JPH03197927A - 液晶表示素子 - Google Patents

液晶表示素子

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JPH03197927A
JPH03197927A JP33635589A JP33635589A JPH03197927A JP H03197927 A JPH03197927 A JP H03197927A JP 33635589 A JP33635589 A JP 33635589A JP 33635589 A JP33635589 A JP 33635589A JP H03197927 A JPH03197927 A JP H03197927A
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JP
Japan
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liquid crystal
film
display element
crystal display
formula
Prior art date
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Pending
Application number
JP33635589A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Hirano
孝 平野
Michio Kobayashi
道雄 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は平行配列型液晶表示素子の改良に関するもので
あり、更に詳しくは耐熱性、耐湿性に優れ基板との密着
性が良好であり、かつプレチルト角(液晶分子と基板の
なす角)を大きくした液晶配向素子に関するものである
(従来の技術) 従来、ポータプルコンピュータ、ワードプロセッサなど
のデイスプレィとして電圧無印加時に液晶分子が90度
ねじれたツイステッドネマテイク液晶表示素子(以下T
N液晶表示素子という)が使われてきている。
TN液晶表示素子はいろいろと研究されてきているが表
示容量、表示品質には限界がある。
このため表示容量、表示品質をさらに高めた液晶表示素
子の開発が望まれており、液晶分子のねじり角をさらに
大きくしたスバーツイステンドネマテイク液晶表示素子
(以下STN液晶表示素子という)が開発されている。
このSTN液晶表示素子においては、特に液晶分子を均
一に配向させ一定のプレチルト角(配向させることによ
って基板表面より液晶分子が起き上がった角度)をもた
せることが重要なポイントとなり、いかに大きなプレチ
ルト角を形成するかが表示容量1表示品質を高めるため
に必要である。
−iにポリイミドなどの有機高分子を用いて膜を形成さ
せて一方向にラビングすることによって配向させたもの
はプレチルト角は0.5〜3″′程度しか得られず、こ
れ以上のプレチルト角を得るには酸化珪素などの斜め蒸
着によってプレチルト角をもなせる方法が知られている
。酸化珪素などの斜め蒸着O九ばプレチルト角はO〜4
0”の範囲で任意のプレチルト角をもつ配向を形成させ
ることができる。しかながら酸化珪素などを斜め蒸着す
る方法は大型素子の作成が困難であり、又斜め蒸着によ
るために電極を形成した回路基板上に蒸着させるのに物
理的に一部分(回路端部近辺部等)に蒸着することが出
来ず、画像め鮮明さに欠けるという重要な欠点を有して
おり、更に蒸着方式の為に連続工程はとり得す、バッチ
式とせざるす得す、複雑な工程となり一定の品質のもの
を大量に作成することが難しく又高価な蒸着装置等を用
いなければならず、コスト高なものとなってしまってい
た。
又有機高分子に各種表面処理剤を添加して膜を形成し、
ラビング処理をすることによってプレチルト角を大きく
する方法等も種り検討されているが、これらの方法は膜
の耐熱性が低いため、素子組立時の熱により膜の劣化が
おこり、配向性が低下するという欠点を有していた。有
機高分子のうち耐熱性の優・れた、ポリイミド等を用い
る方法もあるが従来のポリイミドではプレチルト角をさ
らに高めることは困難であり、STN結晶表示素子のよ
うにねじり角を大きくすると結晶内部に相当の負担がか
り表示に欠陥が生じてしまう。またこれらのポリイミド
は吸水率が2〜5%と大きい為に配向膜面と基板との界
面に水が侵入しやすく、配向層と基板の密着性が低下し
配向不良が生してしまうといった耐湿性による問題点が
存在してい(発明が解決しようとする課題) 本発明の目的とすることろは、耐熱性、耐湿性に優れ、
表示容量2表示品質を高め、長寿命かつ高性能の液晶表
示素子を提供することにある。
(課題を解決するための手段) 本発明は下記式(1)で表される構造単位を10ないし
40モル%、下記式[Ii)で表される構造単位を90
ないし60モル%含む (式中R1〜R4は芳香族環状基を、R3はC4〜lの
脂肪族炭化水素残基またはその誘導体)ポリアミド酸化
物を透明基板上に塗布、熱処理し被膜を形成させ、該被
膜を配向処理した液晶配向膜であり、かつプレチルト角
が5〜30”であり、これを用いることにより耐熱性、
耐湿性に優れ、長寿命かつ高性能の液晶表示素子を得る
ことができる。
(作 用) 本発明で用いるポリアミド酸化合物は下記式(1)で示
される構造単位を10〜40モル%と下記式(II)で
表される構造単位を90〜60モル%用いて混合または
共縮合化したものである。
(式中R1〜R4は芳香族環状基を、R,はC6〜lの
脂肪族炭化水素残基またはその誘導体)式〔1〕のポリ
アミド酸化合物は芳香族テトラカルボン酸二無水物にア
ルコールを反応させて得られるテトラカルボン酸のジエ
ステル体とジアミンとの縮合により合成される。
式(1)のR+、Rtは芳香族環状基であるが、フェニ
ル基、ナフチル基などがある。式(1)のR3のアルキ
ル基の炭素数が5以下だと高いプレチルト角が得られず
、またアルキル基の炭素数が19以上だと高分子量のポ
リアミド酸化合物を得るのが難しく、高強度のフィルム
を形成するのが困難になる。
このようにして得られたポリイミド酸化合物(1)は側
鎖に長鎖のアルキル基を有しているため、硬化後のフィ
ルムの表面エネルギーが下り液晶分子がプレチルト角5
〜30°を持って配合するに適している。
式(n)で示されるポリアミド酸化合物はポリイミド被
膜のフィルム強度を向上させるために熱硬化後に一部ポ
リイミドとなることが望ましい。
従って、芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジア
ミンとの縮合により合成される。
式(n)の中のRs、Raは芳香族環状基であるが、例
えばフェニル基、ナフチル基などがある。
式(1)と式(II)の配合割合は(I)/[II)=
10〜40モル%/90〜60モル%であり、両者をブ
レンドしてもあるいは共縮合してもよい。
配合割合が(1)/(II)=10モルモルタ0モル%
未満だと5未満のプレチルト角しか得られず、(1)/
(II)が40モル%/60モル%を超えると高強度の
フィルムを得るのが難しくなる。
式〔I〕、式(I[)に用いる原料は以下のものである
芳香族テトラカルボン酸二無水物はピロメリット酸二無
水物、3.3’、4.4’−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物、2,3,6.7−ナフタレンテトラカ
ルボン酸二無水物、3.3’、4.4’−ジフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、2.2’ 、3.3’−ジフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3.3’、4°
−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3”、4
.4″−p−テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、
1,2,5,6.−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、2.2−ビス(3゜4−ジカルボキシジフェニル)
エーテルニ無水物、ナフタレン−1,2,4,5−テト
ラカルボン酸二無水物、ナフタレン−1,4,5,8,
−テトラカルボン酸二無水物、4.8−ジメチル−1,
2,3,5,6,7,−へキサヒドロナフタレン−12
,5,6−テトラカルボン酸二無水物、2,6゜−ジク
ロロナフタレン、−L4,5.8−テトラカルボン酸二
無水物、2,7−シクロロナフタレンーL4,5.8テ
トラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−12,9,
10−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−2,3
,4,5,−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン2.
3,5,6.−テトラカルボン酸二無水物、2.2−ビ
ス(2,5−ジカルボキシフェニル)プロパンニ無水物
、■1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン
ニ無水物、1.1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニ
ル)エタンニ無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェ
ニル)メタンニ無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフ
ェニル)スルホンニ無水物、ベンゼン−1,2,3,4
ブタンテトラカルボン酸二無水物、チオフェン−2゜3
.4.5−テトラカルボン酸二無水物などである。
上記芳香族テトラカルボン酸二無水物の他に各種特性を
付与する為にシリコーン系テトラカルボン酸二無水物や
脂肪族系テトラカルボン酸二無水物も勿論併用する事が
できる。
また、ポリアミド酸化合物合成に使用する芳香族ジアミ
ン成分は一種類でも、二種類以上の混合物でもかまわな
いが用いられる芳香族ジアミンとしては、m−フェニレ
ンジアミン、p−フェニレンジアミン、4.4゛−ジア
ミノジフェニルプロパン、4.4′−ジアミノジフェニ
ルメタン、ベンジジン、4.4゛−ジアミノジフェニル
スルフィド、4,4゛−ジアミノフェニルスルホン、3
,3°〜ジアミノジフエニルスルホン、4.4’−ジア
ミノジフェニルエーテル、3,3.−ジアミノジフェニ
ルエーテル、4,4″ジアミノ−p−テルフェニル、2
,6−ジアミツピリジン、ビス(4−アミノフェニル)
ホスフィンオキシト、ビス(4−アミノフェニル)−N
−メチルアミン、1.5−ジアミノナフタレン、3.3
′−ジメチル−4,4=ジアミノビフエニル、3,3゛
−ジメトキシベンジジン、2,4−ビス(β−アミノ 
−t−ブチル)−トルエン、ビス(p−β−アミノ−t
−ブチルフェニル)エーテル、p−ビス(2−メチル−
4−アミノペンチル)ベンゼン、p−ビス(1,1−ジ
メチル−5−アミノペンチル)ベンゼン、2.4−ジア
ミノトルエン、m−キシリレンジアミン、p−キシリレ
ンジアミンなどである。本発明で使用するジアミン成分
としては、上記の芳香族ジアミンの他に各種特性を付与
する為にシリコーン系ジアミンや脂肪族系ジアミンも勿
論併用する事ができる。
また、ポリアミド酸化合物合成に使用するアルキルアル
コールとしては1−ヘキサノール、2−ヘキサノール、
5−ヘキセン−1−オール、1−ヘプタツール、2−ヘ
プタツール、1−オクチノール、2−オクチノール、1
−イニノール、2−¥エノール、■−デカノール、2−
デカノール、1−ドデカノール、2−ドデカノール、■
−ウンデカノール、1−テトラデカノール、2−テトラ
デカノール、1−ペンタデカノール、などであるがこれ
らに限定されない。
ポリアミド酸化合物をガラス、プラスチ、7り等の透明
基板上に塗布するには、ポリアミド酸化合物をN、N−
ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド
、N−メチル−2−ピロリドン等の0.01〜40重世
%溶液として、これをスピンナー、ホイーラー、ロール
コータ−などで塗布して行われる。
塗布後100°C〜400 ’Cで加熱処理してポリイ
ミド系高分子被膜を設ける。このようにして形成された
塗膜を布などで一定方向に摩擦することによりラビング
処理して極めて良質の液晶配向膜となり、該配向膜を有
する高表示容量、高表示品質の長寿命の液晶表示素子を
得ることができる。
〔製造例〕
温度系、攪拌機、原料仕込口及び乾燥窒素ガス導入口を
備えた四つロセパラブルフラスコにピロメリット酸二無
水物21.8g (0,1モル)、n−ウンデシルアル
コール35.4 g (0,2モル)をとり、これにγ
−ブチロラクトン120gを加えて溶解した。
次いで反応温度を20°Cに保つよう水溶中にフラスコ
を浸漬し、発熱を抑制しながら、ピリジン(34,0g
)を滴下し、系の温度を保ち10時間反応を続けた。次
いでジシクロカルボジイミド41.2g (0,2モル
)をT−ブチロラクトン200mに溶かし、発熱を抑制
しながら滴下し、続いて4,4゛−ジアミノジフェニル
エーテル218g (0,1モル)を加え4時間反応を
続けた。その後エタノール46gを加え15分間攪拌し
た後、反応溶液をエタノールに落とし淡黄色の沈澱物を
得た。(A−1)アルコール、酸無水物、ジアミンの種
類を代えて、上記と同様にA−2〜A−5を合成した。
結果を第1表に示す。
友 上記と同様の装置に4.4°−ジアミノジフェニルエー
テル21.8g (0,1モル)をとり、これに無水の
N−メチル−2−ピロリドンを全仕込み原料中の固形分
割合が15重量%になるだけの量を加えて溶解した。次
いで0〜50°Cの水浴中にフラスコを浸漬し、発熱を
抑制しながら、精製したピロメリット酸二無水物21.
8g (0,1モル、100モル%)を投入した。テト
ラカルボン酸二無水物が溶解した後、系の温度を20℃
に保ち、10時間反応を続けた。
尚乾燥窒素ガスは反応の準備段階より生成物の取り出し
までの全工程にわたり流しておいた。得られた生成物は
淡黄色の粘稠な溶液であワた。(B1) 酸無水物、ジアミノの種類を代えて、上記と同様に11
3−2を合成した。結果を第1表に示す。
〔実施例1〕 得られたポリアミド酸化合物A−1とB−1を、配合割
合がA−1/B−1=25モル%/75モル%になるよ
うに混合し、さらに混合後の樹脂固形分希釈し、ワニス
とした。
上記ワニスをスピンナを用いて酸化インジウムの電極が
形成されたガラス基板に塗布した。塗布後300°Cで
1時間加熱閉環させ、ポリイミド系高分子被膜を800
人の厚さに形成した。その後該被膜を一定方向にガーゼ
でラビング処理を行い基板の一対を用いて液晶表示素子
を作製したところ配向性は良好であった。この液晶表示
素子の耐湿試験(80℃、 90%RH)で1000時
間処理しても配向特性の劣化は起こらなかった。またプ
レチルト角を磁界容量零位法で測定したところ10〜1
1゜であった。
〔実施例2〜5及び比較例1〜6〕 実施例1と同様に液晶表示素子を作製し、各種特性を調
べた結果は第2表に示した通りであった。
第2表の結果からも明らかなように本発明によって得ら
れる液晶表示素子は、プレチルト角が大きいために配向
欠陥を生じず、耐湿性にも優れた高性能STN型液晶表
示素子が得られた。
比較例1は側鎖アルキル基が短いためプレチルト角が小
さく500時間で不良が発生している。
比較例2は側鎖アルキル基が長すぎるために高分子量の
ポリアミド酸化合物が得られず、塗布、硬化後被膜にク
ランクが入り、液晶表示素子が作成できなかった。
比較例3,4は側鎖アルキル基を持たないために、プレ
チルト角が小さく、短時間で不良が発生している。
比較例5は化合物(1)の配合割合が少ないために低い
プレチルト角しか得られなかった。
比較例6は化合物(II)の配合割合が少ないために、
高強度のフィルムが得られず300時間で不良が発生し
ている。
(発明の効果) 従来のポリイミド膜を配向膜とするSTN型液晶表示素
子では大きなプレチルト角が得られないために、配向欠
陥が生じやすかった。しかるに本発明は側鎖に長鎖アル
キル基を有する芳香族ポリアミド酸(+)を含むポリア
ミド酸化合物を液晶配向膜とすることで、液晶の配向の
均一性に優れ液晶に大きなプレチルト角を発生させるこ
とができるので表示、容量、表示品質を向上させたSI
N型液晶表示素子が容易に得られる。
なお、本発明においては、添加剤を各種特性の付与のた
めに添加してもなんら問題はなかった。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)下記式〔 I 〕で表される構造単位を10ないし
    40モル%と下記式〔II〕で表される構造単位を90な
    いし60モル%含む ▲数式、化学式、表等があります▼………〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼………〔II〕 (式中R_1〜R_4は芳香族環状基を、R_5はC_
    6_〜_1_0の脂肪族炭化水素残基またはその誘導体
    )ポリアミド酸化物を透明基板上に塗布、熱処理し被膜
    を形成させ、該被膜を配向処理した液晶配向膜であり、
    かつプレチルト角が5〜30°であることを特徴とする
    液晶表示素子。
JP33635589A 1989-12-27 1989-12-27 液晶表示素子 Pending JPH03197927A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06258646A (ja) * 1992-12-28 1994-09-16 Mitsuru Akashi 液晶表示素子
US5437813A (en) * 1992-12-28 1995-08-01 Hoechst Aktiengesellschaft Liquid crystal display device
JP2016057605A (ja) * 2014-09-09 2016-04-21 Jsr株式会社 液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH06258646A (ja) * 1992-12-28 1994-09-16 Mitsuru Akashi 液晶表示素子
US5437813A (en) * 1992-12-28 1995-08-01 Hoechst Aktiengesellschaft Liquid crystal display device
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