JPH03192151A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
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- JPH03192151A JPH03192151A JP33153789A JP33153789A JPH03192151A JP H03192151 A JPH03192151 A JP H03192151A JP 33153789 A JP33153789 A JP 33153789A JP 33153789 A JP33153789 A JP 33153789A JP H03192151 A JPH03192151 A JP H03192151A
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- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title description 7
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 24
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 15
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 3
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 abstract description 6
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 abstract description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 abstract description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 abstract description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 abstract 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004842 bisphenol F epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- DNAJDTIOMGISDS-UHFFFAOYSA-N prop-2-enylsilane Chemical compound [SiH3]CC=C DNAJDTIOMGISDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する
ものである。さらに詳しくは、この発明は、良好な成形
性等を有するとともに半田処理後の耐湿性にも優れた半
導体封止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。
ものである。さらに詳しくは、この発明は、良好な成形
性等を有するとともに半田処理後の耐湿性にも優れた半
導体封止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。
(従来の技術)
半導体素子の封止用樹脂としては、従来より耐湿性、耐
熱性等の性能や、価格などの点を考慮してエポキシ樹脂
を主成分とするものが広く使用されてきているが、近年
では半導体関連機器の小型化とともに半導体素子の高密
度、高集積化が進み、表面実装時のパッケージ、すなわ
ちディスクリートにおけるミニモールド、スーパーミニ
モールドのパッケージ形態や、IC,LSIにおけるS
OP、QFP化が急速に進んでいる。このような動向に
ともなって、素子の発熱による熱疲労を低減すべく熱放
散性を向上させることや、半導体素子と封止用樹脂との
間に発生する熱応力を低減させること、および耐湿性を
向上させることが要求されている。
熱性等の性能や、価格などの点を考慮してエポキシ樹脂
を主成分とするものが広く使用されてきているが、近年
では半導体関連機器の小型化とともに半導体素子の高密
度、高集積化が進み、表面実装時のパッケージ、すなわ
ちディスクリートにおけるミニモールド、スーパーミニ
モールドのパッケージ形態や、IC,LSIにおけるS
OP、QFP化が急速に進んでいる。このような動向に
ともなって、素子の発熱による熱疲労を低減すべく熱放
散性を向上させることや、半導体素子と封止用樹脂との
間に発生する熱応力を低減させること、および耐湿性を
向上させることが要求されている。
このような半導体素子封止の熱放散性、低応力性を向上
させるために、一般には、結晶性シリカやアルミナ等の
フィラーをエポキシ樹脂封止用樹脂組成物に配合するこ
とが行われてきており、フィラーの種類や配合方法につ
いても種々の試みがなされてきている。また、低応力付
与剤を添加するなどの試みも提案されており、たとえば
、オルガノポリシロキサン(シリコーンオイル)やシリ
コーンパウダー、あるいはアミノシラン、エポキシシラ
ンなどのシランカップリング剤を使用することが提案さ
れている。
させるために、一般には、結晶性シリカやアルミナ等の
フィラーをエポキシ樹脂封止用樹脂組成物に配合するこ
とが行われてきており、フィラーの種類や配合方法につ
いても種々の試みがなされてきている。また、低応力付
与剤を添加するなどの試みも提案されており、たとえば
、オルガノポリシロキサン(シリコーンオイル)やシリ
コーンパウダー、あるいはアミノシラン、エポキシシラ
ンなどのシランカップリング剤を使用することが提案さ
れている。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、これまでに知られている半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物の場合には、パッケージの小型化、微
小化にともなって、パッケージ全体が実装時に半田浸漬
などの高い熱ストレスを受け、耐湿性が大幅に低下する
という問題が発生していた。
ポキシ樹脂組成物の場合には、パッケージの小型化、微
小化にともなって、パッケージ全体が実装時に半田浸漬
などの高い熱ストレスを受け、耐湿性が大幅に低下する
という問題が発生していた。
この発明は以上の通りの事情に鑑みてなされたものであ
り、従来の半導体素子封止用の樹脂成形材料の欠点を改
善し、半田浸漬後の耐湿性に優れた新しい半導体封止用
エポキシ樹脂組成物を提供することを目的としている。
り、従来の半導体素子封止用の樹脂成形材料の欠点を改
善し、半田浸漬後の耐湿性に優れた新しい半導体封止用
エポキシ樹脂組成物を提供することを目的としている。
(課題を解決するための手段)
この発明は、上記の課題を解決するものとしてエポキシ
樹脂に、次の一般式 ) で表わされる多官能シランカップリング剤を配合してな
ることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
提供する。
樹脂に、次の一般式 ) で表わされる多官能シランカップリング剤を配合してな
ることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
提供する。
また、この発明は、この多官能シランカップリング剤と
ともにシランカップリング剤を併用して併用することの
できるシランカップリング剤t、t、一般式 %式% (Yは有機官能基、Rはアルキル基、Xは加水分解基を
示す) で表わされる公知のものを使用することができる。
ともにシランカップリング剤を併用して併用することの
できるシランカップリング剤t、t、一般式 %式% (Yは有機官能基、Rはアルキル基、Xは加水分解基を
示す) で表わされる公知のものを使用することができる。
たとえば、エポキシシラン、アミノシラン、アリルシラ
ンなどを例示することができる。
ンなどを例示することができる。
上記一般式で表わされる多官能シランについては、封止
用エポキシ樹脂に配合する無機充填剤100重量部に対
して、一般的には0゜05〜5重量部、より好ましくは
0.1〜1重量部配合する。
用エポキシ樹脂に配合する無機充填剤100重量部に対
して、一般的には0゜05〜5重量部、より好ましくは
0.1〜1重量部配合する。
0.05重量部以下の配合では、半田処理後の耐湿性向
上の効果に乏しく、また、5重量部以上のでは、成形品
外観がパリの発生によって好ましくない。
上の効果に乏しく、また、5重量部以上のでは、成形品
外観がパリの発生によって好ましくない。
この発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物のベース樹
脂としては従来公知のエポキシ樹脂を適宜使用すること
ができる。このようなエポキシ樹脂としては、その分子
中にエポキシ基を2個有する化合物である限り、分子構
造、分子量などに格別制限されることなく、たとえば、
ノボラック型エポキシ樹脂およびその変性樹脂、ビスフ
ェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキ
シ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂
などの広い範囲のものを用いることができる。
脂としては従来公知のエポキシ樹脂を適宜使用すること
ができる。このようなエポキシ樹脂としては、その分子
中にエポキシ基を2個有する化合物である限り、分子構
造、分子量などに格別制限されることなく、たとえば、
ノボラック型エポキシ樹脂およびその変性樹脂、ビスフ
ェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキ
シ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂
などの広い範囲のものを用いることができる。
また、硬化剤としては、フェノール性水酸基を有するノ
ボラック型フェノール樹脂およびその変性樹脂を好まし
く使用することができる。
ボラック型フェノール樹脂およびその変性樹脂を好まし
く使用することができる。
さらに、この発明の樹脂組成物は封止用樹脂組成物とし
ての特性を実現するための種々の充填剤や添加剤を含有
することができる。たとえば、シリカ粉末等の充填剤、
難燃剤、硬化促進剤、離型剤、着色剤などを半導体素子
の種類、用途に応じて適宜配合することができる。
ての特性を実現するための種々の充填剤や添加剤を含有
することができる。たとえば、シリカ粉末等の充填剤、
難燃剤、硬化促進剤、離型剤、着色剤などを半導体素子
の種類、用途に応じて適宜配合することができる。
添加配合の方法としては、この発明においては、従来よ
りシランカップリング剤使用時に採用されているもの、
たとえばインテグラルブレンド法などの任意の方法を用
いることができる。
りシランカップリング剤使用時に採用されているもの、
たとえばインテグラルブレンド法などの任意の方法を用
いることができる。
また、この発明の樹脂組成物を用いて半導体を封止する
方法としては、従来と同様にして、封止する半導体素子
等に応じて適宜なものを採用することができる。
方法としては、従来と同様にして、封止する半導体素子
等に応じて適宜なものを採用することができる。
(作 用)
この発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、特定の
化学構造を有する多官能シランカップリング剤を配合す
ることにより、半田浸漬後の耐湿性も大きく向上させる
ことができる。
化学構造を有する多官能シランカップリング剤を配合す
ることにより、半田浸漬後の耐湿性も大きく向上させる
ことができる。
耐湿性の劣化の少ない高信頼性封止成形材料が得られる
。
。
(実施例)
以下、実施例を示して、この発明の半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物を具体的に説明する。
シ樹脂組成物を具体的に説明する。
実施例1〜4
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量2
20、軟化点64℃)にノボラック型フェノール樹脂(
OH当量110、軟化点80°C)、多官能シランカッ
プリング剤等を表1の通りに配合し、均一混合および分
散し、90〜100℃で混練し、さらに冷却、粉砕した
。
20、軟化点64℃)にノボラック型フェノール樹脂(
OH当量110、軟化点80°C)、多官能シランカッ
プリング剤等を表1の通りに配合し、均一混合および分
散し、90〜100℃で混練し、さらに冷却、粉砕した
。
なお、多官能シランカップリング剤、さらにシランカッ
プリング剤は、溶融シリカに対してインテグラルブレン
ド法により添加混合した。
プリング剤は、溶融シリカに対してインテグラルブレン
ド法により添加混合した。
このようにして半導体封止用エポキシ樹脂組成物を製造
した。
した。
得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物により半導体
素子を封止した。
素子を封止した。
評価用パッケージとしては、175℃±5℃、60 S
ec硬化させた3 Pinミニモールドパッケージを使
用した。
ec硬化させた3 Pinミニモールドパッケージを使
用した。
チップとしてはIX1+mのシリコン上に5μmのAj
配線を行ったTEGを使用した。
配線を行ったTEGを使用した。
なお、アフターキュアは175℃で5時間実施した。
このパッケージを用い、半田処理後の耐湿性をAj腐食
により評価した。その結果を表1に示した。
により評価した。その結果を表1に示した。
多官能シランカップリング剤を配合しない比較例との対
比からも明らかなように、半田処理後の耐湿性は極めて
優れていることがわかる。
比からも明らかなように、半田処理後の耐湿性は極めて
優れていることがわかる。
比較例1〜2
多官能シランカップリング剤を配合することなく、公知
のシランカップリング剤のみを配合した樹脂組成物につ
いても、実施例1〜4と同様にして耐湿性を評価した。
のシランカップリング剤のみを配合した樹脂組成物につ
いても、実施例1〜4と同様にして耐湿性を評価した。
表1にその結果を示したように、実施例1〜4に比べて
、その耐湿性は著しく劣っていた。
、その耐湿性は著しく劣っていた。
(発明の効果)
この発明により、以上詳しく説明した通り、半田浸漬後
の耐湿性を大幅に向上させることのできる半導体封止用
エポキシ樹脂組成物が実現される。
の耐湿性を大幅に向上させることのできる半導体封止用
エポキシ樹脂組成物が実現される。
Claims (3)
- (1)エポキシ樹脂に、次の一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (R_1は、▲数式、化学式、表等があります▼ を示す) で表わされる多官能シランカップリング剤を配合してな
ることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - (2)多官能シランカップリング剤とシランカップリン
グ剤とを併用して配合する請求項(1)記載の半導体封
止用エポキシ樹脂組成物。 - (3)無機充填剤を配合し、この無機充填剤100重量
部に対して0.05〜5重量部の多官能シランカップリ
ング剤を配合する請求項(1)または(2)記載の半導
体封止用エポキシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33153789A JPH0637588B2 (ja) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33153789A JPH0637588B2 (ja) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03192151A true JPH03192151A (ja) | 1991-08-22 |
JPH0637588B2 JPH0637588B2 (ja) | 1994-05-18 |
Family
ID=18244768
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33153789A Expired - Lifetime JPH0637588B2 (ja) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0637588B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0459862A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-26 | Toray Ind Inc | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
WO1994006807A1 (en) * | 1992-09-16 | 1994-03-31 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Single component inorganic/organic network materials and precursors thereof |
JP2016160281A (ja) * | 2015-02-26 | 2016-09-05 | 旭化成株式会社 | 硬化性樹脂組成物及びその製造方法、並びに、光半導体用封止材、光半導体用ダイボンド材、及び光半導体パッケージ |
JP2016160282A (ja) * | 2015-02-26 | 2016-09-05 | 旭化成株式会社 | 硬化性樹脂組成物及びその製造方法、並びに、光半導体用封止材、光半導体用ダイボンド材、及び光半導体パッケージ |
WO2016170850A1 (ja) * | 2015-04-20 | 2016-10-27 | 信越化学工業株式会社 | エポキシ基含有環状オルガノシロキサン |
JP2018118940A (ja) * | 2017-01-27 | 2018-08-02 | モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 | 熱伝導性ポリシロキサン組成物用表面処理剤 |
-
1989
- 1989-12-21 JP JP33153789A patent/JPH0637588B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0459862A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-26 | Toray Ind Inc | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
WO1994006807A1 (en) * | 1992-09-16 | 1994-03-31 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Single component inorganic/organic network materials and precursors thereof |
JP2016160281A (ja) * | 2015-02-26 | 2016-09-05 | 旭化成株式会社 | 硬化性樹脂組成物及びその製造方法、並びに、光半導体用封止材、光半導体用ダイボンド材、及び光半導体パッケージ |
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JP2016204288A (ja) * | 2015-04-20 | 2016-12-08 | 信越化学工業株式会社 | エポキシ基含有環状オルガノシロキサン |
JP2018118940A (ja) * | 2017-01-27 | 2018-08-02 | モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 | 熱伝導性ポリシロキサン組成物用表面処理剤 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0637588B2 (ja) | 1994-05-18 |
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