JPH03194970A - Ｃｃｄ撮像素子 - Google Patents
Ｃｃｄ撮像素子Info
- Publication number
- JPH03194970A JPH03194970A JP1333891A JP33389189A JPH03194970A JP H03194970 A JPH03194970 A JP H03194970A JP 1333891 A JP1333891 A JP 1333891A JP 33389189 A JP33389189 A JP 33389189A JP H03194970 A JPH03194970 A JP H03194970A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- electrode pad
- output part
- intermediate film
- ccd image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004040 coloring Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 42
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 16
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 3
- 239000005018 casein Substances 0.000 description 3
- BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N casein, tech. Chemical compound NCCCCC(C(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CC(C)C)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(C(C)O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(COP(O)(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(N)CC1=CC=CC=C1 BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000021240 caseins Nutrition 0.000 description 3
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 3
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 3
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 3
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- AJDUTMFFZHIJEM-UHFFFAOYSA-N n-(9,10-dioxoanthracen-1-yl)-4-[4-[[4-[4-[(9,10-dioxoanthracen-1-yl)carbamoyl]phenyl]phenyl]diazenyl]phenyl]benzamide Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2NC(=O)C(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1N=NC(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1C(=O)NC1=CC=CC2=C1C(=O)C1=CC=CC=C1C2=O AJDUTMFFZHIJEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001043 yellow dye Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229920002189 poly(glycerol 1-O-monomethacrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002454 poly(glycidyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、電極パッド部、出力部、及び受光部を有する
半導体基板上にカラーフィルタを設けたＣＯＤ （電荷
結合素子）撮像素子に関する。
半導体基板上にカラーフィルタを設けたＣＯＤ （電荷
結合素子）撮像素子に関する。
［従来の技術］
第２図（Ａ）〜（Ｅ）は、従来のＣＣＤ撮像素子の製造
工程を示す工程図である。
工程を示す工程図である。
同図において、ａはＣＣＤ撮像素子の本体となる電極パ
ッド部ｂ１出力部ｃ１受光部ｄを有する半導体基板であ
る。
ッド部ｂ１出力部ｃ１受光部ｄを有する半導体基板であ
る。
また、１１は半導体基板ａ上に形成された透明アクリル
系樹脂の平坦化膜、１２はこの平坦化膜１１上に形成さ
れたマゼンタ用の染色層、１３はこの染色層１２を包む
ように半導体基板ａ上に形成された中間膜、１４はこの
中間膜１３上に形成されたイエロー用の染色層、１５は
この染色層１４を包むように中間膜１３上に形成された
中間膜である。
系樹脂の平坦化膜、１２はこの平坦化膜１１上に形成さ
れたマゼンタ用の染色層、１３はこの染色層１２を包む
ように半導体基板ａ上に形成された中間膜、１４はこの
中間膜１３上に形成されたイエロー用の染色層、１５は
この染色層１４を包むように中間膜１３上に形成された
中間膜である。
さらに、１６はこの中間膜１５上に形成されたシアン用
の染色層、１７はこの染色層１６を包むように中間膜１
５上に塗布された保護膜、１８はこの保護膜１７上ｌこ
塗布されたレジスト、１９はレジ゛スト除去部、２０は
切欠、２３はＣＣＤ撮像素子全体である。
の染色層、１７はこの染色層１６を包むように中間膜１
５上に塗布された保護膜、１８はこの保護膜１７上ｌこ
塗布されたレジスト、１９はレジ゛スト除去部、２０は
切欠、２３はＣＣＤ撮像素子全体である。
このような従来のＣＣＤ撮像素子２３の製造工程では、
まず、第２図（Ａ）に示すような半導体基板ａ上に平坦
化膜１１を第２図（Ｂ）に示すように形成し、この平坦
化膜１１上に染色層１２を前面に形成する。
まず、第２図（Ａ）に示すような半導体基板ａ上に平坦
化膜１１を第２図（Ｂ）に示すように形成し、この平坦
化膜１１上に染色層１２を前面に形成する。
次に、この染色層１２のうち受光部ｄの対応部位におい
てのみ、第２図（Ｃ）に示すように、その染色層１２を
残すように露光、現像を行った後、マゼンタ染料で染色
を行う。
てのみ、第２図（Ｃ）に示すように、その染色層１２を
残すように露光、現像を行った後、マゼンタ染料で染色
を行う。
次に、イエロー、シアンなどの染色工程でマゼンタの染
色層１２が染色されるのを防ぐために、中間膜１３を、
第２図（Ｄ）に示すように形成する。
色層１２が染色されるのを防ぐために、中間膜１３を、
第２図（Ｄ）に示すように形成する。
次いで、この中間膜１３上に染色層１４を塗布し、所定
部位においてのみその染色層１４を残すように露光、現
像を行った後、イエロー染料で染色を行つ０ さらに、この染色層１４を包むように中間膜１３上に他
の中間膜１５を形成し、これの上に染色層１６を塗布し
、さらに所定部位においてのみその染色層１６を残すよ
うに露光、現像を行い、この残った染色層１６をシアン
染料で染色する。
部位においてのみその染色層１４を残すように露光、現
像を行った後、イエロー染料で染色を行つ０ さらに、この染色層１４を包むように中間膜１３上に他
の中間膜１５を形成し、これの上に染色層１６を塗布し
、さらに所定部位においてのみその染色層１６を残すよ
うに露光、現像を行い、この残った染色層１６をシアン
染料で染色する。
続いて、この上に保護膜１７を塗布し、さらにこれの上
にレジスト１８を塗布する。次に、このレジスト１８の
うち電極パッド部すに対応する部位のみを露光、現像し
て取り除き、第２図（Ｅ）に示すようにレジスト除去部
１９とする。
にレジスト１８を塗布する。次に、このレジスト１８の
うち電極パッド部すに対応する部位のみを露光、現像し
て取り除き、第２図（Ｅ）に示すようにレジスト除去部
１９とする。
続いて、このレジスト除去部１９に対応する部位の平坦
化膜１１、中間膜１３、中間膜１５、及び保護膜１７を
エツチングにより除去し、切欠２０を形成する。
化膜１１、中間膜１３、中間膜１５、及び保護膜１７を
エツチングにより除去し、切欠２０を形成する。
このとき、出力部ｃ１受光部ｄの上部の平坦化膜Ｉｋ中
間膜１３、中間膜１５、及び保護膜１７はレジスト１８
で保護されている。
間膜１３、中間膜１５、及び保護膜１７はレジスト１８
で保護されている。
こうして、電極パッド膜上に上述のエツチングが終了し
た後に残るレジスト１８の全体に露光を行い、これを現
像液で除去し、所期のＣＣＤ撮像素子２３を得ることに
なる。
た後に残るレジスト１８の全体に露光を行い、これを現
像液で除去し、所期のＣＣＤ撮像素子２３を得ることに
なる。
［発明が解決しようとする課題］
従来のＣＣＤ撮像素子は以上のように構成されでいるの
で、出力部Ｃ上部のアクリル系樹脂からなる平坦化膜１
１、中間膜１３、中間膜１５、及び保護膜１７が高誘電
率を呈し、このため、出力部Ｃにあるトランジスタの検
出容量が大きくなり、電荷電圧変換率の低下による出力
特性の劣化を招くという問題があった。
で、出力部Ｃ上部のアクリル系樹脂からなる平坦化膜１
１、中間膜１３、中間膜１５、及び保護膜１７が高誘電
率を呈し、このため、出力部Ｃにあるトランジスタの検
出容量が大きくなり、電荷電圧変換率の低下による出力
特性の劣化を招くという問題があった。
本発明はこのような従来の問題を解消するためになされ
たものであり、出力部領域の高誘電率なアクリル系樹脂
を排除し、これによりトランジスタの検出容量を抑えて
、十分な電荷電圧変換率を得ることができるＣＣＤ撮像
素子を提供することを目的とする。
たものであり、出力部領域の高誘電率なアクリル系樹脂
を排除し、これによりトランジスタの検出容量を抑えて
、十分な電荷電圧変換率を得ることができるＣＣＤ撮像
素子を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上述の目的は本発明によれば、電極パッド部、出力部、
及び受光部を有する半導体基板上に、各色の染色層を順
次介装した平坦化膜、中間膜、及び保護膜を含むカラー
フィルタを設けたＣＣＤ撮像素子であって、前記電極パ
ッド部及び出力部に対応する領域の前記平坦化膜、中間
膜、及び保護膜に、該電極パッド部及び出力部を露出す
る切欠が設けられているＣＣＤ撮像素子によって達成さ
れる。
及び受光部を有する半導体基板上に、各色の染色層を順
次介装した平坦化膜、中間膜、及び保護膜を含むカラー
フィルタを設けたＣＣＤ撮像素子であって、前記電極パ
ッド部及び出力部に対応する領域の前記平坦化膜、中間
膜、及び保護膜に、該電極パッド部及び出力部を露出す
る切欠が設けられているＣＣＤ撮像素子によって達成さ
れる。
［作用］
出力部の領域では、各色の染色層を介装する平坦化膜、
中間膜、及び保護膜がプラズマエツチングなどにより除
去されて切欠となっており、この切欠に半導体基板に一
体の前記出力部が露出することにより、前記領域での誘
電率を大きく低下させ、この出力部にあるトランジスタ
の検出容量の低減及び電荷電圧変換率を高めるように機
能する。
中間膜、及び保護膜がプラズマエツチングなどにより除
去されて切欠となっており、この切欠に半導体基板に一
体の前記出力部が露出することにより、前記領域での誘
電率を大きく低下させ、この出力部にあるトランジスタ
の検出容量の低減及び電荷電圧変換率を高めるように機
能する。
［実施例コ
以下に、本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例によるＣＣＤ撮像素子の製造
工程を示す工程図である。
工程を示す工程図である。
同図において、ａはＣＣＤ撮像素子の本体となる電極パ
ッド部ｂ１出力部Ｃ１受光部ｄを有する半導体基板であ
る。
ッド部ｂ１出力部Ｃ１受光部ｄを有する半導体基板であ
る。
また、１１は半導体基板ａ上に形成されたＰＧＭＡ（ポ
リグリシジルメタアクリレート）等による透明アクリル
系樹脂の平坦化膜、１２はこの平坦化膜上に形成された
マゼンタ用の染色層、１３はこの染色層Ｉ２を包むよう
に半導体基板ａ上に形成された中間膜、１４はこの中間
膜１３上に形成されたイエロー用の染色層、１５はこの
染色層１４を包むように中間膜１３上に形成された中間
膜である。
リグリシジルメタアクリレート）等による透明アクリル
系樹脂の平坦化膜、１２はこの平坦化膜上に形成された
マゼンタ用の染色層、１３はこの染色層Ｉ２を包むよう
に半導体基板ａ上に形成された中間膜、１４はこの中間
膜１３上に形成されたイエロー用の染色層、１５はこの
染色層１４を包むように中間膜１３上に形成された中間
膜である。
１６はこの中間膜１５上に形成されたシアン用の染色層
、１７はこの染色層１６を包むように中間膜１５上に塗
布された保護膜、１８はこの保護膜１７上に塗布された
ポジ系のレジスト、１９．２１はレジスト除去部、２０
．２２はエツチングによる切欠、２４はＣＣＤ撮像素子
である。
、１７はこの染色層１６を包むように中間膜１５上に塗
布された保護膜、１８はこの保護膜１７上に塗布された
ポジ系のレジスト、１９．２１はレジスト除去部、２０
．２２はエツチングによる切欠、２４はＣＣＤ撮像素子
である。
このようなＣＣＤ撮像素子２４の製造工程では、まず、
第１図（Ａ）に示すような半導体基板ａ上に平坦化膜１
１を第１図（Ｂ）に示すように形成し、この平坦化膜１
１上にゼラチン、カゼイン等からなる染色層１２を全面
に形成する。
第１図（Ａ）に示すような半導体基板ａ上に平坦化膜１
１を第１図（Ｂ）に示すように形成し、この平坦化膜１
１上にゼラチン、カゼイン等からなる染色層１２を全面
に形成する。
次に、この染色層１２のうち受光部ｄの対応部位におい
てのみ、第１図（Ｃ）に示すように、その染色層１２を
残すように露光、現像を行った後、マゼンタ染料で染色
を行う。
てのみ、第１図（Ｃ）に示すように、その染色層１２を
残すように露光、現像を行った後、マゼンタ染料で染色
を行う。
次に、イエロー、シアンなどの染色工程でマゼンタの染
色層１２が染色されるのを防ぐために、平坦化膜１１と
同一材料で濃度が異なる中間膜１３を第１図（Ｄ）に示
すように形成する。
色層１２が染色されるのを防ぐために、平坦化膜１１と
同一材料で濃度が異なる中間膜１３を第１図（Ｄ）に示
すように形成する。
次いで、この中間膜１３上にゼラチン、カゼイン等から
なる染色層１４を塗布し、所定部位においてのみ、その
染色層１４を残すように露光、現像を行った後、イエロ
ー染料で染色を行う。
なる染色層１４を塗布し、所定部位においてのみ、その
染色層１４を残すように露光、現像を行った後、イエロ
ー染料で染色を行う。
さらに、この染色層１４を包むように中間膜１３上に他
の中間膜１５を形成し、これの上にゼラチン、カゼイン
等からなる染色層１６を塗布し、さらに所定部位におい
てのみその染色層１６を残すように露光、現像を行い、
この残った染色層１６をシアン染料で染色する。
の中間膜１５を形成し、これの上にゼラチン、カゼイン
等からなる染色層１６を塗布し、さらに所定部位におい
てのみその染色層１６を残すように露光、現像を行い、
この残った染色層１６をシアン染料で染色する。
続いて、この上に保護膜１７を塗布し、さらにこれの上
に剥離容易なポジ系のレジスト１８を塗布する。
に剥離容易なポジ系のレジスト１８を塗布する。
次に、このレジスト１８のうち電極パッド部す及び出力
部Ｃに対応する部位のみを露光、現像して取り除き、第
１図（Ｅ）に示すようにそれぞれレジスト除去部１９．
２１とする。
部Ｃに対応する部位のみを露光、現像して取り除き、第
１図（Ｅ）に示すようにそれぞれレジスト除去部１９．
２１とする。
続いて、これらのレジスト除去部１９．２１に対応する
部位の平坦化膜１１、中間膜１３、中間膜１５、及び保
護膜１７を酸素ガス等のプラズマエツチングにより除去
し、切欠２０．２２を形成する。このとき、受光部ｄの
上部の平坦化膜１．Ｌ中間膜１３、中間膜１５、及び保
護膜１７はレジスト１８で保護されている。
部位の平坦化膜１１、中間膜１３、中間膜１５、及び保
護膜１７を酸素ガス等のプラズマエツチングにより除去
し、切欠２０．２２を形成する。このとき、受光部ｄの
上部の平坦化膜１．Ｌ中間膜１３、中間膜１５、及び保
護膜１７はレジスト１８で保護されている。
こうして、電極パッド部す及び出力部Ｃ上の上記エツチ
ングが終了した後、残るレジスト１８の全体露光を行い
、これを現像液で除去し、所期のＣＣＤ撮像素子２４を
得ることになる。
ングが終了した後、残るレジスト１８の全体露光を行い
、これを現像液で除去し、所期のＣＣＤ撮像素子２４を
得ることになる。
そして、このようにして得られＣＣＤ撮像素子２４では
、切欠２２があることによる誘電率の低減（こよって、
出力部Ｃにおけるトランジスタの検出容量を小さくし、
ＣＯＤ特性である電荷電圧変換率を十分に高めることが
できる。
、切欠２２があることによる誘電率の低減（こよって、
出力部Ｃにおけるトランジスタの検出容量を小さくし、
ＣＯＤ特性である電荷電圧変換率を十分に高めることが
できる。
なお、前記のプラズマエツチングの際に、）くターンの
オーバエツチング分も考慮して、前記レジスト除去部１
９．２１の大きさを選定する必要があることはいうまで
もない。
オーバエツチング分も考慮して、前記レジスト除去部１
９．２１の大きさを選定する必要があることはいうまで
もない。
また、プラズマエツチングではスクライプライン上の中
間層なども同時に除去される。
間層なども同時に除去される。
さらに、上述の実施例ではそれぞれの色の染色層１２．
１４．１６ごとに中間層１３．１５を積層して１．１＜
プロセスについて説明したが、例えば染色層を染色する
ごとに固着処理を施し、同一層上に複数の色の染色層を
形成してもよく、前記実施例と同様の効果が得られる。
１４．１６ごとに中間層１３．１５を積層して１．１＜
プロセスについて説明したが、例えば染色層を染色する
ごとに固着処理を施し、同一層上に複数の色の染色層を
形成してもよく、前記実施例と同様の効果が得られる。
［発明の効果コ
以上詳説したように、本発明によれば電極パッド部及び
出力部に対応する領域の平坦化膜、中間膜、及び保護膜
に、その電極パッド部及び出力部を露光する切欠をエツ
チングによって設けるようにしたので、従来と同様の製
造工程で所期のＣＣＤ撮像素子を形成できるとともに、
出力部における誘電率を低減できる。この結果、その出
力部におけるトランジスタの検出容量を抑えることがで
き、十分な電荷電圧変換率が得られるという効果がある
。
出力部に対応する領域の平坦化膜、中間膜、及び保護膜
に、その電極パッド部及び出力部を露光する切欠をエツ
チングによって設けるようにしたので、従来と同様の製
造工程で所期のＣＣＤ撮像素子を形成できるとともに、
出力部における誘電率を低減できる。この結果、その出
力部におけるトランジスタの検出容量を抑えることがで
き、十分な電荷電圧変換率が得られるという効果がある
。
第１図は本発明の一実施例によるＣＣＤ撮像素子を製造
工程順に示す断面図、第２図は従来のＣＣＤ撮像素子を
製造工程順に示す断面図である。 ａ・・・・・・半導体基板、ｂ・・・・・・電極パッド
部、Ｃ・・・・・・出力部、ｄ・・・・・・受光部、１
１・・・・・・平坦化膜、１２．１４．１６・・・染色
層、１３．１５・・・中間膜、１７・・・保護膜、２０
．２２・・・切欠、２４・・・ＣＣＤ撮像素子。
工程順に示す断面図、第２図は従来のＣＣＤ撮像素子を
製造工程順に示す断面図である。 ａ・・・・・・半導体基板、ｂ・・・・・・電極パッド
部、Ｃ・・・・・・出力部、ｄ・・・・・・受光部、１
１・・・・・・平坦化膜、１２．１４．１６・・・染色
層、１３．１５・・・中間膜、１７・・・保護膜、２０
．２２・・・切欠、２４・・・ＣＣＤ撮像素子。
Claims (1)
- 電極パッド部、出力部、及び受光部を有する半導体基板
上に、各色の染色層を順次介装した平坦化膜、中間膜、
及び保護膜を含むカラーフィルタを設けたＣＣＤ撮像素
子であって、前記電極パッド部及び出力部に対応する領
域の前記平坦化膜、中間膜、及び保護膜に、該電極パッ
ド部及び出力部を露出する切欠が設けられていることを
特徴とするＣＣＤ撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1333891A JPH03194970A (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | Ｃｃｄ撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1333891A JPH03194970A (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | Ｃｃｄ撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03194970A true JPH03194970A (ja) | 1991-08-26 |
Family
ID=18271110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1333891A Pending JPH03194970A (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | Ｃｃｄ撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03194970A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5444277A (en) * | 1991-07-15 | 1995-08-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid imaging pick-up element |
| KR980012590A (ko) * | 1996-07-31 | 1998-04-30 | 문정환 | 고체촬상소자의 구조 및 제조방법 |
| KR20020008527A (ko) * | 2000-07-21 | 2002-01-31 | 박종섭 | 유전체 필터의 제조방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH022675A (ja) * | 1988-06-15 | 1990-01-08 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
-
1989
- 1989-12-22 JP JP1333891A patent/JPH03194970A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH022675A (ja) * | 1988-06-15 | 1990-01-08 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5444277A (en) * | 1991-07-15 | 1995-08-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid imaging pick-up element |
| KR980012590A (ko) * | 1996-07-31 | 1998-04-30 | 문정환 | 고체촬상소자의 구조 및 제조방법 |
| KR20020008527A (ko) * | 2000-07-21 | 2002-01-31 | 박종섭 | 유전체 필터의 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4721999A (en) | Color imaging device having white, cyan and yellow convex lens filter portions | |
| JPH03194970A (ja) | Ｃｃｄ撮像素子 | |
| JP2678074B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JPS63161667A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0997887A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JPH0250441B2 (ja) | ||
| US20060131710A1 (en) | Advanced cavity structure for wafer level chip scale package | |
| JP2751376B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH05326902A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP2630407B2 (ja) | 電荷結合素子 | |
| JPH031642B2 (ja) | ||
| JP2663475B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS63163802A (ja) | カラ−固体撮像装置 | |
| JPH04129268A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH07112051B2 (ja) | カラ−固体撮像素子の製造方法 | |
| JPH05347393A (ja) | カラー用固体撮像素子 | |
| JPS5968967A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JPH033362A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS63304675A (ja) | 半導体素子装置 | |
| JPH10209420A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JPS63276002A (ja) | カラ−固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JP2558854B2 (ja) | カラー固体撮像装置 | |
| JPH0685223A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法 | |
| JPH03191302A (ja) | カラー固体撮像素子 | |
| JPS59224169A (ja) | 固体撮像素子 |