JPH03196120A - 光変調器 - Google Patents
光変調器Info
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- JPH03196120A JPH03196120A JP2323413A JP32341390A JPH03196120A JP H03196120 A JPH03196120 A JP H03196120A JP 2323413 A JP2323413 A JP 2323413A JP 32341390 A JP32341390 A JP 32341390A JP H03196120 A JPH03196120 A JP H03196120A
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- G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
- G02F2202/105—Materials and properties semiconductor single crystal Si
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光・電子デバイス、具体的には、少なくとも
１つのｐ−ｎ接合を含む、５ＯＩ（ｓｆｌｃｏｎ−ｏｎ
−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ベースのリブ導波路光度ｍＷに
関するものである。
１つのｐ−ｎ接合を含む、５ＯＩ（ｓｆｌｃｏｎ−ｏｎ
−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ベースのリブ導波路光度ｍＷに
関するものである。
［従来の技術〕
シリコンベースの回路の動作速度が速くなるにつれて、
高速コンピュータにおいてチップ間の遅延が制限要因と
なる。この問題を解決するために、チップ間の遅延を制
限するための手段として、光学的なチップ間の通信が提
案されてきた。しかしながら、シリコンは能動光学物質
ではない。従って、シリコン集積回路に配設される光源
を、ハイブリッド物質またはハイブリッド実装技術のい
ずれか一方で製造する必要がある。例えば、完全な集積
化のために、ＧａＡｓ／Ｓｉおよび他のハイブリッド構
造体を製造しなければならない。このようなハイブリッ
ド構造体の技術において、直接光源を変調きせること、
または物質の電子光学的活性を利用して光自身を変調き
せることによって、シリコン集積回路を通って伝わる光
信号を変調させるために、高速のＧ ａ Ａ ｓ回路機
構が使用される。
高速コンピュータにおいてチップ間の遅延が制限要因と
なる。この問題を解決するために、チップ間の遅延を制
限するための手段として、光学的なチップ間の通信が提
案されてきた。しかしながら、シリコンは能動光学物質
ではない。従って、シリコン集積回路に配設される光源
を、ハイブリッド物質またはハイブリッド実装技術のい
ずれか一方で製造する必要がある。例えば、完全な集積
化のために、ＧａＡｓ／Ｓｉおよび他のハイブリッド構
造体を製造しなければならない。このようなハイブリッ
ド構造体の技術において、直接光源を変調きせること、
または物質の電子光学的活性を利用して光自身を変調き
せることによって、シリコン集積回路を通って伝わる光
信号を変調させるために、高速のＧ ａ Ａ ｓ回路機
構が使用される。
また、例えば、ＧａＡｓ光源をＧａＡｓ基板上に成長さ
せて、他のチップからシリコン回路機構によって駆動す
るような別のハイブリッド実装技術は、変調速度および
柔軟性について制限を有する。１つの制限は、独立して
変調する必要のある多くのチャネルに光源を分割する場
合に起こる。
せて、他のチップからシリコン回路機構によって駆動す
るような別のハイブリッド実装技術は、変調速度および
柔軟性について制限を有する。１つの制限は、独立して
変調する必要のある多くのチャネルに光源を分割する場
合に起こる。
一般的には、このようなハイブリッド物質は、基本的な
物質およびプロセスの問題を含む。したがって、ハイブ
リッド物質の米麦［Ｗを必要とせず、シリコンベースの
集積回路にＤＣ駆動光放射源のオンチップ変調を与える
ことが望まれる。また、チップに生じる電気４８号に従
って光が変調されるように、電気信号に応答する光変調
器、即ち光・電子変調器を提供することが望まれる。
物質およびプロセスの問題を含む。したがって、ハイブ
リッド物質の米麦［Ｗを必要とせず、シリコンベースの
集積回路にＤＣ駆動光放射源のオンチップ変調を与える
ことが望まれる。また、チップに生じる電気４８号に従
って光が変調されるように、電気信号に応答する光変調
器、即ち光・電子変調器を提供することが望まれる。
米国特許第４，７４５，４４９号は、ＩＩＩ −Ｖ族Ｆ
ＥＴ型光導電体を開示している。米国特許第４゜５１７
．５８１号は、ゲートが光吸収先導波路としても作用す
るリブ（脈）として規定される、ＪＦＥＴ型の光検出器
を開示している。米国特許第４．３６０，２４６号は、
集積された導波路及びＦＥＴ検出器を開示している。前
記米国特許第４゜５１７．５８１号及び第４．３６０．
２４６号のデバイスは、ＩＩＩ −Ｖ族物質で構成され
る。
ＥＴ型光導電体を開示している。米国特許第４゜５１７
．５８１号は、ゲートが光吸収先導波路としても作用す
るリブ（脈）として規定される、ＪＦＥＴ型の光検出器
を開示している。米国特許第４．３６０，２４６号は、
集積された導波路及びＦＥＴ検出器を開示している。前
記米国特許第４゜５１７．５８１号及び第４．３６０．
２４６号のデバイスは、ＩＩＩ −Ｖ族物質で構成され
る。
米国特許第４，７２９，６１８号は、例えば回路の一部
がＩｎＰまたはＧａＡｓであり、一方、他の部分が例え
ば低コストの基板物質で形成される曲導波路などの比較
的低い集積度を有するように、高コストかつ高性能の基
板物質を提供するハイブリッド集積光学回路を開示して
いる。
がＩｎＰまたはＧａＡｓであり、一方、他の部分が例え
ば低コストの基板物質で形成される曲導波路などの比較
的低い集積度を有するように、高コストかつ高性能の基
板物質を提供するハイブリッド集積光学回路を開示して
いる。
米国特許第４．４３８，４４７号は、光導波路の層によ
って置換されたオンチップ電気接続を有する電子光学集
積回路を開示している。この半導体チップは、ｌｌ−Ｖ
族の物質から構成される。
って置換されたオンチップ電気接続を有する電子光学集
積回路を開示している。この半導体チップは、ｌｌ−Ｖ
族の物質から構成される。
特開昭５５−１３８８８９は、単結晶基板の光導波路を
通るＦＥＴおよび集積形成された光オシレータを有する
半導体光パルス発生基を開示している。
通るＦＥＴおよび集積形成された光オシレータを有する
半導体光パルス発生基を開示している。
「ブリーチング誘発の自由キャリアに基づく導波ＧａＡ
ｓ／ＡＱＧａＡｓ ＦＥＴ光変調器（Ｇ ｕ ｉｄｅ
ｄｗａｖｅ ＧａＡｓ／ Ａ Ｑ ＧａＡｓ Ｆ
Ｅ Ｔ ｏｐｔｉｃａｌｍｏｄｕｌａｔｏｒ ｂａｓ
ｅｄ ｏｎ ｆｒｅｅ ｃａｒｒｉｅｒ ｉｎｄｕｃｅ
ｄｂｌｅａｃｈｉｎｇ） Ｊ （Ｅ］ｅｃｔｒｏｎ、
Ｌｅｔｔ、 （ＵＫ）、Ｖｏｌ。
ｓ／ＡＱＧａＡｓ ＦＥＴ光変調器（Ｇ ｕ ｉｄｅ
ｄｗａｖｅ ＧａＡｓ／ Ａ Ｑ ＧａＡｓ Ｆ
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ｅｄ ｏｎ ｆｒｅｅ ｃａｒｒｉｅｒ ｉｎｄｕｃｅ
ｄｂｌｅａｃｈｉｎｇ） Ｊ （Ｅ］ｅｃｔｒｏｎ、
Ｌｅｔｔ、 （ＵＫ）、Ｖｏｌ。
２３、Ｎｏ、 ２４．１９８７年１１月１９日、ＰＰ。
１３０２〜１３０４） は、自由キャリアのブリーチ
ング効果に基づ＜ ＩＩＩ −Ｖ族の光変調器を開示し
ている。そのデバイスは、導波路に自己整合されたＦＥ
Ｔゲートを有する単一量子ウェルＦＥＴ光変調器である
。同様のデバイスが、「エグジトン・ブリーチングに基
づく新しい単一量子ウェル光・電子デバイス（Ｎｏｖｅ
ｌ Ｓ ｉｎｇｌｅ ＱｕａｎｔｕｍＷｅｌｌ
０ｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｄｅｖｉｃｅｓ
Ｂａ５ｅｄ ｏｎＥｘｉｔｏｎ Ｂｌｅａｃｈｉｎ
ｇ） Ｊ （Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＬｆｇｈｔｖａ
ｖｅ ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＳＶｏｌ、 ＬＴ−５、
Ｎｏ、９．１９８７年９月）にも開示されている。
ング効果に基づ＜ ＩＩＩ −Ｖ族の光変調器を開示し
ている。そのデバイスは、導波路に自己整合されたＦＥ
Ｔゲートを有する単一量子ウェルＦＥＴ光変調器である
。同様のデバイスが、「エグジトン・ブリーチングに基
づく新しい単一量子ウェル光・電子デバイス（Ｎｏｖｅ
ｌ Ｓ ｉｎｇｌｅ ＱｕａｎｔｕｍＷｅｌｌ
０ｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｄｅｖｉｃｅｓ
Ｂａ５ｅｄ ｏｎＥｘｉｔｏｎ Ｂｌｅａｃｈｉｎ
ｇ） Ｊ （Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＬｆｇｈｔｖａ
ｖｅ ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＳＶｏｌ、 ＬＴ−５、
Ｎｏ、９．１９８７年９月）にも開示されている。
「集積光エレクトロニクス用の高効率導波路位相変調器
（Ｈｉｇｈｌｙ ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｗａｖｅｇｕｉ
ｄｅ ｐｈａｓｅｍｏｄｕｌａｔｏｒ ｆｏｒ ｉｎｔ
ｅｇｒａｔｅｄ ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）
Ｊ（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、、 Ｖｏｌ
、 ４８、Ｎｏ、１９．１９８６年５月１２日）は、逆
バイアスのリッジ導波されたＡＱＧａＡｓダブルへテロ
構造を開示している。
（Ｈｉｇｈｌｙ ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｗａｖｅｇｕｉ
ｄｅ ｐｈａｓｅｍｏｄｕｌａｔｏｒ ｆｏｒ ｉｎｔ
ｅｇｒａｔｅｄ ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）
Ｊ（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、、 Ｖｏｌ
、 ４８、Ｎｏ、１９．１９８６年５月１２日）は、逆
バイアスのリッジ導波されたＡＱＧａＡｓダブルへテロ
構造を開示している。
しかしながら、この先行技術は、シリコンベースの集積
回路用の光変調器を開示してはいない。
回路用の光変調器を開示してはいない。
ファイバ光学系用の集積全光変調器および論理ゲート
（Ｉ ｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ａｌｌ −Ｏｐｔｉｃａ
ｌＭｏｄｕｌａｔｏｒ ａｎｄ Ｌｏｇｉｃ Ｇ
ａｔｅ ｆｏｒ ＦｉｂｅｒＯｐｔｉｃｓ Ｓ
ｙｓｔｅｍｓ） Ｊ （Ｉ ＧＷｏ １
９８８年、ＰＰ、３５１〜３５４）は、１．３２ないし
１゜５５μｍの範囲内の放射用のシリコンベースの変調
器を開示している。変調光は導波路内に吸収され、間接
的なバンド間吸収によって電子正孔対な生み、それによ
って導かれた光の波長において、効果的に導波路の屈折
率を低下させる。この変調器は、電気信号ではなく光信
号によって制御される。
（Ｉ ｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ａｌｌ −Ｏｐｔｉｃａ
ｌＭｏｄｕｌａｔｏｒ ａｎｄ Ｌｏｇｉｃ Ｇ
ａｔｅ ｆｏｒ ＦｉｂｅｒＯｐｔｉｃｓ Ｓ
ｙｓｔｅｍｓ） Ｊ （Ｉ ＧＷｏ １
９８８年、ＰＰ、３５１〜３５４）は、１．３２ないし
１゜５５μｍの範囲内の放射用のシリコンベースの変調
器を開示している。変調光は導波路内に吸収され、間接
的なバンド間吸収によって電子正孔対な生み、それによ
って導かれた光の波長において、効果的に導波路の屈折
率を低下させる。この変調器は、電気信号ではなく光信
号によって制御される。
［自由キャリア吸収の効果を用いたリッジ型光導波構造
の赤外光変調器（Ｉｎｆｒａ−ｒｅｄ ＬｉｇｈｔＭ
ｏｄｕｌａｔｏｒ ｏｆ Ｒｉｄｇｅ −Ｔｙｐｅ
ＯｐｔｉｃａｌＷａｖｅｇｕｉｄｅ ５ｔｒｕｃ
ｔｕｒｅ Ｕｓｉｎｇ Ｅｆｆｅｃｔ ｏｆＦｒ
ｅｅ −Ｃａｒｒｉｅｒ Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ）
Ｊ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔ、、 １９８
６年８月１４日、Ｖｏｌ、２２、Ｎｏ、１７、ＰＰ、９
２２〜９２３）は、ｐ”Ｓｉ基板（キャリア濃度は５
Ｘ １０ ”Ｃｍ−３）およびその基板上のｐ〜Ｓｉ導
波路（キャリア濃月はＩ Ｘ １０１４ｃ＋ｗ−３）を
含むリッジ導波構造を有〕る１０．６μｍ放射の光変調
を開示している（負４図参照）。トンネルＭＩＳダイオ
ードは、キＡリア注入用の電極として働く。
の赤外光変調器（Ｉｎｆｒａ−ｒｅｄ ＬｉｇｈｔＭ
ｏｄｕｌａｔｏｒ ｏｆ Ｒｉｄｇｅ −Ｔｙｐｅ
ＯｐｔｉｃａｌＷａｖｅｇｕｉｄｅ ５ｔｒｕｃ
ｔｕｒｅ Ｕｓｉｎｇ Ｅｆｆｅｃｔ ｏｆＦｒ
ｅｅ −Ｃａｒｒｉｅｒ Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ）
Ｊ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔ、、 １９８
６年８月１４日、Ｖｏｌ、２２、Ｎｏ、１７、ＰＰ、９
２２〜９２３）は、ｐ”Ｓｉ基板（キャリア濃度は５
Ｘ １０ ”Ｃｍ−３）およびその基板上のｐ〜Ｓｉ導
波路（キャリア濃月はＩ Ｘ １０１４ｃ＋ｗ−３）を
含むリッジ導波構造を有〕る１０．６μｍ放射の光変調
を開示している（負４図参照）。トンネルＭＩＳダイオ
ードは、キＡリア注入用の電極として働く。
「λ＝１．３および１．６μｍのための全シしコン活性
および不活性導波構成要素（Ａｌｌ−Ｓ ｊｌｉｃｏｎ
Ａｃｔｉｖｅ ａｎｄ Ｐａ５ｓｉｖｅ Ｇ
ｕｉｄｅｄ −Ｗａｖｅ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ
ｆｏｒ λ＝１．３ａｎｄ１、、６μｍ） Ｊ
（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ＱｕａｎｔｕｍＥ
ＩｅｃｔｒｏｎｉｃｓＸＶｏｌ 、 Ｑ Ｅ −２２、
Ｎｏ、８．１９８６年６月）は、多量にドープしたシリ
コ〉基板に成長させた単結晶シリコン層においてｆＢＩ
逸される１、３ｕｍのチャネル導波路および終端結合さ
れたブレーナを開示している。
および不活性導波構成要素（Ａｌｌ−Ｓ ｊｌｉｃｏｎ
Ａｃｔｉｖｅ ａｎｄ Ｐａ５ｓｉｖｅ Ｇ
ｕｉｄｅｄ −Ｗａｖｅ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ
ｆｏｒ λ＝１．３ａｎｄ１、、６μｍ） Ｊ
（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ＱｕａｎｔｕｍＥ
ＩｅｃｔｒｏｎｉｃｓＸＶｏｌ 、 Ｑ Ｅ −２２、
Ｎｏ、８．１９８６年６月）は、多量にドープしたシリ
コ〉基板に成長させた単結晶シリコン層においてｆＢＩ
逸される１、３ｕｍのチャネル導波路および終端結合さ
れたブレーナを開示している。
第５図は、前記開示と同様のリッジ導波デバイス１０の
断面図である。このデバイス１０は、３Ｘ １０ ”ｃ
ｍ−３の濃度でドープされたｎ”＜１１１＞シリコン基
板１２を含む。基板１２の上のｎ型エピタキシャル・シ
リコン層１４は、リッジ構造１６を有する。層１４は、
９ Ｘ １０ ”ｃｍ−３の濃度でドープされる。導か
れる光（ＧＬ）は、デバイス１０のチャネル−導波路領
域を占有する。層１４および層１２の屈折率の差が、比
較的小ざいので、層をかなり厚くする必要がある。例え
ば、第５図のデバイス１０の寸法は、Ａ＝１０ｇｍ１Ｂ
＝２゜８μｍおよびＣ＝４．２μｍである。その結果、
この型のデバイスは、シリコンベースのＶＬＳＩの集積
化規則に適合する構造を与えるための最適値よりも小さ
な寸法を有する。
断面図である。このデバイス１０は、３Ｘ １０ ”ｃ
ｍ−３の濃度でドープされたｎ”＜１１１＞シリコン基
板１２を含む。基板１２の上のｎ型エピタキシャル・シ
リコン層１４は、リッジ構造１６を有する。層１４は、
９ Ｘ １０ ”ｃｍ−３の濃度でドープされる。導か
れる光（ＧＬ）は、デバイス１０のチャネル−導波路領
域を占有する。層１４および層１２の屈折率の差が、比
較的小ざいので、層をかなり厚くする必要がある。例え
ば、第５図のデバイス１０の寸法は、Ａ＝１０ｇｍ１Ｂ
＝２゜８μｍおよびＣ＝４．２μｍである。その結果、
この型のデバイスは、シリコンベースのＶＬＳＩの集積
化規則に適合する構造を与えるための最適値よりも小さ
な寸法を有する。
ｒｓＯＩ導波路における光−光変調（Ｌ ｉｇｈｔ −
ｂｙ−Ｌｉｇｈｔ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ ｉｎ
５ｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ −Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｗ
ａｖｅｇｕｉｄｅｓ） Ｊ （Ｉ ＧＷｏ、 １９８
９年 ＰＰ、８６〜８７）は、リッジ導波構造に向けら
れる８００ｎ−の光を伴う１．３μｍの光の光変調を開
示している。第６図は、同様の変調器２０の断面図であ
る。ｎ型シリコン基板２２は、その表面上をおおって形
成される厚き０．４μｍ（Ｄ）の酸化物層２４を有する
。酸化物層ｚ４の上には、厚さ３．０μｍのエピタキシ
ャル成長したシリコン層およびその上の厚き０．１５μ
ｍの結晶シリコン層２６が形成される（Ｃ＋Ｂ）。シリ
コンのエビ層において、５．１０．２０または４０μｍ
の輻（Ａ）を有するストライブの導波路がエツチングさ
れた。このデバイスは、文献で報告された最初の５ｔ−
ｏｎ−５ｉＯ２リツジ導波路であると言われている。し
かしながら、このデバイスは、光・電子的にではなく光
学的制御によって動作する。
ｂｙ−Ｌｉｇｈｔ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ ｉｎ
５ｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ −Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｗ
ａｖｅｇｕｉｄｅｓ） Ｊ （Ｉ ＧＷｏ、 １９８
９年 ＰＰ、８６〜８７）は、リッジ導波構造に向けら
れる８００ｎ−の光を伴う１．３μｍの光の光変調を開
示している。第６図は、同様の変調器２０の断面図であ
る。ｎ型シリコン基板２２は、その表面上をおおって形
成される厚き０．４μｍ（Ｄ）の酸化物層２４を有する
。酸化物層ｚ４の上には、厚さ３．０μｍのエピタキシ
ャル成長したシリコン層およびその上の厚き０．１５μ
ｍの結晶シリコン層２６が形成される（Ｃ＋Ｂ）。シリ
コンのエビ層において、５．１０．２０または４０μｍ
の輻（Ａ）を有するストライブの導波路がエツチングさ
れた。このデバイスは、文献で報告された最初の５ｔ−
ｏｎ−５ｉＯ２リツジ導波路であると言われている。し
かしながら、このデバイスは、光・電子的にではなく光
学的制御によって動作する。
［発明が解決しようとする課題］
本発明の目的は、シリコン導波領域および隣接する絶縁
体領域を含む、シリコンベース集積デバイス用の光・電
子変調器を提供することである。
体領域を含む、シリコンベース集積デバイス用の光・電
子変調器を提供することである。
本発明の別の目的は、ＶＬＳ！回路と共に製造できる寸
法を有するＳＯＩ光・電子変調器を提供することである
。
法を有するＳＯＩ光・電子変調器を提供することである
。
本発明の別の目的は、電荷キャリアの注入によって生じ
る屈折率の変化によって変調が起こるような光・電子変
調器／導波路構造体を提供することである。
る屈折率の変化によって変調が起こるような光・電子変
調器／導波路構造体を提供することである。
本発明の別の目的は、ハイブリッド物質のプロセス技術
を必要としないオンチップ光・電子変調器を有するシリ
コンベースの集積回路を提供することである。
を必要としないオンチップ光・電子変調器を有するシリ
コンベースの集積回路を提供することである。
［課題を解決するための手段Ｊ
例えば１．３μｍのような所定の波長の放射を得るため
の可変の光透過特性を有する導波領域を含む光変調器に
よって、前述のような問題を解決し、他の利点を確認で
きる。光透過特性は、第１タイプの電気導電率を有する
シリコンを含む第１領域の屈折率と、例えばシリコン酸
化物のような絶縁体を含む第２隣接領域の屈折率との差
の関数である。変調器は、さらに、やはりシリコンを含
み、第１領域に隣接して配設される第３領域を含む。第
３領域は、第１領域とｐ−ｎ接合を形成するために、第
２タイプの電気導電率を有する。電荷キャリアは、屈折
率を変化きせるために第１領域に注入され、導波領域の
光透過特性が変化する。
の可変の光透過特性を有する導波領域を含む光変調器に
よって、前述のような問題を解決し、他の利点を確認で
きる。光透過特性は、第１タイプの電気導電率を有する
シリコンを含む第１領域の屈折率と、例えばシリコン酸
化物のような絶縁体を含む第２隣接領域の屈折率との差
の関数である。変調器は、さらに、やはりシリコンを含
み、第１領域に隣接して配設される第３領域を含む。第
３領域は、第１領域とｐ−ｎ接合を形成するために、第
２タイプの電気導電率を有する。電荷キャリアは、屈折
率を変化きせるために第１領域に注入され、導波領域の
光透過特性が変化する。
第１の実施例において、ｐ−ｎ接合は、まっすぐなリブ
構造体の中に施される。別の実施例において、リブ構造
体は、多くのｐ−ｎ接合を有する垂直の積層体を含む。
構造体の中に施される。別の実施例において、リブ構造
体は、多くのｐ−ｎ接合を有する垂直の積層体を含む。
第３の実施例において、導波領域に電荷キャリアを注入
し、がっ導波領域の外へ電荷キャリアを通すことによっ
て、２つのｐ −ｎ接合は、動作速度を速めるために用
いられる横方向バイポーラ・トランジスタ・デバイスを
形成する。本発明の変調器は、半導体レーザのような外
部ソースによって得られる放射を変調するシリコンベー
ス集積回路と共に製造するのに適している。本発明の様
々な実施例は、導波モードにおいて動作するか、または
消滅モードにおける動作スイッチとして働く。例えば、
非消滅モードにおいて操作される場合、そこを通る導か
れた放射の位相変化を誘発するために、マツハ・ツエン
ダ型ノ輝度変ｖｉ器の１つの腕（光路）に本発明の変調
器を形成し、それによってデバイスの出力において輝度
を変調きせる。
し、がっ導波領域の外へ電荷キャリアを通すことによっ
て、２つのｐ −ｎ接合は、動作速度を速めるために用
いられる横方向バイポーラ・トランジスタ・デバイスを
形成する。本発明の変調器は、半導体レーザのような外
部ソースによって得られる放射を変調するシリコンベー
ス集積回路と共に製造するのに適している。本発明の様
々な実施例は、導波モードにおいて動作するか、または
消滅モードにおける動作スイッチとして働く。例えば、
非消滅モードにおいて操作される場合、そこを通る導か
れた放射の位相変化を誘発するために、マツハ・ツエン
ダ型ノ輝度変ｖｉ器の１つの腕（光路）に本発明の変調
器を形成し、それによってデバイスの出力において輝度
を変調きせる。
［実施例］
例えば１，３μｍにおいて動作するＧａＩｎＡｓＰレー
ザのような、ＤＣ光信号を供給するためのオフチップ放
射源は、第１図ないし第３図には示されていない。ＧＬ
で示される導波領域内を通って導かれるＤＣ光信号は、
周知の手段によって本発明のシリコン・リブ導波デバイ
スに終端結合きれている。
ザのような、ＤＣ光信号を供給するためのオフチップ放
射源は、第１図ないし第３図には示されていない。ＧＬ
で示される導波領域内を通って導かれるＤＣ光信号は、
周知の手段によって本発明のシリコン・リブ導波デバイ
スに終端結合きれている。
第１図は（スケールは必らずしも合っていないが）、本
発明の第１実施例に従って構成される光・電子ＳＯＩ消
滅型変調デバイス３ｏの断面図である。変調デバイス３
ｏは、電荷を注入するために単一ｐ−ｎ接合を有し、そ
れによって導波チャネル領域の屈折率が変えられる。
発明の第１実施例に従って構成される光・電子ＳＯＩ消
滅型変調デバイス３ｏの断面図である。変調デバイス３
ｏは、電荷を注入するために単一ｐ−ｎ接合を有し、そ
れによって導波チャネル領域の屈折率が変えられる。
デバイス３０は、シリコン基板３２、その上のＳｉＯ２
等の電気絶縁体の層３４、およびその上のシリコンエビ
層３６を含む。エビ層３６は、リッジ導波路３８を形成
するためにエツチングされ、さらに層３６の下の部分が
ｎ型でかつ上の部分がｐ＋になるように選択的にドープ
される。
等の電気絶縁体の層３４、およびその上のシリコンエビ
層３６を含む。エビ層３６は、リッジ導波路３８を形成
するためにエツチングされ、さらに層３６の下の部分が
ｎ型でかつ上の部分がｐ＋になるように選択的にドープ
される。
本発明に従うと、エビ層３６および絶縁層３４の屈折率
（それぞれｎ＝３．５およびｎ＝１．５）の差が大きい
ので、シリコンエビ層３６は導波路として働く。サブミ
クロン厚ざのシリコンは屈折率が大きく異なるので使用
でき、したがって確実にＶＬＳＩの寸法と適合すること
ができる。１゜３μｍにおける単一モード伝搬のための
代表的な寸法は、シリコン導波層の厚き（Ｃ）が４００
０人であり、シリコン酸化物の厚さ（Ｄ）も４０００人
であり、メーサ（リブ）高さ（Ｂ）は４００人でリブ輻
（Ａ）は４０００人である。シリコン基板３２の厚きは
、任意の値で構わない。本発明の様々な実施例に関連し
て、本明細書で与えられる寸法がおおよその値にすぎず
、これらの値が本発明の教示する態様の範囲内にあるこ
とは、理解されるであろう。
（それぞれｎ＝３．５およびｎ＝１．５）の差が大きい
ので、シリコンエビ層３６は導波路として働く。サブミ
クロン厚ざのシリコンは屈折率が大きく異なるので使用
でき、したがって確実にＶＬＳＩの寸法と適合すること
ができる。１゜３μｍにおける単一モード伝搬のための
代表的な寸法は、シリコン導波層の厚き（Ｃ）が４００
０人であり、シリコン酸化物の厚さ（Ｄ）も４０００人
であり、メーサ（リブ）高さ（Ｂ）は４００人でリブ輻
（Ａ）は４０００人である。シリコン基板３２の厚きは
、任意の値で構わない。本発明の様々な実施例に関連し
て、本明細書で与えられる寸法がおおよその値にすぎず
、これらの値が本発明の教示する態様の範囲内にあるこ
とは、理解されるであろう。
本発明に従うと、図中鎖線で示されるｐ−ｎ金属接合３
８ａは、リッジ３８の下に形成され、ｐ −ｎ接合３８
８が適切にバイアス印加される際に、リッジ３８の中に
電荷を注入する。このため、ｎ ＋ ４領域４０は、層
３６のｉ型部分を電気的に接続させるために使用され、
コンタクト金属４２は、層３６の９１部分を電気的に接
続させるためにリッジ３８に施される。
８ａは、リッジ３８の下に形成され、ｐ −ｎ接合３８
８が適切にバイアス印加される際に、リッジ３８の中に
電荷を注入する。このため、ｎ ＋ ４領域４０は、層
３６のｉ型部分を電気的に接続させるために使用され、
コンタクト金属４２は、層３６の９１部分を電気的に接
続させるためにリッジ３８に施される。
第１図のデバイス３０は、２つの別個のモードにおいて
動作する。第１のモードは、光が導かれるが、電荷注入
によって誘発される屈折率変化によって導かれた光が位
相変化するような状態を含む。第４図に示きれているよ
うに、マツハ−ツエンダ位相変調器の１つの腕の中に第
３図のデバイスを統合して製造することによって、この
特性は利用される。適切な長とのデバイス３０、即ち所
定の位相変化を与えるための適切な長ざλ／２δｎのデ
バイスは、出力において１００％変調を起こす。例えば
、１０１８ｃ−一３のキャリア注入に対して、導波路に
おける０、１％の有効屈折率変化が起こり（図面におい
て寸法は示される）、それによって５００波長分の長き
即ち６５０Ｌｔｍの長ざのデバイスが、１．３μｍの導
かれた光の１００％変調を与える。
動作する。第１のモードは、光が導かれるが、電荷注入
によって誘発される屈折率変化によって導かれた光が位
相変化するような状態を含む。第４図に示きれているよ
うに、マツハ−ツエンダ位相変調器の１つの腕の中に第
３図のデバイスを統合して製造することによって、この
特性は利用される。適切な長とのデバイス３０、即ち所
定の位相変化を与えるための適切な長ざλ／２δｎのデ
バイスは、出力において１００％変調を起こす。例えば
、１０１８ｃ−一３のキャリア注入に対して、導波路に
おける０、１％の有効屈折率変化が起こり（図面におい
て寸法は示される）、それによって５００波長分の長き
即ち６５０Ｌｔｍの長ざのデバイスが、１．３μｍの導
かれた光の１００％変調を与える。
動作の第２のモードは、注入された約
１０Ｉ９ｃＩｌ−３のキャリア濃度が導かれた光を消滅
きせ、即ちリブ３８がもはや導波路として働かないよう
な状！１！を含む。そして、デバイスは消滅モードの変
調器として働く。
きせ、即ちリブ３８がもはや導波路として働かないよう
な状！１！を含む。そして、デバイスは消滅モードの変
調器として働く。
消滅モードにおいて働く第１図のデバイス３゜は、デバ
イスの寸法が小ざく構造および動作が簡便なので、好ま
しい実施例として表わきれている。
イスの寸法が小ざく構造および動作が簡便なので、好ま
しい実施例として表わきれている。
約５０ｕｍというデバイスの長ざは、約１０”ｃｍ−３
のキャリア濃度では、出力において１００％の変調を与
えるのに十分である。
のキャリア濃度では、出力において１００％の変調を与
えるのに十分である。
デバイス３０の導波および消滅の両方の動作モードにお
ける主な問題は、デバイスのスイッチング速度である。
ける主な問題は、デバイスのスイッチング速度である。
ＧＨｚ動作で、シリコンの再結合時間は、一般的にはマ
イクロ秒のオーダであり、変調速度は、ナノ秒のオーダ
である。キャリアの寿命は、再結合中心を導入すること
によって、短くすることができる。しかしながら、この
方法は効率（即ち印加電流に対する有効キャリア濃度）
をも低下きせる。本発明の教示によって得ることができ
るＳＯＩ導波路の形状は、キャリアの寿命を短くするの
を助ける。界面における再結合は、般的に速いので、デ
バイスの速度は主として界面への拡散時間によって決定
される。この時間は、与えられる形状に対して、一般的
に１ナノ秒以下である。
イクロ秒のオーダであり、変調速度は、ナノ秒のオーダ
である。キャリアの寿命は、再結合中心を導入すること
によって、短くすることができる。しかしながら、この
方法は効率（即ち印加電流に対する有効キャリア濃度）
をも低下きせる。本発明の教示によって得ることができ
るＳＯＩ導波路の形状は、キャリアの寿命を短くするの
を助ける。界面における再結合は、般的に速いので、デ
バイスの速度は主として界面への拡散時間によって決定
される。この時間は、与えられる形状に対して、一般的
に１ナノ秒以下である。
速い再結合を得るための別の方法では、空乏モードにお
いてｐ−ｎ接合３８ａを動作させ、もはや再結合はデバ
イス動作での役割りを果たさない。
いてｐ−ｎ接合３８ａを動作させ、もはや再結合はデバ
イス動作での役割りを果たさない。
しかしながら、単一接合３８ａでは、与えられるキャリ
ア濃度に対する空乏部分の制限がある。例えば、１０
”ｃｍ−３のドーピング濃度に対しては、空乏輻は２０
０人である。
ア濃度に対する空乏部分の制限がある。例えば、１０
”ｃｍ−３のドーピング濃度に対しては、空乏輻は２０
０人である。
この問題の１つの解決策は、ＭＢＥ （分子ビームエピ
タキシ）のような成長技術を使用し、第２図に示される
ようなｐ−ｎ積層体を製造することである。第２図は（
スケールは必らずしも合っていないが）、本発明の第２
の実施例に従って構成される光・電子ＳＯＩ消滅型変調
デバイス５０の断面図であり、変調デバイス５０は互い
違いに積層されたｐ−ｎ接合を複数有する。デバイス５
０は、シリコン基板５２、その上の５層０２層５４およ
びその上のｎ型シリコンエビ層５６を含む。複数の互い
違いのｐ＋型およびｎ型の薄い層を含む積層体５８は、
エビ層５６の上に配設される。交互の層は、複数の垂直
に配設されたｐ−ｎ接合を形成する。垂直に配設された
ｐ ４’領域６０は、ｐ＋層を電気的に接続させるため
に施され、垂直に配設されたｎ＋領域６２は、積層体５
８のｎ層を電気的に接続させるために施される。導かれ
た光が伝播される導波チャネルは、概ね図示されるよう
に配設され、積層体５８のｐｌおよびｎの交互の層を部
分的に含む。寸法Ａは、一般的に４０００人であり、寸
法Ｂは約２０００ないし８０００人の範囲内にあり、寸
法ＣおよびＤは、それぞれ約２０００人である。各層は
約１００人の厚さである。
タキシ）のような成長技術を使用し、第２図に示される
ようなｐ−ｎ積層体を製造することである。第２図は（
スケールは必らずしも合っていないが）、本発明の第２
の実施例に従って構成される光・電子ＳＯＩ消滅型変調
デバイス５０の断面図であり、変調デバイス５０は互い
違いに積層されたｐ−ｎ接合を複数有する。デバイス５
０は、シリコン基板５２、その上の５層０２層５４およ
びその上のｎ型シリコンエビ層５６を含む。複数の互い
違いのｐ＋型およびｎ型の薄い層を含む積層体５８は、
エビ層５６の上に配設される。交互の層は、複数の垂直
に配設されたｐ−ｎ接合を形成する。垂直に配設された
ｐ ４’領域６０は、ｐ＋層を電気的に接続させるため
に施され、垂直に配設されたｎ＋領域６２は、積層体５
８のｎ層を電気的に接続させるために施される。導かれ
た光が伝播される導波チャネルは、概ね図示されるよう
に配設され、積層体５８のｐｌおよびｎの交互の層を部
分的に含む。寸法Ａは、一般的に４０００人であり、寸
法Ｂは約２０００ないし８０００人の範囲内にあり、寸
法ＣおよびＤは、それぞれ約２０００人である。各層は
約１００人の厚さである。
積層体５８のキャパシタンスは接合の数の関数で増加す
るが、抵抗はその総数と共に減少する。
るが、抵抗はその総数と共に減少する。
その結果、ＲＣ時間定数は本質的に一定であり、電気信
号の変化に対するデバイスの応答性は影響を受けない。
号の変化に対するデバイスの応答性は影響を受けない。
第１図の位相変調デバイス３０と同じ変調効果を達成す
るために、１０ ”ｃｓ＋−３のドーピング即ちキャリ
ア濃度が要求される。積層体５８に必要な接合数は、約
２０である。
るために、１０ ”ｃｓ＋−３のドーピング即ちキャリ
ア濃度が要求される。積層体５８に必要な接合数は、約
２０である。
さらに別の高速動作を達成するための方法は、電荷を注
入して次々と通すように、リブのまわりに三端子デバイ
スを提供することである。第３図は（スケールは必らず
しも合っていないカリ、本発明の第３の実施例に従って
構成される三端子光・電子ＳＯＩ変調デバイス７０の断
面図である。デバイス７０は、シリコン基板７２、その
上のＳ ｉ ０２層７４、およびその上のシリコンエビ
層を含む。このエビ層は、トランジスタのコレクタを形
成するためのｎ型領域７６、コレクタに電気的接続を与
えるためのｎ＋領域７８、トランジスタのベースを形成
するためのｐ型領域８０．およびトランジスタのエミッ
タを形成するための０９領域８２に区別される。光は、
軽くドーピングしたｎ型およびｐ型の領域７６および８
０を通って導かれる。トランジスタがオン状態にバイア
ス印加されると、約１０１８ｃｌＩ−３のキャリア濃度
が導波領域に現われる。この電流密度は、一般的に消滅
変調器としてデバイス７０を動作するに十分ではない。
入して次々と通すように、リブのまわりに三端子デバイ
スを提供することである。第３図は（スケールは必らず
しも合っていないカリ、本発明の第３の実施例に従って
構成される三端子光・電子ＳＯＩ変調デバイス７０の断
面図である。デバイス７０は、シリコン基板７２、その
上のＳ ｉ ０２層７４、およびその上のシリコンエビ
層を含む。このエビ層は、トランジスタのコレクタを形
成するためのｎ型領域７６、コレクタに電気的接続を与
えるためのｎ＋領域７８、トランジスタのベースを形成
するためのｐ型領域８０．およびトランジスタのエミッ
タを形成するための０９領域８２に区別される。光は、
軽くドーピングしたｎ型およびｐ型の領域７６および８
０を通って導かれる。トランジスタがオン状態にバイア
ス印加されると、約１０１８ｃｌＩ−３のキャリア濃度
が導波領域に現われる。この電流密度は、一般的に消滅
変調器としてデバイス７０を動作するに十分ではない。
しかしながら、第４図に示されるように、１つの腕の中
に配置された変調デバイス７０を有するマツハ・ツエン
ダ変ＦＡＭ９２と共に、集積回路チップ９０は容易に組
み立てられる。デバイス７０の長ざ（Ｌ）は、一般的に
数百ミクロンである。
に配置された変調デバイス７０を有するマツハ・ツエン
ダ変ＦＡＭ９２と共に、集積回路チップ９０は容易に組
み立てられる。デバイス７０の長ざ（Ｌ）は、一般的に
数百ミクロンである。
変調速度はキャリアの寿命とは無関係であり、バイポー
ラ・トランジスタのＯＮ１０ Ｆ Ｆ切換時間によって
決定される。トランジスタをバイアス印加し動作させて
光源９４からの１．３μｍの光を変調させるために、コ
レクタ（Ｃ）、ベース（Ｂ）およびエミッタ（Ｅ）の端
子を電気的に接続させる。
ラ・トランジスタのＯＮ１０ Ｆ Ｆ切換時間によって
決定される。トランジスタをバイアス印加し動作させて
光源９４からの１．３μｍの光を変調させるために、コ
レクタ（Ｃ）、ベース（Ｂ）およびエミッタ（Ｅ）の端
子を電気的に接続させる。
一般的にｐ型およびｎ型の物質は、本発明の様々な実施
例の動作に影響を与えなければ、交換することができる
ことは明らかであろう。ＳｉＯ２のかわりに、シリコン
窒化物（Ｓｉ３Ｎ４）のような絶縁物質を用いることも
できる。
例の動作に影響を与えなければ、交換することができる
ことは明らかであろう。ＳｉＯ２のかわりに、シリコン
窒化物（Ｓｉ３Ｎ４）のような絶縁物質を用いることも
できる。
［発明の効果］
本発明は、シリコン導波領域および隣接する絶縁体領域
を含む、シリコンベース集積デバイス用の光・電子変ｇ
ＪＭを提供することができる。
を含む、シリコンベース集積デバイス用の光・電子変ｇ
ＪＭを提供することができる。
第１図は、本発明の第１の実施例に従う単一ｐ−ｎ接合
を有する光・電子ＳＯＩ消滅型変調器の断面図である。 第２図は、本発明の第２の実施例に従うｐ−ｎ接合の積
層体を有する光・電子ＳＯＩ消滅型変調器の断面図であ
る。 第３図は、本発明の第３の実施例に従う三端子光・電子
ＳＯＩ変調器の断面図である。 第４図は、第３図のデバイスを有するマツハ・ツエンダ
輝度変調器を含むシリコンベース集積回路チップの一部
の平面図である。 第５図および第６図は、従来技術の導波路光変ＦＡ器の
断面図である。 １２．２２．３２．５２．７２・・−・シリコン基板、
１４．２４．３４．５４．７４・・・・シリコン酸化物
層、１６．２８．３８・・・・リッジ導波路、２６・・
・・シリコン層、３６．５６．７６・・・・シリコンエ
ビ層、３８ａ・・・・ｐ−ｎ接合、４０・・・・ｎ４４
領域、４２・・・・コンタクト金属、５８・・・・積層
体、６０・・・・ｐ１領域、６２．７８．８２・・・・
ｎ＋領領域８０・・・・ｐ型頭域、９０・・・・集積回
路チップ、９２・・・・マツハ・ツエンダ輝度変調器、
９４・・・・光源。
を有する光・電子ＳＯＩ消滅型変調器の断面図である。 第２図は、本発明の第２の実施例に従うｐ−ｎ接合の積
層体を有する光・電子ＳＯＩ消滅型変調器の断面図であ
る。 第３図は、本発明の第３の実施例に従う三端子光・電子
ＳＯＩ変調器の断面図である。 第４図は、第３図のデバイスを有するマツハ・ツエンダ
輝度変調器を含むシリコンベース集積回路チップの一部
の平面図である。 第５図および第６図は、従来技術の導波路光変ＦＡ器の
断面図である。 １２．２２．３２．５２．７２・・−・シリコン基板、
１４．２４．３４．５４．７４・・・・シリコン酸化物
層、１６．２８．３８・・・・リッジ導波路、２６・・
・・シリコン層、３６．５６．７６・・・・シリコンエ
ビ層、３８ａ・・・・ｐ−ｎ接合、４０・・・・ｎ４４
領域、４２・・・・コンタクト金属、５８・・・・積層
体、６０・・・・ｐ１領域、６２．７８．８２・・・・
ｎ＋領領域８０・・・・ｐ型頭域、９０・・・・集積回
路チップ、９２・・・・マツハ・ツエンダ輝度変調器、
９４・・・・光源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第１タイプの電気導電率を有するシリコンを含む第
１領域の屈折率と、絶縁体を含む第２隣接領域の屈折率
との差の関数である光透過特性を有する所定波長の放射
の導波領域を含む光変調器であつて、前記導波領域の光
透過特性を変化させるように前記屈折率を変化させるた
めに、前記第１領域とｐ−ｎ接合を形成する第２タイプ
の電気導電率を有する前記第１領域に隣接するシリコン
を含む第３領域をさらに含む光変調器。 ２、前記第２領域が、ＳｉＯ＿２を含む請求項１記載の
光変調器。 ３、前記所定の波長が、約１．３μｍである請求項１記
載の光変調器。 ４、前記ｐ−ｎ接合が、前記第１領域上に配設される直
立リブ構造の中に配置される請求項１記載の光変調器。 ５、さらに、リブ構造の中に互い違いで垂直に積層され
る複数のｐ−ｎ接合を含む請求項４記載の光変調器。 ６、さらに、三端子電子デバイスを形成するための第２
のｐ−ｎ接合を含む請求項１記載の光変調器。 ７、前記三端子電子デバイスが横方向バイポーラ・トラ
ンジスタである請求項６記載の光変調器。 ８、１．３μｍの所定の波長における単一モードの伝播
のために、前記第１領域の厚さは約４０００Åであり、
前記第２領域はＳｉＯ＿２を含む約４０００Åの厚さで
あり、前記変調器は、高さが約４００Åでかつ幅が約４
０００Åである直立のリブ構造を前記第１領域の上に配
設して含む請求項１記載の光変調器。 ９、前記第１領域に約１０＾１＾８ｃｍ＾−＾３のキャ
リア濃度を注入することによつて、前記導波領域におい
て約０．１％の有効屈折率変化を起こす請求項８記載の
光変調器。１０、前記第１領域に約１０＾１＾９ｃｍ＾
−＾３のキャリア濃度を注入することによつて、前記導
波領域内で放射が消滅する請求項８記載の光変換器。 １１、前記光変調器がシリコンを含む基板を有する集積
回路デバイスの一部として製造され、ｐ−ｎ接合に接続
された電気信号に従つて、前記集積回路デバイスの一部
を通過する光放射を変調する請求項１記載の光変調器。 １２、前記光変調器がマツハ・ツエンダ輝度変調器の一
方の光路中に配設される請求項１１記載の光変調器。 １３、第１タイプの電気導電率を有するシリコンを含む
第１領域の屈折率と、ＳｉＯ＿２を含む第２隣接領域の
屈折率との差の関数である光透過特性を有する所定波長
放射の導波領域を含む光変調器であつて、前記導波領域
の光透過特性を変化させるように前記屈折率を変化させ
るために、前記第１領域中に電荷キャリアを注入する交
互に垂直に配設される複数のｐ−ｎ接合を含む第３領域
で、かつ第２領域および第３領域の間に第１領域が挿入
されるように第１領域に隣接して配設されるシリコンを
含む第３領域をさらに含む光変調器。 １４、前記所定の波長が、約１．３μｍである請求項１
３記載の光変調器。 １５、前記第３領域が、前記第１領域上に配設される直
立リブ構造を含む請求項１３記載の光変調器。 １６、前記変調器が、集積回路デバイスの一部として製
造され、複数のｐ−ｎ接合に接続された電気信号に従つ
て、前記集積回路デバイスの一部を通過する光放射を変
調する請求項１３記載の光変調器。 １７、第１タイプの電気導電率を有するシリコンを含む
第１領域の屈折率と、ＳｉＯ＿２を含む第２隣接領域の
屈折率との差の関数である光透過特性を有する所定波長
放射の導波領域を含む光変調器であつて、前記第１領域
に隣接して配設されるシリコンを含む第３領域をさらに
含み、第１のｐ−ｎ接合をそれと共に形成し、前記第３
領域が前記導波領域の光透過特性を変化させるように前
記屈折率を変化させるために、前記第１領域中に電荷キ
ャリアを注入する第２のｐ−ｎ接合を含んで横方向バイ
ポーラ・トランジスタ・デバイスを規定することを特徴
とする光変調器。 １８、前記変換器が集積回路デバイスの一部として製造
され、トランジスタ・デバイスのベースに接続された電
気信号に従つて、前記集積回路デバイスの一部を通過す
る光放射を変調する請求項１７記載の光変調器。 １９、前記トランジスタ・デバイスがｎ−ｐ−ｎ又はｐ
−ｎ−Ｐのデバイスである請求項１８記載の光変調器。
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