JP2001351095A - 欠陥検査方法 - Google Patents

欠陥検査方法

Info

Publication number
JP2001351095A
JP2001351095A JP2000172081A JP2000172081A JP2001351095A JP 2001351095 A JP2001351095 A JP 2001351095A JP 2000172081 A JP2000172081 A JP 2000172081A JP 2000172081 A JP2000172081 A JP 2000172081A JP 2001351095 A JP2001351095 A JP 2001351095A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light level
pixel
brightness
defect
wafer surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2000172081A
Other languages
English (en)
Inventor
Kozo Mori
幸三 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2000172081A priority Critical patent/JP2001351095A/ja
Publication of JP2001351095A publication Critical patent/JP2001351095A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Image Analysis (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 欠陥検査を行うウエハ表面に色むらがあって
も正しく欠陥を検出できる欠陥検査方法を提供する。 【解決手段】 ウエハ表面に一列に配置された複数のチ
ップ領域1〜7それぞれにおけるライトレベルボックス
の明度を測定し、この測定データのうち最も暗いピクセ
ルの明度をライトレベル0と規定し、最も明るいピクセ
ルの明度をライトレベル255と規定する。 ウエハ表
面の第1チップ領域及び第2チップ領域それぞれにおけ
る各ピクセルの明度を測定し、この測定データから各ピ
クセルの明度を、上記ライトレベル0とライトレベル2
55を基準とした相対的なライトレベル値として導出す
る。そして、第2チップ領域における各ピクセルのライ
トレベル値を第1チップ領域における対応する各ピクセ
ルのライトレベル値と比較し、そのライトレベル値に所
定の差があるか否かによって欠陥の有無を判定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ表面の画像
を取り込み、ウエハ表面の明度を測定することによって
欠陥を検査する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図3は、従来の欠陥検査方法を用いて欠
陥検査が行われるウエハを示す平面図である。このウエ
ハは、表面上に絶縁膜が堆積された後、この絶縁膜がC
MP(Chemical Mechanical Polishing)研磨により平
坦化され、その絶縁膜上にAl合金配線が形成されたも
のである。このような状態のウエハ表面の欠陥を欠陥検
査装置を用いて検査する。
【0003】以下、具体的な欠陥検査方法について説明
する。この欠陥検査方法は、ウエハ表面に光を照射し、
ウエハ表面の画像を取り込み、ウエハ表面の明度(明る
さ)を測定することによって欠陥を検査するものであ
る。ウエハ表面には複数の同一のチップ領域が並んで形
成されているので、各々のチップ領域の明度を隣のチッ
プ領域の明度と比較し、明度の差を測定することによ
り、欠陥の有無を検査する。
【0004】より具体的には、まず、図3に示すウエハ
の中央付近に位置するチップ領域4に光を照射し、その
チップ領域4における所定部分の明度(明るさ)を検出
する。なお、ウエハ表面は一辺が0.25μm程度の正
方形領域(これをピクセルという)に分割され、前記所
定部分は複数のピクセルを有する領域である。
【0005】次に、検出された前記所定部分の明度のデ
ータから各々のピクセル毎の明度を検出し、そのうち最
も明るいピクセルの明度をライトレベル255と規定
し、最も暗いピクセルの明度をライトレベル0と規定す
る。このように絶対値として規定したライトレベル0と
255がウエハ表面の明度を測定した際の基準となる明
度である。従って、ウエハ全体の明度において最も明る
いピクセルと最も暗いピクセルの両方を有する領域を予
め前記所定部分として選択しておく必要がある。
【0006】この後、図3に示すウエハにおける上部の
チップ領域に光を照射し、そのチップ領域における各ピ
クセル毎の明度を測定する。この測定された明度のデー
タと上述したライトレベル0と255の基準から、相対
的に各ピクセル毎のライトレベルを0から255の数値
として導出する。次に、上記チップ領域の隣のチップ領
域に光を照射し、そのチップ領域における各ピクセル毎
の明度を測定する。この測定された明度のデータとライ
トレベル0と255の基準から、相対的に各ピクセル毎
のライトレベルを0から255の数値として導出する。
そして、隣同士のチップ領域の対応する各ピクセルのラ
イトレベルを比較し、そのライトレベルに所定の差があ
るピクセルを検出する。この検出されたピクセルの位置
に欠陥が存在すると判定される。
【0007】次いで、このような隣同士のチップ領域の
ライトレベルの比較を、ウエハの上部のチップ領域から
順に横方向に行い、順にウエハの下方のチップ領域に進
んでいき、ウエハ上の全てのチップ領域の欠陥検査を行
う。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ウエハをC
MP研磨するとウエハ表面の同心円上に色むらが生じる
ことがある。このため、前述したように所定部分の明度
のデータから絶対値としての基準となるライトレベル0
と255を規定しても、ウエハ表面の色むらが顕著な場
合は、前記所定部分以外のウエハ表面にライトレベル0
より暗い部分又はライトレベル255より明るい部分が
存在することがある。その結果、前述したように隣同士
のチップ領域のライトレベルを比較しても、本来的には
欠陥であるはずの部分を検出できなかったり、本来的に
は欠陥でない部分を誤って欠陥として検出してしまうこ
とが起こる。つまり、ライトレベル0と255の基準を
規定しても、その基準範囲外のピクセルがウエハ上に存
在すると、その基準範囲外のピクセルライトレベルが0
又は255と測定されてしまうので、正確なライトレベ
ルを測定することができず、結果的に欠陥検出にもれが
生じることになる。
【0009】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、欠陥検査を行うウエハ表
面に色むらがあっても正しく欠陥を検出できる欠陥検査
方法を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る欠陥検査方法は、ウエハ表面の画像を
取り込み、ウエハ表面の明度を測定することによって欠
陥を検査する方法であって、ウエハ表面に一列に配置さ
れた複数のチップ領域それぞれにおける所定部分の明度
を測定し、この測定データのうち最も暗いピクセルの明
度をライトレベル0と規定し、最も明るいピクセルの明
度をライトレベル255と規定する工程と、ウエハ表面
の第1チップ領域における各ピクセルの明度を測定し、
この測定データから各ピクセルの明度を、上記ライトレ
ベル0とライトレベル255を基準とした相対的なライ
トレベル値として導出する工程と、ウエハ表面の第2チ
ップ領域における各ピクセルの明度を測定し、この測定
データから各ピクセルの明度を、上記ライトレベル0と
ライトレベル255を基準とした相対的なライトレベル
値として導出する工程と、第2チップ領域における各ピ
クセルのライトレベル値を第1チップ領域における対応
する各ピクセルのライトレベル値と比較し、そのライト
レベル値に所定の差があるか否かによって欠陥の有無を
判定する工程と、を具備することを特徴とする。
【0011】上記欠陥検査方法によれば、ウエハ表面に
一列に配置された複数のチップ領域において各々の所定
部分の全てにおける明度の範囲を含むようなワイドレン
ジのライトレベル0と255を規定している。このよう
に一列に配置されたチップ領域から基準となるライトレ
ベルを規定するため、ウエハ表面にCMP研磨による同
心円上の色むらが生じても、従来の欠陥検査方法のよう
にライトレベル0と255の基準範囲外のピクセルがウ
エハ上に発生することを抑制できる。従って、正確なラ
イトレベル値を測定することができ、本来的には欠陥で
あるはずの部分を検出しなかったり、本来的には欠陥で
ない部分を誤って欠陥として検出することを防止でき
る。よって、正しく欠陥を検出することができる。
【0012】また、本発明に係る欠陥検査方法におい
て、上記第1チップ領域は上記第2チップ領域の隣に位
置していることが好ましい。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施の形態について説明する。図1は、本発明の実施の
形態による欠陥検査方法を用いて欠陥検査が行われるウ
エハを示す平面図である。図2は、図1に示すチップ領
域1〜7のライトレベルボックスにおいて規定されたラ
イトレベル0と255とチップ領域1〜7のライトレベ
ルボックス全体において規定されたライトレベル0と2
55を示す図である。
【0014】本実施の形態による欠陥検査方法は、製品
欠陥検査に用いられ、例えばロジック品などの適用され
る。図1に示すウエハは、表面上に絶縁膜が堆積された
後、この絶縁膜がCMP研磨により平坦化され、その絶
縁膜上にAl合金配線が形成されたものである。このよ
うな状態のウエハ表面の欠陥を欠陥検査装置を用いて検
査する。
【0015】次に、具体的な欠陥検査方法について説明
する。この欠陥検査方法は、ウエハ表面に光を照射し、
ウエハ表面の画像を取り込み、ウエハ表面の明度(明る
さ)を測定することによって欠陥を検査するものであ
る。ウエハ表面には複数の同一のチップ領域が並んで形
成されているので、各々のチップ領域の明度を隣のチッ
プ領域の明度と比較し、明度の差を測定することによ
り、欠陥の有無を検査する。
【0016】より具体的には、まず、図1に示すウエハ
中央の横一列に位置するチップ領域1〜7に光を照射
し、それらのチップ領域1〜7における所定部分(ライ
トレベルボックス)の明度(明るさ)を検出する。な
お、ウエハ表面は一辺が0.25μm程度の正方形領域
(これをピクセルという)に分割され、ライトレベルボ
ックスは複数のピクセルを有する領域である。ライトレ
ベルボックスはチップ領域内の全エリアで調べるのは不
可能なので、ライトレベルボックスという領域内の明度
の範囲を調べるものである。
【0017】次に、チップ領域1〜7における各々のラ
イトレベルボックスの明度のデータから各々のピクセル
毎の明度(明るさ)を検出し、そのうち最も明るいピク
セルの明度をライトレベル255と規定し、最も暗いピ
クセルの明度をライトレベル0と規定する。このように
絶対値として規定したライトレベル0と255がウエハ
表面の明度を測定した際の基準となる明度である。従っ
て、ウエハ全体の明度において最も明るいピクセルと最
も暗いピクセルの両方を有する領域を予め前記所定部分
として選択しておく必要がある。
【0018】具体的には、図1に示すチップ領域1〜7
における各々のライトレベルボックスにおいて明度の範
囲であるライトレベル0と255を図2に示すように規
定する。そして、チップ領域1〜7の全てにおけるライ
トレベルボックスの明度の範囲を含むような全体のヒス
トグラムを作成し、全てのライトレベルボックスにおい
て最も暗いピクセルと最も明るいピクセルをカバーでき
るワイドレンジのライトレベル0と255を規定する。
【0019】この後、図1に示すウエハにおける上部の
チップ領域に光を照射し、そのチップ領域における各ピ
クセル毎の明度を測定する。この測定された明度のデー
タと上述したワイドレンジのライトレベル0と255の
基準から、相対的に各ピクセル毎のライトレベル値を0
から255の数値として導出する。次に、上記チップ領
域の隣のチップ領域に光を照射し、そのチップ領域にお
ける各ピクセル毎の明度を測定する。この測定された明
度のデータとライトレベル0と255の基準から、相対
的に各ピクセル毎のライトレベル値を0から255の数
値として導出する。そして、隣同士のチップ領域の対応
する各ピクセルのライトレベル値を比較し、そのライト
レベル値に所定の差があるピクセルを検出する。この検
出されたピクセルの位置に欠陥が存在すると判定され
る。
【0020】次いで、このような隣同士のチップ領域の
ライトレベル値の比較を、ウエハの上部のチップ領域か
ら順に横方向に行い、順にウエハの下方のチップ領域に
進んでいき、ウエハ上の全てのチップ領域の欠陥検査を
行う。
【0021】上記実施の形態によれば、チップ領域1〜
7における各々のライトレベルボックスにおいて明度の
範囲であるライトレベル0と255を規定し、これらの
ライトレベルからチップ領域1〜7の全てにおけるライ
トレベルボックスの明度の範囲を含むようなワイドレン
ジのライトレベル0と255を規定している。このよう
に横一列のチップ領域1〜7から基準となるライトレベ
ルを規定するため、ウエハ表面にCMP研磨による同心
円上の色むらが生じても、従来の欠陥検査方法のように
ライトレベル0と255の基準範囲外のピクセルがウエ
ハ上に発生することを抑制できる。従って、正確なライ
トレベル値を測定することができ、本来的には欠陥であ
るはずの部分を検出しなかったり、本来的には欠陥でな
い部分を誤って欠陥として検出することを防止できる。
よって、正しく欠陥を検出することができる。
【0022】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
上記実施の形態では、絶縁膜をCMP研磨した後、その
絶縁膜上にAl合金配線を形成したウエハの表面の欠陥
を検査しているが、他の状態のウエハの表面の欠陥を検
査することも可能である。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ウ
エハ表面に一列に配置された複数のチップ領域において
各々の所定部分の全てにおける明度の範囲を含むような
ワイドレンジのライトレベル0と255を規定してい
る。したがって、欠陥検査を行うウエハ表面に色むらが
あっても正しく欠陥を検出できる欠陥検査方法を提供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態による欠陥検査方法を用い
て欠陥検査が行われるウエハを示す平面図である。
【図2】図1に示すチップ領域1〜7のライトレベルボ
ックスにおいて規定されたライトレベル0と255とチ
ップ領域1〜7のライトレベルボックス全体において規
定されたライトレベル0と255を示す図である。
【図3】従来の欠陥検査方法を用いて欠陥検査が行われ
るウエハを示す平面図である。
【符号の説明】
1〜7 チップ領域

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウエハ表面の画像を取り込み、ウエハ表
    面の明度を測定することによって欠陥を検査する方法で
    あって、 ウエハ表面に一列に配置された複数のチップ領域それぞ
    れにおける所定部分の明度を測定し、この測定データの
    うち最も暗いピクセルの明度をライトレベル0と規定
    し、最も明るいピクセルの明度をライトレベル255と
    規定する工程と、 ウエハ表面の第1チップ領域における各ピクセルの明度
    を測定し、この測定データから各ピクセルの明度を、上
    記ライトレベル0とライトレベル255を基準とした相
    対的なライトレベル値として導出する工程と、 ウエハ表面の第2チップ領域における各ピクセルの明度
    を測定し、この測定データから各ピクセルの明度を、上
    記ライトレベル0とライトレベル255を基準とした相
    対的なライトレベル値として導出する工程と、 第2チップ領域における各ピクセルのライトレベル値を
    第1チップ領域における対応する各ピクセルのライトレ
    ベル値と比較し、そのライトレベル値に所定の差がある
    か否かによって欠陥の有無を判定する工程と、 を具備することを特徴とする欠陥検査方法。
  2. 【請求項2】 上記第1チップ領域は上記第2チップ領
    域の隣に位置していることを特徴とする請求項1記載の
    欠陥検査方法。
  3. 【請求項3】 上記所定部分は複数の上記ピクセルを有
    する領域であることを特徴とする請求項1又は2記載の
    欠陥検査方法。
JP2000172081A 2000-06-08 2000-06-08 欠陥検査方法 Withdrawn JP2001351095A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000172081A JP2001351095A (ja) 2000-06-08 2000-06-08 欠陥検査方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000172081A JP2001351095A (ja) 2000-06-08 2000-06-08 欠陥検査方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001351095A true JP2001351095A (ja) 2001-12-21

Family

ID=18674538

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000172081A Withdrawn JP2001351095A (ja) 2000-06-08 2000-06-08 欠陥検査方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001351095A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100451988B1 (ko) * 2002-07-18 2004-10-08 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼의 모니터링 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100451988B1 (ko) * 2002-07-18 2004-10-08 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼의 모니터링 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7200258B2 (en) Method for selecting reference images, method and apparatus for inspecting patterns on wafers, and method for dividing a wafer into application regions
US7346207B2 (en) Image defect inspection method, image defect inspection apparatus, and appearance inspection apparatus
JP5174535B2 (ja) 欠陥検査方法及びその装置
JP3051279B2 (ja) バンプ外観検査方法およびバンプ外観検査装置
US7747063B2 (en) Method and apparatus for inspecting a substrate
JPH11307604A (ja) プロセスモニタ方法及びプロセス装置
US8184899B2 (en) Method of detecting a defect on an object
US20080260236A9 (en) Image defect inspection method, image defect inspection apparatus, and appearance inspection apparatus
JP2008185392A (ja) ウェハ外観検査装置
JP3907874B2 (ja) 欠陥検査方法
US6229331B1 (en) Apparatus for and method of inspecting patterns on semiconductor integrated devices
JP3589424B1 (ja) 基板検査装置
US20040080742A1 (en) Device inspecting for defect on semiconductor wafer surface
JPH10135287A (ja) ウエーハ検査装置および検査方法
JP2001351095A (ja) 欠陥検査方法
JP2003270168A (ja) 欠陥検査方法及び半導体装置の製造方法
KR101304088B1 (ko) 반도체용 웨이퍼 결함 검사방법
JP2000311925A (ja) 外観検査装置
KR101297209B1 (ko) 반도체용 웨이퍼 결함 검사방법
JP2002303588A (ja) パターン欠陥検査装置
KR102586394B1 (ko) 셀-대-셀 비교 방법
KR100675890B1 (ko) 반도체 소자의 불량 검출 방법
JPH04363045A (ja) パターン欠陥検査装置
JP4889018B2 (ja) 外観検査方法
JPH045940B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20070904