JP2003270168A - 欠陥検査方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
欠陥検査方法及び半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 欠陥検査を行うウエハ表面に色むらがある場
合でも色むらによる虚報の検出を抑制できる欠陥検査方
法及び半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る欠陥検査方法は、ウエハ表
面の画像を取り込み、ウエハ表面の明度を測定すること
によって欠陥を検査する方法であって、ウエハ表面の横
一列のチップ領域１〜７の明度を測定し、この測定デー
タから各々のチップ領域の明度の標準偏差又は平均値を
導出し、この標準偏差又は平均値を基準とする基準チッ
プデータを導出し、この基準チップデータと各々のチッ
プ領域１〜７の明度との差を比較し、この差が設定値以
上であるチップ領域を検出する工程と、上記設定値以上
であるチップ領域を除いたウエハ表面のチップ領域につ
いて欠陥の有無を判定する欠陥検査の本工程と、を具備
するものである。
合でも色むらによる虚報の検出を抑制できる欠陥検査方
法及び半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る欠陥検査方法は、ウエハ表
面の画像を取り込み、ウエハ表面の明度を測定すること
によって欠陥を検査する方法であって、ウエハ表面の横
一列のチップ領域１〜７の明度を測定し、この測定デー
タから各々のチップ領域の明度の標準偏差又は平均値を
導出し、この標準偏差又は平均値を基準とする基準チッ
プデータを導出し、この基準チップデータと各々のチッ
プ領域１〜７の明度との差を比較し、この差が設定値以
上であるチップ領域を検出する工程と、上記設定値以上
であるチップ領域を除いたウエハ表面のチップ領域につ
いて欠陥の有無を判定する欠陥検査の本工程と、を具備
するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ表面の画像
を取り込み、ウエハ表面の明度を測定することによって
欠陥を検査する方法及びそれを用いた半導体装置の製造
方法に関する。
を取り込み、ウエハ表面の明度を測定することによって
欠陥を検査する方法及びそれを用いた半導体装置の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来の欠陥検査方法を用いて欠
陥検査が行われるウエハを示す平面図である。このウエ
ハは、表面上に絶縁膜が堆積された後、この絶縁膜がＣ
ＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）研磨により平
坦化され、その絶縁膜上にＡｌ合金配線が形成されたも
のである。このような状態のウエハ表面の欠陥を欠陥検
査装置を用いて検査する。
陥検査が行われるウエハを示す平面図である。このウエ
ハは、表面上に絶縁膜が堆積された後、この絶縁膜がＣ
ＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）研磨により平
坦化され、その絶縁膜上にＡｌ合金配線が形成されたも
のである。このような状態のウエハ表面の欠陥を欠陥検
査装置を用いて検査する。
【０００３】以下、具体的な欠陥検査方法について説明
する。この欠陥検査方法は、ウエハ表面に光を照射し、
ウエハ表面の画像を取り込み、ウエハ表面の明度（明る
さ）を測定することによって欠陥を検査するものであ
る。ウエハ表面には複数の同一のチップ領域が並んで形
成されているので、各々のチップ領域の明度を両隣のチ
ップ領域の明度と比較して３チップ領域の画像比較を行
い、明度の差を測定することにより、欠陥の有無を検査
する。
する。この欠陥検査方法は、ウエハ表面に光を照射し、
ウエハ表面の画像を取り込み、ウエハ表面の明度（明る
さ）を測定することによって欠陥を検査するものであ
る。ウエハ表面には複数の同一のチップ領域が並んで形
成されているので、各々のチップ領域の明度を両隣のチ
ップ領域の明度と比較して３チップ領域の画像比較を行
い、明度の差を測定することにより、欠陥の有無を検査
する。
【０００４】より具体的には、まず、図２に示すウエハ
の中央付近に位置するチップ領域４に光を照射し、その
チップ領域４における所定部分の明度（明るさ）を検出
する。なお、ウエハ表面は一辺が０．２５μｍ程度の正
方形領域（これをピクセルという）に分割され、前記所
定部分は複数のピクセルを有する領域である。
の中央付近に位置するチップ領域４に光を照射し、その
チップ領域４における所定部分の明度（明るさ）を検出
する。なお、ウエハ表面は一辺が０．２５μｍ程度の正
方形領域（これをピクセルという）に分割され、前記所
定部分は複数のピクセルを有する領域である。
【０００５】次に、検出された前記所定部分の明度のデ
ータから各々のピクセル毎の明度を検出し、そのうち最
も明るいピクセルの明度をライトレベル２５５と規定
し、最も暗いピクセルの明度をライトレベル０と規定す
る。このように絶対値として規定したライトレベル０と
２５５がウエハ表面の明度を測定した際の基準となる明
度である。従って、ウエハ全体の明度において最も明る
いピクセルと最も暗いピクセルの両方を有する領域を予
め前記所定部分として選択しておく必要がある。
ータから各々のピクセル毎の明度を検出し、そのうち最
も明るいピクセルの明度をライトレベル２５５と規定
し、最も暗いピクセルの明度をライトレベル０と規定す
る。このように絶対値として規定したライトレベル０と
２５５がウエハ表面の明度を測定した際の基準となる明
度である。従って、ウエハ全体の明度において最も明る
いピクセルと最も暗いピクセルの両方を有する領域を予
め前記所定部分として選択しておく必要がある。
【０００６】この後、図２に示すウエハにおける上部の
チップ領域に光を照射し、そのチップ領域における各ピ
クセル毎の明度を測定する。この測定された明度のデー
タと上述したライトレベル０と２５５の基準から、相対
的に各ピクセル毎のライトレベルを０から２５５の数値
として導出する。次に、上記チップ領域の両隣のチップ
領域に光を照射し、それらのチップ領域における各ピク
セル毎の明度を測定する。この測定された明度のデータ
とライトレベル０と２５５の基準から、相対的に各ピク
セル毎のライトレベルを０から２５５の数値として導出
する。そして、隣同士のチップ領域の対応する各ピクセ
ルのライトレベルを比較し、そのライトレベルに所定の
差があるピクセルを検出する。この検出されたピクセル
の位置に欠陥が存在すると判定される。
チップ領域に光を照射し、そのチップ領域における各ピ
クセル毎の明度を測定する。この測定された明度のデー
タと上述したライトレベル０と２５５の基準から、相対
的に各ピクセル毎のライトレベルを０から２５５の数値
として導出する。次に、上記チップ領域の両隣のチップ
領域に光を照射し、それらのチップ領域における各ピク
セル毎の明度を測定する。この測定された明度のデータ
とライトレベル０と２５５の基準から、相対的に各ピク
セル毎のライトレベルを０から２５５の数値として導出
する。そして、隣同士のチップ領域の対応する各ピクセ
ルのライトレベルを比較し、そのライトレベルに所定の
差があるピクセルを検出する。この検出されたピクセル
の位置に欠陥が存在すると判定される。
【０００７】次いで、このような両隣のチップ領域のラ
イトレベルの比較を、ウエハの上部のチップ領域から順
に横方向に行い、順にウエハの下方のチップ領域に進ん
でいき、ウエハ上の全てのチップ領域の欠陥検査を行
う。
イトレベルの比較を、ウエハの上部のチップ領域から順
に横方向に行い、順にウエハの下方のチップ領域に進ん
でいき、ウエハ上の全てのチップ領域の欠陥検査を行
う。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ウエハをＣ
ＭＰ研磨すると、ウエハ上で膜厚の差が大きくなり、ウ
エハ表面の同心円上に大きな色むらが生じることがあ
る。このような膜厚の差（色の差）の大きなチップの両
隣の比較を行う場合、本来的には欠陥でない正常な部分
を誤って欠陥（虚報）として検出してしまうことがあ
る。
ＭＰ研磨すると、ウエハ上で膜厚の差が大きくなり、ウ
エハ表面の同心円上に大きな色むらが生じることがあ
る。このような膜厚の差（色の差）の大きなチップの両
隣の比較を行う場合、本来的には欠陥でない正常な部分
を誤って欠陥（虚報）として検出してしまうことがあ
る。
【０００９】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、欠陥検査を行うウエハ表
面に色むらがある場合でも色むらによる虚報の検出を抑
制できる欠陥検査方法及び半導体装置の製造方法を提供
することにある。
れたものであり、その目的は、欠陥検査を行うウエハ表
面に色むらがある場合でも色むらによる虚報の検出を抑
制できる欠陥検査方法及び半導体装置の製造方法を提供
することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る欠陥検査方法は、ウエハ表面の画像を
取り込み、ウエハ表面の明度を測定することによって欠
陥を検査する方法であって、ウエハ表面の所定領域内に
位置する複数のチップ領域の明度を測定し、この測定デ
ータから各々のチップ領域の明度の標準偏差又は平均値
を導出し、この標準偏差又は平均値を基準とする基準チ
ップデータを導出し、この基準チップデータと各々のチ
ップ領域の明度との差を比較し、この差が設定値以上で
あるチップ領域を検出する工程と、上記設定値以上であ
るチップ領域を除いたウエハ表面のチップ領域について
欠陥の有無を判定する欠陥検査の本工程と、を具備する
ことを特徴とする。
め、本発明に係る欠陥検査方法は、ウエハ表面の画像を
取り込み、ウエハ表面の明度を測定することによって欠
陥を検査する方法であって、ウエハ表面の所定領域内に
位置する複数のチップ領域の明度を測定し、この測定デ
ータから各々のチップ領域の明度の標準偏差又は平均値
を導出し、この標準偏差又は平均値を基準とする基準チ
ップデータを導出し、この基準チップデータと各々のチ
ップ領域の明度との差を比較し、この差が設定値以上で
あるチップ領域を検出する工程と、上記設定値以上であ
るチップ領域を除いたウエハ表面のチップ領域について
欠陥の有無を判定する欠陥検査の本工程と、を具備する
ことを特徴とする。
【００１１】上記欠陥検査方法によれば、欠陥検査の本
工程の前に、所定領域内に位置する複数のチップ領域の
明度を測定し、これから標準偏差又は平均値を基準とす
る基準チップデータを導出し、この基準チップデータと
各々のチップ領域の明度との差が設定値以上であるチッ
プ領域を検出し、この検出したチップ領域を除いたチッ
プ領域について欠陥検査の本工程を行っている。これに
より、本来的には欠陥でない正常な部分を誤って欠陥と
して検出する虚報の検出を抑制することができる。
工程の前に、所定領域内に位置する複数のチップ領域の
明度を測定し、これから標準偏差又は平均値を基準とす
る基準チップデータを導出し、この基準チップデータと
各々のチップ領域の明度との差が設定値以上であるチッ
プ領域を検出し、この検出したチップ領域を除いたチッ
プ領域について欠陥検査の本工程を行っている。これに
より、本来的には欠陥でない正常な部分を誤って欠陥と
して検出する虚報の検出を抑制することができる。
【００１２】また、本発明に係る欠陥検査方法において
は、上記チップ領域を検出する工程で検出されたチップ
領域を、上記欠陥検査の本工程とは異なる判定方法で欠
陥検査を行う工程をさらに含むことも可能である。
は、上記チップ領域を検出する工程で検出されたチップ
領域を、上記欠陥検査の本工程とは異なる判定方法で欠
陥検査を行う工程をさらに含むことも可能である。
【００１３】本発明に係る半導体装置の製造方法は、欠
陥検査工程を含む半導体装置の製造方法において、上記
欠陥検査工程は、ウエハ表面の画像を取り込み、ウエハ
表面の明度を測定することによって欠陥を検査する方法
であって、ウエハ表面の所定領域内に位置する複数のチ
ップ領域の明度を測定し、この測定データから各々のチ
ップ領域の明度の標準偏差又は平均値を導出し、この標
準偏差又は平均値を基準とする基準チップデータを導出
し、この基準チップデータと各々のチップ領域の明度と
の差を比較し、この差が設定値以上であるチップ領域を
検出する工程と、上記設定値以上であるチップ領域を除
いたウエハ表面のチップ領域について欠陥の有無を判定
する欠陥検査の本工程と、を具備するものであることを
特徴とする。
陥検査工程を含む半導体装置の製造方法において、上記
欠陥検査工程は、ウエハ表面の画像を取り込み、ウエハ
表面の明度を測定することによって欠陥を検査する方法
であって、ウエハ表面の所定領域内に位置する複数のチ
ップ領域の明度を測定し、この測定データから各々のチ
ップ領域の明度の標準偏差又は平均値を導出し、この標
準偏差又は平均値を基準とする基準チップデータを導出
し、この基準チップデータと各々のチップ領域の明度と
の差を比較し、この差が設定値以上であるチップ領域を
検出する工程と、上記設定値以上であるチップ領域を除
いたウエハ表面のチップ領域について欠陥の有無を判定
する欠陥検査の本工程と、を具備するものであることを
特徴とする。
【００１４】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
においては、上記チップ領域を検出する工程で検出され
たチップ領域を、上記欠陥検査の本工程とは異なる判定
方法で欠陥検査を行う工程を上記欠陥検査工程にさらに
含むことも可能である。
においては、上記チップ領域を検出する工程で検出され
たチップ領域を、上記欠陥検査の本工程とは異なる判定
方法で欠陥検査を行う工程を上記欠陥検査工程にさらに
含むことも可能である。
【００１５】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
において、上記欠陥検査工程が行われるウエハは、表面
上に絶縁膜が堆積された後、この絶縁膜がＣＭＰ研磨に
より平坦化され、その絶縁膜上に配線が形成されたもの
であることが好ましい。
において、上記欠陥検査工程が行われるウエハは、表面
上に絶縁膜が堆積された後、この絶縁膜がＣＭＰ研磨に
より平坦化され、その絶縁膜上に配線が形成されたもの
であることが好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１は、本発明に係る実施
の形態による欠陥検査方法を用いて欠陥検査が行われる
ウエハを示す平面図であり、欠陥検査方法及びそれを用
いた半導体装置の製造方法を説明するものである。
施の形態について説明する。図１は、本発明に係る実施
の形態による欠陥検査方法を用いて欠陥検査が行われる
ウエハを示す平面図であり、欠陥検査方法及びそれを用
いた半導体装置の製造方法を説明するものである。
【００１７】本実施の形態による欠陥検査方法は、製品
欠陥検査に用いられ、例えばロジック品などの適用され
る。図１に示すウエハは、表面上に絶縁膜が堆積された
後、この絶縁膜がＣＭＰ研磨により平坦化され、その絶
縁膜上にＡｌ合金配線が形成されたものである。このよ
うな状態のウエハ表面の欠陥を欠陥検査装置を用いて検
査する。
欠陥検査に用いられ、例えばロジック品などの適用され
る。図１に示すウエハは、表面上に絶縁膜が堆積された
後、この絶縁膜がＣＭＰ研磨により平坦化され、その絶
縁膜上にＡｌ合金配線が形成されたものである。このよ
うな状態のウエハ表面の欠陥を欠陥検査装置を用いて検
査する。
【００１８】次に、具体的な欠陥検査方法について説明
する。この欠陥検査方法は、ウエハ表面に光を照射し、
ウエハ表面の画像を取り込み、ウエハ表面の明度（明る
さ）を測定することによって欠陥を検査するものである
が、欠陥検査の前工程として、色むらによる虚報を抑制
するための工程を行う。この工程の後に欠陥検査の本工
程を行う。この本工程は次の通りである。ウエハ表面に
は複数の同一のチップ領域が並んで形成されているの
で、各々のチップ領域の明度を隣のチップ領域の明度と
比較し、明度の差を測定することにより、欠陥の有無を
検査する。
する。この欠陥検査方法は、ウエハ表面に光を照射し、
ウエハ表面の画像を取り込み、ウエハ表面の明度（明る
さ）を測定することによって欠陥を検査するものである
が、欠陥検査の前工程として、色むらによる虚報を抑制
するための工程を行う。この工程の後に欠陥検査の本工
程を行う。この本工程は次の通りである。ウエハ表面に
は複数の同一のチップ領域が並んで形成されているの
で、各々のチップ領域の明度を隣のチップ領域の明度と
比較し、明度の差を測定することにより、欠陥の有無を
検査する。
【００１９】上記虚報抑制工程は次の通りである。ま
ず、図１に示すウエハ中央の横一列に位置するチップ領
域１〜７に光を照射し、それらのチップ領域１〜７にお
ける所定部分（ライトレベルボックス）の明度（明る
さ）を検出する。なお、ウエハ表面は一辺が０．２５μ
ｍ程度の正方形領域（これをピクセルという）に分割さ
れ、ライトレベルボックスは複数のピクセルを有する領
域である。ライトレベルボックスはチップ領域内の全エ
リアで調べるのは不可能なので、ライトレベルボックス
という領域内の明度の範囲を調べるものである。
ず、図１に示すウエハ中央の横一列に位置するチップ領
域１〜７に光を照射し、それらのチップ領域１〜７にお
ける所定部分（ライトレベルボックス）の明度（明る
さ）を検出する。なお、ウエハ表面は一辺が０．２５μ
ｍ程度の正方形領域（これをピクセルという）に分割さ
れ、ライトレベルボックスは複数のピクセルを有する領
域である。ライトレベルボックスはチップ領域内の全エ
リアで調べるのは不可能なので、ライトレベルボックス
という領域内の明度の範囲を調べるものである。
【００２０】次に、チップ領域１〜７における各々のラ
イトレベルボックスの明度のデータから各々のピクセル
毎の明度（明るさ）を検出し、そのうち最も明るいピク
セルの明度をライトレベル２５５と規定し、最も暗いピ
クセルの明度をライトレベル０と規定する。このように
絶対値として規定したライトレベル０と２５５がウエハ
表面の明度を測定した際の基準となる明度である。従っ
て、ウエハ全体の明度において最も明るいピクセルと最
も暗いピクセルの両方を有する領域を予め前記所定部分
として選択しておく。
イトレベルボックスの明度のデータから各々のピクセル
毎の明度（明るさ）を検出し、そのうち最も明るいピク
セルの明度をライトレベル２５５と規定し、最も暗いピ
クセルの明度をライトレベル０と規定する。このように
絶対値として規定したライトレベル０と２５５がウエハ
表面の明度を測定した際の基準となる明度である。従っ
て、ウエハ全体の明度において最も明るいピクセルと最
も暗いピクセルの両方を有する領域を予め前記所定部分
として選択しておく。
【００２１】この後、図１に示すウエハの横方向におけ
る一列分のチップ領域１〜７に光を照射し、それらのチ
ップ領域１〜７における各ピクセル毎の明度を測定す
る。この測定された明度のデータと上述したワイドレン
ジのライトレベル０と２５５の基準から、相対的に各ピ
クセル毎のライトレベル値を０から２５５の数値として
導出する。そして、横方向のチップ領域１〜７の対応す
る各ピクセルのライトレベル値を比較し、各ピクセルに
おいて７つのライトレベル値の標準偏差又は平均値をと
り、その標準偏差又は平均値を基準とする各ピクセルの
基準ライトレベル値からなる基準チップデータを導出す
る。
る一列分のチップ領域１〜７に光を照射し、それらのチ
ップ領域１〜７における各ピクセル毎の明度を測定す
る。この測定された明度のデータと上述したワイドレン
ジのライトレベル０と２５５の基準から、相対的に各ピ
クセル毎のライトレベル値を０から２５５の数値として
導出する。そして、横方向のチップ領域１〜７の対応す
る各ピクセルのライトレベル値を比較し、各ピクセルに
おいて７つのライトレベル値の標準偏差又は平均値をと
り、その標準偏差又は平均値を基準とする各ピクセルの
基準ライトレベル値からなる基準チップデータを導出す
る。
【００２２】次に、上記基準チップデータの各ピクセル
の基準ライトレベル値と横方向のチップ領域１〜７それ
ぞれの対応する各ピクセルのライトレベル値を比較し、
そのライトレベル値に設定値以上の差がある場合は、そ
のチップ領域について通常の欠陥検査の本工程で用いる
しきい値とは別のしきい値を用いて欠陥検査の本工程を
行うか、又は、そのチップ領域を欠陥検査の本工程から
除外する。
の基準ライトレベル値と横方向のチップ領域１〜７それ
ぞれの対応する各ピクセルのライトレベル値を比較し、
そのライトレベル値に設定値以上の差がある場合は、そ
のチップ領域について通常の欠陥検査の本工程で用いる
しきい値とは別のしきい値を用いて欠陥検査の本工程を
行うか、又は、そのチップ領域を欠陥検査の本工程から
除外する。
【００２３】次いで、このような虚報抑制工程をウエハ
の全てのチップ領域において行った後に、欠陥検査の本
工程を行う。
の全てのチップ領域において行った後に、欠陥検査の本
工程を行う。
【００２４】上記実施の形態によれば、欠陥検査の本工
程を行う前に、横方向のチップ領域１〜７のライトレベ
ル値から標準偏差又は平均値を基準とする基準チップデ
ータを導出し、この基準となる基準ライトレベル値から
設定値以上の差があるチップ領域については通常の欠陥
検査の本工程で用いるしきい値とは別のしきい値を用い
るなどするという虚報抑制工程を行う。これにより、本
来的には欠陥でない正常な部分を誤って欠陥として検出
する虚報の検出を抑制することができる。
程を行う前に、横方向のチップ領域１〜７のライトレベ
ル値から標準偏差又は平均値を基準とする基準チップデ
ータを導出し、この基準となる基準ライトレベル値から
設定値以上の差があるチップ領域については通常の欠陥
検査の本工程で用いるしきい値とは別のしきい値を用い
るなどするという虚報抑制工程を行う。これにより、本
来的には欠陥でない正常な部分を誤って欠陥として検出
する虚報の検出を抑制することができる。
【００２５】尚、上記実施の形態では、絶縁膜をＣＭＰ
研磨した後、その絶縁膜上にＡｌ合金配線を形成したウ
エハの表面の欠陥を検査しているが、他の状態のウエハ
の表面の欠陥を検査することも可能である。
研磨した後、その絶縁膜上にＡｌ合金配線を形成したウ
エハの表面の欠陥を検査しているが、他の状態のウエハ
の表面の欠陥を検査することも可能である。
【００２６】また、上記実施の形態では、ウエハの横一
列に位置するチップ領域１〜７から基準チップデータを
導出しているが、横一列に限定されるものではなく、種
々変更することも可能であり、例えばウエハの縦方向の
一列から基準チップデータを導出しても良いし、またウ
エハのある領域内に位置する複数のチップ領域から基準
チップデータを導出しても良い。
列に位置するチップ領域１〜７から基準チップデータを
導出しているが、横一列に限定されるものではなく、種
々変更することも可能であり、例えばウエハの縦方向の
一列から基準チップデータを導出しても良いし、またウ
エハのある領域内に位置する複数のチップ領域から基準
チップデータを導出しても良い。
【００２７】また、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。
ず、種々変更して実施することが可能である。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、欠
陥検査の本工程の前に、所定領域内に位置する複数のチ
ップ領域の明度を測定し、これから標準偏差又は平均値
を基準とする基準チップデータを導出し、この基準チッ
プデータと各々のチップ領域の明度との差が設定値以上
であるチップ領域を検出する工程を備えている。したが
って、欠陥検査を行うウエハ表面に色むらがある場合で
も色むらによる虚報の検出を抑制できる欠陥検査方法及
び半導体装置の製造方法を提供することができる。
陥検査の本工程の前に、所定領域内に位置する複数のチ
ップ領域の明度を測定し、これから標準偏差又は平均値
を基準とする基準チップデータを導出し、この基準チッ
プデータと各々のチップ領域の明度との差が設定値以上
であるチップ領域を検出する工程を備えている。したが
って、欠陥検査を行うウエハ表面に色むらがある場合で
も色むらによる虚報の検出を抑制できる欠陥検査方法及
び半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図１】本発明の実施の形態による欠陥検査方法を用い
て欠陥検査が行われるウエハを示す平面図である。
て欠陥検査が行われるウエハを示す平面図である。
【図２】従来の欠陥検査方法を用いて欠陥検査が行われ
るウエハを示す平面図である。
るウエハを示す平面図である。
１〜７ チップ領域
Claims (5)
- 【請求項１】 ウエハ表面の画像を取り込み、ウエハ表
面の明度を測定することによって欠陥を検査する方法で
あって、 ウエハ表面の所定領域内に位置する複数のチップ領域の
明度を測定し、この測定データから各々のチップ領域の
明度の標準偏差又は平均値を導出し、この標準偏差又は
平均値を基準とする基準チップデータを導出し、この基
準チップデータと各々のチップ領域の明度との差を比較
し、この差が設定値以上であるチップ領域を検出する工
程と、 上記設定値以上であるチップ領域を除いたウエハ表面の
チップ領域について欠陥の有無を判定する欠陥検査の本
工程と、 を具備することを特徴とする欠陥検査方法。 - 【請求項２】 上記チップ領域を検出する工程で検出さ
れたチップ領域を、上記欠陥検査の本工程とは異なる判
定方法で欠陥検査を行う工程をさらに含むことを特徴と
する請求項１に記載の欠陥検査方法。 - 【請求項３】 欠陥検査工程を含む半導体装置の製造方
法において、 上記欠陥検査工程は、ウエハ表面の画像を取り込み、ウ
エハ表面の明度を測定することによって欠陥を検査する
方法であって、 ウエハ表面の所定領域内に位置する複数のチップ領域の
明度を測定し、この測定データから各々のチップ領域の
明度の標準偏差又は平均値を導出し、この標準偏差又は
平均値を基準とする基準チップデータを導出し、この基
準チップデータと各々のチップ領域の明度との差を比較
し、この差が設定値以上であるチップ領域を検出する工
程と、 上記設定値以上であるチップ領域を除いたウエハ表面の
チップ領域について欠陥の有無を判定する欠陥検査の本
工程と、 を具備するものであることを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項４】 上記チップ領域を検出する工程で検出さ
れたチップ領域を、上記欠陥検査の本工程とは異なる判
定方法で欠陥検査を行う工程を上記欠陥検査工程にさら
に含むことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項５】 上記欠陥検査工程が行われるウエハは、
表面上に絶縁膜が堆積された後、この絶縁膜がＣＭＰ研
磨により平坦化され、その絶縁膜上に配線が形成された
ものであることを特徴とする請求項３又は４に記載の半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002078084A JP2003270168A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | 欠陥検査方法及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002078084A JP2003270168A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | 欠陥検査方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
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|---|---|
| JP2003270168A true JP2003270168A (ja) | 2003-09-25 |
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ID=29205931
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|---|---|---|---|
| JP2002078084A Withdrawn JP2003270168A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | 欠陥検査方法及び半導体装置の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003270168A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100841471B1 (ko) | 2005-04-27 | 2008-06-25 | 도쿄 세이미츄 코퍼레이션 리미티드 | 외관 검사 장치 및 외관 검사 방법 |
| US7747063B2 (en) | 2005-08-08 | 2010-06-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for inspecting a substrate |
| US8184899B2 (en) | 2008-03-20 | 2012-05-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of detecting a defect on an object |
| CN108088853A (zh) * | 2016-11-23 | 2018-05-29 | 阜宁协鑫光伏科技有限公司 | 一种硅片颗粒粉尘误判线痕优化方案 |
| WO2022220422A1 (ko) * | 2021-04-15 | 2022-10-20 | (주)넥스틴 | 셀-대-셀 비교 방법 |
-
2002
- 2002-03-20 JP JP2002078084A patent/JP2003270168A/ja not_active Withdrawn
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| KR20220142623A (ko) * | 2021-04-15 | 2022-10-24 | (주)넥스틴 | 셀-대-셀 비교 방법 |
| KR102586394B1 (ko) * | 2021-04-15 | 2023-10-11 | (주)넥스틴 | 셀-대-셀 비교 방법 |
| JP7427845B2 (ja) | 2021-04-15 | 2024-02-05 | ネクスティン，インコーポレイテッド | セル－対－セル比較方法 |
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