JPH03211841A - 半導体部品の樹脂被覆方法 - Google Patents
半導体部品の樹脂被覆方法Info
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- JPH03211841A JPH03211841A JP768690A JP768690A JPH03211841A JP H03211841 A JPH03211841 A JP H03211841A JP 768690 A JP768690 A JP 768690A JP 768690 A JP768690 A JP 768690A JP H03211841 A JPH03211841 A JP H03211841A
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 43
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
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Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野〕
本発明は、基板表面に固定された半導体部品を樹脂被覆
する半導体部品の樹脂被覆方法に関する。
する半導体部品の樹脂被覆方法に関する。
[従来の技術]
従来から、半導体部品を用いた装置の製造工程において
、耐湿性向上、機械的強度確保等のため、バンブ、ボン
ディング等によって基板上に固定されたIC等の半導体
部品の樹脂被覆が行われている。
、耐湿性向上、機械的強度確保等のため、バンブ、ボン
ディング等によって基板上に固定されたIC等の半導体
部品の樹脂被覆が行われている。
この樹脂被覆方法の一例が第2図に示されている。この
図において、第2図(a)は樹脂被着動作を示す図であ
り、第2図(b)は製品断面を示す図である。
図において、第2図(a)は樹脂被着動作を示す図であ
り、第2図(b)は製品断面を示す図である。
まず、フィルム10が表面に接着されている基板12に
は、孔14が設けられており、基板12には半導体部品
であるIC16がバンブ等の部材18によって電気的に
接続され、固定されているものとする。
は、孔14が設けられており、基板12には半導体部品
であるIC16がバンブ等の部材18によって電気的に
接続され、固定されているものとする。
まず、孔14側から、IC16にニードル20によって
エポキシ系の樹脂22を吐出滴下する。
エポキシ系の樹脂22を吐出滴下する。
ニードルを図中の矢印100のように周回させつつこの
ような樹脂22の滴下を行えば、樹脂22の拡がり及び
浸潤によって、第2図(b)に示されるようにIC16
の図中上面及び裾部を覆う樹脂層24が形成されること
になる。
ような樹脂22の滴下を行えば、樹脂22の拡がり及び
浸潤によって、第2図(b)に示されるようにIC16
の図中上面及び裾部を覆う樹脂層24が形成されること
になる。
この上で、オーブンに基板12ごと入れて加熱すれば、
樹脂層24が硬化して、安定な樹脂被覆が形成された半
導体装置を得ることができる。
樹脂層24が硬化して、安定な樹脂被覆が形成された半
導体装置を得ることができる。
〔発明が解決しようとする課8]
しかしながら、基板に搭載する半導体部品が表面に素材
がむき出した部品であるような場合、すなわち第2図(
b)におけるIC16の下面16aにSi層が向き出し
になっているような場合には、この面16aに樹脂22
が被着されていないため、光が当たるとIC16内部の
PN接合において光起電力によりリークが生じてしまう
等、基板に固定された半導体部品の性能劣化に係る問題
点があった。
がむき出した部品であるような場合、すなわち第2図(
b)におけるIC16の下面16aにSi層が向き出し
になっているような場合には、この面16aに樹脂22
が被着されていないため、光が当たるとIC16内部の
PN接合において光起電力によりリークが生じてしまう
等、基板に固定された半導体部品の性能劣化に係る問題
点があった。
特にバックライト液晶を用いる装置にこれを供する場合
、バックライトにより、かかる障害が発生しやすい。
、バックライトにより、かかる障害が発生しやすい。
また、従来方法を基板の表裏両面について繰り返し行う
ことも可能であるが、この場合、生産性が低下してしま
う。
ことも可能であるが、この場合、生産性が低下してしま
う。
本発明は、この様な問題点を解決することを課題として
なされたものであり、生産性を低下させること無く、半
導体部品の性能劣化を防止してより性能の高い半導体装
置を製造することが可能な半導体部品の樹脂被覆方法を
提供することを目的とする。
なされたものであり、生産性を低下させること無く、半
導体部品の性能劣化を防止してより性能の高い半導体装
置を製造することが可能な半導体部品の樹脂被覆方法を
提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
前記目的を達成するために本発明は、半導体部品から見
て孔とは逆側から半導体部品に樹脂を被着することを特
徴とする。
て孔とは逆側から半導体部品に樹脂を被着することを特
徴とする。
[作用]
本発明においては、まず、基板の孔を跨ぐように基板に
固定された半導体部品に、半導体部品から見て孔の側か
ら樹脂が被着される。これと同時に又は相前後して、半
導体部品から見て孔とは逆側から半導体部品に樹脂が被
着される。従って、半導体部品において孔とは逆側の面
に光などの外部刺激に敏感な部分が存在し又は近接して
いる場合にも、この外部刺激が被着された樹脂により遮
られ、性能劣化が防止される。
固定された半導体部品に、半導体部品から見て孔の側か
ら樹脂が被着される。これと同時に又は相前後して、半
導体部品から見て孔とは逆側から半導体部品に樹脂が被
着される。従って、半導体部品において孔とは逆側の面
に光などの外部刺激に敏感な部分が存在し又は近接して
いる場合にも、この外部刺激が被着された樹脂により遮
られ、性能劣化が防止される。
[実施例]
以下、本発明の一実施例について図面に基づいて説明す
る。なお、第2図の従来例と同様の構成には同一の符号
を付し説明を省略する。
る。なお、第2図の従来例と同様の構成には同一の符号
を付し説明を省略する。
第1図には、本発明の一実施例に係る半導体部品の樹脂
被覆方法が示されており、第1図(a)には樹脂被服動
作が、第1図(b)には製品断面が、それぞれ示されて
いる。
被覆方法が示されており、第1図(a)には樹脂被服動
作が、第1図(b)には製品断面が、それぞれ示されて
いる。
この実施例においては、第2図の従来例と同様にニード
ル20による樹脂22の被覆が行われると共に、中心部
に樹脂吐出口26が穿設されたノズル28により、例え
ばエポキシ系の樹脂30の被覆が行われる。
ル20による樹脂22の被覆が行われると共に、中心部
に樹脂吐出口26が穿設されたノズル28により、例え
ばエポキシ系の樹脂30の被覆が行われる。
すなわち、ニードル20による樹脂22の吐出滴下と同
時にあるいは相前後して、ノズル28の樹脂吐出口26
から樹脂30が吐出され、これがIC1Bの下面16a
に接触するよう図中の矢印200方向にノズル28が上
昇する。これにより、樹脂30がIC16の下面16a
に被着する。
時にあるいは相前後して、ノズル28の樹脂吐出口26
から樹脂30が吐出され、これがIC1Bの下面16a
に接触するよう図中の矢印200方向にノズル28が上
昇する。これにより、樹脂30がIC16の下面16a
に被着する。
この後、ノズル28は図中の矢印300方向に降下して
、樹脂30の被着が終了し、従来と同様に樹脂硬化が行
われる。
、樹脂30の被着が終了し、従来と同様に樹脂硬化が行
われる。
従って、この実施例においてはIC16の下面16aに
も樹脂層24a(硬化後は樹脂被覆となる)が形成され
るため、この而t6aにSi層など、光に敏感な層がむ
き出していても、例えばPN接合のリーク等の障害が発
生しない。
も樹脂層24a(硬化後は樹脂被覆となる)が形成され
るため、この而t6aにSi層など、光に敏感な層がむ
き出していても、例えばPN接合のリーク等の障害が発
生しない。
また、樹脂被覆に要する装置としても、従来装置にノズ
ル28及びその上下動機構を設けるだけでよく、わずか
な装置改良で前述の効果を得ることができる。
ル28及びその上下動機構を設けるだけでよく、わずか
な装置改良で前述の効果を得ることができる。
なお、ノズル28に代え、樹脂30を入れた容器によっ
て下側からIC16に樹脂30を塗布するようにしても
良い。
て下側からIC16に樹脂30を塗布するようにしても
良い。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、半導体部品から
見て孔とは逆側から半導体部品に樹脂を被着するように
したことにより、基板に搭載する半導体部品の表面に光
等の外部刺激に敏感な素材がむき出しているような場合
にも、半導体部品の性能劣化を防止してより性能の高い
半導体装置を製造することが可能であり、さらにこれを
製造装置のわずかな改造で、かつ生産性を低下させるこ
と無く実現することができる。
見て孔とは逆側から半導体部品に樹脂を被着するように
したことにより、基板に搭載する半導体部品の表面に光
等の外部刺激に敏感な素材がむき出しているような場合
にも、半導体部品の性能劣化を防止してより性能の高い
半導体装置を製造することが可能であり、さらにこれを
製造装置のわずかな改造で、かつ生産性を低下させるこ
と無く実現することができる。
第1図は、本発明の一実施例に係る半導体部品の樹脂被
覆方法の説明図であり、第1図(a)は工程説明図、第
1図(b)は製品断面図、第2図は、従来の半導体部品
の樹脂被覆方法の一例の説明図であり、第2図(a)は
工程説明図、第2図(b)は製品断面図である。 12 ・・・ フレームリード 16 ・・・ IC 16a ・・・ ICの下面 22.30 ・・・ 樹脂
覆方法の説明図であり、第1図(a)は工程説明図、第
1図(b)は製品断面図、第2図は、従来の半導体部品
の樹脂被覆方法の一例の説明図であり、第2図(a)は
工程説明図、第2図(b)は製品断面図である。 12 ・・・ フレームリード 16 ・・・ IC 16a ・・・ ICの下面 22.30 ・・・ 樹脂
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板の孔を跨ぐように基板に固定された半導体部品に、
半導体部品から見て孔の側から樹脂を被着し、半導体部
品を樹脂により被覆する半導体部品の樹脂被覆方法にお
いて、 半導体部品から見て孔とは逆側から半導体部品に樹脂を
被着することを特徴とする半導体部品の樹脂被覆方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007686A JP2763639B2 (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 半導体部品の樹脂被覆方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007686A JP2763639B2 (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 半導体部品の樹脂被覆方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03211841A true JPH03211841A (ja) | 1991-09-17 |
JP2763639B2 JP2763639B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=11672672
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007686A Expired - Fee Related JP2763639B2 (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 半導体部品の樹脂被覆方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2763639B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000048247A1 (en) * | 1999-02-15 | 2000-08-17 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device, method of manufacture thereof, electronic device |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55103747A (en) * | 1979-02-02 | 1980-08-08 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
JPS58204547A (ja) * | 1982-05-25 | 1983-11-29 | Citizen Watch Co Ltd | Icの封止方法 |
-
1990
- 1990-01-17 JP JP2007686A patent/JP2763639B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55103747A (en) * | 1979-02-02 | 1980-08-08 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
JPS58204547A (ja) * | 1982-05-25 | 1983-11-29 | Citizen Watch Co Ltd | Icの封止方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000048247A1 (en) * | 1999-02-15 | 2000-08-17 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device, method of manufacture thereof, electronic device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2763639B2 (ja) | 1998-06-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |