JPH03214328A - Memory testing system - Google Patents
Memory testing systemInfo
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- JPH03214328A JPH03214328A JP2011120A JP1112090A JPH03214328A JP H03214328 A JPH03214328 A JP H03214328A JP 2011120 A JP2011120 A JP 2011120A JP 1112090 A JP1112090 A JP 1112090A JP H03214328 A JPH03214328 A JP H03214328A
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- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は、メモリテスト方式に関し、
テスト時間を短縮することを目的とし、ライトレジスタ
を介してデータが書込まれるメモリの正常性をテストす
るメモリテスト方式であって、データの書込み直後に該
データの読出しを指示するテスト制御回路と、前記指示
によって読出されたデータを格納するリードレジスタと
、前記ライトレジスタの内容とリードレジスタの内容と
を比較する比較器とを設け、書込みデータを書込み直後
に該リードレジスタに読出しし、書込みデータが保持さ
れているライトレジスタと比較して一致不一致によりメ
モリの正常性をテストするように構成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] The present invention relates to a memory test method, and the present invention is a memory test method that tests the normality of a memory in which data is written via a write register, with the aim of shortening the test time. A test control circuit that instructs to read the data immediately after writing the data, a read register that stores the data read by the instruction, and a comparison that compares the contents of the write register and the read register. The write data is read into the read register immediately after the write data is written, and compared with the write register in which the write data is held to test the normality of the memory based on a match or mismatch.
〔産業上の利用分野] 本発明はメモリテスト方式の改良に関する。[Industrial application field] The present invention relates to improvements in memory testing methods.
近年、電子機器のメモリは価格低下の要因から大容量化
が著しく進み、メモリの正常性をテストするテストプロ
グラムの実行時間が増加傾向にある。このため、定期保
守に与えられる時間内にすべてのテストを完了すること
が困難となっており、テスト時間を短縮するメモリテス
ト方式が求められている。In recent years, the capacity of memories in electronic devices has significantly increased due to falling prices, and the execution time of test programs that test the normality of the memory has been increasing. For this reason, it has become difficult to complete all tests within the time allotted for regular maintenance, and a memory test method that shortens test time is required.
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕メモリ
の正常性を確認するため、従来では、電子機器の外部か
らテストプログラム(外部ブロセノサにより動作させる
)によってテストする方法か、またはテスト対象のメモ
リ上でテストプログラムを動作させてテストする方法が
採用されている。[Prior Art and Problems to be Solved by the Invention] Conventionally, in order to confirm the normality of a memory, a test is performed from outside the electronic device using a test program (operated by an external processor), or the memory to be tested is tested using a test program (operated by an external processor). The method used is to run a test program on top of the computer.
近年、メモリ容量は、アーキテクチャ上の拡大と低価額
化により、著し《増大しており、メモリテストプログラ
ムの実行時間は、メモリ容量に比例して増力lしている
。In recent years, memory capacity has increased significantly due to architectural expansion and price reduction, and the execution time of a memory test program has increased in proportion to the memory capacity.
一方、電子機器のアーキテクチャは複雑化が進行し、シ
ステム全体の確認時間も増加しているが、利用者か提供
する確認のための許容時間は、年々減少している。この
結果、メモリテストを含む確認のためのテストプログラ
ムの実行が、利用者先での定期保守時間内に完了するこ
とが出来な《なりつつある。On the other hand, although the architecture of electronic devices is becoming more complex and the time taken to confirm the entire system is increasing, the allowable time for confirmation provided by users is decreasing year by year. As a result, it is becoming increasingly difficult to complete the execution of test programs for confirmation, including memory tests, within regular maintenance hours at the user's site.
本発明は上記課題に鑑み、テスト時間を短縮するメモリ
テスト方式を提供することを目的とする。In view of the above problems, it is an object of the present invention to provide a memory test method that shortens test time.
上記目的を達成するため、本発明のメモリテスト方式は
、第1図一実施例の構成図に示すように、データの書込
み直後に該データの読出しを指示するテスト制御回路8
と、
前記指示によって読出されたデータを格納するリードレ
ンスタ9と、
前記ライトレジスタ6の内容とリードレジスタ9の内容
とを比較する比較器10とを設ける。In order to achieve the above object, the memory test method of the present invention uses a test control circuit 8 that instructs to read data immediately after writing the data, as shown in the block diagram of FIG.
A read register 9 stores data read according to the instruction, and a comparator 10 compares the contents of the write register 6 and the read register 9.
テスl一制御回路8は、書込み直後の次のサイクルで書
込みデータの読出しを指示し、指示によって読出された
データを読出しレジスタ9に格納する。The test l-control circuit 8 instructs to read the write data in the next cycle immediately after writing, and stores the data read in response to the instruction in the read register 9.
この読出しレジスタ9と書込みデータが保持されている
書込みレジスタ6の内容は比較器10で比較され、一致
/不一致を出力する。The contents of the read register 9 and the write register 6 holding the write data are compared by a comparator 10, and a match/mismatch is outputted.
不一致が検出されたときは、例えばアラームを発生して
、改めてテストプログラムによりテストされるか、また
は、一致/不一致別のメモリアドレス等が記録される。When a mismatch is detected, for example, an alarm is generated and a new test is performed using a test program, or memory addresses and the like are recorded for each match/mismatch.
以上のごとく、テスト制御回路8,読出しレジスタ9、
比較器10といったハードウエアを設けることにより、
通常の動作でメモリの自己チェックが可能となり、テス
トプログラムによるメモリテストを省略することができ
る。従って、メモリ容量が増大しても許容時間内にすべ
てのテストの実行が可能となる。As described above, the test control circuit 8, read register 9,
By providing hardware such as the comparator 10,
Memory self-check can be performed during normal operation, and memory testing using a test program can be omitted. Therefore, even if the memory capacity increases, all tests can be executed within the allowable time.
本発明の実施例を図面を参照しつつ詳細に説明する。 Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第1図は一実施例の構成図、第2図はタイムチャート図
である。第1図において、
1はプロセッサで、プログラムの指示によりメモリ4を
リード/ライトする。FIG. 1 is a block diagram of one embodiment, and FIG. 2 is a time chart. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a processor, which reads/writes the memory 4 according to instructions from a program.
2はアドレス八ソファで、プロセッサ1の出力するアド
レスデータを少なくとも次のリードライトサイクルまで
保持する。Reference numeral 2 denotes an address buffer, which holds address data output from the processor 1 at least until the next read/write cycle.
3はアドレスデコーダ、
4はテスト対象のメモリ、
5は出力レジスクで、プロセンサ1の出力するリード(
R)信号でメモリ4より読出されたデータが格納され、
プロセッサ1に読取られる。3 is an address decoder, 4 is the memory to be tested, and 5 is an output resistor, which reads the output of Prosensor 1 (
R) The data read out from the memory 4 by the signal is stored,
Read by processor 1.
6はライトレジスタで、ライト(一)信号.書込み(ラ
イト)アドレスとともにプロセッサ1より出力される書
込みデータ20を、少なくと次のリードライトサイクル
の終了まで保持する。6 is a write register, which receives the write (1) signal. The write data 20 output from the processor 1 together with the write address is held at least until the end of the next read/write cycle.
7はリ一ド/ライト制御回路で、W/R信号に基づき、
メモリ4のリード/ライト制御を行う。7 is a read/write control circuit, based on the W/R signal,
Performs read/write control of the memory 4.
8はテスト制御回路で、一信号を検出したとき、次のサ
イクルにおける同一アドレスの読出し(以下テストリー
ドと称する)をリード/ライト制御回路7に指示する。A test control circuit 8 instructs the read/write control circuit 7 to read the same address in the next cycle (hereinafter referred to as test read) when one signal is detected.
9はリードレジスタで、テストリードされたデータがテ
スト制御回路8によってセットされる。9 is a read register in which test read data is set by the test control circuit 8;
10は比較器で、ライトレジスタ6の内容とり一ドレジ
スタ9の内容とを比較し、一致/不一致信号を出力する
。A comparator 10 compares the contents of the write register 6 with the contents of the write register 9 and outputs a match/mismatch signal.
11はゲートである。11 is a gate.
以上構成において、以下に示すメモリの自己チェノクが
行われる。In the above configuration, the following memory self-check is performed.
(1) プロセノサlは図示省略したプログラムに従
ってメモリ4をアクセスする。(1) The processor I accesses the memory 4 according to a program not shown.
リード/ライト制御回路7は、W/R信号に従い、制御
信号およびアドレスデコーダ3の出力を所定のシーケン
スでメモリ4に出力し、書込み時にはライトレジスタ6
に書き込まれたデータを書込みし、読出し時にはメモリ
4に書込まれているデタを出力レジスタ5に出力する。The read/write control circuit 7 outputs the control signal and the output of the address decoder 3 to the memory 4 in a predetermined sequence according to the W/R signal, and outputs the output of the write register 6 at the time of writing.
The data written in the memory 4 is written, and the data written in the memory 4 is outputted to the output register 5 during reading.
(2)讐信号が出力されたとき、テスト制御回路8は、
これを検出して読出し指示をリート/ライト制御回路7
に出力する。(2) When the enemy signal is output, the test control circuit 8
The read/write control circuit 7 detects this and issues a read instruction.
Output to.
これにより、リード/ライト制御回路7は、書込み直後
の次のサイクルでリード制御を行う。Thereby, the read/write control circuit 7 performs read control in the next cycle immediately after writing.
このとき、アドレスハッファ2には、直前の書込みアド
レスが保持されており、従って書込みアドレスと同一ア
ドレスのデータが読出される。At this time, the address huffer 2 holds the previous write address, and therefore data at the same address as the write address is read.
このリードサイクルでは、テスト制御回路8は、メモリ
4より出力されたデータをリードレジスタ9にセソトす
るとともに、ゲート11を閉じてデータハスに出力され
ないようにする。またアクセス禁止信号もプロセッサl
に出力される。In this read cycle, the test control circuit 8 loads the data output from the memory 4 into the read register 9, and closes the gate 11 to prevent the data from being outputted. In addition, the access prohibition signal is also
is output to.
(3)以上により、比較器10は、ライトレジスタ6の
内容、即ち書込みデータ20と、リードレジスタ9の内
容、即ちテストリードされた読出しデータ21とを比較
し、一致/不一致信号を出力する。(3) As described above, the comparator 10 compares the contents of the write register 6, that is, the write data 20, and the contents of the read register 9, that is, the test-read read data 21, and outputs a match/mismatch signal.
以上により、通常の業務におけるデータライト時、プロ
グラムロ一ド時等において、自動的にメモリ4の自己チ
ェノクが行われる。As described above, self-checking of the memory 4 is automatically performed when writing data, loading a program, etc. in normal business operations.
なお、チェノク結果は、例えば一敗ノ不一致のアトレス
等をログしておいてもよく、不一敗のときアラームを発
生してもよい。It should be noted that the check result may be logged, for example, atres with one loss or no match, or an alarm may be generated when there is no loss.
以上説明したように、本発明は、書込みした直後に同一
アドレスを読出して書込みデータと比較するハードウエ
アを設けたメモリテスト方式を提供するもので、通常の
動作でメモリテストができるため、定期保守時のテスト
時間が短縮できる効果がある。As explained above, the present invention provides a memory test method that includes hardware that reads the same address immediately after writing and compares it with the written data, and since the memory test can be performed during normal operation, periodic maintenance This has the effect of shortening test time.
第1図は一実施例の構成図、第2図はタイムチャート図
である。
図中、1はプロセンサ、2はアドレスハノファ、3はア
ドレスデコーダ、4はメモリ、5は出力レジスタ、6は
書込みレジスク、7は書込み/読出し制御回路、8はテ
スト制御回路、9は読出しレジスタ、10は比較器、1
1はゲート、20は書込みデ第
1
図FIG. 1 is a block diagram of one embodiment, and FIG. 2 is a time chart. In the figure, 1 is a pro sensor, 2 is an address Hanofa, 3 is an address decoder, 4 is a memory, 5 is an output register, 6 is a write resistor, 7 is a write/read control circuit, 8 is a test control circuit, and 9 is a read register. , 10 is a comparator, 1
1 is the gate, 20 is the write decoder.
Claims (1)
リ(4)の正常性をテストするメモリテスト方式であっ
て、 データの書込み直後に該データの読出しを指示するテス
ト制御回路(8)と、 前記指示によって読出されたデータを格納するリードレ
ジスタ(9)と、 前記ライトレジスタ(6)の内容とリードレジスタ(9
)の内容とを比較する比較器(10)とを設け、書込み
データを書込み直後に該リードレジスタに読出しし、該
書込みデータが保持されているライトレジスタと比較し
て一致不一致によりメモリ(4)の正常性をテストする
ことを特徴とするメモリテスト方式。[Claims] A memory test method for testing the normality of a memory (4) into which data is written via a write register (6), the test control instructing to read the data immediately after writing the data. a circuit (8), a read register (9) that stores data read out according to the instruction, and a read register (9) that stores the contents of the write register (6) and the read register (9).
) is provided, reads the write data into the read register immediately after writing, compares it with the write register in which the write data is held, and if there is a match or mismatch, the memory (4) A memory test method characterized by testing the normality of.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011120A JPH03214328A (en) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | Memory testing system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011120A JPH03214328A (en) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | Memory testing system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03214328A true JPH03214328A (en) | 1991-09-19 |
Family
ID=11769153
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011120A Pending JPH03214328A (en) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | Memory testing system |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03214328A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07160586A (en) * | 1993-12-03 | 1995-06-23 | Nec Corp | Method and circuit for memory monitoring |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP2011120A patent/JPH03214328A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07160586A (en) * | 1993-12-03 | 1995-06-23 | Nec Corp | Method and circuit for memory monitoring |
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