JPH0319229A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ＳＯＧ膜を含む眉間絶縁膜に開口部を形成して行う配線
コンタクトの改良技術に関し、ＳＯＧ膜のクラック，剥
離の問題や、コンタクト窓でのＳＯＧ膜端部のクラック
が引き起こす配線層の断線という問題を解消でき、更に
エッチバック法でのコントロールエッチのような再現性
に難のある工程は不要な、新規な多層配線構造の製造方
法を提供することを目的とし、 半導体基板表面に、下部配線層を形成する工程と、 該下部配線層表面に、表面を平坦化するように、スピン
・オン法で第１の絶縁膜を形成する工程と、該第１の絶
縁膜表面に、第２の絶縁膜を形戒する工程と、 前記下部配線層の上部の該第２の絶縁膜．該第ｌの絶縁
膜を順次食刻除去して第１の開口部を形成する工程と、 該第１の開口部内壁に露出した該第１の絶縁膜を覆い、
かつ該下部配線層表面が露出するように、第３の絶縁膜
を形成する工程と、 該第２の絶縁膜の表面に上部配線層を形成し、該上部配
線層と前記下部配線層とを接続する工程とを有して構或
する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、半導体装置の製造方法に関する。詳しくは、
ＳＯＧ膜を含む眉間絶縁膜に開口部を形成して行う配線
コンタクトの改良技術に関する．近年の計算機等に利用
される半導体装置は、周知の如く急速に微細化が完成さ
れた。しかし、微細化の進行とともに、特に配線相互の
接続の問題が厳しくなってきた。

微小面積に効率よく多数の素子を詰めるために用いられ
る多層配線構造では、特に微細な場合に、配線層の断線
や配線層相互の短絡が発生しやすいので、配線間を滑ら
かな層間膜で受け継いで下部配線段差を緩和し、配線層
の断線や配線層相互の短絡をなくすことが重要である。

しかし通常の形成方法では、一様な厚さに形成されるの
で、いくら厚く形成したところで一向に段差形状は改善
されない。そこで段差形状の改善には、例えばスピン・
オン法を利用する。このスピン・オン法は、有機溶剤中
にガラス威分を含んだＳ　Ｏ　Ｇ　（Ｓｐｉｎ　Ｏｎ　
Ｇｌａｓｓ　）と呼ばれる溶剤をスピンナー（回転塗布
機）で基板表面に塗布し、その後例えば４５０゜Ｃの熱
処理によってＳＯＧを硬化させ、酸化膜とする方法であ
る。この方法によれば、遠心力によって溶剤が塗布され
るために、基板面の配線段差に係わらず平坦な眉間膜が
形成できることとなる。

〔従来の技術〕

以下では、これまでに説明したスピン・オン法の工程を
、第２図を参照して詳細に説明する。

第２図（１）乃至（５）は、従来の半導体装置の製造方
法の工程説明図であり、第２図中の完威された半導体装
置は、例えばシリコン基板等の基板１のＡｌ（アルξニ
ウム）下部配線層２の形成されてなる表面に、ヒロック
防止を目的とするＣＶＤ酸化膜３，段差緩和を目的とす
るＳＯＧ膜４，耐湿性改善を目的としてＣＶＤ−ＰＳＧ
膜６を積層し、前記したＡｆ（アルξニウム）下部配線
層２の直上には、この配線層２表面が露出するように、
これら積層膜を貫通するコンタクト窓５が形成され、さ
らにこのコンタクト窓５の内部から前記したＣＶＤ−Ｐ
ＳＧ膜６の表面に延在するように、Ａｆ（アルξニウム
）上部配線層２１が形成されてなるものである。

それでは製造工程を順に説明してゆく．先ず基板１表面
にＡＩ＜アルミニウム）をスパッタリング被着し、パタ
ーニングしてＡＩｌ（アルミニウム）下部配線層２とす
る。この後、このＡｌ（アルミニウム）下部配線層２の
形戒された表面に重ねて、ヒロック防止用のＣＶＤ酸化
膜３を全面形成する（以上、第２図（ａ））。次にこの
ＣｖＤ酸化膜３に重ねて、ＳＯＧ溶液をスピンコートし
て形成し、４５０℃程度で焼威することで、段差部をな
だらかに被覆するＳＯＧ膜４を形成する（以上、第２図
（ｂ））。この上に重ねて、絶縁性．緻密性に優れたＣ
ＶＤ−ＰＳＧ膜６を被覆する（以上、第２図（９））。

次いで、さらに重ねて層間接続用のコンタクト窓をパタ
ーニングするためのレジスト層８を形成して、ＣＶＤ−
ＰＳＧ膜６，ＳＯＧ膜４，ＣＶＤ酸化膜３を順次選択エ
ッチングして、コンタクト窓５を形成する（第２図（ｄ
））。

このレジスト層８を除・去した後、Ａｌ（アルξニウム
）上部配線層２１をスパッタリング被着し、パターン形
戒する（第２図（ｅ））。

以上の工程によれば、，１１（アルくニウム）下部配線
層２の肩の部分の段差が、ＳＯＧ膜４によりなだらかに
されているために、Ａｆ（アルξニウム）上部配線層２
１をスパッタリングで被着しても、肩の部分での断線を
生じにくいという効果が得られる。

しかし、第２図の製造工程では、第２図（ｅ）に図示し
たように、層間接続用のコンタクト窓において、ＳＯＧ
膜４のふくれ、乃至はクラックがしばしば発生し、Ａｌ
（アルミニウム）上部配線層２１の接続不良を発生する
問題があった．このＳＯＧ膜４のコンタクト窓５でのふ
くれ、乃至はクラックは、ＳＯＧ膜４の残留水分．ある
いはコンタクト窓５形戒の際のウエット処理時の吸湿に
起因するものと考えられる。この水分は、Ａｌ（アルミ
ニウム）上部配線層２１の形成工程以降の加熱を伴う工
程において、水蒸気として飛散し、残るＳＯＧ膜４は体
積収縮する。コンタクト窓５では、ＳＯＧ膜４端部が密
着性の弱いＡｌ（アルξニウム）下部配線層２と被着し
ていること、及びコンタクト窓５形成時のウエット処理
による吸湿、残留水分が多いために、この脱水及び体積
収縮が激しいことなどから、ＳＯＧ膜４のクラック発生
に至るものと考えられる。これに伴い、Ａｌ（アルξニ
ウム）上部配線層２１は、コンタクト窓５にてしばしば
断線を生じることになる。この問題は、コンタクト窓５
の直径が微細化したことによって、顕在化してきた。

以上の従来技術の問題点を回避する手法として、ＳＯＣ
膜を一旦エッチバックする方法がある。

これは、第２図（ｅ）のＳＯＧ膜４形戒工程完了後に、
ＡＮ（アルξニウム）下部配線層２の上面部分のＳＯＧ
膜４は完全に除去され、但し段差部をなだらかに被覆し
ているＳＯＧ膜４は一部残る程度に、ＳＯＧ膜４全面を
一定の厚み分だけコントロールエッチする方法である。

しかし、このコントロールエッチは再現性の点で実用上
非常に難しい。

第２図の従来技術の問題を回避する他の従来技術として
、第３図に示す２段階コンタクト窓形成による製造方法
（特願昭６３−１８４２２号）がある。

以下では、第３′図を参照してこの方法について説明す
る。第３図は従来の半導体装置の改良された製造方法の
工程説明図であり、この第３図中の配線構造は、基板１
の表面に、Ａｊ２（アルミニウム）下部配線層２，ＣＶ
Ｄ酸化膜３，ＣＶＤ−ＰＳＧ膜６が順に形成され、これ
らを開孔してＡｊ２（アルξニウム）下部配線層２表面
を露出させるコンタクト窓５ができる．一方で／ｌ（ア
ルミニウム）下部配線層２の形成されない部分では、Ｓ
ＯＧ膜４が形成されて段差部を平坦化するものである。

それでは、この構造の形成方法を説明する．先ず第３図
（ａ）のように、例えば酸化膜のような基板の表面に、
厚さ０．５μｍのＡｌアルξニウム）下部配線層２を形
成する．このＡｌアル逅ニウム）下部配線層２表面には
、後のアニール工程でのヒロック防止を目的として、厚
さ０．３μｍのＣＶＤ酸化膜３が被着形成される。次い
で第３図（ロ）で、ＳＯＧ溶液を回転塗布し、熱処理し
て硬化させＳＯＧ膜４を形成して、配線層がつくる段差
を平坦化する．塗布されたｓｏｃｔｓ液は、次の第３図
（Ｃ）で、Ａｌアルミニウム）下部配線層２の上部に開
孔を有するレジスト層８をパターニング形成する。この
レジストＮ８をマスクとして、ＣＦ（四フフ化メタン）
．ＣＨＦｓ　　（三フフ化メタン），及びＯｘ　　（酸
素）からなる反応ガスを用い？、／ｌ（アルξニウム）
下部配線層２上部のＳＯＧ膜４をエッチング除去して、
第１の開口部５ａを形成する。この後第３図（イ）で、
０■　（酸素）ＲＩ　Ｅ　（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ
　Ｅｔｃｈｉｎｇ）でレジスト層８をすべて除去する．
第３図（ｅ）では、レジスト層８を除去して露出した平
坦面に、ＣＶＤ−ＰＳＧ膜６を一様にＣＶＤ形成する。

第３図（ｆ）では、このＣＶＤ−ＰＳＧ膜６の表面にマ
スクとなるレジストＭ９をパターニング形成して、第１
の開口部５ａよりも小さい径のコンタクト窓５を第３図
（Ｃ）と同様の方法で開孔して、Ａｌ（アル邑ニウム）
下部配線層２表面を露出させる。この後第３図（８）の
工程で、０２　（酸素）　Ｒ　Ｉ　Ｅ　（Ｒｅａｃｔｉ
ｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）　Ｌて前記レジスト層
９をすべて除去し、続く第３図（ロ）では、コンタクト
窓５内からＣＶＤ−ＰＳＧ膜６表面に延在するＡｆｆｉ
（アルミニウム）上部配線層２１をスパッタリング形成
して、Ａｆ（アルξニウム）下部配線Ｎ２と電気的接触
をとる。

以上が改良された従来の半導体装置の製造工程である． 以上の方法によれば、第３図（ロ）の完威された構造に
見られるように、コンタクト窓５において、ＳＯＧ膜４
の端部は密着性良好なＣＶＤ酸化ｙ４３によって完全に
被覆される。このＣＶＤ酸化膜３の密着力の強固さのた
めに、ＳＯＧ膜４端部でのクラックの発生は生じ難い。

また第２図の従来例のように、コンタクト面の酸化物除
去処理のようなウエット前処理時の吸着水分がＳＯＧ膜
４の端部に残ったまま直ぐにＡＩｌ（アルミニウム）上
部配線層２１のスパッタリング被着をする工程順ではな
いため、ＳＯＧ膜４の端面への水分吸着による影響は少
ない。これらのことから、第３図の従来例工程によれば
、第２図（ｅ）に見られるコンタクト窓５内壁でのＳＯ
Ｇ膜４のふくれ，クラックの発生とそれによる断線とい
う問題を解決することができる。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし本発明者等は、第３図の従来技術では、コンタク
ト窓５での断線防止の効果とは別に、ＳＯＧｌｌ４全面
に多数のクラックや剥がれをしばしば生じる新たな問題
があることを実験の結果確認した。このクランク，ある
いは剥がれは、第３図（Ｃ）乃至（イ）の第１の開口部
５ａを形戒するためのレジスト層８がほぼ除去された段
階でＳＯＧ膜４表面全体が０２　（酸素）プラズマにさ
らされることが原因となっている。

即ち、ＳＯＧ膜４全体に、０２　（酸素）プラズマが照
射された後、加熱工程を経ると、ＳＯＧ膜４全体に無数
のクラックが形成され、ＳＯＧ膜４は半ば剥がれた状態
に至ることが判明した。このクランクの原因は、以下の
現象によるものと考えられる。

ＳＯＣ膜４の原材料は、化学式Ｒ，ｌ　−Ｓｔ　（ＯＨ
）．．（Ｒはアルキル基を示す。）で表される通称シラ
ノールという材料で、その溶液を基板上に塗布後、加熱
焼成することで、シリコン酸化物を主成分とする固体膜
に変換している。実際の多層配線工程では、配線を被覆
するＳＯＧ膜４を形成する際の加熱焼威温度には制約が
ある。通常の配線材料のＡｆｆｉ（アルξニウム）を使
用した場合には、昇温可能な上限は約４５０℃である。

これは、過度の合金反応によるデバイスの破壊を避ける
のに必要な制約である。一方、シラノールの焼或温度と
いう点では、４５０゜ＣではＯＨ基（水酸基）はほぼ脱
離するが、アルキル基は残留してしまう。

アルキル基の焼或除去には、５５０℃〜６００℃の温度
が必要であることが赤外線分光分析の結果確認されてい
る。このような高温での焼威は実際の多層配線工程では
採用困難である．結果的にＳＯＧ膜に多量のアルキル基
が残留する。その状態で０２　（酸素）プラズマにＳＯ
Ｇ膜表面がさらされると、表面付近に存在するアルキル
基はＯＨ基（水酸基）に置換される。その後、第２の絶
縁膜形成等で再び熱が加えられると、置換基であるＯＨ
基（水酸基）が脱離し、Ｈ！０，すなわち水分となって
飛散する。このような過程で一旦成膜したＳＯＧ膜が、
その後の工程で膜厚方向に不均等に脱アルキル基，及び
脱水を生じ、クランクにいたるものと考えられる． 本発明は、以上の現象による第３図の従来方法でのＳＯ
Ｇ膜のクラック，剥離の問題や、コンタクト窓でのＳＯ
Ｇ膜端部のクラックが引き起こす配線層の断線という問
題を解消でき、更にエッチバック法でのコントロールエ
ッチのような再現性に難のある工程は不要な、新規な多
層配線構造の製造方法を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明では、前記課題を解決する手段として、半導体基
板表面に、下部配，ｖｉ層を形成する工程と、 該下部配線層表面に、表面を平坦化するように、スピン
・オン法で第１の絶縁膜を形成する工程と、該第１の絶
縁膜表面に、第２の絶縁膜を形成する工程と、 前記下部配線層の上部の該第２の絶縁膜，該第１の絶縁
膜を順次食刻除去して第１の開口部を形戒する工程と、 該第１の開口部内壁に露出した該第１の絶縁膜を覆い、
かつ該下部配線層表面が露出するように、第３の絶縁膜
を形成する工程と、 該第２の絶縁膜の表面に上部配線層を形成し、該上部配
線層と前記下部配線層とを接続する工程とを有する。

〔作用〕

本発明による上記の製造方法によれば、第１の開口部５
ａを穿孔する工程（第ｌ図（ｄ）の工程）が、ＳＯＧ膜
４全面をＣＶＤ−ＰＳＧ膜６で覆った状態で行われるの
で、レジスト層８はＣＶＤ−ＰＳＧ膜６上に形成され、
レジスト層８除去の際の０２　（酸素）プラズマに対し
て、ＳＯＧ膜４がさらされることがない．したがって、
ＯＸ　　（酸素）プラズマ照射に起因してＳＯＧ膜全面
に渡りクラックや剥がれを生じるという第３図の従来例
工程に伴う問題は回避できる。

またコンタクト窓５を穿孔する工程（第１図（８）の工
程）が、事前の第１図（ｆ）の工程で、ＳＯＧ膜４の端
部がＣＶＤ酸化膜７によって完全に被覆された後、行わ
れるために、第２図の従来工程で発生していたコンタク
ト窓５でのＳＯＧ膜４端部のクラック，ふくれによるＡ
Ｉ！．（アルミニウム）上部配線層２１の断線の問題は
発生しない。この効果を生じる理由は、第２の絶縁膜６
のＳＯＧ膜４に対する密着力が／ｌ（アルξニウム）上
部配線層２１のＳＯＧ膜４に対する密着力より大である
ことによる。また第ｌの開口部５ａを穿孔した後、ＳＯ
Ｇ膜４露出端面に若干水分が残留付着しているとしても
、次のＣＶＤ工程の初期段階において、高温のためにそ
の水分は蒸発、飛散してしまうことも、上記クランク、
ふくれ回避効果に寄与しているものと考えられる。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を第１図を参照して説明する。

本発明の半導体装置の製造方法の工程説明図である第１
図のうち、（ハ）に示される完威された半導体装置は、
図示されないシリコン基板面に形成される酸化膜ｌ表面
にＡｎ（アルもニウム）下部配線層２を形成し、このＡ
ｌ（アルミニウム）下部配線層２の表面に従来通りＣＶ
Ｄ酸化膜３，ＳＯＧ膜４，ＣＶＤ−ＰＳＧ膜６が重ねて
形成される他、新たにＣＶＤ−ＰＳＧ膜６の表面，及び
コンタクト窓５内壁には一様なＣＶＤ酸化膜７が形成さ
れてなるものである。

それでは製造工程を順に説明していく。

第１図（ａ）参照 シリコン基板面に形成される酸化膜１の表面には、５０
００人のＡｌ（アルミニウム）下部配線層２がスパッタ
リング被着され、続いてパターニング形成される。この
Ａｆｆｉ（アル逅ニウム）下部配線Ｍ２の表面を含む酸
化膜１の全面には、Ａｌアルミニウム）下部配線層２の
ヒロックを防止するために、ＣＶＤ酸化膜３が３０００
人形成される。

第１図（ｂ）参照 この後、／ｌ（アルξニウム）下部配線層２を形成して
できた基板面の段差を平坦にするために、Ｓ　Ｏ　Ｇ　
（Ｓｐｉｎ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ　）溶液として、例えば
東京応化工業■製のＯＣＤを選んでスピンナー（回転塗
布機）で塗布し、次いで４５０℃．３０分間の熱処理で
ＳＯＧを硬化させ、ＳＯＧ膜４を形成する。

このＳＯＧ膜４は、ＡＩ！．（アルくニウム）下部配線
層２上部では、厚さ１０００人，Ａ１（アル〔ニウム）
下部配線層２上部以外では、厚さ４０００人以上に形成
され、基板面はほぼ平坦化された。

第１図（Ｃ）参照 このＳＯＧ膜４の平坦面に重ねてＣＶＤ−ＰＳＧ膜６を
３０００人形戒する。

第１図（ｄ）参照 このＣＶＤ−ＰＳＧ膜６表面に、Ａｌ（アルξニウム）
下部配線１ｉ２の上部に直径１．５μｍの開孔を有した
レジスト層８をパターニングする。次いでこのレジスト
Ｎ８をマスクとして、ＣＦ．（四フフ化メタン），ＣＨ
Ｆ３　　（三フフ化メタン），及び０２　（酸素）から
なる反応ガスを用いるＲ　Ｉ　Ｅ　（Ｒｅａｃｔｉｖｅ
　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）により、ＳＯＧ膜４を部分
的にエッチングし、直径１．５μｍの第１の開口部５ａ
を形成する。

第１図（ｅ）参照 レジスト層８をＯＸ　　（酸素）　Ｒ　Ｉ　Ｅ　（Ｒｅ
ａｃｔｉｖｅＩｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）で剥離する。こ
の時、ＳＯＣ膜４の表面は、ＣＶＤ−ＰＳＧ膜６で覆わ
れていて、直にＯｔプラズマに触れることはない。

第１図（ｆ）参照 第１の開口部５ａを含む基板の全面にＣＶＤ酸化膜７を
形成する。

第１図（８）参照 さらにこのＣＶＤ酸化膜７に重ねて、第１の開口部５ａ
より直径の小さい１μｍの開孔を有したレジスト層９を
パターニング形戒する。このパターニング形成したレジ
スト層９をマスクとして、ＣＦ４　　（四フフ化メタン
），ＣＨＦ３　　（三フッ化メタン）．及び０２　（酸
素）からなる反応ガスを用いるＲ　Ｉ　Ｅ　（Ｒｅａｃ
ｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｉｔｃｈｉｎｇ）によって、ＡＡ（
アルミニウム）下部配線Ｎ２表面のＣＶＤ酸化膜７を除
去してＡｆ（アルミニウム）下部配線層２の表面を露出
させる。

第１図（ロ）参照 マスクとして用いたレジスト層９は、０２　（酸素）　
Ｒ　Ｉ　Ｅ　（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ’Ｅｔｃｈｉ
ｎｇ）により除去する。こうして露出したＣＶＤ酸化膜
７表面とＡｌ（アルξニウム）下部配線層２表面には、
上部配線となるＡｌ（アルミニウム）をスパッタリング
被着．パターニング形成して八〇（アルミニウム）上部
配線層２１を形成する。この時コンタクト窓５の内壁に
は、切れ目な＜　ＣＶＤ酸化膜７が形成されていて、多
層断面が露出しないので、Ａｌ（アルミニウム）上部配
線層２１を完全にＳＯＧ膜４から遮断できて、Ａｆ（ア
ルミニウム）上部配線層２１の断線は生じにくくなる。

以上が一実施例に基づく本発明の説明である。

なお本発明は、この一実施例に限定されることなく多数
の変形が可能である。例えば眉間膜の材料は、ＰＳＧ膜
，ＳｉＮ膜，Ｓｉｎ．膜等自由に変形が可能になる。ま
た第１図（ａ）に対応する工程では、Ａｌ（アル≧ニウ
ム）下部配線層２の表面に、ヒロック防止のＣＶＤ酸化
膜３を３０００人形成しているが、本来発明の効果には
あまり係わりがなく、熱が加わりにくい処理工程を踏む
ことができるのであれば、形成を要しない。

〔発明の効果〕

本発明の効果は、以上説明してきたように、従来、眉間
膜にＳＯＧ膜を利用した製造方法に多く発生したコンタ
クト窓内のアルξニウムの断線を一切なくすことができ
る。

第１の開口部，５・・・第２の開口部（コンタクト窓）
，６・・・ＣＶＤ−ＰＳＧ膜（第２の絶縁膜），７・・
・ＣＶＤ酸化膜（第３の絶縁膜），８・・・レジスト層
，９・・・レジスト層である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例に則した半導体装置の製造
方法の工程説明図．第２図は、従来の半導体装置の製造
方法の工程説明図．第３図は、従来の半導体装置の改良
された製造方法の工程説明図である。 図中、 １・・・酸化膜（基板）．２・・・ＡＮ（アルξニウム
）下部配線層（下部配線層），２１・・・／ｌ（アルミ
ニウム）上部配線層（上部配線層）．３・・・ＣｖＤ酸
化膜，４・・・ＳＯＧ膜（第１の絶縁膜），５ａ・・・
牛発ｅ月ｒ＞−＊＊伊１１二βリし千：ず１羊４沓蕎【
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／）Ｉ） 半発明の一実施例ｃ　Ｉ！ｉｌｌ　Ｌ７ａ半導イ才咲置
の製遺方斌ｎ工程説朗図Ｐ＄１　　図（’ｆ／）３） 爾Ｓ哨シＢ月の一実多Ｅ４Ｐｌ　＋；＃ｌ　Ｌ７：シす
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　目（イ／）２） 輩 １ 図 （！の４つ イデネＩＱ＃導体長匿の骸遁方搗０工姪説明旧野 ２ 図（！／Ｂ） ’ｆｆｆｉ＊の子３４俸儀冨０骸遣力鴻ｎ工姪説明躬′
Ｉ１２図（Ｊｆの３） ｌ 寝♂／７羊導樺共置Ｏ契造δ弦０工裡董沼田ＰｆＩ２旧
Ｏｆ／）２） 咲来の半導仲峯置の敗衣されｔ骸遭方５六の工程説明図
ｖＩ　３　口　（ηの１冫 イ足朱ｎ半導件共１の政欠で名Ｌ骸造方５六Ｏ工程説朗
母薯３図　（イ／）２） 程来の牛＃＃ｉＡ置／）？！鵜グｒε穀遁お六の工程説
明図番　３　図　（η／）３）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 半導体基板（１）表面に、下部配線層（２）を形成する
   工程と、 該下部配線層（２）表面に、表面を平坦化するように、
   スピン・オン法で第１の絶縁膜（４）を形成する工程と
   、 該第１の絶縁膜（４）表面に、第２の絶縁膜（６）を形
   成する工程と、 前記下部配線層（２）の上部の該第２の絶縁膜（６）、
   該第１の絶縁膜（４）を順次食刻除去して第１の開口部
   （５ａ）を形成する工程と、該第１の開口部（５ａ）内
   壁に露出した該第１の絶縁膜（４）を覆い、かつ該下部
   配線層（２）表面が露出するように、第３の絶縁膜（７
   ）を形成する工程と、 該第２の絶縁膜（６）の表面に上部配線層（２１）を形
   成し、該上部配線層（２１）と前記下部配線層（２）と
   を接続する工程と を有する半導体装置の製造方法。