JPH03207037A

JPH03207037A - 光磁気メモリー素子

Info

Publication number: JPH03207037A
Application number: JP290190A
Authority: JP
Inventors: Nobuyuki Takamori; 信之高森
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1990-01-10
Filing date: 1990-01-10
Publication date: 1991-09-10
Anticipated expiration: 2011-08-14
Also published as: JP2524414B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、光によって情報の記録・消去及び再生を行う
光磁気メモリー素子に関するものである。

〔従来の技術〕

光磁気メモリー素子の従来例として、光磁気ディスクの
構戒を第３図に示す。

同図（ａ）は、光磁気ディスクの縦断面図を示すもので
あり、使用する光の波長領域で透明な基板１の上に、誘
電体膜２ａ，磁性体からなる記録膜３ａ、保護膜４が順
次積層された構戒になっている。

情報の記録・消去及び再生は、レーザー光を基板１側か
ら照射することによって行われる。そして、このとき、
誘電体膜２ａは、基板１と記録膜３ａの界面におけるレ
ーザー光の反射を防ぐと共に、多重干渉により、力一回
転角を増大させるカー・エンハンスメントの効果がある
。また、酸化等による記録膜３ａの劣化も防いでいる。

同図（ｂ）は、記録膜３ｂを透過した光を利用してさら
にカー・エンハンスメントを高めるようにした光磁気デ
ィスクの縦断面図を示すものである。透明な基板１の上
に、誘電体膜２ａ、磁性体からなる記録膜３ｂ、誘電体
膜２ｂ、反射膜５が順次積層された構或になっている。

誘電体膜２ｂでは、記録膜３ｂを透過した光の多重干渉
により、力一・エンハンスメントが行われる。また、酸
化等による記録膜３ｂの劣化も防いでいる。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、上記従来の構戒では、誘電体膜２ａは屈折率
の一様な単層膜であるため、光の干渉が弱く、充分な反
射防止が行われていない。このため、レーザー光の反射
による損失が小さくなく、余分なレーザー・パワーを必
要とすると同時に、多重干渉によるカー・エンハンスメ
ントの効果モ充分得られないという問題がある。また、
誘電体膜２ｂにおいても、光の干渉が弱く、多重干渉に
よるカー・エンハンスメントの効果が充分得られないと
いう問題がある。

〔課題を解決するための手段］本発明の光磁気メモリー素子は、上記の課題を解決する
ために、基板上に少なくとも誘電体膜と記録膜が順次積
層されている光磁気メモリー素子において、上記誘電体
膜は記録膜の屈折率よりも小さく基板の屈折率よりも大
きい複数の異なる屈折率の誘電体層から形威され、かつ
、記録膜に近い側には遠い側のいずれの誘電体層よりも
屈折率の大きい誘電体層が配置されていることを特徴と
している。

〔作　用〕

上記の構戒によれば、誘電体膜を記録膜の屈折率よりも
小さく基板の屈折率よりも大きい複数の異なる屈折率の
誘電体層で形威し、かつ、記録膜に近い側には遠い側の
いずれの誘電体層よりも屈折率の大きい誘電体層を配置
したので、屈折率の一様な単層の誘電体膜の場合と比較
して、光の干渉が強められる。これにより、反射による
光の損失が小さくなると共に充分なカー・エンハンスメ
ントの効果が得られる。

〔実施例〕

本発明の実施例を第１図及び第２図に基づいて説明すれ
ば、以下のとおりである。なお、従来例の図面に示した
部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記
する。

本発明の光磁気メモリー素子の一例として、光磁気ディ
スクの構威を第１図に示す。

同図（ａ）は、光磁気ディスクの縦断面図を示すもので
あり、使用する光の波長領域で透明な基板ｌの上に、屈
折率の異なる２つ誘電体層６ａ・７ａからなる誘電体膜
８ａ，ｆ６ｉ性体からなる記録膜３ａ、保護膜４が順次
積層された構或になっている。そして、２つ誘電体層６
ａ・７ａの内、より高屈折率の誘電体層７ａが記録膜３
ａ側に配置されている。また、誘電体層６ａの屈折率は
基板ｌの屈折率よりも大きく設定されており、誘電体層
７ａの屈折率は記録膜３ａの屈折率よりも小さく設定さ
れている。

光磁気ディスクにおける情報の記録・消去は、レーザー
光を基板１側から照射して、レーザー・スポソト内にあ
る記録膜３ａの温度を上昇させ、この部分の保磁力を低
下させた状態で、磁場を印加することによって行われる
。また、情報の再生は、直線偏光したレーザー光を基板
１側から照射して、反射光における磁気カー効果による
偏光面の回転を検出することによって行われる。

上記の光磁気ディスクの構威において、講電体膜８ａを
屈折率の異なる２つの誘電体層６ａ・７ａで構威したの
で、誘電体膜８ａを屈折率の一様な単層膜で構威した場
合と比較して、境界面が増えて光の干渉が強められるか
ら、反射率をより小さくできる。これにより、レーザー
光の反射による損失が小さくなるから、効率的にレーザ
ー光を利用できるようになり、記録感度が増大する。す
なわち、比較的小さいレーザー・パワーで記録・消去で
きる。また、光の干渉が強められるから、大きなカー・
エンハンスメントの効果が得られる。これにより、ＣＮ
比が良くなり、信号品質が向上する。また、誘電体膜８
ａを２Ｎで構威したので、１層の場合と比較して、記録
膜３ａの劣化をより確実に防止できる。

第２図に、この光磁気ディスクで得られた分光反射率曲
線９の一例を示す。また、比較のために、従来例の光磁
気ディスク（第３図（ａ））の分光反射率曲線ｌＯも合
わせて示す。

図から明らかなように、本実施例の光磁気ディスクの反
射率は、７００〜９００ｎｍの測定波長域を通して、従
来例のものより約５％も小さい値を示している。

第１図（ｂ）は、記録膜３ｂを透過した光を利用してさ
らにカー・エンハンスメントを高めるようにした光磁気
ディスクの縦断面図を示すものである。

透明な基板１の上に、屈折率の異なる２つ誘電体層６ａ
・７ａからなる誘電体膜８ａ，磁性体からなる記録膜３
ｂ、屈折率の異なる２つ誘電体層７ｂ・６ｂからなる誘
電体膜８ｂ、反射膜５が順次積層された構戒にｌっでい
る。そして、２つ誘電体層６ａ・７ａの内、より高屈折
率の誘電体層７ａが記録膜３ｂ側に配置されている。ま
た、２つ誘電体層７ｂ・６ｂの内、より高屈折率の誘電
体層７ｂが記録膜３ｂ側に配置されている。また、誘電
体層６ａの屈折率は基板１の屈折率よりも大きく設定さ
れており、誘電体層７ａ・７ｂの屈折率は記録膜３ｂの
屈折率よりも小さく設定されている。

上記の構或において、誘電体膜８ａの機能は前記の光磁
気ディスク（第１図（ａ））と同様であるので、その説
明は省略する。

反射膜５は、記録膜３ｂを透過した光を利用するために
設けられており、誘電体膜８ｂは、この透過光の多重干
渉により、力一・エンハンスメントの効果を得るために
設けられている。また、誘電体膜８ｂは、酸化等による
記録膜３ｂの劣化も防いでいる。

本実施例では、この誘電体膜８ｂを屈折率の異なる２つ
の誘電体層７ｂ・６ｂで構威したので、誘電体膜８ｂを
屈折率の一様な単層膜で構成した場合と比較して、境界
面が増えて光の干渉が強められるから、さらに大きなカ
ー・エンハンスメントの効果が得られる。これにより、
ＣＮ比が良くなり、信号品質が向上する。また、誘電体
膜８ｂを２層で構威したので、１層の場合と比較して、
記録膜３ｂの劣化をより確実に防止できる。

第１表に、この光磁気ディスクと従来例の光磁気ディス
ク（第３図（ｂ））の性能比較例を示す。

なお、ここで用いられた光磁気ディスクでは、基板１に
屈折率１．５のガラス基板、誘電体層６ａ・６ｂに屈折
率１．７のＡ　ｌ　ｚ○，、誘電体層７ａ−７ｂに屈折
率２．３のＺｎＳ、記録膜３ｂに屈折率３．４のＴｂＦ
ｅＣｏ，反射膜５にＡＣがそれぞれ使用されている。

一方、比較のために用いられた従来例の光磁気ディスク
では、誘電体膜２として屈折率１．９のＳｉＮが使用さ
れている。その他は、上記と同じである。

第ｌ表これら２種類の光磁気ディスクを用いて、反射率、記録
時の最適レーザー・パワー、再生時のＣＮ比が測定され
た。なお、このときの記録条件は、記録周波数３．７Ｍ
Ｈｚ、光磁気ディスクの回転１８００ｒｐｍ、記録位置
は半径３０ｍｍ部である。

第ｌ表から明らかなように、本実施例の光磁気ディスク
では、反射率を従来例より約２５％も小さくできるため
、記録感度が高くなり、従来例と比較して最適レーザー
・パワーは１０％以上小さくてよく、また、信号品質を
示すＣＮ比も５％向上している。

以上の実施例では、基板１として、ガラス基板を使用し
たが、使用レーザー波長域で透明なアクリル樹脂やポリ
・カーボネート等のプラスチック基板を使用してもよい
。本実施例の光磁気ディスクでは、前述のように、保護
膜としての性能が高いため、プラスチック基板を使用し
た場合でも記録膜３ａ・３ｂの酸化等による劣化はほと
んど問題にならない。

また、誘電体膜８ａとして、ここでは２つの誘電体層６
ａ・７ａを使用したが、光の干渉を強めるために、さら
に多くの層を用いるようにしてもよい。この場合も、上
記と同様、記録膜３ａ（又は記録膜３ｂ）側により高屈
折率の層を配置する。誘電体膜８ｂについても同様であ
る。

さらＣこ、誘電体膜８ａの材料′Ｍｉ威を変化させるこ
とによって、記録膜３ａ（又は記録膜３ｂ）に近づくに
従って屈折率が高くなるようにしてもよい。このために
は、例えば、ＳｉＮｘを誘電体膜８ａとして使用する。

そして、例えば、反応性スパンター装置を使用して、そ
のチャンバー内のＮＺガス分圧を制御して或膜すること
によって、組或をＸ≧１．３３の範囲で調整すれば、屈
折率を１８から２．０の範囲で自由に変えることができ
る。この場合、誘電体膜８ａ内で屈折率が連続的に変わ
るようにしてもよいし、階段的に変わるようにしてもよ
い。誘電体膜８ｂについても同様である。

また、これまで光磁気ディスクについて説明してきたが
、カート状の光磁気カード、テープ状の光磁気テープに
も応用できる。なお、光磁気テープの場合、基板１の代
わりにテープ基体としてポリエチレンテレフタレート等
のプラスチック・フィルムを使用する。

〔発明の効果］本発明の光磁気メモリー素子は、以上のように、誘電体
膜を記録膜の屈折率よりも小さく基板の屈折率よりも大
きい複数の異なる屈折率の誘電体層で形威し、かつ、記
録膜に近い側には遠い側のいずれの誘電体層よりも屈折
率の大きい誘電体層を配置したので、屈折率の一様な単
層の誘電体膜の場合と比較して、光の干渉が強められる
。これにより、反射による光の損失が小さくなるから効
率的に光を利用できるようになると共に充分なカー・エ
ンハンスメントの効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の実施例を示すものである。第ｌ図（ａ）及び（ｂ）は、光磁気ディスクの縦断面図
を示すものである。第２図は、本発明に係る光磁気ディスクと従来例の光磁
気ディスクの分光反射率曲線を示した比較図である。第３図は、従来例を示すものである。第３図（ａ）及び（ｂ）は、光磁気ディスクの縦断面図
を示すものである。１は基板、２ａ・２ｂ・８ａ・８ｂは誘電体膜３ａ−３
ｂは記録膜、４は保護膜、６ａ・６ｂ・７ａ・７ｂは誘
電体層である。

Claims

【特許請求の範囲】

１、基板上に少なくとも誘電体膜と記録膜が順次積層さ
れている光磁気メモリー素子において、上記誘電体膜は
記録膜の屈折率よりも小さく基板の屈折率よりも大きい
複数の異なる屈折率の誘電体層から形成され、かつ、記
録膜に近い側には遠い側のいずれの誘電体層よりも屈折
率の大きい誘電体層が配置されていることを特徴とする
光磁気メモリー素子。