JPH03218043A - 半導体装置の測定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の測定装置、特に、ヒートシンク
を備えている半導体装置の測定装置に閲し、例えば、テ
ープ・オートメイドーボンディング（ＴＡＢ）等により
製造される表面実装形バッケージを備えている半導体集
積回路装置の電気特性を測定するのに利用して有効な半
導体装置の測定装置に間する． 〔従来の技術〕 従来、表面実装形バノケージを備えている半導体装置、
例えば、ＴＡＢにより製造された半導体集積回路装置（
被測定ＩＣ）の電気特性を測定する場合、ＩＣソケット
に被測定ＩＣを固定して各種の電気特性を測定すること
が行われている．このＩＣソケ，トはヒートシンクと複
数のコンタクトピンを備えており、ヒートシンクの周囲
にコンタクトピンが配されている．このソケノト本体に
はカバーが開閉自在に装着されており、ソケ７ト本体を
閉状態にすると、ヒートシンク上の被測定ｔＣのリード
端子がコンタクトピンに押圧されるようになっている．
この状態で、コンタクトピンからリード端子へ電気信号
を供給すれば、被測定ＩＣの電気特性を測定することが
できる．なおーこのようｆＸ　Ｉ　Ｃソケノトを述べて
ある例としては、特願昭６１−１０９２９４号がある．
〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、このようなＩＣソケノトにおいては、カ
バーをソケノト本体に閉状態でロックすることによって
、コンタクトピンとリード端子とが接触されるように構
成されているため、ＴＡＢにより製造されたＩＣのよう
に、ペレントそのものが露出している被測定ＩＣを測定
する場合に４お被測定ＩＣとヒートシンクとを充分に接
触させることができず、Ｐ．抵抗が増大し、エージング
等のスクリーニングにおいて不良が発生する場合がある
． また、ヒートシンクに４よアルミニウム製のものが用い
られており、しかも、ヒートンンクには表面処理が施さ
れていないため、選別、エージング等でＩＣソケノトに
被測定ＩＣを装着した際に、被測定［Ｃの表面にアルミ
ニウムの纏かな破片が付着し、外観不良になる場合があ
る．この種の不良はＴＡＢ等のベレノト！面を直接ボー
ドに実装する被測定ＩＣに顕著に表れている． 本発明の目的は、測定時における半導体装置とヒートシ
ンクとの間の熱延抗を低くすることができる半導体装置
の測定装置を提供することにある．本発明の他の目的は
、半導体装置にヒートシンクの破片が付着するのを防止
することができる半導体装置の測定装置を提供すること
６こある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
． 〔課題を解決するための手段〕 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである．すなわち、半導体装置
のリード端子に電気信号を供給するための複数のコンタ
クトピンがヒートシンクの周囲に配されて固定されてい
る基台と、基台に装着されてヒートシンク上における半
導体装置のリード端子をコンタクトピン側へ押圧する蓋
体とを備えている半導体装置の測定装置において、前記
ヒートシンク上における半導体装置のバノケージをヒー
トシンク側へ付勢するバノケージ付勢手段が設けられて
いることを特徴とする．〔作用ゴ 蓋体が基台に装着されると、ヒートシンク上における半
導体装置のリード端子がコンタクトピン側へ付勢され、
各リード端子とコンタクトピンとが接触する．このとき
、ヒートシンク上における半導体装置のバノケージは付
勢手段によってヒートシンク上へ押し付けられ、半導体
装置のバ，ケージとヒートシンクとが当接されるため、
半導体ｉｆとヒートシンクとの間の熱抵抗を低くするこ
とができる． また、ヒートシンクはその表面が耐熱性および耐摩耗性
を有するように構成されているので、半導体装置を基台
に装着するとき等において、ヒートンンクの破片が半導
体装置に付着するのが防止される． 〔実施例〕 第１図は本発明の一実施例である半導体装置の測定装置
を示す斜視図、第２図はその作用を説明するための拡大
部分側面断面図である．本実施例において、本発明に係
る半導体装置の測定装置１０は基台としてのソケット本
体１１と、蓋体としての上１１２とを備えでおり、ソケ
ント本体ｌ１に上蓋ｌ２が開閉自由に装着されている．
ソケント本体１１は平板状のベース１３の周囲に側壁１
４が膨出形成されて構成されており、べ一ス１３の中央
部に窪み１５が没設されている．この窪み１５の中央部
にはヒートシンク取付用の取付孔１６が開設されている
とともに、取付孔１６の周囲には複数のビン挿通孔１７
が開設されている．そして、取付孔１６内にヒートシン
ク１８が挿入されて固定されており、ピン挿遣孔ｌ７に
はコンタクトピン１９が挿入されて固定されている．ヒ
ートシンク１Ｂは耐熱性および耐摩耗性を有する材料を
用いられて構成されており、その頂部２０は平板状に形
成されている．コンタクトピンｌ９はその一部がヒート
シンク１８の頂部２０から突出しており、ヒートシンク
１８上の被測定ＩＣ２１のリード端子２２と接触可能に
なっている．上１１２は平板状のベース２３とベース２
３の闇囲に膨出形成された側壁２４とを備えており、ベ
ース２３の中央部に四角形形状の開口部２５が開設され
、ベース２３の端部にロノクレバー２６が形成されてい
る．ロノクレバー２６は、ソケット本体ｌ１のベース１
３に開設された四部３１に装着されて上ＭＬ２をソケッ
ト本体１１にロックするように構成されている． 開口部２５の周囲にはリード端子２２を押圧するための
押圧部２７が正方形枠形状に膨出形成されている．さら
に、ベース２３にはバンケージ付勢手段としての板ばね
２８が、開口部２５内に挿人されて押圧部２７に沿って
突出するように固着されている．板ばね２Ｂは中央部に
新曲部２９が形成され、端部３０がそれぞれベース２３
に固着されている． 次に作用を説明する． まず、被測定物として、ＴＡＢにより製造された被測定
（ＣＡＬの電気特性を測定するに際して、上蓋１２が開
かれてヒートシンク１８の頂部２０上に被測定｛Ｃ２１
が載置される．これにより、リード端子２２がコンタク
トピン１９に接触する．この後、上蓋■２が閉しられロ
ノクレバー２６が四部３１へ挿着されてロノクされると
、押圧部２７がリード端子２２をコンタクトピン１９側
へ押圧する．さらに、板ばね２８の折血部２９が被測定
ｒｃ２Ｌのパッケージ３２をヒートシンク１８側へ押圧
する．これにより、リード端子２２とコンタクトピンＬ
９とが確実に接触するとともにバノケージ３２がヒート
シンク１８に当接される．この後、電気信号をコンタク
トピン１９からリード端子２２へ送給すれば、被測定Ｉ
Ｃ２１の各Ｍｔ気特性を測定することができる．この場
合、リード端子２２とコンタクトと７１９とが確実に接
触しているため、試験中に接触不良に伴う試験結果が生
じるのを防止することができる．さらに、パッケージ３
２がヒートシンク１８に確実に当接されているため、パ
ッケージ３２からヒートシンク１８への熱放散が充分行
われ、被測定ｒｃ２１とヒートシンク１８との間の熱抵
抗を低くすることができ、被測定ＩＣ２Ｌを長時間に亘
って測定することが可能になる． また、ヒートシンク１日は耐熱性および耐摩耗性を有す
る材料で構成されているので、長時間に亘る試験を行っ
てもヒートシンク１８が変形したり、被測定ＩＣ２１に
ヒートシンク１８の破片が付着したりするのを防止する
ことができ、被測定ＩＣ２１の品質の向上に寄与するこ
とができる．前記実施例によれば次の効果が得られる．
（１）半導体装置の測定装置において半導体装置のパ，
ケージをヒートシンク側へ付勢する付勢手段を設シナる
ことにより、パッケージとヒートシンクとを確実に当接
させることができるため、半導体装置とヒートンンクと
の間の熱砥抗を低く押えることができる． （２）　半導体装置とヒートシンクとの間の熱抵抗を低
く抑えることにより長時間に亘るエージングまたは試験
が可能となるため、半導体装置の信頼性の同上に寄与す
ることができる． （３）　　ヒートシンクを耐熱性および耐摩耗性の優れ
た材質のもので構成することにより、ヒートシンクの破
片が半導体装置に付着するのを防止することができるた
め、半導体装置の品質の向上に寄与することができる． 以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない． 例えば、前記実施例においては、押圧手段として板ばね
２８を用いたものについて述べたが、第３図に示されて
いるように、ヒートシンクｌ８にパッケージ３２を真空
吸引する真空吸引路２８Ａを開設することにより、この
真空吸引路２８Ａによりパッケージ３２を吸引してヒー
トシンク１日に確実に当接させるように構成してもよい
．また、バノケージ付勢手段としての押さえばねは板ば
ねにより構成するに限らず、コイルばね等の他のばねや
、ゴムまたは樹脂等のような弾性体により構成しでもよ
い． ヒートシンク全体を耐熱性および耐摩耗性のある材料で
形成するに限らず、少なくともヒートシンクの半導体装
置との当接面が耐熱性および耐摩耗性を有するように構
成してもよい． 以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその青景となった利用分野であるＴＡＢにより製造さ
れた半導体装置についての測定技術に適用した場合につ
いて説明したが、スモールーアウトラインーパッケージ
を備えているＩＣや、スモール・アウトラインーＪリー
ドーバノケージを備えているＩＣ等のような表面実装形
パッケージを備えている半導体装置を測定する技術全般
に適用することができる． 〔発明の効果〕 本願において開示される発明のうちイ（表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである
． 半導体装置の測定装置において、半導体装置のバンケー
ジをヒ〜トシンク側へ付勢する付勢手段を設けることに
より、パッケージとヒートシンクとを確実に当接させる
ことができるため、半導体装置とヒートシンクとの間の
熱抵坑を低く抑えることができ、長時間に亘るエージン
グまたは試験が可能となり、半導体装置の信頼性の向上
に寄与することができる．

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である半導体ＳＸの測定装置
を示す斜視図、 第２図はその作用を説明するための拡大部分断面図であ
る． 第３図は本発明の他の実施例を示す拡大部分断面図であ
る．

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体装置のリード端子に電気信号を供給するため
   の複数のコンタクトピンがヒートシンクの周囲に配され
   て固定されている基台と、基台に装着されてヒートシン
   ク上における半導体装置のリード端子をコンタクトピン
   側へ押圧する蓋体とを備えている半導体装置の測定装置
   において、前記ヒートシンク上における半導体装置のパ
   ッケージをヒートシンク側へ付勢するパッケージ付勢手
   段が設けられていることを特徴とする半導体装置の測定
   装置。 ２、前記パッケージ付勢手段が、前記蓋体にパッケージ
   を押圧するように取り付けられた押さえばね、または、
   前記ヒートシンクにパッケージを吸引するように設けら
   れた真空吸着手段から構成されていることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の測定装置。 ３、前記ヒートシンクは、その表面が耐熱性および耐摩
   耗性を有するように構成されていることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の半導体装置の測定装置。