JPH03201611A - 弾性表面波共振子 - Google Patents
弾性表面波共振子Info
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- JPH03201611A JPH03201611A JP33842889A JP33842889A JPH03201611A JP H03201611 A JPH03201611 A JP H03201611A JP 33842889 A JP33842889 A JP 33842889A JP 33842889 A JP33842889 A JP 33842889A JP H03201611 A JPH03201611 A JP H03201611A
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- chip
- electrode
- saw
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- Pending
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
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- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
概要
弾性表面波共振子に関し、
製造後エツチング等により所望の共振周波数を得るため
に個々に調整する必要がなく、また共振周波数を変化さ
せることのできる弾性表面波共振子を提供することを目
的とし、 圧電結晶からなるチップ上にトランスデユーサ及び該ト
ランスデユーサの共通電極を形成した弾性表面波共振子
において、チップの裏面にＤＣバイアス用電極を設けて
、該ＤＣバイアス用電極と前記トランスデユーサ用共通
電極とを電圧調整可能なＤＣバイアス電源に接続すると
ともに、一対の高周波信号端子と前記トランスデユーサ
用共通電極との間にそれぞれコンデンサを接続し、ＤＣ
バイアス回路の前記トランスデユーサ用共通電極の間に
高周波カット用のコイルを設けて構成する。
に個々に調整する必要がなく、また共振周波数を変化さ
せることのできる弾性表面波共振子を提供することを目
的とし、 圧電結晶からなるチップ上にトランスデユーサ及び該ト
ランスデユーサの共通電極を形成した弾性表面波共振子
において、チップの裏面にＤＣバイアス用電極を設けて
、該ＤＣバイアス用電極と前記トランスデユーサ用共通
電極とを電圧調整可能なＤＣバイアス電源に接続すると
ともに、一対の高周波信号端子と前記トランスデユーサ
用共通電極との間にそれぞれコンデンサを接続し、ＤＣ
バイアス回路の前記トランスデユーサ用共通電極の間に
高周波カット用のコイルを設けて構成する。
産業上の利用分野
本発明は弾性表面波共振子（以下ＳＡＷ共振子という）
に関する。
に関する。
弾性表面２１１１２（ＳＡＷ）は、減衰が極めて少なく
、周波数に依存しない一定の速度で弾性体の表面を伝播
することが知られている。ＳＡＷを利用したデバイスと
しては、ＳＡＷ共振子、ＳＡＷフィルタ、ＳΔＷ遅延デ
バイス等が知られているが、このうちＳＡＷ共振子は、
電子ビーム描画装置等を用いることによって、電極間距
離を０．５μｍ程度にすることにより、３ ＧＨｚ程度
の共振周波数を理論的に得られるため、高周波共振子と
して今後の発展が期待されている。この種のＳＡＷ共振
子よ、Ｓ Ａ ’ｖＶが伝播する圧電結晶からなるチッ
プと、この子ノブ上に形成された電気−３ＡＷのエネル
ギー変換を行うためのトランスデユーサとを具備して構
成される。トランスデユーサとしては、製造性が良好で
エネルギー変換効率が高い正規型インターディジタルト
ランスデユーサ（以下ｒＩＤＴ」という）が最も一般的
であるので、トランスデユーサがＩＤＴであるとして以
下の説明を行うことにする。
、周波数に依存しない一定の速度で弾性体の表面を伝播
することが知られている。ＳＡＷを利用したデバイスと
しては、ＳＡＷ共振子、ＳＡＷフィルタ、ＳΔＷ遅延デ
バイス等が知られているが、このうちＳＡＷ共振子は、
電子ビーム描画装置等を用いることによって、電極間距
離を０．５μｍ程度にすることにより、３ ＧＨｚ程度
の共振周波数を理論的に得られるため、高周波共振子と
して今後の発展が期待されている。この種のＳＡＷ共振
子よ、Ｓ Ａ ’ｖＶが伝播する圧電結晶からなるチッ
プと、この子ノブ上に形成された電気−３ＡＷのエネル
ギー変換を行うためのトランスデユーサとを具備して構
成される。トランスデユーサとしては、製造性が良好で
エネルギー変換効率が高い正規型インターディジタルト
ランスデユーサ（以下ｒＩＤＴ」という）が最も一般的
であるので、トランスデユーサがＩＤＴであるとして以
下の説明を行うことにする。
従来の技トドｊ
第３図は反射器付の一般的なＳ Ａ ’ｖＶ共振子を示
す図である。このＳＡＷ共振子は、水晶等の圧電結晶か
らなるチップ１の表面に櫛形状の複数の電極３をインタ
ーディジタル状に組み合わせたＩＤＴ２が形成されてお
り、ＩＤＴ２の両側には反射器８が形成されてＷＩ或さ
れている。ＩＤＴ２の共通電極４．５はそれぞれ端子６
．７に接続されている。端子６．７に高周波信号を入力
すると、電極３の間隔等に応じた共振周波数のＳＡＷが
発生し、このＳＡＷは反射器８で反射されて中央のＩＤ
Ｔ２に集められ、ＳＡＷの共振周波数に対応する電気信
号は機械−電気変換されて端子６．７から取り出される
ようになっている。
す図である。このＳＡＷ共振子は、水晶等の圧電結晶か
らなるチップ１の表面に櫛形状の複数の電極３をインタ
ーディジタル状に組み合わせたＩＤＴ２が形成されてお
り、ＩＤＴ２の両側には反射器８が形成されてＷＩ或さ
れている。ＩＤＴ２の共通電極４．５はそれぞれ端子６
．７に接続されている。端子６．７に高周波信号を入力
すると、電極３の間隔等に応じた共振周波数のＳＡＷが
発生し、このＳＡＷは反射器８で反射されて中央のＩＤ
Ｔ２に集められ、ＳＡＷの共振周波数に対応する電気信
号は機械−電気変換されて端子６．７から取り出される
ようになっている。
発明が解決しようとする課題
従来のＳＡＷ共振子では、ＳＡＷ共振子を一括して製造
後、所望の共振周波数を得るためにアルミニウムか−ら
形成された櫛形状電極をエツチングにより削り取るか、
或いは櫛形状電極部分をマスクとして水晶等の圧電結晶
部分を削り取るかして、共振周波数を個々に調整する必
要があった。また、−旦製造されたＳＡＷ共振子単体で
は共振周波数を変えられないという欠点があった。
後、所望の共振周波数を得るためにアルミニウムか−ら
形成された櫛形状電極をエツチングにより削り取るか、
或いは櫛形状電極部分をマスクとして水晶等の圧電結晶
部分を削り取るかして、共振周波数を個々に調整する必
要があった。また、−旦製造されたＳＡＷ共振子単体で
は共振周波数を変えられないという欠点があった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、製造後エツチング等により所望
の共振周波数を得るために個々に調整する必要がなく、
また共振周波数を変化させることのできるＳＡＷ共振子
を提供することである。
の目的とするところは、製造後エツチング等により所望
の共振周波数を得るために個々に調整する必要がなく、
また共振周波数を変化させることのできるＳＡＷ共振子
を提供することである。
課題を解決するための手段
圧電結晶からなるチップ上にトランスデユーサ及び該ト
ランスデユーサの共通電極を形成した弾性表面波共振子
において、チップの下面にＤＣバイアス用電極を設けて
、該ＤＣバイアス用電極と前記トランスデユーサ用共通
電極とを電圧調整可能なＤＣバイアス電源に接続する。
ランスデユーサの共通電極を形成した弾性表面波共振子
において、チップの下面にＤＣバイアス用電極を設けて
、該ＤＣバイアス用電極と前記トランスデユーサ用共通
電極とを電圧調整可能なＤＣバイアス電源に接続する。
そして、一対の高周波信号端子と前記トランスデユーサ
用共通電極との間にそれぞれコンデンサを接続し、ＤＣ
バイアス回路の前記一対のトランスデユーサ用共通電極
の間に高周波カット用コイルを設ける。
用共通電極との間にそれぞれコンデンサを接続し、ＤＣ
バイアス回路の前記一対のトランスデユーサ用共通電極
の間に高周波カット用コイルを設ける。
作 用
圧電結晶からなるチップにＤＣバイアスを印加すること
により、チップの圧電定数等の物理定数を変化させるこ
とができる。チップの物理定数が変化するとＳＡＷの伝
播速度、が変化し、共振周波数を変化させることができ
る。共振周波数をある範囲内で変化させることができる
ため、−括製造後のＳＡＷ共振子を所望の共振周波数を
得るために個々に微調整する必要はない。
により、チップの圧電定数等の物理定数を変化させるこ
とができる。チップの物理定数が変化するとＳＡＷの伝
播速度、が変化し、共振周波数を変化させることができ
る。共振周波数をある範囲内で変化させることができる
ため、−括製造後のＳＡＷ共振子を所望の共振周波数を
得るために個々に微調整する必要はない。
高周波信号端子とトランスデユーサ用共通電極との間に
ＤＣカット用のコンデンサを挿入したため、ＤＣバイア
スが共振子以外の他の発振回路に悪影響を及ぼすことが
防止される。また、ＤＣバイアス回路のトランスデユー
サ用共通電極の間に高周波カット用のコイルを設けたこ
とにより、高周波信号がＳＡＷ共振子をバイパスするこ
とが防止される。
ＤＣカット用のコンデンサを挿入したため、ＤＣバイア
スが共振子以外の他の発振回路に悪影響を及ぼすことが
防止される。また、ＤＣバイアス回路のトランスデユー
サ用共通電極の間に高周波カット用のコイルを設けたこ
とにより、高周波信号がＳＡＷ共振子をバイパスするこ
とが防止される。
実 施 例
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図の実施例回路図を参照すると、水晶等の圧電結晶
からなるチップｌＯ上には複数の櫛形状電極１２をイン
ターディジタル状に組み合わせたＩＤＴ１４が形成され
ている。ＩＤＴ１４の各々の櫛形状電極１２は一つおき
に共通電極１６又は１８に接続されている。櫛形状電極
１２及び共通電極１６．１８は、適当なマスクを介して
アルミニウムをチップ１０上に蒸着又はスパッタリング
することにより形成されている。ＩＤＴ１４の電極間距
離ｌと励振されるＳＡＷの波長λの間には、ｌ＝λ／２
の関係がある。共通電極１６．１８と一対の高周波信号
端子２０．２２との間には、それぞれＤＣカット用のコ
ンデンサ２４．２６が挿入されている。高周波信号端子
２０．２２は発振器を構成する図示しない他の発振回路
に接続されている。
からなるチップｌＯ上には複数の櫛形状電極１２をイン
ターディジタル状に組み合わせたＩＤＴ１４が形成され
ている。ＩＤＴ１４の各々の櫛形状電極１２は一つおき
に共通電極１６又は１８に接続されている。櫛形状電極
１２及び共通電極１６．１８は、適当なマスクを介して
アルミニウムをチップ１０上に蒸着又はスパッタリング
することにより形成されている。ＩＤＴ１４の電極間距
離ｌと励振されるＳＡＷの波長λの間には、ｌ＝λ／２
の関係がある。共通電極１６．１８と一対の高周波信号
端子２０．２２との間には、それぞれＤＣカット用のコ
ンデンサ２４．２６が挿入されている。高周波信号端子
２０．２２は発振器を構成する図示しない他の発振回路
に接続されている。
一方、チップｌ口の裏面にはＤＣバイアス用電極２８が
同じくアルミニウムから形成されており、共通電極１６
．１８とＤＣバイアス用電極２８の間に電圧可変型のＤ
Ｃバイアス電源３０が接続されている。さらに、バイア
ス回路の共通電極１６゜１８の間には高周波カット用の
コイル３２が設けられている。
同じくアルミニウムから形成されており、共通電極１６
．１８とＤＣバイアス用電極２８の間に電圧可変型のＤ
Ｃバイアス電源３０が接続されている。さらに、バイア
ス回路の共通電極１６゜１８の間には高周波カット用の
コイル３２が設けられている。
然して、共通電極１６．１８とＤＣバイアス用電極２８
の間にＤＣ電源３０によりバイアス、電圧を印加すると
、チップ１０の圧電定数等の物理定数が変化する。これ
によりＳＡＷの伝播速度が変化し、ｆ＝ｖ／（２Ａ）で
与えられる共振周波数を変化させることができる。ここ
で、Ｖ＝伝播速度、ｆ＝ＩＤＴの電極間距離、ｆ＝共振
周波数である。
の間にＤＣ電源３０によりバイアス、電圧を印加すると
、チップ１０の圧電定数等の物理定数が変化する。これ
によりＳＡＷの伝播速度が変化し、ｆ＝ｖ／（２Ａ）で
与えられる共振周波数を変化させることができる。ここ
で、Ｖ＝伝播速度、ｆ＝ＩＤＴの電極間距離、ｆ＝共振
周波数である。
本実施例では、バイアス電圧印加電極の一方をＩＤＴ１
４の共通電極１６．１８と共用しているため、ＤＣバイ
アスが高周波側の他の発振回路に悪影響を与える恐れが
あるが、コンデンサ２４゜２６を挿入することによりこ
れを防止している。
４の共通電極１６．１８と共用しているため、ＤＣバイ
アスが高周波側の他の発振回路に悪影響を与える恐れが
あるが、コンデンサ２４゜２６を挿入することによりこ
れを防止している。
また、高周波信号がＳＡＷ共振子をバイパスするのを防
止するために、共通電極１６と１８の間に高周波カット
用のコイル３２を介装している。
止するために、共通電極１６と１８の間に高周波カット
用のコイル３２を介装している。
第２図は第１図の回路を平面的に実現した実施例である
。圧電結晶からなる平板状チップ４０上には、ＩＤＴ４
４及び共通電極４６．４８が形成されており、共通電極
４６．４８と一対の高周波端子５０．５２の間には櫛形
状パターンから形成されたコンデンサ５４．５６がそれ
ぞれ設けらてれいる。６２は螺旋状パターンから形成さ
れた高周波カット用のコイルであり、その一端はパッド
６６、ボンディングワイヤ６８、パッド６４を介して共
通電極４６に接続されているとともに、他端は他の共通
電極４８に接続されている。そして、チップ４０の裏面
にはＤＣバイアス用電極５８が形成されている。本実施
例におけるパターンは全てアルミニウムから形成されて
いる。
。圧電結晶からなる平板状チップ４０上には、ＩＤＴ４
４及び共通電極４６．４８が形成されており、共通電極
４６．４８と一対の高周波端子５０．５２の間には櫛形
状パターンから形成されたコンデンサ５４．５６がそれ
ぞれ設けらてれいる。６２は螺旋状パターンから形成さ
れた高周波カット用のコイルであり、その一端はパッド
６６、ボンディングワイヤ６８、パッド６４を介して共
通電極４６に接続されているとともに、他端は他の共通
電極４８に接続されている。そして、チップ４０の裏面
にはＤＣバイアス用電極５８が形成されている。本実施
例におけるパターンは全てアルミニウムから形成されて
いる。
このようにチップ４０上に全てを集積したＳＡＷ共振子
においても、共通電極４６．４８とＤＣバイアス用電極
５８の間に図示しないバイアス電源によりＤＣバイアス
電圧を印加すると、共振周波数をある範囲内で変化させ
ることができる。
においても、共通電極４６．４８とＤＣバイアス用電極
５８の間に図示しないバイアス電源によりＤＣバイアス
電圧を印加すると、共振周波数をある範囲内で変化させ
ることができる。
発明の効果
本発明のＳＡＷ共振子は以上詳述したように構成したの
で、バイアス電圧を印加することにより共振周波数をあ
る範囲内で変化させることができるため、製造後エツチ
ング等により所望の共振周波数を得るために個々に調整
する必要がなく、ＳＡＷ共振子の無調整化を図ることが
できる。また、必要に応じて共振周波数をある範囲内で
変化させることも可能である。
で、バイアス電圧を印加することにより共振周波数をあ
る範囲内で変化させることができるため、製造後エツチ
ング等により所望の共振周波数を得るために個々に調整
する必要がなく、ＳＡＷ共振子の無調整化を図ることが
できる。また、必要に応じて共振周波数をある範囲内で
変化させることも可能である。
第１図は本発明の実施例回路図、
第２図は第１図の回路を平面的に実現した実施例図、
第３図は反射器付の一般的なＳ Ａ Ｗ共振子を示す概
略図である。 １０．４０・・・圧電結晶チップ、 ｌ２・・・櫛形状電極、 １４．４４・・・Ｉ ＤＴ。 １６．１８，４６．４８・・・共通電極、２４．２６，
５４．５６・・・コンデンサ、２８．５８・・・ＤＣバ
イアス用電極、３２．６２・・・コイル。
略図である。 １０．４０・・・圧電結晶チップ、 ｌ２・・・櫛形状電極、 １４．４４・・・Ｉ ＤＴ。 １６．１８，４６．４８・・・共通電極、２４．２６，
５４．５６・・・コンデンサ、２８．５８・・・ＤＣバ
イアス用電極、３２．６２・・・コイル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 圧電結晶からなるチップ（１０）上にトランスデューサ
（１４）及び該トランスデューサの共通電極（１６、１
８）を形成した弾性表面波共振子において、チップ（１
０）の裏面にＤＣバイアス用電極（２８）を設けて、該
ＤＣバイアス用電極（２８）と前記トランスデューサ用
共通電極（１６、１８）とを電圧調整可能なＤＣバイア
ス電源（３０）に接続するとともに、一対の高周波信号
端子（２０、２２）と前記トランスデューサ用共通電極
（１６，１８）との間にそれぞれコンデンサ（２４、２
６）を接続し、 ＤＣバイアス回路の前記トランスデューサ用共通電極（
１６、１８）の間に高周波カット用のコイル（３２）を
設けたことを特徴とする弾性表面波共振子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33842889A JPH03201611A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 弾性表面波共振子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33842889A JPH03201611A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 弾性表面波共振子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03201611A true JPH03201611A (ja) | 1991-09-03 |
Family
ID=18318057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33842889A Pending JPH03201611A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 弾性表面波共振子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03201611A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003088760A1 (en) | 2002-04-15 | 2003-10-30 | Burcon Nutrascience (Mb) Corp. | Canola protein isolate compositions |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP33842889A patent/JPH03201611A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003088760A1 (en) | 2002-04-15 | 2003-10-30 | Burcon Nutrascience (Mb) Corp. | Canola protein isolate compositions |
| US7662922B2 (en) * | 2002-04-15 | 2010-02-16 | Burcon Nutrascience (Mb) Corp. | Canola protein isolate compositions |
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