JPH04117646A - 光磁気ディスク及びその製法 - Google Patents
光磁気ディスク及びその製法Info
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- JPH04117646A JPH04117646A JP33932290A JP33932290A JPH04117646A JP H04117646 A JPH04117646 A JP H04117646A JP 33932290 A JP33932290 A JP 33932290A JP 33932290 A JP33932290 A JP 33932290A JP H04117646 A JPH04117646 A JP H04117646A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラスチック基板の一生面上に十分な表面硬度
と光透過性があり且つ帯電防止効果に優れた樹脂層を形
成して成る光磁気ディスク及びその製法に関するもので
ある。
と光透過性があり且つ帯電防止効果に優れた樹脂層を形
成して成る光磁気ディスク及びその製法に関するもので
ある。
光磁気ディスク用基板材料にはガラスまたはプラスチッ
クがあり、ガラス基板は高価になるが、その反面、種々
の主要特性が得られる。これに対してSプラスチック基
板は複製が容易であり、しかも、低コストである。
クがあり、ガラス基板は高価になるが、その反面、種々
の主要特性が得られる。これに対してSプラスチック基
板は複製が容易であり、しかも、低コストである。
上記プラスチック基板材料には例えばポリカーボネート
樹脂などがあるが、その樹脂自体は誘電体であるために
帯電しやす(、また、ゴミなどが付着しやすく、しかも
、硬度が小さいために傷がつきやすく、これらが原因と
なってピットエラーレート(以下BERと略す)などの
読出し性能が低下するという問題点がある。。
樹脂などがあるが、その樹脂自体は誘電体であるために
帯電しやす(、また、ゴミなどが付着しやすく、しかも
、硬度が小さいために傷がつきやすく、これらが原因と
なってピットエラーレート(以下BERと略す)などの
読出し性能が低下するという問題点がある。。
そこで、この問題点を解決するために基板の読出し面に
SiOxなどの無機質膜を形成することが提案されてい
る(特開昭63−155450号及び特開昭63−29
2441号)。
SiOxなどの無機質膜を形成することが提案されてい
る(特開昭63−155450号及び特開昭63−29
2441号)。
しかしながら、上記構成の光磁気ディスクに対して耐久
性能を確かめるための環境試験を行ったところ、基板と
無機質の間に脹れが生じ、BERか低下することが判明
した。
性能を確かめるための環境試験を行ったところ、基板と
無機質の間に脹れが生じ、BERか低下することが判明
した。
本発明は叙上に鑑みて案出されたものであり、その目的
はプラスチック基板の読出し面に充分な表面硬度と光透
過性があり、且つ帯電防止効果にも優れた層を形成し、
これによって読出し性能を高めた光磁気ディスク及びそ
の製法を提供することにある。
はプラスチック基板の読出し面に充分な表面硬度と光透
過性があり、且つ帯電防止効果にも優れた層を形成し、
これによって読出し性能を高めた光磁気ディスク及びそ
の製法を提供することにある。
本発明の光磁気ディスクはプラスチック基板の読出し面
に酸化アンチモンから成る導電フィラーを5〜35重量
%の範囲で含有した透明樹脂を塗着せしめたことを特徴
とする。
に酸化アンチモンから成る導電フィラーを5〜35重量
%の範囲で含有した透明樹脂を塗着せしめたことを特徴
とする。
本発明の光磁気ディスクの製法によれば、粘度lO〜1
00 cpsの樹脂に酸化アンチモンから成る導電フィ
ラーを5〜35重量%の範囲で含有させた樹脂基材に沸
点80℃以上120℃以下のアルコール系溶媒を加えて
均一混合し、次いでその混合物を前記プラスチック基板
の読出し面にスビンコ−1・することを特徴とする。
00 cpsの樹脂に酸化アンチモンから成る導電フィ
ラーを5〜35重量%の範囲で含有させた樹脂基材に沸
点80℃以上120℃以下のアルコール系溶媒を加えて
均一混合し、次いでその混合物を前記プラスチック基板
の読出し面にスビンコ−1・することを特徴とする。
以下本発明の詳細な説明する。
添付図面は本発明光磁気ディスクの典型的な層構成を示
しており、プラスチック基板1の一主面上に第1誘電体
層2、光磁気記録層3、第2誘電体層4及び金属保護層
5を順次積層し、更に樹脂保護層6を形成する。また、
読出し面である他主面上に前記組成の透明樹脂層7を形
成する。
しており、プラスチック基板1の一主面上に第1誘電体
層2、光磁気記録層3、第2誘電体層4及び金属保護層
5を順次積層し、更に樹脂保護層6を形成する。また、
読出し面である他主面上に前記組成の透明樹脂層7を形
成する。
上記透明樹脂層7は酸化アンチモン(Sb20i)から
成る導電フィラーを含む樹脂を用いており、この導電フ
ィラーは透明樹脂層7の導電性を高める働きがあるが、
その反面、その層7の硬度を低下せしめる。
成る導電フィラーを含む樹脂を用いており、この導電フ
ィラーは透明樹脂層7の導電性を高める働きがあるが、
その反面、その層7の硬度を低下せしめる。
そこで本発明者等は樹脂中の導電フィラー含有量を幾通
りにも変える実験を繰り返し行った結果、その含有量が
5〜35重量%、好適には25〜35重量%であればよ
いことを見出した。
りにも変える実験を繰り返し行った結果、その含有量が
5〜35重量%、好適には25〜35重量%であればよ
いことを見出した。
その含有量が5重量%未満の場合には所望の導電性が得
られず、35重量%を越えた場合、硬度の低下をまねく
。
られず、35重量%を越えた場合、硬度の低下をまねく
。
透明樹脂層7の主体となる樹脂としては透明絶縁性であ
れば種々の材料を用いることができ、例えばエポキシ系
、不飽和ポリエステル系、ポリメタクリル系、アクリル
系、ウレタン系、アクリルウレタン系の紫外線硬化型樹
脂(以下UV樹脂と略す)、もしくはユリア系、メラミ
ン系、シアリルスタレート系の熱硬化型樹脂など、また
、熱硬化型UV樹脂、湿気硬化型UV樹脂、二液型UV
樹脂などが挙げられ、就中、各種UV樹脂が工程上短時
間で塗布硬化が完了できて生産性が高められるという点
で望ましい。
れば種々の材料を用いることができ、例えばエポキシ系
、不飽和ポリエステル系、ポリメタクリル系、アクリル
系、ウレタン系、アクリルウレタン系の紫外線硬化型樹
脂(以下UV樹脂と略す)、もしくはユリア系、メラミ
ン系、シアリルスタレート系の熱硬化型樹脂など、また
、熱硬化型UV樹脂、湿気硬化型UV樹脂、二液型UV
樹脂などが挙げられ、就中、各種UV樹脂が工程上短時
間で塗布硬化が完了できて生産性が高められるという点
で望ましい。
かくして上記組成の透明樹脂層7を形成した場合、比抵
抗が101!Ωcm以下の導電性が得られ、しかも、ポ
リカーボネート樹脂基板の硬度(これを鉛筆硬度で表し
た場合、Bである)よりも高い硬度(鉛筆硬度でH以上
である)が得られ、その上、高い透過率も得られた。
抗が101!Ωcm以下の導電性が得られ、しかも、ポ
リカーボネート樹脂基板の硬度(これを鉛筆硬度で表し
た場合、Bである)よりも高い硬度(鉛筆硬度でH以上
である)が得られ、その上、高い透過率も得られた。
このような透明樹脂層7の厚みはその紫外線による硬化
度並びに基板の寸法、反り、硬度などにより最適条件が
決められ、通常1〜15μm、好適には3〜10μmが
適当である。
度並びに基板の寸法、反り、硬度などにより最適条件が
決められ、通常1〜15μm、好適には3〜10μmが
適当である。
上記透明樹脂層7を形成する場合、光磁気記録層3など
を形成する前に塗布形成するのがよく、これにより、上
記記録層3などを薄膜形成して基板1の板面上に付着し
たゴミなどが透明樹脂層7の形成に当たって混入するこ
とがない。
を形成する前に塗布形成するのがよく、これにより、上
記記録層3などを薄膜形成して基板1の板面上に付着し
たゴミなどが透明樹脂層7の形成に当たって混入するこ
とがない。
また、本発明においては上記透明樹脂層7を種々の層構
成や型式の光磁気ディスクに採用することができ、添付
図面の層構成は一例である。
成や型式の光磁気ディスクに採用することができ、添付
図面の層構成は一例である。
同図によれば、プラスチック基板1め材料としてポリカ
ーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ア
クリル樹脂、ポリオレフィン樹脂などがある。
ーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ア
クリル樹脂、ポリオレフィン樹脂などがある。
第1、第2誘電体層2.4の材料として窒化シリコン、
窒化アルミニウム、炭化シリコン、硫化カドミウム、窒
化チタン、硫化亜鉛、フッ化マグネシウム、酸化アルミ
ニウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化シリコ
ン、酸化カドミウム、酸化ビスマスなどがあり、これら
を単独でまたは組合わせて用いる。
窒化アルミニウム、炭化シリコン、硫化カドミウム、窒
化チタン、硫化亜鉛、フッ化マグネシウム、酸化アルミ
ニウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化シリコ
ン、酸化カドミウム、酸化ビスマスなどがあり、これら
を単独でまたは組合わせて用いる。
光磁気記録層3は非晶質垂直磁化膜であり、その材料と
してGdDyFe、 GdTbFe、 TbFeCo、
DyFeC0゜GdTbDyPe、 GdTbFeC
0,TbDyFeC0,GdDyFeC0などがある。
してGdDyFe、 GdTbFe、 TbFeCo、
DyFeC0゜GdTbDyPe、 GdTbFeC
0,TbDyFeC0,GdDyFeC0などがある。
金属保護層5の材料としてAl2. Cr、 Ti、
Cu。
Cu。
Ag、 Au、 SUSなどが単独でもしくは組合わせ
て用いられる。
て用いられる。
樹脂保護層6にはエポキシ系、ポリエステル系、アクリ
ル系、アクリルウレタン系などの樹脂が用いられる。
ル系、アクリルウレタン系などの樹脂が用いられる。
尚、本発明は透明樹脂層を光磁気ディスク用基盤の一主
面上に形成した点に特徴があるが、本発明者等は高透明
性並びに優れた導電性や硬度のいずれかの特性が要求さ
れる部位にも用いられることができる考える。例えば樹
脂保護層6として用いてもよい。
面上に形成した点に特徴があるが、本発明者等は高透明
性並びに優れた導電性や硬度のいずれかの特性が要求さ
れる部位にも用いられることができる考える。例えば樹
脂保護層6として用いてもよい。
次に本発明の光磁気ディスクの好適な製法を述べる。
前記透明樹脂層7を形成する場合、例えばUV樹脂自体
の粘度を10〜100CpS、好適には20〜80cp
Sの範囲内に設定するとよく、10cps未満であれば
、膜面に亘って均一な厚みが得られず、所望通りの塗布
厚みが達成できず、また、100cpsを越えるとぬれ
性に起因して塗布時に欠陥が発生し、また、所望通りの
厚みを得るに当たって例えばスピンコーティング法にお
いては振り切り時間が長くなりS生産性が低下する。
の粘度を10〜100CpS、好適には20〜80cp
Sの範囲内に設定するとよく、10cps未満であれば
、膜面に亘って均一な厚みが得られず、所望通りの塗布
厚みが達成できず、また、100cpsを越えるとぬれ
性に起因して塗布時に欠陥が発生し、また、所望通りの
厚みを得るに当たって例えばスピンコーティング法にお
いては振り切り時間が長くなりS生産性が低下する。
このようなUV樹脂に酸化アンチモンからなる導電フィ
ラーを5〜35重量%、好適には25〜35重量%含有
させる。
ラーを5〜35重量%、好適には25〜35重量%含有
させる。
また、上記導電フィラー含有のUV樹脂に沸点80℃以
上、120℃以下のアルコール系溶媒を加えて均一混合
し、塗布条件を整える。その添加比率は溶媒の種類にも
よるが、例えば5〜50重量%の範囲内で加えればよい
。
上、120℃以下のアルコール系溶媒を加えて均一混合
し、塗布条件を整える。その添加比率は溶媒の種類にも
よるが、例えば5〜50重量%の範囲内で加えればよい
。
また、沸点80℃以上、120℃以下のアルコール系溶
媒を用いる理由は、透明樹脂層7に導電フィラーを均一
分散させるためであり、沸点が120℃を越えるアルコ
ール系溶媒を用いた場合には導電フィラーが凝集化され
易くなり、透明度が低下した層となり、また、80℃以
上では樹脂が凝集化して異物の原因となる。
媒を用いる理由は、透明樹脂層7に導電フィラーを均一
分散させるためであり、沸点が120℃を越えるアルコ
ール系溶媒を用いた場合には導電フィラーが凝集化され
易くなり、透明度が低下した層となり、また、80℃以
上では樹脂が凝集化して異物の原因となる。
上記アルコール系溶媒にはl−プロパツール、イソプロ
ピルアルコール、ブタノール、2−ブタノール、イソブ
チルアルコールなどがあり、これらを単一でもしくは組
合わせて用いる。また、沸点が120℃を越える高沸点
アルコールと、それ以外の低沸点アルコールとを組合わ
せた混合アルコールを用いてもよく、例えば イソプロピルアルコール+1−ブタノール、イソプロピ
ルアルコール+2−ブタノール、イソプロピルアルコー
ル士イソブチルアルコール、1−プロパツール+1−ブ
タノール、 1−プロパツール+2−ブタノール、 l−プロパツール士イソブチルアルコール、ペンタノー
ル+イソプロピルアルコール、イソペンタノール+イソ
プロピルアルコール、エタノール+1−ブタノール、 エタノール+2−ブタノール、 エタノール+イソブチルアルコール、 エタノール+ペンタノール、 エタノール+イソペンタノール、などが挙げられる。
ピルアルコール、ブタノール、2−ブタノール、イソブ
チルアルコールなどがあり、これらを単一でもしくは組
合わせて用いる。また、沸点が120℃を越える高沸点
アルコールと、それ以外の低沸点アルコールとを組合わ
せた混合アルコールを用いてもよく、例えば イソプロピルアルコール+1−ブタノール、イソプロピ
ルアルコール+2−ブタノール、イソプロピルアルコー
ル士イソブチルアルコール、1−プロパツール+1−ブ
タノール、 1−プロパツール+2−ブタノール、 l−プロパツール士イソブチルアルコール、ペンタノー
ル+イソプロピルアルコール、イソペンタノール+イソ
プロピルアルコール、エタノール+1−ブタノール、 エタノール+2−ブタノール、 エタノール+イソブチルアルコール、 エタノール+ペンタノール、 エタノール+イソペンタノール、などが挙げられる。
かくして得られた塗布用UV樹脂をスピンコードにより
厚み1〜15μm1好適には3〜10μmの範囲で塗布
形成し、次いで紫外線照射を行って固化せしめる。通常
、上記スピンコード及び紫外線照射により溶媒は揮発し
、その後の透明樹脂層7は導電性、硬度及び光透過性と
もに優れた特性を備えている。
厚み1〜15μm1好適には3〜10μmの範囲で塗布
形成し、次いで紫外線照射を行って固化せしめる。通常
、上記スピンコード及び紫外線照射により溶媒は揮発し
、その後の透明樹脂層7は導電性、硬度及び光透過性と
もに優れた特性を備えている。
次に実施例を述べる。
(例1)
マグネトロンスパッタリング装置にポリカーボネート樹
脂基板を配置し、その基板の上に非晶質のイツトリウム
サイアロン層(窒化シリコンを主成分とし、これにイツ
トリウム原子、アルミニウム原子及び酸素原子を含む層
)を920人の厚みで形成し、続けてTi原子を含む非
晶質GdDyPe垂直磁化膜(組成式(Gda、 1i
DYo、 16)a、 z4Fea、 ta ) o、
11Too。、)を200人の厚みで形成し、更に上
記イツトリウムサイアロン層を300人の厚みで形成し
た。次いでA7金属層を800人の厚みで形成し、然る
後、スピンコーティング装置を用いて紫外線硬化型樹脂
保護層(大日本インキ■製のアクリル系樹脂:商品名5
D−17)を3μmの厚みで塗布形成した。
脂基板を配置し、その基板の上に非晶質のイツトリウム
サイアロン層(窒化シリコンを主成分とし、これにイツ
トリウム原子、アルミニウム原子及び酸素原子を含む層
)を920人の厚みで形成し、続けてTi原子を含む非
晶質GdDyPe垂直磁化膜(組成式(Gda、 1i
DYo、 16)a、 z4Fea、 ta ) o、
11Too。、)を200人の厚みで形成し、更に上
記イツトリウムサイアロン層を300人の厚みで形成し
た。次いでA7金属層を800人の厚みで形成し、然る
後、スピンコーティング装置を用いて紫外線硬化型樹脂
保護層(大日本インキ■製のアクリル系樹脂:商品名5
D−17)を3μmの厚みで塗布形成した。
そして、基板の他主面上にスピンコーティング装置を用
いて透明樹脂層を3μmの厚みで塗布形成した。
いて透明樹脂層を3μmの厚みで塗布形成した。
この塗布形成に当たっては、粘度28cpsの前記樹脂
(SD〜17)に溶剤としてブタノールとエタノールを
添カロ比率15重量%で加え(その混合アルコールの沸
点は90〜95℃である)、更に平均粒径0.02μm
の5b2o、フィラー(触媒化成■製)を第1表に示す
通り幾通りもの比率で加え、充分に均一混合したものを
用いた。尚、ブタノールとエタノールはスピンコード中
に揮発するため、塗布された樹脂層を加熱しても硬度の
変化が確認できなかった。
(SD〜17)に溶剤としてブタノールとエタノールを
添カロ比率15重量%で加え(その混合アルコールの沸
点は90〜95℃である)、更に平均粒径0.02μm
の5b2o、フィラー(触媒化成■製)を第1表に示す
通り幾通りもの比率で加え、充分に均一混合したものを
用いた。尚、ブタノールとエタノールはスピンコード中
に揮発するため、塗布された樹脂層を加熱しても硬度の
変化が確認できなかった。
かくして得られたディスクA−Eと透明樹脂層を形成し
ないディスクFについて、それぞれの透明樹脂層の鉛筆
硬度及び比抵抗並びに透明樹脂層の塗布形成前後におけ
るディスク自体のBERを測定したところ、第1表に示
す通りの結果が得られた。
ないディスクFについて、それぞれの透明樹脂層の鉛筆
硬度及び比抵抗並びに透明樹脂層の塗布形成前後におけ
るディスク自体のBERを測定したところ、第1表に示
す通りの結果が得られた。
BERは記録ビットのなかの誤り率を示すものであり、
垂直磁化膜などを形成した後に塗布形成した透明導電層
のなかでゴミなどの付着していない非欠陥領域に対して
レーザー光を透過し、BER値を求めており、その測定
機器としてナカミチ■電気特性評価装置OM S 20
00システムを用いた。
垂直磁化膜などを形成した後に塗布形成した透明導電層
のなかでゴミなどの付着していない非欠陥領域に対して
レーザー光を透過し、BER値を求めており、その測定
機器としてナカミチ■電気特性評価装置OM S 20
00システムを用いた。
同表に示す結果より明らかな通り、ディスクBC,Dに
よれば、鉛筆硬度Hの高硬度な特性であり、しかも、高
い導電性の透明導電層を備えていることが判る。また、
いずれのディスクともにBERが塗布前後で変化がなく
、透明性にも優れていることが判る。
よれば、鉛筆硬度Hの高硬度な特性であり、しかも、高
い導電性の透明導電層を備えていることが判る。また、
いずれのディスクともにBERが塗布前後で変化がなく
、透明性にも優れていることが判る。
また、各ディスクの透明樹脂層に対して工業用木綿ガー
ゼをこすり、故意に帯電させ、その層の上に埃を付着さ
せ、次いてブロアーによる空気の吹き付けでゴミの除去
状況を目視により観察したところ、ディスクB、C,D
は即座に除去されたか、然るにディスクEは付着したゴ
ミがほとんど除去されなかった。
ゼをこすり、故意に帯電させ、その層の上に埃を付着さ
せ、次いてブロアーによる空気の吹き付けでゴミの除去
状況を目視により観察したところ、ディスクB、C,D
は即座に除去されたか、然るにディスクEは付着したゴ
ミがほとんど除去されなかった。
(例2)
マグネトロンスパッタリング装置にポリカーボネート樹
脂基板を配置し、その基板の上に非晶質のイツトリウム
サイアロン層を1000人の厚みで形成し、続けて(例
1)と同様のTi原子を含む非晶質GdDyFe垂直磁
化膜を200人の厚みで形成し、更に上記イツトリウム
サイアロン層を300人の厚みで形成した。次いてAI
金属層を800人の厚みで形成し、然る後、スピンコー
ティング装置を用いて紫外線硬化型樹脂保護層(大日本
インキ■製のウレタンアクリル系樹脂:商品名5D−3
01)を10μmの厚みて塗布形成した。
脂基板を配置し、その基板の上に非晶質のイツトリウム
サイアロン層を1000人の厚みで形成し、続けて(例
1)と同様のTi原子を含む非晶質GdDyFe垂直磁
化膜を200人の厚みで形成し、更に上記イツトリウム
サイアロン層を300人の厚みで形成した。次いてAI
金属層を800人の厚みで形成し、然る後、スピンコー
ティング装置を用いて紫外線硬化型樹脂保護層(大日本
インキ■製のウレタンアクリル系樹脂:商品名5D−3
01)を10μmの厚みて塗布形成した。
そして、基板の他主面上にスピンコーティング装置を用
いて透明樹脂層を5μmの厚みで塗布形成した。
いて透明樹脂層を5μmの厚みで塗布形成した。
この塗布形成に当たっては、大日本インキ化学工業■製
のアクリル系樹脂(商品名SD 17)に各種溶媒を加
え、更に平均粒径0,02μmのSbJ*フィラー(触
媒化成■製)を第2表に示す通り幾通りもの比率で加え
、十分に均一混合したものを用いた。但し、同表中ディ
スクL、 MのUV樹脂として、それぞれ粘度が110
cps、 5 c匹の樹脂の(■スリーボンド製アク
リル樹脂: UVX−3S119、スリーボンド307
0)を用いた。
のアクリル系樹脂(商品名SD 17)に各種溶媒を加
え、更に平均粒径0,02μmのSbJ*フィラー(触
媒化成■製)を第2表に示す通り幾通りもの比率で加え
、十分に均一混合したものを用いた。但し、同表中ディ
スクL、 MのUV樹脂として、それぞれ粘度が110
cps、 5 c匹の樹脂の(■スリーボンド製アク
リル樹脂: UVX−3S119、スリーボンド307
0)を用いた。
かくして得られたディスクG−Rと透明樹脂層を形成し
ないディスクSについて、それぞれの透明樹脂層の鉛筆
硬度及び比抵抗並びに透明樹脂層の塗布形成前後におけ
るディスク自体のBERを測定したところ、第2表に示
す通りの結果が得られた。
ないディスクSについて、それぞれの透明樹脂層の鉛筆
硬度及び比抵抗並びに透明樹脂層の塗布形成前後におけ
るディスク自体のBERを測定したところ、第2表に示
す通りの結果が得られた。
同表に示す結果より明らかな通り、ディスクHI、−J
、 N、 Oについては鉛筆硬度Hの高硬度な特性であ
り、しかも、高い導電性の透明導電層を備えていること
が判る。また、いずれのディスクともにBERが塗布前
後で変化がなく、透明性にも優れていることが判る。
、 N、 Oについては鉛筆硬度Hの高硬度な特性であ
り、しかも、高い導電性の透明導電層を備えていること
が判る。また、いずれのディスクともにBERが塗布前
後で変化がなく、透明性にも優れていることが判る。
然るにディスクGは鉛筆硬度が低下しており、ディスク
には比抵抗が小さく、また、ディスクLは塗布に当たっ
て欠陥が発生し、ディスクMは鉛筆硬度が低下し、塗布
厚が1μm未満となり、ディスクPは樹脂にゲルが発生
し、ディスクQは白濁が目立ち、記録感度が低下し、デ
ィスクRは表面にひび割れが発生した。
には比抵抗が小さく、また、ディスクLは塗布に当たっ
て欠陥が発生し、ディスクMは鉛筆硬度が低下し、塗布
厚が1μm未満となり、ディスクPは樹脂にゲルが発生
し、ディスクQは白濁が目立ち、記録感度が低下し、デ
ィスクRは表面にひび割れが発生した。
またディスクH,r、 J、 N、 Oの各々の透明
樹脂層に対して(例1)と同様に工業用木綿ガーゼをこ
すり、故意に帯電させ、その層の上に埃を付着させてゴ
ミの除去状況を目視により観察したところ、いずれも即
座に除去された。
樹脂層に対して(例1)と同様に工業用木綿ガーゼをこ
すり、故意に帯電させ、その層の上に埃を付着させてゴ
ミの除去状況を目視により観察したところ、いずれも即
座に除去された。
[発明の効果〕
以上の通り、本発明の光磁気ディスクによれば、プラス
チック基板の一生面上に酸化アンチモンから成る導電フ
ィラーを所定量含有した樹脂を塗布したことにより、そ
の透明樹脂層が高い表面硬度と優れた光透過性を備え、
しかも、帯電防止効果にも優れており、その結果、高品
質且つ高信頼性の光磁気ディスクを提供することができ
た。
チック基板の一生面上に酸化アンチモンから成る導電フ
ィラーを所定量含有した樹脂を塗布したことにより、そ
の透明樹脂層が高い表面硬度と優れた光透過性を備え、
しかも、帯電防止効果にも優れており、その結果、高品
質且つ高信頼性の光磁気ディスクを提供することができ
た。
また本発明の製法によれば、上記の優れた光磁気ディス
クを作製するに当たって、所望通りに塗布厚みが得られ
るとともに欠陥のない高品質な透明樹脂層が形成できた
。
クを作製するに当たって、所望通りに塗布厚みが得られ
るとともに欠陥のない高品質な透明樹脂層が形成できた
。
添付図面は実施例である光磁気ディスクの層構成を示す
断面図である。 1ニブラスチツク基板 :光磁気記録層 :樹脂保護層 :透明樹脂層
断面図である。 1ニブラスチツク基板 :光磁気記録層 :樹脂保護層 :透明樹脂層
Claims (2)
- (1)プラスチック基板の一方の主面上に光磁気記録層
を形成するとともに他方の主面上に酸化アンチモンから
成る導電フィラーを5〜35重量%の範囲で含有した透
明樹脂を塗着せしめたことを特徴とする光磁気ディスク
。 - (2)プラスチック基板の一方の主面上に光磁気ディス
ク記録層を形成する工程を備えるとともに、粘度10〜
100cpsの樹脂に酸化アンチモンから成る導電フィ
ラーを5〜35重量%の範囲で含有させた樹脂基材に沸
点80〜120℃のアルコール系溶媒を加えて均一混合
した透明樹脂を前記プラスチック基板の他方の主面上に
スピーコートすることを特徴とする光磁気ディスクの製
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33932290A JPH04117646A (ja) | 1990-06-28 | 1990-11-30 | 光磁気ディスク及びその製法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2-171746 | 1990-06-28 | ||
JP17174690 | 1990-06-28 | ||
JP33932290A JPH04117646A (ja) | 1990-06-28 | 1990-11-30 | 光磁気ディスク及びその製法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04117646A true JPH04117646A (ja) | 1992-04-17 |
Family
ID=26494359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33932290A Pending JPH04117646A (ja) | 1990-06-28 | 1990-11-30 | 光磁気ディスク及びその製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04117646A (ja) |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP33932290A patent/JPH04117646A/ja active Pending
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