KR980012590A - 고체촬상소자의 구조 및 제조방법 - Google Patents
고체촬상소자의 구조 및 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR980012590A KR980012590A KR1019960031675A KR19960031675A KR980012590A KR 980012590 A KR980012590 A KR 980012590A KR 1019960031675 A KR1019960031675 A KR 1019960031675A KR 19960031675 A KR19960031675 A KR 19960031675A KR 980012590 A KR980012590 A KR 980012590A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- dye
- forming
- flat
- solid
- Prior art date
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
본 발명은 고체촬상소자에 관한 것으로 특히, 칼라 필터층을 형성함에 있어서 각 염색층의 단차를 줄이도록한 고체촬상소자의 구조 및 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 고체촬상소자의 구조는 기판상에 복수개의 포토다이오드 영역과 복수개의 수직 전하 전송 영역 및 제 1 평탄층을 구비한 흑백 고체촬상소자와 상기 기판의 일측에 형성되는 패드와 상기 제 1 평탄층상에 일정한 간격을 갖고 형성되는 제 1, 제 2 염색층과 상기 제 1, 제 2 염색층을 포함한 전면에 형성되는 중간층과 상기 중간층상에 상기 제 2 염색층과 대향하도록 형성되는 제 3 염색층과 상기 제 3 염색층을 포함한 전면에 형성되는 제 2 평탄층과 상기 제 2 평탄층상에 포토다이오드 영역과 대응하게 형성되는 복수개의 마이크로 렌즈를 포함하여 형성됨을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 고체촬상소자에 관한 것으로 특히, 칼라 필터층을 형성함에 있어서 각 염색층의 단차를 줄이도록한 고체촬상소자의 구조 및 제조방법에 관한 것이다.
도 1은 일반적인 고체촬상소자의 레이아웃도이다.
고체촬상소자(Solid State Image Sensing Device)는 광학적인 화상을 전기적인 신호로 변환하는 장치로써, 현재 CCD(Charge Coupled Device)를 이용한 것이 주종을 이루고 있다.
일반적으로 고체촬상소자는 도 1에 도시된 바와 같이 일정간격을 갖고 매트릭스(Matrix) 형태로 배열되어 빛의 신호를 전기적인 신호로 변환하여 영상신호 전하를 생성하는 복수개의 포토 다이오드(Photo Diode : PD)영역과 수직방향의 포토 다이오드 영역사이에 각각 형성되어 상기 포토다이오드 영역에서 생성된 영상 신호전하를 수직방향으로 전송하기 위한 복수개의 수직 전하 전송(VCCD:Vertical Charge Coupled Device)영역과 상기 수직방향으로 전송된 영상신호 전하를 수평방향으로 전송하기 위한 수평전하 전송(HCCD : Horizontal Charge Coupled Device)영역과 상기 수평방향으로 전송된 영상신호 전하를 센싱하는 센싱앰프(SA : Sensing Amplifier)로 구성된다.
그리고 도 1에는 도시되지 않았지만 상기 각 포토다이오드 영역 위에는 칼라 필터층 및 마이크로 렌즈가 형성된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래의 고체촬상소자의 구조 및 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 2는 종래의 고체촬상소자의 구조를 나타낸 구조단면도이다.
종래의 고체촬상소자는 도 2에 도시된 바와 같이 반도체 기판(11)상에 일정한 간격을 갖고 매트릭스 형태로 배열되어 빛의 신호를 전기적인 신호로 변환하는 복수개의 포토다이오드 영역(12)이 형성되고, 상기 복수개의 포토다이오드 영역 (12) 사이의 각 열에는 수직으로 신호전하를 전송하는 복수개의 수직 전하 전송 영역(VCCD : Vertical Charge Coupled Device)(13)이 형성된다.
상기 포토다이오드 영역(12)과 수직 전하 전송 영역(13)이 형성된 부분을 제외한 반도체 기판(11)의 일측상에 패드(14)가 형성된다.
그리고 상기 포토다이오드 영역(12)과 수직 전하 전송 영역(13)을 포함한 전면에 제 1 평탄층(15)이 형성되고, 상기 제 1 평탄층(15)위에는 제 1, 제 2, 제 3 염색층(16, 17, 18)이 형성된다.
여기서 상기 제 3 염색층(18)은 상기 제 2 염색층(17)을 포함하여 상기 제 1 평탄층(15)상에 형성된다.
그리고 상기 각 염색층(16, 17, 18)을 포함한 전면에는 제 2 평탄층(19)이 형성되고, 상기 제2평탄층(19)위에는 상기 포토다이오드 영역(12)에 대응하여 복수개의 마이크로 렌즈(20)가 형성된 구조를 갖는다.
여기서, 상기 마이크로 렌즈(20)는 피사체의 빛을 최대한 해당 포토다이오드 영역(12)에 집속시키기 위하여 형성한 것이다.
도 3a-도 3e는 상기와 같은 구조를 갖는 종래의 고체촬상소자의 제조방법을 나타낸 공정단면도이다.
종래의 고체촬상소자의 제조방법은 먼저, 도 3a에 도시된 바와 같이 반도체 기판(11)상에 빛의 신호를 전기적인 신호로 변환하는 포토다이오드 영역(12)을 일정한 간격을 갖고 매트릭스 형태로 형성한다.
그리고 상기 매트릭스 형태로 배열된 포토다이오드 영역(12) 사이에 신호전하를 수직방향으로 전송하는 수직 전하 전송 영역(13)을 각 열에 형성하고,상기 포토다이오드 영역(12)과 수직 전하 전송 영역(13)이 형성된 부분을 제외한 반도체 기판(11)의 일측에 패드(14)를 형성한다.
이어서, 상기 포토다이오드 영역(12) 및 수직 전하 전송 영역(13)을 포함한 전면에 후공정에서의 단차를 줄이기 위한 제 1 평탄층(15)을 형성한다.
이어서, 도 3b에 도시된 바와 같이 상기 제 1 평탄층(15) 상부에 가염성 포토레지스트(도면에 도시하지 않음)를 도포한 후, 노광 및 현상공정으로 패터닝하고, 상기 패터닝된 포토레지스트에 염색장비를 사용해 염색을 시행하여 제 1 염색층(16)을 형성한다.
그리고 상기 제 1 염색층(16) 형성과 동일한 방법으로 상기 제 1 염색층(16)과 일정한 간격을 갖게 상기 제 1 평탄층(15) 상부의 소정부분에 제 2 염색층(17)을 형성하고, 제 2 염색층(17)을 포함(Covering)하도록 제 1 평탄층(15) 상부의 소정부분에 제 3 염색층(18)을 차례로 형성한다.
이어서, 도 3c에 도시된 바와 같이 상기 각 염색층(16, 17, 18)을 포함한 전면에 제 2 평탄층(19)을 형성한다.
다음에, 도 3d에 도시된 바와 같이 상기 제 2 평탄층(19) 전면에 마이크로 렌즈용 감광막을 도포한 후, 상기 포토다이오드 영역(12)에 대향하도록 노광 및 현상공정을 실시하여 선택적으로 제거함으로써 감광막 패턴(도면에 도시하지 않음)을 형성한후, 상기 마이크로 렌즈용 감광막 패턴을 리플로우(Reflow)공정을 통해 마이크로렌즈(20)를 형성한다.
그리고 도 3e에 도시된 바와 같이 마이크로 렌즈(20)가 형성된 제 2 평탄층(19)의 전면에 감광막(도면에 도시하지 않음)을 도포한 후, 노광 및 현상공정을 통해 상기 패드(14)상부의 감광막을 제거하여 제 2 평탄층(19) 표면의 소정부분을 노출시키다.
이어서, 상기 감광막을 마스크로 하여 상기 노출된 제 2 평탄층(19) 및 그 하부의 제 1 평탄층(15)을 순차 식각하여 패드(14)를 노출시킨다.
최종적으로, 상기 패드(14)를 노출시킨 후 남아있는 감광막을 제거하여 고체촬상소자를 형성한다.
그러나 이와 같은 종래 기술의 고체촬상소자의 구조 및 제조방법에 있어서 다음과 같은 문제점이 있다.
첫째, 각 염색층의 스텝(Step)으로 인한 필터 패턴(Filter Pattern)이 깨끗하지 못하다.
둘째, 각 염색층의 스텝으로 인한 색 플리커(Flicker) 특성과 횡고특성의 악화를 가져온다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 각 염색층간의 스탭을 제거하도록 한 고체촬상소자의 구조 및 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
제1도는 일반적인 고체촬상소의 레이아웃도
제2도는 종래의 고체촬상소의 구조를 나타낸 구조단면도
제3a도-제3e도는 종래의 고체촬상소자의 제조방법을 나타낸 공정단면도
제4도는 본 발명의 고체촬상소자의 구조를 나타낸 구조단면도
제5a도-제5e도는 본 발명의 제1실시예에 따른 고체촬상소자의 제조방법을 나타낸 공정단면도
제6a도-제6e도는 돈 발명의 제2실시예에 따른 고체촬상소자의 제조방법을 나타낸 공성단면도
* 도면의 주요 부둔에 대한 부호의 설명
21 : 반도체 기판 22 : 포토다이오드 영역
23 : 수직전하전송영역 24 : 패드
25 : 제 1평탄층 26 : 제 1 염색층
27 : 제 2 염색층 28 : 중간층
29 : 제 3 염색층 30 : 제 2 평탄층
31 : 마이크로 렌즈
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 고체촬상소자의 구조는 기판상에 복수개의 포토다이오드 영역과 복수개의 수직 전하 전송 영역 및 제 1 평탄층을 구비한 흑백 고체촬상소자와, 상기 기판의 일측에 형성되는 패드와, 상기 제 1 평탄층상에 일정한 간격을 갖고 형성되는 제 1, 제 2 염색층과, 상기 제 1, 제 2 염색층을 포함한 전면에 형성되는 중간층과, 상기 중간층상에 상기 제 2 염색층과 대 향하도록 형성되는 제 3 염색층과, 상기 제 3 염색층을 포함한 전면에 형성되는 제 2 평탄층과, 상기 제 2 평탄층상에 포토다이오드 영역과 대응하게 형성되는 복수개의 마이크로 렌즈를 포함하여 형성되고, 상기와 같은 구조를 갖는 고체촬상소자의 제조방법은 기판상에 복수개의 포토다이오드 영역과 복수개의 전하전송영역 및 제 1 평탄층을 구비한 흑백 고체촬상소자를 형성하는 단계, 상기 포토다이오드 영역과 전하전송영역이 형성된 부분을 제외한 기판의 일측에 패드를 형성하는 단계, 상기 제 1 평탄층상에 일정한 간격을 갖게 제 1, 제 2 염색층을 차례로 형성하는 단계, 상기 제 1, 제 2 염색층을 포함한 전면에 중간층을 형성하는 단계, 상기 중간층상에 상기 제 2 염색층과 대향하게 제3염색층을 형성하는 단계, 상기 제 3 염색층을 포함한 전면에 제 2 평탄층을 형성하는 단계, 상기 제 2 평탄층상에 일정한 간격을 갖고 상기 포토다이오드 영역에 대응하게 마이크로 렌즈를 형성하는 단계, 상기 패드 부분이 노출되도록 선택적으로 제1, 제 2 평탄층을 제거하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 고체촬상소자의 구조 및 제조방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 4는 본 발명의 고체촬상소자의 구조를 나타낸 구조단면도이다.
본 발명의 고체촬상소자는 도 4에 도시된 바와 같이 반도체 기판(21)상에 일정한 간격을 갖고 매트릭스 형태로 배열되어 빛의 신호를 전기적인 신호로 변환하는 포토다이오드 영역(22)이 형성되고, 상기 포토다이오드 영역(22) 사이의 각 열에는 수직으로 신호전하를 전송하는 수직 전하 전송 영역(23)이 형성되고, 상기 포토다이오드 영역(22)과 수직 전하 전송 영역(23)이 형성된 부분을 제외한 반도체 기판(21)의 일측상에 패드(24)가 형성된다.
그리고 상기 포토다이오드 영역(22)과 수직 전하 전송 영역(23)을 포함한 전면에 제 1 평탄층(25)이 형성되고, 상기 제 1 평탄층(25)위에는 제 1, 제 2염색층(26, 27)이 일정한 간격을 갖고 형성된다.
또한, 상기 제 1, 제 2 염색층(26, 27)을 포함한 전면에는 중간층(28)이 형성되고, 상기 중간층(28)상에 상기 제2염색층(27)에 대응하여 제 3 염색층(29)이 형성된다. 이때 상기 제·3 염색층(29)는 상기 제 2 염색층(27)위에 제 2 염색층(27) 보다 넓게 상기 중간층(28)상에 형성된다.
상기 제 3 염색층(29)을 포함한 전면에 제 2 평탄층(30)이 형성되고, 상기 제 2 평탄층(30) 위에는 상기 포토다이오드 영역(22)과 대응하여 마이크로 렌즈 (31)가 형성된다.
도 5a-도 5e는 상기와 같은 구조를 갖는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 고체촬상소자의 제조방법을 나타낸 공정단면도이다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 고체촬상소자의 제조방법은 도 7a에 도시된 바와 같이 반도체 기판(21)상에 빛의 신호를 전기적인 신호로 변환하는 포토다이오드 영역(22)을 일정한 간격을 갖고 매트릭스 형태로 형성한다.
그리고 상기 매트릭스 형태로 형성된 포토다이오드 영역(22) 사이에 신호전하를 수직방향으로 전송하는 수직 전하 전송 영역(23)을 각 열에 형성하고, 상기 포토다이오드 영역(22)과 수직 전하 전송 영역(23)이 형성된 부분을 제외한 반도체 기판(21)의 일측상에 패드(24)를 형성한다.
이어서, 상기 포토다이오드 영역(22) 및 수직 전하 전송 영역(23)상의 전면에 후공정에서의 단차를 줄이기 위한 제 1 평탄층(25)을 형성한다.
이어서, 도 5b에 도시된 바와 같이 상기 제 1 평탄층(25) 상부에 가염성 포토레지스트(도면에 도시하지 않음)를 도포한 후, 노광 및 현상공정으로 패터닝하고, 상기 패터닝된 포토레지스트에 염색장비를 사용해 염색을 시행하여 제 1 염색층(26)을 형성한다.
이어서 상기 제 1 염색층(26)과 일정한 간격을 갖고, 상기 제 1 염색층(26) 형성과 동일한 방법으로 상기 제 1 평탄층(25) 상부의 소정부분에 제 2 염색층(27)을 형성한다.
그리고, 상기 제 1, 제 2 염색층(26, 27)을 포함한 전면에 절연막을 증착하여 중간층(18)을 형성한다.
이어서, 도 5c에 도시된 바와 같이 상기 중간층(28) 상부에 가염성 포토레지스트(도면에 도시하지 않음)를 도포한 후, 노광 및 현상공정으로 패터닝하고, 상기 패터닝된 포토레지스트에 염색장비를 사용해 염색을 시행하여 제 3 염색층(29)을 형성한다.
여기서 제 3 염색층(29)은 상기 제 2 염색층(27)에 대향하여 형성하는데 상기 제 2 염색층(27) 보다 넓은 길이를 갖도록 형성한다.
그리고 상기 제 3 염색층(29)을 포함한 전면에 제 2 평탄층(30)을 형성한다.
이어서, 도 5d에 도시된 바와 같이 상기 제 2 평탄층(30) 전면에 마이크로 렌즈용 감광막을 도포한 후, 상기 포토다이오드 영역(22)에 대향하도록 노광 및 현상공정을 실시하여 선택적으로 제거함으로써 감광막 패턴(도면에 도시하지 않음)을 형성한후, 상기 마이크로 렌즈용 감광막 패턴을 리플로우(Reflow)공정을 통해 마이크로 렌즈(20)를 형성한다.
그리고 도 5e에 도시된 바와 같이 마이크로 렌즈(31)가 형성된 제 2 평탄층(30)의 전면에 감광막(도면에 도시하지 않음)을 도포한 후, 노광 및 현상공정을 통해 상기 패드(24)상부의 감광막을 제거하여 제 2 평탄층(30) 표면의 소정부분을 노출시키다.
이어서, 상기 감광막을 마스크로 하여 상기 노출된 제 2 평탄층(30) 및 그 하부의 제 1 평탄층(25)을 순차적으로 식각하여 패드(74)를 노출시킨다.
최종적으로, 상기 패드(24)를 노출시킨 후 남아있는 감광막을 제거하여 고체촬상소자를 형성한다.
도 6a-도 6e는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 고체촬상소자의 제조방법을 나타낸 공정단면도이다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 고체촬상소자의 제조방법은 도 6a에 도시된 바와 같이 반도체 기판(21)상에 빛의 신호를 전기적인 신호로 변환하는 포토다이오드 영역(22)을 일정한 간격을 갖고 매트릭스 형태로 형성한다.
그리고 상기 매트릭스 형태로 형성된 포토다이오드 영역(22) 사이에 신호전하를 수직방향으로 전송하는 수직 전하 전송 영역(23)을 각 열에 형성하고, 상기 포토다이오드 영역(22)과 수직 전하 전송 영역(23)이 형성된 부분을 제외한 반도체 기판(21)의 일측상에 패드(24)를 형성한다.
이어서, 상기 포토다이오드 영역(22) 및 수직 전하 전송 영역(23)상의 전면에 후공정에서의 단차를 줄이기 위한 제 1 평탄층(25)을 형성한다.
이어서, 도 6b에 도시된 바와 같이 상기 제 1 평탄층(25) 상부에 가염성 포토레지스트(도면에 도시하지 않음)를 도포한 후, 노광 및 현상공정으로 패터닝하고, 상기 패터닝된 포토레지스트에 염색장비를 사용해 염색을 시행하여 제 1 염색층(26)을 형성한다.
그리고 상기 제 1 염색층(26)을 포함한 전면에 절연막을 증착하여 중간층(27)을 형성한다.
이어서, 도 6c에 도시된 바와 같이 상기 중간층(27) 상부에 가염성 포토레지스트(도면에 도시하지 않음)를 도포한 후, 노광 및 현상공정으로 패터닝하고, 상기 패터닝된 포토레지스트애 염색장비를 사용해 염색을 시행하여 제 2 염색층(28)을 형성하고, 상기 재 2 염색층(29)과 일정한 간격을 갖고, 상기 재 2 염색층(28) 형성과 동일한 방법으로 상기 중간층(27) 상부에 제 3 염색층(29)을 형성한다.
여기서 제 3 염색층(29)은 상기 제 1 염색층(26)에 대향하여 형성하는데 상기 제 1 염색층(26) 보다 넓은 길이를 갖도록 형성한다.
그리고 상기 제 2, 제 3 염색층(28, 29)을 포함한 전면에 제 2 평탄층(30)을 형성한다.
이어서, 도 6d에 도시된 바와 같이 상기 제 2 평탄층(30) 전면에 마이크로 렌즈용 감광막을 도포한 후, 상기 포토다이오드 영역(22)에 대향하도록 노광 및 현상공정을 실시하여 선택적으로 제거함으로써 감광막 패턴(도면에 도시하지 않음)을 형성한후, 상기 마이크로 렌즈용 감광막 패턴을 리플로우(Reflow)공정을 통해 마이크로 렌즈(31)를 형성한다.
그리고 도 6e에 도시된 바와 같이 마이크로 렌즈(31)가 형성된 제 2 평탄층(30)의 전면에 감광막(도면에 도시하지 않음)을 도포한 후, 노광 및 현상공정을 통해 상기 패드(24)상부의 감광막을 제거하여 제 2 평탄층(30) 표면의 소정부분을 노출시키다.
이어서, 상기 감광막을 마스크로 하여 상기 노출된 제 2 평탄층(30) 및 그 하부의 제 1 평탄층(25)을 순차적으로 식각하여 패드(24)를 노출시킨다.
최종적으로, 상기 패드(24)를 노출시킨 후 남아있는 감광막을 제거하여 고체촬상소자를 형성한다.
상기와 같은 방법으로 제작된 본 발명의 고체촬상소자는 카메라 렌즈를 통해 입사되는 광이 마이크로 렌즈에 집속되고 상기 마이크로 렌즈에 의해 집속된 광은 칼라 필터층을 통해 선택적으로 투과된다.
즉, 칼라 필터층중 제 1 염색층은 마이크로 렌즈에 의해 집속된 광중 제 1 색에 대한 광만을 선택 투과하여 복수개의 포토다이오드 영역중 제 1 색에 해당하는 포토다이오드에 인가하고, 제 2 염색층은 제 2 색에 대한 광만을 선택 투과하여 제 2 색에 해당하는 포토다이오드에 인가하며, 제 3 염색층은 제 3 색에 대한 광만을 선택 투과하여 제 3 색에 해당하는 포토다이오드 영역에 인가한다.
따라서, 각 포토다이오드 영역에 입사된 광은 광전변환되어 신호전하를 발생하고, 포토다이오드에서 생성된 전하는 통상적인 고체촬상소자의 신호전송 동작에 의해 수직전하 전송 영역으로 전송된 후, 수평 전하 전송 영역(도면상에 도시하지 않음)로 전송된다.
이어서, 수평 전하 전송 영역으로 전송된 신호전하를 소자끝단의 플로팅 디퓨전(Flaoting Diffusion)영역에서 전압으로 센싱된 후, 센싱앰프에서 증폭되어 주변회로로 전송된다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명의 고체촬상소자의 구조 및 제조방법은 각 염색층의 스텝을 제거함으로써 단면구조를 깨끗이 하고, 색 플리커 특성과 횡고 특성의 악화를 막을 수 있는 효과가 있다.
Claims (4)
- 기판상에 복수개의 포토다이오드 영역과 복수개의 수직 전하 전송 영역 및 제1평탄층을 구비한 흑백 고체촬상소자와, 상기 기판의 일측에 형성되는 패드와, 상기 제1평탄층상에 일정한 간격을 갖고 형성되는 제1, 제2염색층과, 상기 제1, 제2염색층을 포함한 전면에 형성되는 중간층과. 상기 중간층상에 상기 제2염색층과 대향하도록 형성되는 제3염색층과, 상기 제3염색층을 포함한 전면에 형성되는 제2평탄층과, 상기 제2평탄층상에 포토다이오드 영역과 대응하게 형성되는 복수개의 마이크로 렌즈를 포함하여 형성됨을 특징으로 하는 고체촬상소자의 구조.
- 제1항에 있어서, 상기 중간층의 두께는 0.5-lOum이내임을 특징으로 하는 고체촬상소자의 구조.
- 기판상에 복수개의 포토다이오드 영역과 복수개의 전하전송영역 및 제1평탄층을 구비한 흑백 고체촬상소자를 형성하는 단계 ; 상기 포토다이오드 영역과 전하전송영역이 형성된 부분을 제외한 기판의 일측에 패드를 형성하는 단계 ; 상기 제1평탄층상에 일정한 간격을 갖게 제1, 제2염색층을 차례로 형성하는 단계 ; 상기 제1,제2염색층을 포함한 전면에 중간층을 형성하는 단계 ; 상기 중간층상에 상기 제2염색층과 대향하게 제3염색층을 형성하는 단계 ; 상기 제3염색층을 포함한 전면에 제2평탄층을 형성하는 단계 ; 상기 제2평탄층상에 일정한 간격을 갖고 상기 포토다이오드 영역에 대응하게 마이크의 렌즈를 형성하는 단계 ; 상기 패드 부분이 노출되도록 선택적으로 제1, 제2평탄층을 제거하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제조방법.
- 기판상에 복수개의 포토다이오드 영역과 복수개의 수직 전하 전송 영역 및 제1평탄층을 구비한 흑백 고체촬상소자를 형성하는 단계 ; 상기 포토다이오드 영역과 전하전송영역이 형성된 부분을 제외한 기판의 일측에 패드를 형성하는 단계 ; 상기 제1평탄층상에 제1염색층을 형성하는 단계 ; 상기 제1염색층을 포함한 전면에 중간층을 형성하는 단계 ; 상기 중간층상에 상기 제2, 제3염색층을 형성하는 단계 ; 상기 제2, 제3염색층을 포함한 전면에 제2평탄층을 형성하는 단계 ; 상기 제2평탄층상에 일정한 간격을 갖고 상기 포토다이오드 영역에 대응하게 마이크로 렌즈를 형성하는 단계 ; 상기 패드 부분이 노출되도록 선택적으로 제1, 제2평탄층을 제거하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960031675A KR980012590A (ko) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 고체촬상소자의 구조 및 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960031675A KR980012590A (ko) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 고체촬상소자의 구조 및 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980012590A true KR980012590A (ko) | 1998-04-30 |
Family
ID=66250125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960031675A KR980012590A (ko) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 고체촬상소자의 구조 및 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980012590A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100940726B1 (ko) * | 2007-12-21 | 2010-02-08 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서의 제조방법 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03194970A (ja) * | 1989-12-22 | 1991-08-26 | Sharp Corp | Ｃｃｄ撮像素子 |
| JPH0548063A (ja) * | 1991-03-25 | 1993-02-26 | Hitachi Ltd | カラー固体撮像素子及びその製造方法 |
| KR950026019A (ko) * | 1994-02-15 | 1995-09-18 | 문정환 | 고체촬상소자의 제조방법 |
| KR960026907A (ko) * | 1994-12-06 | 1996-07-22 | 문정환 | 고체촬상소자의 제조방법 |
-
1996
- 1996-07-31 KR KR1019960031675A patent/KR980012590A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03194970A (ja) * | 1989-12-22 | 1991-08-26 | Sharp Corp | Ｃｃｄ撮像素子 |
| JPH0548063A (ja) * | 1991-03-25 | 1993-02-26 | Hitachi Ltd | カラー固体撮像素子及びその製造方法 |
| KR950026019A (ko) * | 1994-02-15 | 1995-09-18 | 문정환 | 고체촬상소자의 제조방법 |
| KR960026907A (ko) * | 1994-12-06 | 1996-07-22 | 문정환 | 고체촬상소자의 제조방법 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100940726B1 (ko) * | 2007-12-21 | 2010-02-08 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서의 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0147401B1 (ko) | 고체촬상소자 및 그 제조방법 | |
| KR100731128B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
| KR20110035894A (ko) | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법, 전자 기기, 렌즈 어레이 | |
| KR20090128439A (ko) | 후면 조명 이미저 및 그 제조 방법 | |
| US20060141660A1 (en) | CMOS image sensor and method for fabricating the same | |
| JPH1093060A (ja) | 固体撮像素子の構造及び製造方法 | |
| KR19980059901A (ko) | 고체 촬상 소자의 제조 방법 | |
| KR101493012B1 (ko) | 이미지 센서의 제조 방법 | |
| KR100278983B1 (ko) | 고체촬상소자 | |
| JP2006003869A (ja) | イメージセンサのマイクロレンズ形成方法 | |
| KR980012590A (ko) | 고체촬상소자의 구조 및 제조방법 | |
| KR19980039148A (ko) | 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법 | |
| KR100555480B1 (ko) | 마이크로 렌즈를 갖는 고체촬상소자 및 그 제조방법 | |
| KR100282455B1 (ko) | 고체촬상소자및그제조방법 | |
| KR0140633B1 (ko) | 고체촬상소자의 제조방법 | |
| US20080122021A1 (en) | Image sensor | |
| KR100215869B1 (ko) | 고체 촬상 소자의 구조 및 제조 방법 | |
| KR101015527B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조방법 | |
| KR100192321B1 (ko) | 고체촬상소자의 구조 및 제조방법 | |
| KR20000032734A (ko) | 고체촬상소자의 제조방법 | |
| KR101016547B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR100282439B1 (ko) | 고체 촬상 소자의 제조방법 | |
| KR20060077064A (ko) | 트리플 마이크로렌즈를 갖는 씨모스 이미지 센서 및 그의제조방법 | |
| KR960006201B1 (ko) | 고체촬상 소자 제조방법 | |
| KR100311503B1 (ko) | 고체촬상소자의 칼라필터 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20030507 Effective date: 20050225 Free format text: TRIAL NUMBER: 2003101001779; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20030507 Effective date: 20050225 |