JPH03203050A - 光磁気ディスク - Google Patents
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- JPH03203050A JPH03203050A JP34328089A JP34328089A JPH03203050A JP H03203050 A JPH03203050 A JP H03203050A JP 34328089 A JP34328089 A JP 34328089A JP 34328089 A JP34328089 A JP 34328089A JP H03203050 A JPH03203050 A JP H03203050A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラスチック基板の一主面上に十分な表面硬度
と光透過性があり且つ帯電防止効果に優れた樹脂層を形
成して成る光磁気ディスクに関するものである。
と光透過性があり且つ帯電防止効果に優れた樹脂層を形
成して成る光磁気ディスクに関するものである。
光磁気ディスク用基板材料にはガラスまたはプラスチッ
クがあり、ガラス基板は高価になるが、その反面、種々
の所要特性が得られる。これに対して、プラスチック基
板は複製が容易であり、しかも、低コストである。
クがあり、ガラス基板は高価になるが、その反面、種々
の所要特性が得られる。これに対して、プラスチック基
板は複製が容易であり、しかも、低コストである。
上記プラスチック基板材料には例えばポリカーボネート
樹脂などがあるが、その樹脂自体は誘電体であるために
帯電しやすく、また、ゴミなどが付着しやすく、しかも
、硬度が小さいために傷がつきやすく、これらが原因と
なってビットエラーレート(以下BERと略す)などの
読出し性能が低下するという問題点がある。
樹脂などがあるが、その樹脂自体は誘電体であるために
帯電しやすく、また、ゴミなどが付着しやすく、しかも
、硬度が小さいために傷がつきやすく、これらが原因と
なってビットエラーレート(以下BERと略す)などの
読出し性能が低下するという問題点がある。
そこで、この問題点を解決するために基板の読出し面に
5iOzなどの無機質膜を形成することが提案されてい
る(特開昭63−155450号及び特開昭63292
441号参照)。
5iOzなどの無機質膜を形成することが提案されてい
る(特開昭63−155450号及び特開昭63292
441号参照)。
しかしながら、上記構成の光磁気ディスクに対して耐久
性能を確かめるための環境試験を行ったところ、基板と
無機質膜の間に脹れが生じ、BERが低下することが判
明した。
性能を確かめるための環境試験を行ったところ、基板と
無機質膜の間に脹れが生じ、BERが低下することが判
明した。
本発明は積上に鑑みて案出されたものであり、その目的
はプラスチック基板の読出し面に十分な表面硬度と光透
過性があり、且つIF電防止効果にも優れた層を形成し
、これによって読出し性能を高めた光磁気ディスクを提
供することにある。
はプラスチック基板の読出し面に十分な表面硬度と光透
過性があり、且つIF電防止効果にも優れた層を形成し
、これによって読出し性能を高めた光磁気ディスクを提
供することにある。
本発明の光磁気ディスクはプラスチック基板の読出し面
にアンチモン含有の酸化スズから戒る導電フィラーを3
〜11重量%の範囲で含有した透明樹脂を塗着せしめた
ことを特徴とする。
にアンチモン含有の酸化スズから戒る導電フィラーを3
〜11重量%の範囲で含有した透明樹脂を塗着せしめた
ことを特徴とする。
以下本発明の詳細な説明する。
添付図面は本発明光磁気ディスクの典型的な層構成を示
しており、プラスチック基板1の一生面上に第1誘電体
層2、光磁気記録層3、第2誘電体層4及び金属保護層
5を順次積層し、更に樹脂保護層6を形成する。また、
読出し面である他主面上に前記組成の透明樹脂層7を形
成する。
しており、プラスチック基板1の一生面上に第1誘電体
層2、光磁気記録層3、第2誘電体層4及び金属保護層
5を順次積層し、更に樹脂保護層6を形成する。また、
読出し面である他主面上に前記組成の透明樹脂層7を形
成する。
上記透明樹脂層7は導電フィラーを含む樹脂から成り、
この導電フィラーはアンチモンを含む酸化スズを主体と
するものであって透明樹脂層7の導電性を高める働きが
あるが、その反面、核層7の硬度を低下せしめる。
この導電フィラーはアンチモンを含む酸化スズを主体と
するものであって透明樹脂層7の導電性を高める働きが
あるが、その反面、核層7の硬度を低下せしめる。
そこで本発明者等は樹脂中の導電フィラー含有量を幾通
りにも変える実験を繰り返し行った結果、その含有量が
3〜11重量%、好適乙こは5〜10重量2であればよ
いことを見い出した。
りにも変える実験を繰り返し行った結果、その含有量が
3〜11重量%、好適乙こは5〜10重量2であればよ
いことを見い出した。
その含有量が3重量%未満の場合には所望の導電性が得
られず、11重量Zを越えた場合、硬度の低下をまねく
。
られず、11重量Zを越えた場合、硬度の低下をまねく
。
また酸化スズにアンチモンを含有せしめることにより導
電性が高められるという効果が得られる。
電性が高められるという効果が得られる。
このような導電フィラーは酸化スズを主体とするもので
あるが、これにインジウムを加えた酸化インジウム・ス
ズ(ITO>でもよい。
あるが、これにインジウムを加えた酸化インジウム・ス
ズ(ITO>でもよい。
透明樹脂層7の主体となる樹脂としては透明絶縁性であ
れば種々の材料を用いることができ、例えばエポキシ系
、不飽和ポリエステル系、ポリメタクリル系、アクリル
系、ウレタン系、アクリルウレタン系の紫外線硬化型樹
脂(UV樹脂)、もしくはユリア系、メラミン系、シア
リルスタレート系の熱硬化型樹脂など、また、熱硬化型
UV樹脂、湿気硬化型UV樹脂、二液型LIV樹脂など
が挙げられる。
れば種々の材料を用いることができ、例えばエポキシ系
、不飽和ポリエステル系、ポリメタクリル系、アクリル
系、ウレタン系、アクリルウレタン系の紫外線硬化型樹
脂(UV樹脂)、もしくはユリア系、メラミン系、シア
リルスタレート系の熱硬化型樹脂など、また、熱硬化型
UV樹脂、湿気硬化型UV樹脂、二液型LIV樹脂など
が挙げられる。
かくして上記組成の透明樹脂層7を形成した場合、比抵
抗が1013Ωcm以下の導電性が得られ、しかも、ポ
リカーボネート樹脂基板の硬度(これを鉛筆硬度で表し
た場合、Bである)よりも高い硬度(鉛筆硬度でH以上
である)が得られ、そのE、高い透過率も得られた。
抗が1013Ωcm以下の導電性が得られ、しかも、ポ
リカーボネート樹脂基板の硬度(これを鉛筆硬度で表し
た場合、Bである)よりも高い硬度(鉛筆硬度でH以上
である)が得られ、そのE、高い透過率も得られた。
このような透明樹脂層7の厚みはその紫外線による硬化
度並びに基板の寸法、反り、硬度などにより最適条件が
決められ、通常1〜5μm、好適には1〜3μmが適当
である。
度並びに基板の寸法、反り、硬度などにより最適条件が
決められ、通常1〜5μm、好適には1〜3μmが適当
である。
上記透明樹脂層7を形成する場合、光磁気記録層3など
を形成する前に塗布形成するのがよく、これにより、上
記記録1i3などを薄膜形成して基板Iの板面上に付着
したゴξなどが透明樹脂層7の形成に当たって混入する
ことがない。
を形成する前に塗布形成するのがよく、これにより、上
記記録1i3などを薄膜形成して基板Iの板面上に付着
したゴξなどが透明樹脂層7の形成に当たって混入する
ことがない。
また、本発明においては上記透明導電N7を種々の層構
成や型式の光磁気ディスクに採用することができ、添付
図面の層構成は一例である。
成や型式の光磁気ディスクに採用することができ、添付
図面の層構成は一例である。
同図によれば、プラスチック基板1の材料としてポリカ
ーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ア
クリル樹脂、ポリオレフィンMBHなどがある。
ーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ア
クリル樹脂、ポリオレフィンMBHなどがある。
第1、第2誘電体層2.4の材料として窒化シリコン、
窒化アルミニウム、炭化シリコン、硫化カドミウム、窒
化チタン、硫化亜鉛、フッ化マグネシウム、酸化アルミ
ニウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化シリコ
ン、酸化カドミウム、酸化ビスマスなどがあり、これら
を単独でまたは組合わせて用いる。
窒化アルミニウム、炭化シリコン、硫化カドミウム、窒
化チタン、硫化亜鉛、フッ化マグネシウム、酸化アルミ
ニウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化シリコ
ン、酸化カドミウム、酸化ビスマスなどがあり、これら
を単独でまたは組合わせて用いる。
光磁気記録層3は非晶質垂直磁化膜であり、その材料と
してGdDyFe、 GdTbFe、 TbFeCo、
DyFeCo。
してGdDyFe、 GdTbFe、 TbFeCo、
DyFeCo。
GdTbDyFe、 GdTbFeCo、 TbDyF
eCo、 GdDyFeCoなどがある。
eCo、 GdDyFeCoなどがある。
金属保護層5の材料としてAj!、 Cr、 Ti+
Cu+Ag、 Au、 5LISなどが単独でもしくは
組合わせて用いられる。
Cu+Ag、 Au、 5LISなどが単独でもしくは
組合わせて用いられる。
樹脂保護層6にはエポキシ系、ポリエステル系、アクリ
ル系、アクリルウレタン系などの樹脂が用いられる。
ル系、アクリルウレタン系などの樹脂が用いられる。
尚、本発明は透明樹脂層を光磁気ディスク用基板の一生
面上に形成した点に特徴があるが、本発切者等は高透明
性並びに優れた導電性や硬度のいずれかの特性が要求さ
れる部位にも用いることができると考える。例えば樹脂
保護層6として用いてもよい。
面上に形成した点に特徴があるが、本発切者等は高透明
性並びに優れた導電性や硬度のいずれかの特性が要求さ
れる部位にも用いることができると考える。例えば樹脂
保護層6として用いてもよい。
次に実施例を述べる。
マグネトロンスパッタリング装置にポリカーボネート樹
脂基板を配置し、該基板の上に非晶質のイツトリウムサ
イアロン層(窒化シリコンを主成分とし、これにイツト
リウム原子、アルミニウム原子及び酸素原子を含むN)
を920人の厚みで形成し、続けてTi原子を含む非晶
質GdDyFe垂直磁化膜(組成式((Gdo、 6s
DVo、 zs) o、 zaFeo、6) o、 q
eTi。、。2)を200人の厚みで形成し、更に上記
イ・7トリウムサイアロン層を300人の厚みで形成し
た。
脂基板を配置し、該基板の上に非晶質のイツトリウムサ
イアロン層(窒化シリコンを主成分とし、これにイツト
リウム原子、アルミニウム原子及び酸素原子を含むN)
を920人の厚みで形成し、続けてTi原子を含む非晶
質GdDyFe垂直磁化膜(組成式((Gdo、 6s
DVo、 zs) o、 zaFeo、6) o、 q
eTi。、。2)を200人の厚みで形成し、更に上記
イ・7トリウムサイアロン層を300人の厚みで形成し
た。
次いでAx金属層を800人の厚みで形成し、然る後、
スピンコーティング装置を用いて紫外線硬化型樹脂保護
層(大日本インキ側製のアクリル系樹脂:商品名5D−
17)を3μmの厚みで塗布形成した。
スピンコーティング装置を用いて紫外線硬化型樹脂保護
層(大日本インキ側製のアクリル系樹脂:商品名5D−
17)を3μmの厚みで塗布形成した。
そして、基板の他主面上にスピンコーティング装置を用
いて透明樹脂層を3μmの厚みで塗布形成した。
いて透明樹脂層を3μmの厚みで塗布形成した。
この塗布形成に当たっては、前記樹脂(SD−17)に
溶剤として少量のブタノールを加え、更に粒径1μm以
下のsb含有SnO□フィラー(触媒化成■製:商品名
ELCOM TL35)を第1表に示す通り幾通りもの
比率で加え、十分に均一混合したものを用いた。尚、ブ
タノールはスピンコード中に揮発するため、塗布された
樹脂層を加熱しても硬度の変化が確認できなかった。
溶剤として少量のブタノールを加え、更に粒径1μm以
下のsb含有SnO□フィラー(触媒化成■製:商品名
ELCOM TL35)を第1表に示す通り幾通りもの
比率で加え、十分に均一混合したものを用いた。尚、ブ
タノールはスピンコード中に揮発するため、塗布された
樹脂層を加熱しても硬度の変化が確認できなかった。
C以下余白〕
ト
かくして得られたディスクA−E(!:透明樹脂層を形
成しないディスクFについて、それぞれの透明樹脂層の
鉛筆硬度及び比抵抗並びに透明樹脂層の塗布形成前後に
おけるディスク自体のBERを測定したところ、第1表
に示す通りの結果が得られた。
成しないディスクFについて、それぞれの透明樹脂層の
鉛筆硬度及び比抵抗並びに透明樹脂層の塗布形成前後に
おけるディスク自体のBERを測定したところ、第1表
に示す通りの結果が得られた。
BERは記録ビットのなかの誤り率を示すものであり、
垂直磁化膜などを形成した後に塗布形成した透明導電層
のなかでゴミなどの付着していない非欠陥領域に対して
レーザー光を透過し、BER値を求めており、その測定
機器としてナカ藁チ■電気特性評価装置0M52000
システムを用いた。
垂直磁化膜などを形成した後に塗布形成した透明導電層
のなかでゴミなどの付着していない非欠陥領域に対して
レーザー光を透過し、BER値を求めており、その測定
機器としてナカ藁チ■電気特性評価装置0M52000
システムを用いた。
同表に示す結果より明らかな通り、ディスクCDによれ
ば、鉛筆硬度H以上の高硬度な特性であり、しかも、高
い導電性の透明導電層を備えていることが判る。また、
両者のディスクともにBERが塗布前後で変化がなく、
透明性にも優れていることが判る。
ば、鉛筆硬度H以上の高硬度な特性であり、しかも、高
い導電性の透明導電層を備えていることが判る。また、
両者のディスクともにBERが塗布前後で変化がなく、
透明性にも優れていることが判る。
また、各ディスクの透明樹脂層に対して工業用木綿ガー
ゼをこすり、故意に帯電させ、その層の上に埃を付着さ
せ、次いでブロアーによる空気の吹き付けでゴミの除去
状況を目視により観察したところ、ディスクC,Dは即
座に除去されたが、然るにディスクEは付着したゴミが
ほとんど除去されなかった。
ゼをこすり、故意に帯電させ、その層の上に埃を付着さ
せ、次いでブロアーによる空気の吹き付けでゴミの除去
状況を目視により観察したところ、ディスクC,Dは即
座に除去されたが、然るにディスクEは付着したゴミが
ほとんど除去されなかった。
以上の通り、本発明の光磁気ディスクによれば、プラス
チック基板の一主面上にアンチモン含有の酸化スズから
成る導電フィラーを所定量含有した樹脂を塗着したこと
により、その透明樹脂層が高い表面硬度と優れた光透過
性を備え、しかも、帯電防止効果にも優れており、その
結果、高品質且つ高信頼性の光磁気ディスクを提供する
ことができた。
チック基板の一主面上にアンチモン含有の酸化スズから
成る導電フィラーを所定量含有した樹脂を塗着したこと
により、その透明樹脂層が高い表面硬度と優れた光透過
性を備え、しかも、帯電防止効果にも優れており、その
結果、高品質且つ高信頼性の光磁気ディスクを提供する
ことができた。
・透明樹脂層
Claims (1)
- 一方の主面上に光磁気記録層を形成したプラスチック基
板の他方の主面上にアンチモン含有の酸化スズから成る
導電フィラーを3〜11%の範囲で含有した透明樹脂を
塗着せしめたことを特徴とする光磁気ディスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34328089A JPH03203050A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 光磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34328089A JPH03203050A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 光磁気ディスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03203050A true JPH03203050A (ja) | 1991-09-04 |
Family
ID=18360301
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34328089A Pending JPH03203050A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 光磁気ディスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03203050A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5331625A (en) * | 1991-09-19 | 1994-07-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical disc with antistatic coating containing tin oxide and phosphorous |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP34328089A patent/JPH03203050A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5331625A (en) * | 1991-09-19 | 1994-07-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical disc with antistatic coating containing tin oxide and phosphorous |
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