JPH03211748A - 半導体組立装置 - Google Patents
半導体組立装置Info
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- JPH03211748A JPH03211748A JP617490A JP617490A JPH03211748A JP H03211748 A JPH03211748 A JP H03211748A JP 617490 A JP617490 A JP 617490A JP 617490 A JP617490 A JP 617490A JP H03211748 A JPH03211748 A JP H03211748A
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- Pending
Links
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- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 claims description 6
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract description 17
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔腫業上の利用分野〕
本発明は、半導体組立装置に係り、特に、半導体組立装
置の組立時以前に発生した不良の自動構出、および除去
に好適な装置に関する。
置の組立時以前に発生した不良の自動構出、および除去
に好適な装置に関する。
ワイヤホンダ、ベレットボンダなどの半導体装置の組立
は、ダイシングからモールディングまでの一連の組立工
程を必要とし、これらの組立作業を各工程ごとに独立し
た自動機により行なってぃl。
は、ダイシングからモールディングまでの一連の組立工
程を必要とし、これらの組立作業を各工程ごとに独立し
た自動機により行なってぃl。
2゜
たものから、特開昭55−86124号公報に記載のよ
うに、組立装置の一貫化が図られている。しかし、従来
、各工程の後に設けてあった人間の目視作業による外観
横置は、除外されている。
うに、組立装置の一貫化が図られている。しかし、従来
、各工程の後に設けてあった人間の目視作業による外観
横置は、除外されている。
上記従来技術による半導体−貫組立装置では、従来性な
われていた外観横置上根がもつ意義が組み込まれておら
ず、不良製品の発生を発見しないまま、後の工程に送っ
てし才い、製品の信頼性を低下させるおそれがあった。
われていた外観横置上根がもつ意義が組み込まれておら
ず、不良製品の発生を発見しないまま、後の工程に送っ
てし才い、製品の信頼性を低下させるおそれがあった。
本発明の目的は、不良の発生を自動的に検出し、不良製
品を除去することにより、従来の人間による目視外観検
査の効果を保ちつつ、省力化を図ることにある。
品を除去することにより、従来の人間による目視外観検
査の効果を保ちつつ、省力化を図ることにある。
上記目的は、各工程に視覚による検査機能、および、検
査により不良と判定された製品を除去する機構を付加す
ることにより達成される。
査により不良と判定された製品を除去する機構を付加す
ることにより達成される。
TVカメラによりとらえた製品外観の画像からその形状
等を計測することにより、組立装置が不良を発生したか
どうかを知ることができる。その情報を、不良取出機構
の側御部に送り、不良製品を自動的にラインから除去す
る。
等を計測することにより、組立装置が不良を発生したか
どうかを知ることができる。その情報を、不良取出機構
の側御部に送り、不良製品を自動的にラインから除去す
る。
以下、本発明の′A施例を第1区から第7図を用いて説
明する。
明する。
本発明は、第1図に示すように、ダイシング族f1/l
lから、モールド(あるいは封止)装置4までの各工程
を一貫装置にした、半導体組立−貫装部において、各工
程部に横置装@5、不良取出機構6、および、完全不良
ストッカ7(再生不良ストッカ8)を付加し、不良の検
出、除去を自動的に行なうものである。
lから、モールド(あるいは封止)装置4までの各工程
を一貫装置にした、半導体組立−貫装部において、各工
程部に横置装@5、不良取出機構6、および、完全不良
ストッカ7(再生不良ストッカ8)を付加し、不良の検
出、除去を自動的に行なうものである。
各工程の中でも、特に、ワイヤボンディング工程を例に
、自動外観検査方法と、不良除去方法について、詳細に
説明する。
、自動外観検査方法と、不良除去方法について、詳細に
説明する。
ワイヤボンディング工程の外観検査は、第2図に示すシ
ステム構成で行なう。まず、検量の対象となる、ボンデ
ィング圧着部31を光学系52と′rvカメラ51によ
り撮像し、検査装置5に取り込む。
ステム構成で行なう。まず、検量の対象となる、ボンデ
ィング圧着部31を光学系52と′rvカメラ51によ
り撮像し、検査装置5に取り込む。
そして、ボンディング圧着部31の形状を計測し、良品
、不良品の判定を行なう。
、不良品の判定を行なう。
検査装置5は、第3図に示すハード構成を待つ。
TVカメラ51により撮像された画像は濃淡レベルJC
4i量子化し、多値メモリ53に格納されると共に、適
切なしきい値レベルで二値化され、二値メモリ32に格
納される。そして、CPU55は、プログラムメモIJ
56にあらかじめ定めたプログラム内容に従って処理
する。
4i量子化し、多値メモリ53に格納されると共に、適
切なしきい値レベルで二値化され、二値メモリ32に格
納される。そして、CPU55は、プログラムメモIJ
56にあらかじめ定めたプログラム内容に従って処理
する。
ワイヤボンディング工程で発生する不良は、第4図に示
すような、圧着幅大31a、圧着幅小31bjテール長
31C,位置ずれ314などがある。これらの不良の発
生を検出するために、ボンディング圧着部の形状を高精
度に計測する。計測箇所は第5図に示す、圧着幅(Wi
) 、縦圧着幅(t)、テール長さ(Ta)、圧着中
心(G)などである。
すような、圧着幅大31a、圧着幅小31bjテール長
31C,位置ずれ314などがある。これらの不良の発
生を検出するために、ボンディング圧着部の形状を高精
度に計測する。計測箇所は第5図に示す、圧着幅(Wi
) 、縦圧着幅(t)、テール長さ(Ta)、圧着中
心(G)などである。
これらの計測は以下の手順で行なう(第6図参照)。ま
ず、ワイヤは、あらゆる向きに張られているため、その
方向を検出する。このワイヤ方向は、あらかじめ、ボン
ディング時のデータを利用してもよいが、次のような方
法で検出できる。その方法は、まず、ワイヤの圧着部を
撮像した画像において、圧着部を含む円形のエリアを残
してマスクをかける。その内部を二値化し、ティル部3
1eとネック部31 fだけが残る二値画像とする。そ
して、テイル部31 C*ネック部31 fそれぞれの
ム心GT、GNを求め、それらを結ぶことで、ワイヤの
中心線31 gが得られ、ワイヤ方向がわかる。また、
ボンディング圧着部の圧着中心Gも検出できる。
ず、ワイヤは、あらゆる向きに張られているため、その
方向を検出する。このワイヤ方向は、あらかじめ、ボン
ディング時のデータを利用してもよいが、次のような方
法で検出できる。その方法は、まず、ワイヤの圧着部を
撮像した画像において、圧着部を含む円形のエリアを残
してマスクをかける。その内部を二値化し、ティル部3
1eとネック部31 fだけが残る二値画像とする。そ
して、テイル部31 C*ネック部31 fそれぞれの
ム心GT、GNを求め、それらを結ぶことで、ワイヤの
中心線31 gが得られ、ワイヤ方向がわかる。また、
ボンディング圧着部の圧着中心Gも検出できる。
次に、多値画像を用いて圧着部を高′!′11度に計測
する。すでIこワイヤ中心線31 gはわかっているの
で、この中心線に垂直な探索ライン31 h −9数本
設け、その直線上の明るさの変化を調べる。そして、そ
の明るさの変化の大きな位置を荷重平均法によって求め
る。これは、中心線への垂線上の明るさの変化をf(i
)とした場合、次式を計算するものである。
する。すでIこワイヤ中心線31 gはわかっているの
で、この中心線に垂直な探索ライン31 h −9数本
設け、その直線上の明るさの変化を調べる。そして、そ
の明るさの変化の大きな位置を荷重平均法によって求め
る。これは、中心線への垂線上の明るさの変化をf(i
)とした場合、次式を計算するものである。
A工■ニュ
Σf(す
ここでiは、ti[4m上の位置を表わし、総和は、明
るさ変化があるしきい値以上の1について累める。
るさ変化があるしきい値以上の1について累める。
この方式により、圧着部の幅を表わす二点を慎出し、そ
の間の距離を圧1I11!とする。そして、この方式で
、圧着部の数箇所の幅を測定する。
の間の距離を圧1I11!とする。そして、この方式で
、圧着部の数箇所の幅を測定する。
また、ワイヤ中心線31 gとテイル部31e、ネック
部31 fの変わる二点を求め、その距離の計算結果が
、縦圧着幅tとなる。また、テイル$316の、テイル
部31 eとワイヤ中心線31 gとの交点からの最遠
点を求め、これらの二点の距離を求めることで、テール
長さTaを求める。
部31 fの変わる二点を求め、その距離の計算結果が
、縦圧着幅tとなる。また、テイル$316の、テイル
部31 eとワイヤ中心線31 gとの交点からの最遠
点を求め、これらの二点の距離を求めることで、テール
長さTaを求める。
このような測定を、ボンディング後に行ない、それらの
データを所定の値と比較することで、良品・不良品の判
定を行なう。
データを所定の値と比較することで、良品・不良品の判
定を行なう。
不良と判定された製品について、不良取出機構6を用い
て組立ラインから除去する。除去の信号は検査装置5か
ら不良販出制御部61に伝送され、不良取出駆動部62
により、不良製品の除去が行なわれる。不良除去方法の
一例を第7図に示す。検査の際、製品は、′組立用治具
13に並べられており、治具13をX、Y方向に移動す
ることにより、端から、順次、検査を行なうが、検査画
像をTVカメラ51で撮像する時、被検量物12は、製
品固定用治具11により、真空吸−N6の方法で、固定
され、治具11を2の正方向に移動して位置決めされる
。検査後、被@査物12が不良と判定された場合、@査
装置5から信号が送られ、不良取出駆動部62により、
不良取出用治具簡が被検量物12の下まで移動する。そ
の後、製品固定用治具11を元の位置に戻す(降下する
)と、被検量物12が不良取出用治具63上に残る。そ
して、不良取出用治具63を元の位置に戻すことにより
、不良製品はラインから除去される。
て組立ラインから除去する。除去の信号は検査装置5か
ら不良販出制御部61に伝送され、不良取出駆動部62
により、不良製品の除去が行なわれる。不良除去方法の
一例を第7図に示す。検査の際、製品は、′組立用治具
13に並べられており、治具13をX、Y方向に移動す
ることにより、端から、順次、検査を行なうが、検査画
像をTVカメラ51で撮像する時、被検量物12は、製
品固定用治具11により、真空吸−N6の方法で、固定
され、治具11を2の正方向に移動して位置決めされる
。検査後、被@査物12が不良と判定された場合、@査
装置5から信号が送られ、不良取出駆動部62により、
不良取出用治具簡が被検量物12の下まで移動する。そ
の後、製品固定用治具11を元の位置に戻す(降下する
)と、被検量物12が不良取出用治具63上に残る。そ
して、不良取出用治具63を元の位置に戻すことにより
、不良製品はラインから除去される。
除去後の不良製品は、検査の結果により、再生不良(圧
着幅大・小、テイル長1位置ずれなど)、および完全不
良(上記不良が一製品につき四ワイヤ以上あるもの)に
分けられ、それぞれ再生不良ストッカ8、および、完全
不良ストッカ7に格納される。
着幅大・小、テイル長1位置ずれなど)、および完全不
良(上記不良が一製品につき四ワイヤ以上あるもの)に
分けられ、それぞれ再生不良ストッカ8、および、完全
不良ストッカ7に格納される。
このような装置を、半導体組立工程の各工程に付加する
ことにより、従来の目視外観慎重の効果を残して、組立
を一貫ライン化することができる。
ことにより、従来の目視外観慎重の効果を残して、組立
を一貫ライン化することができる。
本発明によれば、従来、すべて人手に頼っていた外観検
査、不良の除去を自動化できるので、省力化、夷品信I
Ji性の保持の効果がある。
査、不良の除去を自動化できるので、省力化、夷品信I
Ji性の保持の効果がある。
第1図は本発明−央織例の、半導体組立−貫装型のブロ
ック図、W2B図は、モニタリング機能を付加したワイ
ヤボンディング工程の説明図、第3戒 5図はホンディング圧着部の平面図、第6図はボンディ
ング圧着部の二値画像と処理例の説明図、第7図は不良
取出機構の一例を示した斜視図である。
ック図、W2B図は、モニタリング機能を付加したワイ
ヤボンディング工程の説明図、第3戒 5図はホンディング圧着部の平面図、第6図はボンディ
ング圧着部の二値画像と処理例の説明図、第7図は不良
取出機構の一例を示した斜視図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体組立装置において、 視覚により、組立後の外観を自動的に観測し、その結果
を解析する自動外観検査装置、および、前記自動外観検
査装置により不良と判定された製品を自動的に除去する
機構を含むことを特徴とする半導体組立装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP617490A JPH03211748A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 半導体組立装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP617490A JPH03211748A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 半導体組立装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03211748A true JPH03211748A (ja) | 1991-09-17 |
Family
ID=11631185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP617490A Pending JPH03211748A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 半導体組立装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03211748A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998038677A1 (fr) * | 1997-02-26 | 1998-09-03 | Hitachi, Ltd. | Procede de fabrication de semi-conducteur |
-
1990
- 1990-01-17 JP JP617490A patent/JPH03211748A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998038677A1 (fr) * | 1997-02-26 | 1998-09-03 | Hitachi, Ltd. | Procede de fabrication de semi-conducteur |
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