JPH03212831A - 光ディスク - Google Patents
光ディスクInfo
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- JPH03212831A JPH03212831A JP2006187A JP618790A JPH03212831A JP H03212831 A JPH03212831 A JP H03212831A JP 2006187 A JP2006187 A JP 2006187A JP 618790 A JP618790 A JP 618790A JP H03212831 A JPH03212831 A JP H03212831A
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- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 3
- 102000001999 Transcription Factor Pit-1 Human genes 0.000 abstract 2
- 108010040742 Transcription Factor Pit-1 Proteins 0.000 abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
不発明は、コンパクトディスク（ＣＤ）あるいは、デー
タ用ディスクのセクタマーク等の１リビツトを含む光デ
ィスクにおいて、高密度化を実現するためのピット形状
に関する。
タ用ディスクのセクタマーク等の１リビツトを含む光デ
ィスクにおいて、高密度化を実現するためのピット形状
に関する。
ＣＤ、ＬＤ（レーザーディスク）あるいは、データ用光
ディスクのセクタマーク、アドレスマーク等を表わすも
のとして、光デイスク基板上にあらかじめプリピットを
設けることは。
ディスクのセクタマーク、アドレスマーク等を表わすも
のとして、光デイスク基板上にあらかじめプリピットを
設けることは。
１、「わが９やすい光ディスク」同列オプトロニクス総
集ｍｐ ３６〜 等によシ知られている。
集ｍｐ ３６〜 等によシ知られている。
また、これらのプリピットの形成方法としては、２「光
デイスク原盤記録装置」精密機械５０巻１２号１９８４
．１２Ｐ２５〜 等で示されるように、ＣＡＶ（角速度一定）モードによ
るピット形成（ピット形成時のレーザー照射パワーＰは
Ｐ■Ｊｖ（Ｊ：照射密度、Ｖ：線速度））、ＣＬＶ（線
速度一定）モードによるピット形成（ディスク全面にわ
たシ、レーザー照射パワーを一定）の２方式が知られて
おり、これらはいずれも、ピット形成に対応した信号の
ＯＮ、ＯＦＦ信号を加え、ピット長を変化させながらカ
ッティング形成する方法である。
デイスク原盤記録装置」精密機械５０巻１２号１９８４
．１２Ｐ２５〜 等で示されるように、ＣＡＶ（角速度一定）モードによ
るピット形成（ピット形成時のレーザー照射パワーＰは
Ｐ■Ｊｖ（Ｊ：照射密度、Ｖ：線速度））、ＣＬＶ（線
速度一定）モードによるピット形成（ディスク全面にわ
たシ、レーザー照射パワーを一定）の２方式が知られて
おり、これらはいずれも、ピット形成に対応した信号の
ＯＮ、ＯＦＦ信号を加え、ピット長を変化させながらカ
ッティング形成する方法である。
たとえば、ＣＤでは、 ｒ Ｃｏｍｐａｏｔ ｄ釦０
ｄｉｇｉｔａｌａｕｄｉｏ ５７ｓｔｅｌＩＩＩＩｎ
ｔｅｒｎａｔｉｏｒｕｉｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｔｅｏｈｎ
ｉｅａｌＣｏｍｍｉｓｉｏｎ ９０８．１９８７で示さ
れているようにピット長は約α９〜五３ａｍ （５Ｔ
〜１１Ｔ、’ｒは単位ピット時間長）の間で変化してい
る。
ｄｉｇｉｔａｌａｕｄｉｏ ５７ｓｔｅｌＩＩＩＩｎ
ｔｅｒｎａｔｉｏｒｕｉｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｔｅｏｈｎ
ｉｅａｌＣｏｍｍｉｓｉｏｎ ９０８．１９８７で示さ
れているようにピット長は約α９〜五３ａｍ （５Ｔ
〜１１Ｔ、’ｒは単位ピット時間長）の間で変化してい
る。
前記ピット幅は、トラッキング性能、クロストーク抑圧
の観点から約α４μｍに設定されている。
の観点から約α４μｍに設定されている。
該ピッ）１Ｍは前記カッティング方式によらずカッティ
ングパワーが一定であるため、異なった各ピット長にお
いてもピット幅は一定となっている。
ングパワーが一定であるため、異なった各ピット長にお
いてもピット幅は一定となっている。
この関係ｔ−第３図に示す。同一トラック上にあるピッ
ト３２と６３は、ピット長が１５２と１５５の如く相違
するが、ピット幅Ｗは一定であることが認められるであ
ろう。
ト３２と６３は、ピット長が１５２と１５５の如く相違
するが、ピット幅Ｗは一定であることが認められるであ
ろう。
第２図は光ディスクに関するＩＦｉＣ規格の説明図であ
る。
る。
同図において、零レベルは、再生ヘッドから見たときに
光が戻って来ない零レベルを表わし、Ａ、。、は、ミラ
ーレベルともいうべき、光が全反射してくるレベルを表
わしており、これを１００％としている。そしてＣＤに
は、ピット長が５Ｔのものから１１’ｌ’のものまでが
混在している。
光が戻って来ない零レベルを表わし、Ａ、。、は、ミラ
ーレベルともいうべき、光が全反射してくるレベルを表
わしており、これを１００％としている。そしてＣＤに
は、ピット長が５Ｔのものから１１’ｌ’のものまでが
混在している。
そしてピット長が５ＴＯものの変調度は、Ａ３／Ａｗａ
ｙで定義され、ピット長が１１Ｔのものの変調度は、
Ａ １１ ／ ＡｆＯｒで定義されている。そしてピッ
ト長が３でのものの変調度は４０％以上。
ｙで定義され、ピット長が１１Ｔのものの変調度は、
Ａ １１ ／ ＡｆＯｒで定義されている。そしてピッ
ト長が３でのものの変調度は４０％以上。
ピット長が１ｉＴのものの変調度は５０〜７０％の間に
なくてはならず、さらにＡ５とＡ１１の中心線は±２０
％の範囲内になければならないことになりている。
なくてはならず、さらにＡ５とＡ１１の中心線は±２０
％の範囲内になければならないことになりている。
上記従来技術では光ディスクにおける高密度化および信
号品質については配慮されていなかった。
号品質については配慮されていなかった。
光ディスクにおけるピット変調度について実験検討を行
つ九結果再生光ヘッドのレーザースポット径λ／ Ｎ
Ａ （Ｊ ：再生レーザー波長、ＮＡ：レンズ開口数）
により決まるスポット面積とピット面積との関係でピッ
ト変調度は表わすことができることがわかり九。
つ九結果再生光ヘッドのレーザースポット径λ／ Ｎ
Ａ （Ｊ ：再生レーザー波長、ＮＡ：レンズ開口数）
により決まるスポット面積とピット面積との関係でピッ
ト変調度は表わすことができることがわかり九。
該関係を第４図に示す（Ｊ ／Ｎ Ａ 中１．７５μｍ
。
。
ピット幅Ｗ中０４μｍ ）。
ここでピット長を１＃ピット幅をＷとする。たとえば、
ＣＤ用ピットｍｓについてみると最短ピット長Ｔ５と最
長ピット長で７は第４図中のＴ５゜Ｔ７の矢印で示すよ
うＫＣＤに好ましい変調度５０％以上が得られる。ここ
で、Ｔ７で比較した理由は、７７以上のピット長では１
ｌＮＡのピット長を越えるため変調度は７７以上は父わ
らないためである。
ＣＤ用ピットｍｓについてみると最短ピット長Ｔ５と最
長ピット長で７は第４図中のＴ５゜Ｔ７の矢印で示すよ
うＫＣＤに好ましい変調度５０％以上が得られる。ここ
で、Ｔ７で比較した理由は、７７以上のピット長では１
ｌＮＡのピット長を越えるため変調度は７７以上は父わ
らないためである。
しかしながら、本発明の目的とする高密度化および信号
品質の向上には不満である。たとえば、信号品質の向上
についてはＴ５とＴ７との変調度差を小さくすることが
必要であり、を九、九とえば、高密度化を図るために、
記録密度を各ピット長を１７２として倍にした場合、ピ
ット面積はピット幅一定とすれば１／２となる。このた
め、ディスク上のピット面積は＃！４図中のＴ５’ 、
Ｔ１１の矢印で示す変調度となる。？３′ において
は変調度約４０％となシ、必要な変ｉ１４度５０％以上
を得られなくなる。さら！’−”１１’との該ピット変
ｉ１［差は３０％となり、変調度差の大きい低品賞のも
のとなるため、ウィンドマージンが狭くな、Ｑフィバタ
ーン劣化し、現行ＣＤと同等の特性を得ることができな
い。
品質の向上には不満である。たとえば、信号品質の向上
についてはＴ５とＴ７との変調度差を小さくすることが
必要であり、を九、九とえば、高密度化を図るために、
記録密度を各ピット長を１７２として倍にした場合、ピ
ット面積はピット幅一定とすれば１／２となる。このた
め、ディスク上のピット面積は＃！４図中のＴ５’ 、
Ｔ１１の矢印で示す変調度となる。？３′ において
は変調度約４０％となシ、必要な変ｉ１４度５０％以上
を得られなくなる。さら！’−”１１’との該ピット変
ｉ１［差は３０％となり、変調度差の大きい低品賞のも
のとなるため、ウィンドマージンが狭くな、Ｑフィバタ
ーン劣化し、現行ＣＤと同等の特性を得ることができな
い。
本発明の目的は、前記アイパターンの劣化を防止し念高
密度光ディスクを提供することにある。
密度光ディスクを提供することにある。
〔課題を解決するための手段］
上記目的を達成するために、同一トラック上に配置され
たスリピット部において、ピット長が最も短いピットの
ピット幅が、他のピットのピット幅よシも広くしたもの
である。
たスリピット部において、ピット長が最も短いピットの
ピット幅が、他のピットのピット幅よシも広くしたもの
である。
第１図は、この関係を示した説明図である。ディスク１
上の同一トラック（ディスク中心から見て同一半径位置
にある）において、ピット長１０色々に異なるピット２
，３及び５Ａが示されているが、一番短いピット長（１
２）をもつピット２０ピツト＠Ｗ２が、一番長いピット
長（１５）をもつピットＳのピット幅Ｗ５よシ大きいこ
とが認められるであろう。
上の同一トラック（ディスク中心から見て同一半径位置
にある）において、ピット長１０色々に異なるピット２
，３及び５Ａが示されているが、一番短いピット長（１
２）をもつピット２０ピツト＠Ｗ２が、一番長いピット
長（１５）をもつピットＳのピット幅Ｗ５よシ大きいこ
とが認められるであろう。
〔作用コ
同一トラック上に配置される最短ピット長のピット幅を
、他のピット長のピット幅より広くすることＫより、高
密度配録した最短ピット長くおいても、該ピット面積の
他のピット面積との面積比が小さくなる割合は、従来技
術と比較して小さくなる。このため、最短ピットのピッ
ト変調度の減少は抑制され、アイパターンの劣化を防止
できる。
、他のピット長のピット幅より広くすることＫより、高
密度配録した最短ピット長くおいても、該ピット面積の
他のピット面積との面積比が小さくなる割合は、従来技
術と比較して小さくなる。このため、最短ピットのピッ
ト変調度の減少は抑制され、アイパターンの劣化を防止
できる。
実施例１
本発明の一実施例を第５図を用いて説明する。
前記ＣＤの配録密度を２倍と設定し、本発明を適用した
。これは最短ピット長が約α４５ｊ１ｍとなる。
。これは最短ピット長が約α４５ｊ１ｍとなる。
ＣＤ基板はポリカーボネート樹脂を用い、ディスクブイ
ズはＩＥＣ規格に準じた。ピット幅は最短ピット長では
約（Ｌ７μｍ、長ピットでは約０４５ａｒｎとした。
ズはＩＥＣ規格に準じた。ピット幅は最短ピット長では
約（Ｌ７μｍ、長ピットでは約０４５ａｒｎとした。
通常のピット形成では、ピット幅はピット長よシ広く形
成することはできず、本発明のように最短ピットにおけ
る（ピット幅／ピット長）比率が約１．５となるような
ピット形成はできない。
成することはできず、本発明のように最短ピットにおけ
る（ピット幅／ピット長）比率が約１．５となるような
ピット形成はできない。
そこで、本発明では、前記２櫨類のピット幅で。
かつ、ピット幅〉ピット長の関係となるピット形成を行
う手法として、ビーム偏向技術を用いた。
う手法として、ビーム偏向技術を用いた。
すなわち、音響光学扇向器（ＡＯＤ）は、＊５図（ａ）
に示す正負電圧を印加することによシ、該電圧に比例し
たビーム経路をたどる。すなわち、（ａ）中の正から負
に切シ換わるときに１度調信号を加えるとピットはディ
スク径方向に長いピットを得ることができる。そこで（
ａ）の扇回信号と（ｂｌの変調信号を印加することによ
、り 、 （０３に示すピット幅〉ピット長のピットを
得た。
に示す正負電圧を印加することによシ、該電圧に比例し
たビーム経路をたどる。すなわち、（ａ）中の正から負
に切シ換わるときに１度調信号を加えるとピットはディ
スク径方向に長いピットを得ることができる。そこで（
ａ）の扇回信号と（ｂｌの変調信号を印加することによ
、り 、 （０３に示すピット幅〉ピット長のピットを
得た。
その結果、配録密度を従来技術の２倍としたＣＤのＩＥ
Ｃ規格を満足するＣＤを得た。なお。
Ｃ規格を満足するＣＤを得た。なお。
（ｄ）には扇回速度が遅い時に形成されるピット例を示
した。
した。
実施例２
他実施例として、配録密度は従来技術と同じとし、現行
ＣＤのアイパターンを本発明を用いてさらに、向上させ
た例について、以下説明する。
ＣＤのアイパターンを本発明を用いてさらに、向上させ
た例について、以下説明する。
前記向上策として、短ピットＴ６と長ピット１フ以上と
の変調度差を権少させた。具体的には。
の変調度差を権少させた。具体的には。
Ｔ３のピット幅を広く（約α６μｍ）し、Ｔ７以上のピ
ット幅を狭く（約ａ５μｍ ）し１両ピット面積を近ず
けることにより変調度差を縮少させた。
ット幅を狭く（約ａ５μｍ ）し１両ピット面積を近ず
けることにより変調度差を縮少させた。
これによシ、前記ピット面積は、従来の約［Ｌ３６〜［
ｌＬ８８ｊｌＩｍ２から約（１５４〜α６６ｆｉｒｎ２
となり１変調度差は約１５％から約５％と縮小した。こ
の丸め。
ｌＬ８８ｊｌＩｍ２から約（１５４〜α６６ｆｉｒｎ２
となり１変調度差は約１５％から約５％と縮小した。こ
の丸め。
信号非対称性についても最悪で約５％以内（ＡＤ＊７０
６５／ ２ 、 Ａ１１申７０であるから（５７，５
／７０−１／２）Ｘｌ ００％）となり、ＩＩＣ規格を
充分満足するとともにアイパターンの大幅な向上を実現
したＣＤを得九。
６５／ ２ 、 Ａ１１申７０であるから（５７，５
／７０−１／２）Ｘｌ ００％）となり、ＩＩＣ規格を
充分満足するとともにアイパターンの大幅な向上を実現
したＣＤを得九。
なお、ピット幅制御は第６図に示すピット形成時のレー
ザー照射パワーとピット幅との関係を用いて行った。
ザー照射パワーとピット幅との関係を用いて行った。
第７図に上巳関係を用いてピット幅の異なるピットを得
た手法の理路を示す。ピット幅の広い最短ピットを形成
するときとピット幅の狭い長ピットを形成するときの変
調信号レベルをそれぞれのピットに対応した照射パワー
を印加することによｐ本発明によるピット形状を得た。
た手法の理路を示す。ピット幅の広い最短ピットを形成
するときとピット幅の狭い長ピットを形成するときの変
調信号レベルをそれぞれのピットに対応した照射パワー
を印加することによｐ本発明によるピット形状を得た。
上記実施例ではＣＤに関し説明し九が１本発明は光ディ
スク一般における高密度化に効果がある。
スク一般における高密度化に効果がある。
本発明によれば、記録再生密度を向上させた場合に不都
合となる最短ピットにおける変調度の減少を、ピット幅
〉ピット長とすることによシ、最短ピットの変調度を低
減することなく、高密度化できる。また、（最短ピット
長のピット幅）〉（長ピット長のピット幅）とすること
Ｋよシ、該ピッ）変調度差を縮少できるので信号品質の
向上が実現できる。
合となる最短ピットにおける変調度の減少を、ピット幅
〉ピット長とすることによシ、最短ピットの変調度を低
減することなく、高密度化できる。また、（最短ピット
長のピット幅）〉（長ピット長のピット幅）とすること
Ｋよシ、該ピッ）変調度差を縮少できるので信号品質の
向上が実現できる。
第１図は本発明の詳細な説明する平面図、第２図はＣＤ
ディスクに関する規格の説明図、第３図は従来技術を説
明するピット平面図、第４図はピット面積と変調度の＃
ｊＢ係を示す特性図、第５図は本発明の一実施例を示す
説明図、第６図は照射パワーとピット幅の関係を示す特
性図、第７図は本発明の他の実施例を示す説明図、であ
る。 符号の説明 １・・・・・・ディスク基板、２，５２．７２・・・・
・・最短ピット、３．３！ｉ、７５・・・・・・長ピッ
ト。 第 Ａ 第 ４ＴＩし 第 第 図 （Ｑ） デを多ノ戸シと、°・ソＦｅ／メζ （ｂ） 釦泗イ縛 第 ４ ０．２ ０．４ ０．６ ０．８ ビ・７ト潰目墳 か２２７シ量り １．０ 第 （（２） ビーム傷勺舖号 ＋ （ｂ） ｔＸイｔ；４（ （Ｃ） 形成ビ１．ト （ｃ（） 形、ベピソト
ディスクに関する規格の説明図、第３図は従来技術を説
明するピット平面図、第４図はピット面積と変調度の＃
ｊＢ係を示す特性図、第５図は本発明の一実施例を示す
説明図、第６図は照射パワーとピット幅の関係を示す特
性図、第７図は本発明の他の実施例を示す説明図、であ
る。 符号の説明 １・・・・・・ディスク基板、２，５２．７２・・・・
・・最短ピット、３．３！ｉ、７５・・・・・・長ピッ
ト。 第 Ａ 第 ４ＴＩし 第 第 図 （Ｑ） デを多ノ戸シと、°・ソＦｅ／メζ （ｂ） 釦泗イ縛 第 ４ ０．２ ０．４ ０．６ ０．８ ビ・７ト潰目墳 か２２７シ量り １．０ 第 （（２） ビーム傷勺舖号 ＋ （ｂ） ｔＸイｔ；４（ （Ｃ） 形成ビ１．ト （ｃ（） 形、ベピソト
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、情報信号が光学的な凹凸（ピット）としてそのトラ
ック上に記録されている光ディスクにおいて、 ディスク面上で半径方向の距離を同じくする同一トラッ
ク上に配置されたピット群の中で、ピット長が最も短い
ピットのピット幅をＷ＿ｓとし、ピット長がそれよりも
長い他のピットのピット幅をＷ１とするとき、Ｗ＿ｓ＞
Ｗ１の関係を持たせたことを特徴とする光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006187A JPH03212831A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006187A JPH03212831A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03212831A true JPH03212831A (ja) | 1991-09-18 |
Family
ID=11631555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006187A Pending JPH03212831A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03212831A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0814464A2 (en) * | 1996-06-21 | 1997-12-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical disk and method of manufacturing the same |
-
1990
- 1990-01-17 JP JP2006187A patent/JPH03212831A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0814464A2 (en) * | 1996-06-21 | 1997-12-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical disk and method of manufacturing the same |
| EP0814464A3 (en) * | 1996-06-21 | 1998-08-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical disk and method of manufacturing the same |
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