JPS60241028A - 光スイツチ - Google Patents
光スイツチInfo
- Publication number
- JPS60241028A JPS60241028A JP9644284A JP9644284A JPS60241028A JP S60241028 A JPS60241028 A JP S60241028A JP 9644284 A JP9644284 A JP 9644284A JP 9644284 A JP9644284 A JP 9644284A JP S60241028 A JPS60241028 A JP S60241028A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- layer
- optical waveguide
- optical
- bias current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3137—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure with intersecting or branching waveguides, e.g. X-switches and Y-junctions
- G02F1/3138—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure with intersecting or branching waveguides, e.g. X-switches and Y-junctions the optical waveguides being made of semiconducting materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、光通信、光情報処理分野で用いられる光スィ
ッチに関する。特に、小形でスイッチング効率の良い光
スィッチに関するものである。
ッチに関する。特に、小形でスイッチング効率の良い光
スィッチに関するものである。
（１）
〔発明の背景〕
近年、光通信の実用化が急速に進展しており、光部品の
小形化、高信頼化に対する研究開発が盛んに行なわれて
いる。マイクロ秒オーダーでの光の高速スイッチングを
可能とする先導波路反射形光スイッチ（反射形スイッチ
）は、従来、主に誘電体で作製されてきた。従来の反射
形スイッチの一例を第１図を用いて説明する。第１図は
、リッジ形光導波路を用いた反射形光スイッチの斜視図
を示すものである。
小形化、高信頼化に対する研究開発が盛んに行なわれて
いる。マイクロ秒オーダーでの光の高速スイッチングを
可能とする先導波路反射形光スイッチ（反射形スイッチ
）は、従来、主に誘電体で作製されてきた。従来の反射
形スイッチの一例を第１図を用いて説明する。第１図は
、リッジ形光導波路を用いた反射形光スイッチの斜視図
を示すものである。
光スイツチ基板となるＺカットリチウムナイオベイト（
ＬｉＮｂ０３）基板１上にチタン（Ｔｉ）を一様な厚さ
に蒸着し、熱拡散させて、平面光導波層を形成する。そ
の後、基板の中央でクロスする幅１０μｍのリブ形先導
波路２をエツチングによって作製し、光導波路の交差部
に、電極３および４を形成する。ここで、ψは、２つの
光導波路の交差角であり、θは光導波路２と電極４との
なす角である。
ＬｉＮｂ０３）基板１上にチタン（Ｔｉ）を一様な厚さ
に蒸着し、熱拡散させて、平面光導波層を形成する。そ
の後、基板の中央でクロスする幅１０μｍのリブ形先導
波路２をエツチングによって作製し、光導波路の交差部
に、電極３および４を形成する。ここで、ψは、２つの
光導波路の交差角であり、θは光導波路２と電極４との
なす角である。
いま、電極４に印加する電圧Ｖを変化させると、（２）
電極４の下部で交差する光導波路の実効屈折率が変わり
、ここへ入射する光を透過または反射させて光のスイッ
チング作用をもたせることができる。
、ここへ入射する光を透過または反射させて光のスイッ
チング作用をもたせることができる。
ここで、光導波路２に入射した光５が、光導波路の交差
部で全反射して出射光６となるための臨界角は で与えられる。ここで、ｎ、’Ｒ，，”Ｊ、ｄはそれぞ
れ、光導波路の屈折率、電気光学定数、電極３と４の間
に印加する電圧、および電極３と４の間隔である。ｎ、
Ｒ，ｄは正の定数であるから、電圧Ｖの極性、大きさを
変えることにより、全反射の臨界角θ。を大きくしたり
、小さくしたりすることができる。たとえば、光導波路
に入射する光の波長として、１．３ μｍを用いた場合
、光導波路交差部での全反射または、透過による効率良
い光のスイッチングが可能な電圧として４０〜５０Ｖ、
またその時の光導波路の交差角ψは約１度となる。
部で全反射して出射光６となるための臨界角は で与えられる。ここで、ｎ、’Ｒ，，”Ｊ、ｄはそれぞ
れ、光導波路の屈折率、電気光学定数、電極３と４の間
に印加する電圧、および電極３と４の間隔である。ｎ、
Ｒ，ｄは正の定数であるから、電圧Ｖの極性、大きさを
変えることにより、全反射の臨界角θ。を大きくしたり
、小さくしたりすることができる。たとえば、光導波路
に入射する光の波長として、１．３ μｍを用いた場合
、光導波路交差部での全反射または、透過による効率良
い光のスイッチングが可能な電圧として４０〜５０Ｖ、
またその時の光導波路の交差角ψは約１度となる。
従って、いま、光導波路の端面に、直径１２５（３）
μｍの単一モード光ファイバを結合する場合、素子長と
しては１．５ｍｎ以上も必要となり、これは、先導波路
の交差部が長さ１ｍ程度であることに比較して桁違いに
長い。光導波路の交差角ψが小さいことは、光導波路２
から光導波路８へ透過する光のうち、光導波路９へ漏れ
込む割合いが大きくなる。すなわち漏話が大となる欠点
を有する。
しては１．５ｍｎ以上も必要となり、これは、先導波路
の交差部が長さ１ｍ程度であることに比較して桁違いに
長い。光導波路の交差角ψが小さいことは、光導波路２
から光導波路８へ透過する光のうち、光導波路９へ漏れ
込む割合いが大きくなる。すなわち漏話が大となる欠点
を有する。
逆に交差角ψを大きくすれば漏話は小さくできるが、全
反射をおこさせる電圧■が大となり、絶縁破壊の確率が
高まるという欠点がある。
反射をおこさせる電圧■が大となり、絶縁破壊の確率が
高まるという欠点がある。
本発明は上述の欠点を解決するためになされたものであ
り、漏話が小さく、かつ、低電圧で光のスイッチングが
でき、素子長も短い全反射形の光スィッチを提供するこ
とにある。
り、漏話が小さく、かつ、低電圧で光のスイッチングが
でき、素子長も短い全反射形の光スィッチを提供するこ
とにある。
上記目的を達成するための本発明の構成は、光導波路交
差部における光路切替方法として、半導体レーザのＰ−
Ｎ接合面に流す順バイアス電流を変えて、活化層である
光導波路中の少数キャリヤ（４） 数を制御し、屈折率を変化させることにある。これを第
２図および第３図を用いて詳細に説明する。
差部における光路切替方法として、半導体レーザのＰ−
Ｎ接合面に流す順バイアス電流を変えて、活化層である
光導波路中の少数キャリヤ（４） 数を制御し、屈折率を変化させることにある。これを第
２図および第３図を用いて詳細に説明する。
第２図はＰ−Ｎ接合面レーザの断面構造を模式的に描い
たものである。ｎ形Ｇ３Ａ３基板１５に、ｎ形Ｇａ＋−
ｘ ＡＱｘ Ａｌｌ １３ 、ノンドープＧａＡｇの活
化層１０、ｐ形Ｇａ Ｉ−ｙ＾ＱｙＡｓｌｌ、ｐ形Ｇａ
Ａｓのキャップ層１２をＭｆｌＣＶＤ法により順次エピ
タキシャル成長させ、さらにオーミックコンタクト用Ａ
ｕＧｅＮｉ電極１６および１７を基板１５の両側に蒸着
し、基板の」二部をストライプ状にエツチングし、次に
、Ｌ Ｐ Ｅ法により、ｐ形Ｇａｐ−２Ａ Ｑ Ｚ Ａ
ｓでストライプ状の部分を埋め込んだものである。ここ
でＡＱの組成ＸｒＶおよび２はそれぞれＸ ２ ｙ ｚ
Ｏ，３、ｚｚｏ、、４ の程度である。
たものである。ｎ形Ｇ３Ａ３基板１５に、ｎ形Ｇａ＋−
ｘ ＡＱｘ Ａｌｌ １３ 、ノンドープＧａＡｇの活
化層１０、ｐ形Ｇａ Ｉ−ｙ＾ＱｙＡｓｌｌ、ｐ形Ｇａ
Ａｓのキャップ層１２をＭｆｌＣＶＤ法により順次エピ
タキシャル成長させ、さらにオーミックコンタクト用Ａ
ｕＧｅＮｉ電極１６および１７を基板１５の両側に蒸着
し、基板の」二部をストライプ状にエツチングし、次に
、Ｌ Ｐ Ｅ法により、ｐ形Ｇａｐ−２Ａ Ｑ Ｚ Ａ
ｓでストライプ状の部分を埋め込んだものである。ここ
でＡＱの組成ＸｒＶおよび２はそれぞれＸ ２ ｙ ｚ
Ｏ，３、ｚｚｏ、、４ の程度である。
いま、活化層に電流を注入すること、活化層の屈折率は
第３図に示すように、レーザの発振スペクトルに対応す
る光のエネルギ付近で大きな分散をもつ。第３図で横軸
上のｈｔＩＬはレーザの発振波長に対応する光のエネル
ギで、ｈはブランク定数、υ、−は発振周波数を表わす
。図中の■はレー（５） ザへの注入電流であり、注入電流値の下に示したかっこ
内の数値は、活化層に注入された小数キャリヤの密度を
示す。今、第２図の活化層１０を含む面内で活化層１０
に横方向からレーザの発振波長に等して光を入射させた
とき、レーザへの注入電流が小さい時には、第３図に示
すように屈折率の変化は０であるから光は活化層を透過
する。しかし、注入電流を増加すると屈折率は減少する
ので、次式で示される臨界角Φより大きい入射角をもつ
光は活化層１０の側面で全反射される。全反射の臨界角
Φはスネルの法則により、 Ｏ＝ ａ ｒ ｃ ｇｉｎ （２２） ・・・（２） １ で与えられる。ここで、ｎｌは活化層１０の外側の光導
波層（先導波路）の屈折率、ｎは活化層１０の屈折率＋
Ｊｎは電流注入によるｎの変化分である。
第３図に示すように、レーザの発振スペクトルに対応す
る光のエネルギ付近で大きな分散をもつ。第３図で横軸
上のｈｔＩＬはレーザの発振波長に対応する光のエネル
ギで、ｈはブランク定数、υ、−は発振周波数を表わす
。図中の■はレー（５） ザへの注入電流であり、注入電流値の下に示したかっこ
内の数値は、活化層に注入された小数キャリヤの密度を
示す。今、第２図の活化層１０を含む面内で活化層１０
に横方向からレーザの発振波長に等して光を入射させた
とき、レーザへの注入電流が小さい時には、第３図に示
すように屈折率の変化は０であるから光は活化層を透過
する。しかし、注入電流を増加すると屈折率は減少する
ので、次式で示される臨界角Φより大きい入射角をもつ
光は活化層１０の側面で全反射される。全反射の臨界角
Φはスネルの法則により、 Ｏ＝ ａ ｒ ｃ ｇｉｎ （２２） ・・・（２） １ で与えられる。ここで、ｎｌは活化層１０の外側の光導
波層（先導波路）の屈折率、ｎは活化層１０の屈折率＋
Ｊｎは電流注入によるｎの変化分である。
実施例１
第４図（、）に本発明の一実施例としての反射形（６）
光スィッチの平面図、また、ＡＡ’で示される光導波路
交差部付近の断面図を（ｂ）に示す。
交差部付近の断面図を（ｂ）に示す。
光集積回路基板となるｎ” ＧａＡｇ基板１５上に、バ
ッファ一層ｎ Ｇａｏ７ＡＱｏ、３Ａｓｌ ３を有機金
属の熱分解法（ＭＯＣ−ＶＤ法）を用いてエピタキシャ
ル成長し、これを第４図（ａ）の１０に示すようなスト
ライプ状にフォトレジストパタンを形成し反応性イオン
ビームエツチング法を用いてエツチングする。フォトレ
ジストを除去後、このストライプ状突起を埋めるように
バッファ一層Ｇａｏ、 ｅ Ａ Ｑ ０．４ Ａｓ １
４を液相エピタキシャル法（ＬＰＥ法）により成長させ
、その」二に更にｎ−ＧａＡｓを成長させる。このｎ−
−ＧａＡｓを第４図（ａ）の１８の形状にエツチングし
、再び■、ＰＥ法により、光導波層となるＧａｏ、 ａ
ＡＱｏ、 ２ Ａｓを成長させ、これをストライプ状
にエツチングして光導波路１９を形成する。この段階で
は、基板上に光導波路１９のストライプと１８の部分が
突起として出ているので、Ｌ Ｐ Ｅ法により突起の周
囲をバッファ一層Ｇａｏ、 ６ ＡＱ ０．４ Ａｓで
埋め、次に、ＭＯＣＶＤ（７） 法により、ｐ −Ｇａｏ、 、 Ａ ｆＡ ｏ、 ３
Ａｓ、 ｐ ”−ＧａＡｓの順にエピタキシャル成長さ
せ、これをｎ−−ＧａＡｓ１８の下側のバッファ一層１
３と形状が一致するようにエツチングして、１１と１２
を形成する。
ッファ一層ｎ Ｇａｏ７ＡＱｏ、３Ａｓｌ ３を有機金
属の熱分解法（ＭＯＣ−ＶＤ法）を用いてエピタキシャ
ル成長し、これを第４図（ａ）の１０に示すようなスト
ライプ状にフォトレジストパタンを形成し反応性イオン
ビームエツチング法を用いてエツチングする。フォトレ
ジストを除去後、このストライプ状突起を埋めるように
バッファ一層Ｇａｏ、 ｅ Ａ Ｑ ０．４ Ａｓ １
４を液相エピタキシャル法（ＬＰＥ法）により成長させ
、その」二に更にｎ−ＧａＡｓを成長させる。このｎ−
−ＧａＡｓを第４図（ａ）の１８の形状にエツチングし
、再び■、ＰＥ法により、光導波層となるＧａｏ、 ａ
ＡＱｏ、 ２ Ａｓを成長させ、これをストライプ状
にエツチングして光導波路１９を形成する。この段階で
は、基板上に光導波路１９のストライプと１８の部分が
突起として出ているので、Ｌ Ｐ Ｅ法により突起の周
囲をバッファ一層Ｇａｏ、 ６ ＡＱ ０．４ Ａｓで
埋め、次に、ＭＯＣＶＤ（７） 法により、ｐ −Ｇａｏ、 、 Ａ ｆＡ ｏ、 ３
Ａｓ、 ｐ ”−ＧａＡｓの順にエピタキシャル成長さ
せ、これをｎ−−ＧａＡｓ１８の下側のバッファ一層１
３と形状が一致するようにエツチングして、１１と１２
を形成する。
ここで、ｐ Ｇａｏ７ＡＱｏ、３ Ａｓｌ １とＰ”
ＧａＡｓ１２は（ａ）の１０に示されるようなストライ
プ状の突起となっているので、この突起を埋めるように
、Ｌ Ｐ Ｅ法によりバッファ一層 Ｇａｏ、 ６ ＡＩＡ ０．４ Ａｇ２０を形成する。
ＧａＡｓ１２は（ａ）の１０に示されるようなストライ
プ状の突起となっているので、この突起を埋めるように
、Ｌ Ｐ Ｅ法によりバッファ一層 Ｇａｏ、 ６ ＡＩＡ ０．４ Ａｇ２０を形成する。
最後に、基板上下から、オーミックコンタクト用電極１
６および１７を形成し、基板上側の電極１６にはリード
線２１を溶着する。
６および１７を形成し、基板上側の電極１６にはリード
線２１を溶着する。
いま、（ｂ）の断面図で示されるＰ−Ｎ接合部に、順バ
イアス電流を流した場合、ｎ −−ＧａＡｓ １８の一
部はレーザの活化層ｌＯとなる。光導波路１９の幅を５
〜１０μｍ厚さを０．２〜１μｍ、光導波路の交差角ψ
を１２°、活化層１０の幅を１〜３μｍとしたとき、活
化層ｌＯの長さは５０〜１００μｍとなる。
イアス電流を流した場合、ｎ −−ＧａＡｓ １８の一
部はレーザの活化層ｌＯとなる。光導波路１９の幅を５
〜１０μｍ厚さを０．２〜１μｍ、光導波路の交差角ψ
を１２°、活化層１０の幅を１〜３μｍとしたとき、活
化層ｌＯの長さは５０〜１００μｍとなる。
先導波路１９に入射させる光の波長を、活化層（８）
１０のバンドキャップに等しいエネルギに選んだ時、活
化層への注入電流が０の時には、入射光５は、光導波路
１９．１８および活化層１０を透過し、出射光７となっ
た。いま、Ｐ−Ｎ接合へ順バイアス電流を５０ｍＡ（バ
イアス電圧５Ｖ）以上流したとき、入射光５は活化層１
０の側面で全反射され、出射光６となった。バイアス電
流が０の時と５０ｍＡ以上の時における、出射端におけ
る ゛出力光７および６の比、すなわち消光比は一３０
ｄＢであり、極めて漏話の小さいことがわかった。
化層への注入電流が０の時には、入射光５は、光導波路
１９．１８および活化層１０を透過し、出射光７となっ
た。いま、Ｐ−Ｎ接合へ順バイアス電流を５０ｍＡ（バ
イアス電圧５Ｖ）以上流したとき、入射光５は活化層１
０の側面で全反射され、出射光６となった。バイアス電
流が０の時と５０ｍＡ以上の時における、出射端におけ
る ゛出力光７および６の比、すなわち消光比は一３０
ｄＢであり、極めて漏話の小さいことがわかった。
なお、先導波路１９としては導波光の吸収損失を抑える
ために活化層１０よりも、バンドギャップが大きく光導
波路の交差部である。ｎ−−ＧａＡｓ１８との接続部を
導波光が効率良く透過するような材料であればよい。
ために活化層１０よりも、バンドギャップが大きく光導
波路の交差部である。ｎ−−ＧａＡｓ１８との接続部を
導波光が効率良く透過するような材料であればよい。
いま、光導波路１９の端部に、外径１２５μｍの単一モ
ード光ファイバの端面を接続する場合、素子の長さとし
ては、約１．３ ｍｎ必要である。これは、従来の全反
射形光スイッチの素子長が１５（９） ■程度であったことに比較して１桁以上短い。また、導
波光の伝送損失は、光導波路交差部を構成するｎ−−Ｇ
ａＡｓの吸収端における吸収損失で決まっており、本実
施例では約１〜３ｄＢの吸収損失があった。
ード光ファイバの端面を接続する場合、素子の長さとし
ては、約１．３ ｍｎ必要である。これは、従来の全反
射形光スイッチの素子長が１５（９） ■程度であったことに比較して１桁以上短い。また、導
波光の伝送損失は、光導波路交差部を構成するｎ−−Ｇ
ａＡｓの吸収端における吸収損失で決まっており、本実
施例では約１〜３ｄＢの吸収損失があった。
実施例２
実施例１と同じ構成の光スィッチにおいて、光導波路１
８の部分にわん曲をもたせた。これにより、光路切り換
え部において全反射する光の導波損失を１〜３ｄＢ程度
低減できた。
８の部分にわん曲をもたせた。これにより、光路切り換
え部において全反射する光の導波損失を１〜３ｄＢ程度
低減できた。
以上の実施例で説明したように、本発明によれば、漏話
が小さく、かつ低電圧で光のスイッチングができ、素子
長も短くできるので、一つの基板から多量の素子を製造
できるので、経済的な効果も大きい。
が小さく、かつ低電圧で光のスイッチングができ、素子
長も短くできるので、一つの基板から多量の素子を製造
できるので、経済的な効果も大きい。
第１図は、従来の反射形光スイッチの斜視図、第２図は
、半導体レーザの断面を示す概略図、第３図は、半導体
レーザの発振波長付近における屈（１０） 折率の実数部の変化分を、順バイアス電流を変えてめた
図、第４図（、）は、本発明の一実施例としての光スィ
ッチの平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図、第
５図は本発明の他の一実施例としての光スィッチの平面
図である。 １・・・基板、２・・・光導波路、３・・・電源、４・
・・電極、５・・・入射光、６・・・出射光、７・・・
出射光、８・・・光導波路、９・・・光導波路、１０・
・・活生層、１１・・・バッファ一層、１２・・・キャ
ップ層、１３・・・バッファ一層、１４・・・バッファ
一層、１５・・・基板、１６・・・電極、１７・・・電
極、１８・・・光導波路、１９・・・光導波路、２０・
・・バッファ一層、２１・・・リード線。 （１１） 第 ３ 口 ｈ−１，／Ｌ ｉ のコロニメ；ｔｂｑ− 第 ４ 目 （ｂ） 第 ５ 国 １７３
、半導体レーザの断面を示す概略図、第３図は、半導体
レーザの発振波長付近における屈（１０） 折率の実数部の変化分を、順バイアス電流を変えてめた
図、第４図（、）は、本発明の一実施例としての光スィ
ッチの平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図、第
５図は本発明の他の一実施例としての光スィッチの平面
図である。 １・・・基板、２・・・光導波路、３・・・電源、４・
・・電極、５・・・入射光、６・・・出射光、７・・・
出射光、８・・・光導波路、９・・・光導波路、１０・
・・活生層、１１・・・バッファ一層、１２・・・キャ
ップ層、１３・・・バッファ一層、１４・・・バッファ
一層、１５・・・基板、１６・・・電極、１７・・・電
極、１８・・・光導波路、１９・・・光導波路、２０・
・・バッファ一層、２１・・・リード線。 （１１） 第 ３ 口 ｈ−１，／Ｌ ｉ のコロニメ；ｔｂｑ− 第 ４ 目 （ｂ） 第 ５ 国 １７３
Claims (1)
- １、光信号を切り替えるスイッチにおいて、光導波路と
してバンドギャップエネルギが信号光波長に対応するエ
ネルギより大きい半導体媒質を用して作製し、人、出力
光導波路のクロスポイント（交差部）に相当する部分で
、この光導波路と結合するように、信号光波長に対応す
るバンドギャップエネルギを持った半導体媒質で導波構
造を構成したＰ−Ｎ接合素子を配置し、切り替えるクロ
スポイントの半導体Ｐ−Ｎ接合素子への注入電流をオン
、オフすることによって、そのクロスポイントのスイッ
チング動作をさせることを特徴とする光スィッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9644284A JPS60241028A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | 光スイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9644284A JPS60241028A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | 光スイツチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60241028A true JPS60241028A (ja) | 1985-11-29 |
Family
ID=14165129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9644284A Pending JPS60241028A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | 光スイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60241028A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6374039A (ja) * | 1986-09-18 | 1988-04-04 | Nec Corp | 光スイツチ |
| EP0276115A2 (en) * | 1987-01-19 | 1988-07-27 | Kokusai Denshin Denwa Kabushiki Kaisha | Optical switch |
| JPH02184825A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-07-19 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 光電スイッチ素子を有する集積半導体装置 |
| CN112310805A (zh) * | 2019-08-02 | 2021-02-02 | 苏州旭创科技有限公司 | 一种窄线宽外腔激光器及光模块 |
| CN112397993A (zh) * | 2019-08-02 | 2021-02-23 | 苏州旭创科技有限公司 | 一种窄线宽外腔激光器及光模块 |
-
1984
- 1984-05-16 JP JP9644284A patent/JPS60241028A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6374039A (ja) * | 1986-09-18 | 1988-04-04 | Nec Corp | 光スイツチ |
| EP0276115A2 (en) * | 1987-01-19 | 1988-07-27 | Kokusai Denshin Denwa Kabushiki Kaisha | Optical switch |
| JPH02184825A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-07-19 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 光電スイッチ素子を有する集積半導体装置 |
| CN112310805A (zh) * | 2019-08-02 | 2021-02-02 | 苏州旭创科技有限公司 | 一种窄线宽外腔激光器及光模块 |
| CN112397993A (zh) * | 2019-08-02 | 2021-02-23 | 苏州旭创科技有限公司 | 一种窄线宽外腔激光器及光模块 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4813757A (en) | Optical switch including bypass waveguide | |
| JP2681044B2 (ja) | 光変調器 | |
| CA1244545A (en) | Optical switch | |
| US5367582A (en) | Vertically-coupled arrow modulators or switches on silicon | |
| RU2274882C2 (ru) | Усовершенствованное устройство интегральной оптики | |
| US20020146196A1 (en) | Optical switch having photonic crystal structure | |
| US4746183A (en) | Electrically controlled integrated optical switch | |
| JPH0398016A (ja) | 光集積装置およびその製造方法 | |
| US4832430A (en) | Optical switch | |
| Zhao et al. | Silicon-on-insulator asymmetric optical switch based on total internal reflection | |
| US4784451A (en) | Waveguide optical switches | |
| JPS60241028A (ja) | 光スイツチ | |
| US5991475A (en) | Tightly curved digital optical switches | |
| US4833510A (en) | Semiconductor laser array with independently usable laser light emission regions formed in a single active layer | |
| JP2662059B2 (ja) | 光電スイッチ素子を有する集積半導体装置 | |
| KR950009631B1 (ko) | 내부전반사형 반도체 광 스위치소자 | |
| JPH07146413A (ja) | 半導体光導波路およびその製造方法並びに光導波路型素子 | |
| JPH0449273B2 (ja) | ||
| JPS61148427A (ja) | 導波形光変調器 | |
| JPS60173519A (ja) | 半導体光スイツチ | |
| KR100284760B1 (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 | |
| JPH06148699A (ja) | 光閉じ込め変調型半導体光スイッチ装置とその製造方法 | |
| JPS60241029A (ja) | 光集積回路 | |
| JPH09105959A (ja) | 光スイッチ | |
| JPH023024A (ja) | 半導体光スイッチ |