多くを存在させ
   たことを特徴とする半導体装置の構造。