JPH03202145A - 表面処理方法 - Google Patents
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
表面をプラズマ処理又はコロナ処理することにより、被
処理物の表面エネルギーを低下させる表面処理方法に関
する。
してCF4. C2F、、 SFG、 NF、などのフ
ッ素化合物などを用い、減圧下でプラズマ処理する方法
が種々提案されている。このようなプラズマ処理によれ
ば、プラズマ中に生じたフッ素原子やフッ素を含む基が
被処理物表面の結合手と非選択的に結合し、被処理物表
面がフッ素原子やフッ素原子を含む基で覆われ、該被処
理物表面はポリテトラフルオロエチレン(テフロン)と
類似の分子構造やCF3基などの含フッ素基を持つ構造
となる。これにより被処理物の表面エネルギーが低下し
、表面が撥水化されるものである。
素化合物を用いたプラズマ処理による撥水化処理は、そ
の撥水化のレベルが必ずしも十分といえるものではなく
、その上比較的短期間で撥水性能が低下してしまうこと
が多い。
以下の減圧下で行なわれるので、これを工業的に実施す
るためには、大型の真空装置が必要となり、1− 2− 設備費や処理コストが大きくなる。更に、被処理物が水
分やガス可塑剤などを多く含む場合は、これらが減圧雰
囲気中で気化し、被処理物表面から放出され、このため
プラズマ処理において目的とする性能や機能が得られな
い場合もある。しかも。
く、このため低融点物質からなる被処理物には適用し難
い。
素化合物と不活性ガスとの混合ガスを用い、大気圧で被
処理物表面をプラズマ処理又はコロナ処理することによ
り、被処理物の表面エネルギーを低下させ、撥水化する
方法(特開昭62−235339号公報)も提案されて
いる。この方法によれば上記プラズマ処理に比べて経時
変化の少ない撥水化処理を行なうことができる。更に、
この処理法は大気圧付近の圧力下で行なわれるため、大
型の真空装置を必要とせず、また水分やガス可塑剤など
を多く含むものにも良好に適応し得、また処理時の発熱
もほとんど生じることがなく、3− このため低融点の被処理物にも適応可能である。
減圧下に行なう処理と同様に不十分であり、このため撥
水化レベルの向上が望まれる。
な素材、例えば金属、半導体、金属酸化物などの無機材
料等に対して撥水化処理を行なう方法として、まず炭化
水素系ガスと不活性ガスとの混合ガスなどを用い、プラ
ズマ処理又はコロナ処理を行なって被処理物表面にカー
ボン膜や炭化水素膜を堆積させた後、該膜上に上記撥水
化処理を施す方法(特開昭61−238961号公報)
があるが、この方法では、カーボン膜や炭化水素膜の堆
積速度が100A/min程度と極めて遅く、また膜堆
積処理と撥水化処理との二段階処理となるため、非常に
手間がかかる。従ってこのような素材に対しても簡単か
つ確実に撥水化処理し得る処理方法の開発が望まれてい
る。
素化合物を用いたプラズマ処理やコロナ4− 処理には不適当とされている素材にも簡単かつ確実に良
好な表面エネルギー低下処理を施すことができ、しかも
処理後の経時変化の少ない高度な低表面エネルギー化が
達成される表面処理方法を提供することを目的とする。
た結果、含フッ素化合物を含有するガスを用い、被処理
物表面を大気圧でプラズマ処理又はコロナ処理して、被
処理物の表面エネルギーを低下させる表面処理方法にお
いて、上記含フッ素化合物としてオクタフルオロシクロ
ブタン(○FB)などの環状フッ化炭化水素又はヘキサ
フルオロプロピレン(RFP)などの不飽和フッ化炭化
水素、即ち環状炭化水素又は不飽和炭化水素の水素原子
の一部又は全部をフッ素原子を含むハロゲン基で置換し
た含フッ素化合物を用いることにより、良好な表面エネ
ルギー低下処理を行なうことができ、このため水分やガ
ス可塑剤などを多く含む素材にも良好に適用し得ると共
に、処理中にほとんど発熱がないので、低融点物質から
なる素材にも良好に適用し得、その上従来フッ素化合物
により撥水化するのが困難とされていた素材に対しても
一度の処理で良好な撥水化処理を施すことができ、しか
も従来よりも被処理物の表面エネルギーをより低下させ
ることができることを見い出し、本発明を完成したもの
である。
い、被処理物表面を大気圧でプラズマ処理又はコロナ処
理して、被処理物の表面エネルギーを低下させる表面処
理方法において、上記含フッ素化合物として環状炭化水
素又は不飽和炭化水素の水素原子の一部又は全部をフッ
素原子を含むハロゲン基で置換した含フッ素化合物を使
用することを特徴とする表面処理方法を提供する。
り高いレベルの低表面エネルギー化が達成される理由は
、環状炭化水素又は不飽和炭化水素の水素原子の一部又
は全部をフッ素原子を含むハロゲン基に置換した含フッ
素化合物がある程度5− 6− その分子構造を保持したまま被処理物表面で重合し、堆
積するためと考えられる。また、このように膜の堆積と
撥水化が同時に行なわれるので、金属、金属酸化物、半
導体等の従来フッ素化合物により直接撥水化するのが困
難とされている素材や絶縁体等に対しても一度の処理で
簡単かつ良好にその表面を撥水化し得るものである。
又は不飽和炭化水素の水素原子の一部又は全部をフッ素
原子で置換した含フッ素化合物を含むガスを用い、被処
理物表面を大気圧でプラズマ処理又はコロナ処理するも
のである。
フッ素原子を含むハロゲン基で置換した含フッ素化合物
としては、ヘキサフルオロシクロプロパン(フロンC−
2↓6)、1,1,2.2−テトラクロロテトラフルオ
ロシクロブタン(フロンC−314)、1,2−ジクロ
ロへキサフルオロシクロブタン(フロンC−316)、
モノクロロープ7− タフルオロシクロブタン(フロンC−317)、オクタ
フルオロシクロブタン(フロンC−318,○FB)、
1.2.2−トリクロロ−3,3,4,4−テトラフル
オロシクロブタン(フロンC−324)、1,1−ジク
ロロ−2,2,3,3−テl−ラフルオロシク口ブタン
(フロンC−334)、1−クロロ−2,2,3,3−
テトラフルオロシクロブタン(フロンC−344)、1
,1,2.2−テトラフルオロシクロブタン(フロンC
−354)、1,2−ジクロロテトラフルオロシクロブ
テン(フロンC−1314−)、ヘキサフルオロシクロ
ブテン(フロンC−1316)、パーフルオロシクロペ
ンタン、パーフルオロシクロヘキサン、パーフルオロシ
クロへブタンなどを挙げることができ、また、不飽和炭
化水素の水素原子の一部又は全部をフッ素原子を含むハ
ロゲン基で置換した含フッ素化合物としては、トリクロ
ロモノフルオロエチレン(フロン1111)、1,2−
ジクロロジフルオロエチレン(フロン1112)、↓、
1−ジクロロジフルオロエチレン(フロン1112a)
、モノクロロー1.1.2−トリフルオロエチレン− (フロン1113)、テトラフルオロエチレン(フロン
1114.)、1,2ジクロロ−2−フルオロエチレン
(フロン1121)、1,1ジクロロ−2−フルオロエ
チレン(フロン1121 a)、1−クロロ−2,2−
ジフルオロエチレン(フロン↓122)、1−クロロ−
1,2−ジフルオロエチレン(フロン1122a)、ト
リフルオロエチレン(フロン1123)、ニークロロ−
2−フルオロエチレン(フロン↓131)、]−]クロ
ロー1−フルオロエチレンフロン1131a)、1.2
−ジクロロエチレン(フロン1142)、1、■−ジフ
ロロエチレン(フロン1142a)、フルオロエチレン
(フロン1141)、ヘキサフルオロプロピレン(RF
P)、フルオロプロピレン、ジフルオロプロピレン、ト
リフルオロプロピレン、テトラフルオロプロピレン、ペ
ンタフルオロプロピレン、オクタフルオロブテン、フル
オロブテン、ジフルオロブテン、トリフルオロブテン、
テトラフルオロブテン、ペンタフルオロブテン、ヘキサ
フルオロブテン、ヘプタフルオロブテン、パーフルオロ
ペンタンなどを挙げることができる。これらの中でも特
にRFPやOF、Bは比較的安価で入手し易く、また大
気中でも安定であり、同時に処理後の撥水特性も良好で
あるため、特に好ましく使用される。
活性ガスが好適であり、不活性ガスとしてはヘリウム、
ネオン、アルゴン、窒素等又はそれらの混合ガスが使用
されるが、特にヘリウムガスが好ましく用いられる。
スを用いて被処理物表面を大気圧でプラズマ処理又はコ
ロナ処理するものであり、この場合プラズマの発生方法
としては、プラズマを発生し、かつこれにより被処理物
表面に反応を起こすことが可能な方法であればどのよう
な方法であってもよいが、具体的には、内部電極方式に
よる直流グロー放電や低周波放電、内部電極方式、外部
電極方式又はコイル形方式による高周波放電、導波管型
方式によるマイクロ波放電又は電子サイクロトロン共鳴
放電などが挙げられる。また、コロ− すの発生方法は、通常光@極部放電により行なわれるが
、上記含フッ素化合物の解離反応が生じるに十分な密度
であれば低周波放電又は高周波放電のいずれでもよい。
領域又はコロナ放電領域が形成される処理室内に被処理
物を収容し、この処理室内に上記含フッ素化合物を含む
ガスを連続的に供給することにより実施される。この場
合、上記含フッ素化合物を上記処理室内に供給する方法
はプラズマ処理又はコロナ処理時の処理室内の温度や常
温下における該含フッ素化合物の状態によって選定され
る。即ち、該含フッ素化合物が処理室内温度や常温下に
おいてガス状である場合は、これをそのまま処理室内へ
流入させることができ、また液状である場合には、蒸気
圧が比較的高ければその蒸気をそのまま流入してもよい
し、その液体を不活性ガスでバブリングして流入しても
よい。一方、ガス状でなく、しかも蒸気圧が比較的低い
場合には、加熱することにより、ガス状又は蒸気圧が高
い状態にして用いることができる。
できる被処理物は板状、シー1〜状、繊維状、ブロック
状等、いかなる形状であっても差支えない。本発明方法
によれば、被処理物表面が低表面エネルギー化されるの
で、撥水化の目的で、またその表面エネルギーの低下に
対応して摩擦係数も低減下するので、被処理物表面に接
着剤や粘着剤などに対する離型性を付与する目的で使用
するなど、種々の用途に用いることができる。
ない高度な低表面エネルギー化が達成されると共に、通
常のフッ素化合物を用いたプラズマ処理やコロナ処理に
は不適当とされている累月にも簡単かつ確実に良好な撥
水化処理を施すことができる。
するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない
。
タレートシート(OPET)、不織布、ガラスtrFi
、銅板、ステンレススチール(SUS)。
。なお、第1図中1は処理室、2は含フッ素化合物供給
管、3は不活性ガス供給管、4は上記含フッ素化合物供
給管2と不活性ガス供給管3からのガスを混合し、該混
合ガスを処理室1へ供給する混合ガス供給管、5,5は
電極であり、これら電極5,5間にプラズマ領域が形成
され、該電極5,5間に被処理物を配置して処理を行な
う。
。
間及び処理前後でこれを比較した。結果を第2表に示す
。
に対してもより高度な撥水化処理が確実に行なわれるこ
とが確認された。
である。次いで、それぞれのナイロン布について50℃
、90%RH中に放置したときの表面の撥水性の経時変
化を調べた。なお、撥水性の評価としては、水滴接触角
の変化と共に臨界傾斜角の変化についても調べた。ここ
で、臨界傾斜角とは、第2図に示したように、基材(こ
こではナイロン布)8に大きめの水滴9(約60pA)
をつけ、基材8を準静的に傾斜させ、水滴がころがると
きの角度θである。従って、臨界傾斜角θが小さい程そ
の表面は高い撥水化がなされていることになる。水滴接
触角の変化を第3図に、臨界傾斜角の変化を第4図にそ
れぞれ示す。
示すグラフ、第4図は同ナイロン布の臨界傾斜角の経時
変化を示すグラフである。
ピードは処理A(比較例2)、処理D(比較例3)、処
理B(実施例3)順に遅くなっており、特に大気圧で処
理した処理Bにおいては経時変化をほとんど示さず、高
度な撥水性を長期に亘って示すことが確認された。
装置を示す概略断、第2図は臨界傾斜角を説明する説明
図、第3図は実施例2及び比較例1・・・処理室 3・・・不活性ガス供給管 5・・・電 極 7・・・ガス排出管 9・・・水 滴 2・・含フッ素化合物供給管 4・・・混合ガス供給管 6・・・電 源 8・・・基 材 θ・・・臨界傾斜角
Claims (1)
- 1、含フッ素化合物を含有するガスを用い、被処理物表
面を大気圧でプラズマ処理又はコロナ処理して、被処理
物の表面エネルギーを低下させる表面処理方法において
、上記含フッ素化合物として環状炭化水素又は不飽和炭
化水素の水素原子の一部又は全部をフッ素原子を含むハ
ロゲン基で置換した含フッ素化合物を使用することを特
徴とする表面処理方法。
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