JPH03188300A - 等電位選択除去方法 - Google Patents
等電位選択除去方法Info
- Publication number
- JPH03188300A JPH03188300A JP32755089A JP32755089A JPH03188300A JP H03188300 A JPH03188300 A JP H03188300A JP 32755089 A JP32755089 A JP 32755089A JP 32755089 A JP32755089 A JP 32755089A JP H03188300 A JPH03188300 A JP H03188300A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- potential
- copper
- nickel
- treated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 100
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 100
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 33
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 24
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 88
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 44
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 43
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 40
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 40
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 241000473391 Archosargus rhomboidalis Species 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- KOWWOODYPWDWOJ-LVBPXUMQSA-N elatine Chemical compound C([C@]12CN(C3[C@@]45OCO[C@]44[C@H]6[C@@H](OC)[C@@H]([C@H](C4)OC)C[C@H]6[C@@]3([C@@H]1[C@@H]5OC)[C@@H](OC)CC2)CC)OC(=O)C1=CC=CC=C1N1C(=O)CC(C)C1=O KOWWOODYPWDWOJ-LVBPXUMQSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
「産業上の利用分野〕
本発明は、被処理物の表面処理方法に関し、特に印刷配
線板におけるエツチングの際の等電位選択除去方法に関
する。 〔従来の技術〕 フォト・レジスト法(フォト・エツチング)は、半導体
トランジスタや薄膜集積回路等の製造技術として発展し
ている。 例えば、部分拡散を行うため、シリコン表面全体にSi
n、膜をつけて、この膜上にフォトレジスト膜を塗布し
、ガラス板上に予め焼き付けである回路パターンマスク
を当て、写真感光させて露光した部分に光硬化を起こさ
せ、その後の現像液処理で侵されないようにし、露光し
ない部分だけ現像処理によりフォトレジスト膜を溶解し
、そこに穴をあけてS10.膜を露出させる。この後、
薬品に浸すと、フォトレジスト膜は腐食され難いため、
フォトレジスト膜に穴のあいた部分のSin、膜だけが
エツチングされて取り除かれる。 ところで、近年、電子計算機の高速化、高性能化に伴っ
て、使用される印刷配線板の高密度化が要求されている
。しかし、印刷配線板の高密度化に伴って、回路のライ
ン微細化が進んでいるため、表面処理が難かしくなって
いる。 第4図は、従来のニッケルめっき処理過程の断面図であ
る。 第4図において、11は樹脂、12は銅、13はニッケ
ル、14は回路(銅パターン)、15はレジスト膜であ
る。 例えば、印刷配線板の製造において、第4図に示すよう
に、樹脂11の両側に銅を付着させて積層板を形成する
。数十ミクロンの銅張積層板にニッケルめっきを行って
ニッケル薄膜13を形成させ、回路部分14以外にレジ
スト15を施こして、回路部分のみにニッケル薄膜をエ
ツチングし、無電解銅めっき液を用いて銅パターン14
を形成させている。このような製造において、銅および
銅合金12上のニッケル薄膜13のみをエツチングさせ
る必要がある。第4図に示すように、積層板上の銅の厚
さが5〜6μmであるのに対して、ニッケル薄膜の厚さ
は70μmであり、その内部をwl細の回路部分のみニ
ッケル薄膜】3をエツチングするのは、極めて難かしい
。 なお、ニッケル金属のみをエツチングする方法としては
、ニッケルエツチング液組成に関する多くの提案が出さ
れている。例えば、特公昭5639712号公報、特公
昭57−49632号公報、特公昭58−15538号
公報、特開昭57134536号公報、あるいは特開昭
57−155379号公報等があり、これらは全てエツ
チング液の組成に関するものである。 〔発明が解決しようとする課題〕 このように、従来の方法では、処理液組成を変更するこ
とにより、被処理物の表面金属のみをエツチングしてい
る。しかしながら、このような方法でエツチングを行う
場合には、被処理物の表面金属状態およびエツチング液
状態によって、被処理物の表面金属が残存したり、ある
いは表面金属と接触している金属がエツチングされると
いう問題があった。例えば、第4図のエツチングの場合
に、被処理物の表面金属であるニッケル13が残存した
り、それに接触している銅12がエツチングされて樹脂
11が露出してしまうこともあった。 エツチング性能が低下すると、印刷配線板上で電気的誤
動作が生じるので、使用できなくなる。 本発明の目的は、このような従来の課題を解決し、高密
度化された印刷配線板においても、被処理物の表面金属
のみをエツチングすることが可能な等電位選択除去方法
を提供することにある。 〔課題を解決するための手段〕 上記目的を達成するため、本発明の等電位選択除去方法
は、(イ)被処理物以外の外部電源を用い、溶液に被処
理物を浸漬するとともに、外部電源に導線を介して被処
理物を接続することにより、被処理物の表面の金属が溶
解する溶解電位に被処理物の金属表面を保持することに
特徴がある。また、(ロ)被処理物以外に被処理物の金
属表面と同じ種類の金属の電極を用い、溶液に被処理物
および金属電極を浸漬するとともに、被処理物の金属表
面と金属電極とを導線で結び、被処理物の金属が溶解す
る溶解電位に被処理物の金属表面を保持することにも特
徴がある。また、(ハ)被処理物以外に該被処理物の金
属表面と同じ種類の金属の電極および外部電源を用い、
溶液に被処理物および金属電極を浸漬するとともに、外
部電源に導線を介して金属電極を接続し、さらに金属電
極に導線を介して被処理物の金属表面を接続し、外部電
源から負電位を印加することにより、金属電極および被
処理物の表面金属の溶解を抑制することにも特徴がある
。さらに、(ホ)溶液として、エツチング液を用い、目
的の金属のみをエツチングさせることにも特徴がある。 〔作 用〕 本発明においては、金属が溶解する際に発生する溶解電
位を利用する。すなわち、金属が溶解する際にその表面
の電位を計測すると、金属によってそれぞれ異なる電位
を発生する。例えば、銅の溶解電位は50mVであり、
ニッケルは80mVである。従って、銅の上にニッケル
を積層した積層板を溶解させると、先ずニッケルが溶解
するまでは積層板の電位は80mVを保持し、ニッケル
が溶解してしまうと、銅が表面に現われるので、それ以
後は処理液を弱くして、金属の表面を計測すると、50
mVの溶解電位を保持する。そこで、これらの金属に特
有の電位を保持することにより、目的の金属のみをエツ
チングできることに着目した。溶解電位を保持するには
、(イ)処理液に被処理物を浸漬させ、外部電源を用い
て被処理物の表面金属に溶解電位をかける方法と、(ロ
)外部電源を用いずに、処理液に浸漬させた同一種類の
金属と被処理物の表面金属を金属で結ぶ方法、および(
ハ)被処理物を処理しない場合には、浸漬させた金属の
溶解を防止するために、外部電源を用いて浸漬させた金
属に負電位をかける方法とがある。 〔実施例〕 以下、本発明の実施例を、図面により詳細に説明する。 第1図は、本発明の一実施例を示す等電位選択除去方法
によるエツチング処理状態の断面模式図であり、第2図
は、第1図における処理時間とニッケルおよび銅の溶解
電位の関係を示す図であり、また第3図は第1図におけ
る処理時間と銅の溶解量の関係図である。 第1図において、1は被処理物と異なる金属、2は被処
理物(銅張積層板の試料l、2)、3はエツチング液、
4は金属線、5は電源をON、OFFするスイッチであ
る。 本実施例に使用する被処理物の試料として、銅張積層板
(例えば、品名MCL−E−168)を10cmXlo
cmに切断したものを作成し、これをサンプル(1)と
した。次に、上記サンプル(1)の試料にニッケルめっ
き厚を0.06〜0.1μmだけ施こし、めっきレジス
ト(例えば、品名5A−7070)を塗布して現像し、
100μmのライン幅を作成した試料を、サンプル(2
)とした。 また、本実施例で使用するエツチング液として、液組成
がN−950(品名メルストップ)の濃度500mQ/
Q、過酸化水素の濃度50mα/Cとし、液温40℃の
ものを使用した。 このように、サンプル(1)の被処理物は銅のみで構成
されているため、表面は勿論鋼である。また、サンプル
(2)の被処理物の表面金属はニッケルで、表面金属に
接触している金属は銅である。 すなわち、サンプル(2)は、第4図のエツチングに使
用された被処理物と樹脂を除けば同一である。 [実験1](単にエツチング液に浸漬する場合)先ず、
第1図に示すように、エツチング液3で満たされた容器
の中に、サンプル(1)を被処理物2として4分間だけ
浸漬し、容器から外に出した後、次に被処理物2に水洗
を1分間だけ行った。 サンプル(1)は銅のみの試料であるため、エツチング
液に浸漬させると全部溶解される。 エラチン液に浸漬している時および水洗時に、被処理物
の表面の溶解電位を測定すると、第2図に示すように、
50mVとなり、銅溶解量は第3図に示すように、3.
2μmとなった。 なお、第2図の横軸に処理時間(分)を、縦軸に溶解電
位(m V)をとっており、サンプル(1)は銅のみで
構成されるので、この銅が全て溶解されるまで4分かか
り、その時点まで溶解電位は50mVを保持する。また
、第3図の横軸に処理時間(分)を、縦軸に銅溶解量(
μm)をとっており、サンプル(1)は銅のみで構成さ
れるので、特性Bの線に沿って銅は溶解される。銅が全
て溶解されるまで4分かかり、その時間の溶解量は3.
2μmである。なお、溶解量の単位として、(重さ/比
重)=(高さ)(μm)を用いている。 次に、サンプル(2)をエツチング液3に4分間浸漬し
、その後、外に出して水洗を1分間処理した。それによ
り、全ての基材鋼がエツチングされた。これは、前述の
ように、表面のニッケルが溶解するまでは、第2図に示
すように、溶解電位は80mVを保持しているが、ニッ
ケルが4分で全て溶解されると、次に銅が溶解され始め
て、溶解電位は50mVを保持するようになる。この銅
も、水洗の1分で溶解されることになる。
線板におけるエツチングの際の等電位選択除去方法に関
する。 〔従来の技術〕 フォト・レジスト法(フォト・エツチング)は、半導体
トランジスタや薄膜集積回路等の製造技術として発展し
ている。 例えば、部分拡散を行うため、シリコン表面全体にSi
n、膜をつけて、この膜上にフォトレジスト膜を塗布し
、ガラス板上に予め焼き付けである回路パターンマスク
を当て、写真感光させて露光した部分に光硬化を起こさ
せ、その後の現像液処理で侵されないようにし、露光し
ない部分だけ現像処理によりフォトレジスト膜を溶解し
、そこに穴をあけてS10.膜を露出させる。この後、
薬品に浸すと、フォトレジスト膜は腐食され難いため、
フォトレジスト膜に穴のあいた部分のSin、膜だけが
エツチングされて取り除かれる。 ところで、近年、電子計算機の高速化、高性能化に伴っ
て、使用される印刷配線板の高密度化が要求されている
。しかし、印刷配線板の高密度化に伴って、回路のライ
ン微細化が進んでいるため、表面処理が難かしくなって
いる。 第4図は、従来のニッケルめっき処理過程の断面図であ
る。 第4図において、11は樹脂、12は銅、13はニッケ
ル、14は回路(銅パターン)、15はレジスト膜であ
る。 例えば、印刷配線板の製造において、第4図に示すよう
に、樹脂11の両側に銅を付着させて積層板を形成する
。数十ミクロンの銅張積層板にニッケルめっきを行って
ニッケル薄膜13を形成させ、回路部分14以外にレジ
スト15を施こして、回路部分のみにニッケル薄膜をエ
ツチングし、無電解銅めっき液を用いて銅パターン14
を形成させている。このような製造において、銅および
銅合金12上のニッケル薄膜13のみをエツチングさせ
る必要がある。第4図に示すように、積層板上の銅の厚
さが5〜6μmであるのに対して、ニッケル薄膜の厚さ
は70μmであり、その内部をwl細の回路部分のみニ
ッケル薄膜】3をエツチングするのは、極めて難かしい
。 なお、ニッケル金属のみをエツチングする方法としては
、ニッケルエツチング液組成に関する多くの提案が出さ
れている。例えば、特公昭5639712号公報、特公
昭57−49632号公報、特公昭58−15538号
公報、特開昭57134536号公報、あるいは特開昭
57−155379号公報等があり、これらは全てエツ
チング液の組成に関するものである。 〔発明が解決しようとする課題〕 このように、従来の方法では、処理液組成を変更するこ
とにより、被処理物の表面金属のみをエツチングしてい
る。しかしながら、このような方法でエツチングを行う
場合には、被処理物の表面金属状態およびエツチング液
状態によって、被処理物の表面金属が残存したり、ある
いは表面金属と接触している金属がエツチングされると
いう問題があった。例えば、第4図のエツチングの場合
に、被処理物の表面金属であるニッケル13が残存した
り、それに接触している銅12がエツチングされて樹脂
11が露出してしまうこともあった。 エツチング性能が低下すると、印刷配線板上で電気的誤
動作が生じるので、使用できなくなる。 本発明の目的は、このような従来の課題を解決し、高密
度化された印刷配線板においても、被処理物の表面金属
のみをエツチングすることが可能な等電位選択除去方法
を提供することにある。 〔課題を解決するための手段〕 上記目的を達成するため、本発明の等電位選択除去方法
は、(イ)被処理物以外の外部電源を用い、溶液に被処
理物を浸漬するとともに、外部電源に導線を介して被処
理物を接続することにより、被処理物の表面の金属が溶
解する溶解電位に被処理物の金属表面を保持することに
特徴がある。また、(ロ)被処理物以外に被処理物の金
属表面と同じ種類の金属の電極を用い、溶液に被処理物
および金属電極を浸漬するとともに、被処理物の金属表
面と金属電極とを導線で結び、被処理物の金属が溶解す
る溶解電位に被処理物の金属表面を保持することにも特
徴がある。また、(ハ)被処理物以外に該被処理物の金
属表面と同じ種類の金属の電極および外部電源を用い、
溶液に被処理物および金属電極を浸漬するとともに、外
部電源に導線を介して金属電極を接続し、さらに金属電
極に導線を介して被処理物の金属表面を接続し、外部電
源から負電位を印加することにより、金属電極および被
処理物の表面金属の溶解を抑制することにも特徴がある
。さらに、(ホ)溶液として、エツチング液を用い、目
的の金属のみをエツチングさせることにも特徴がある。 〔作 用〕 本発明においては、金属が溶解する際に発生する溶解電
位を利用する。すなわち、金属が溶解する際にその表面
の電位を計測すると、金属によってそれぞれ異なる電位
を発生する。例えば、銅の溶解電位は50mVであり、
ニッケルは80mVである。従って、銅の上にニッケル
を積層した積層板を溶解させると、先ずニッケルが溶解
するまでは積層板の電位は80mVを保持し、ニッケル
が溶解してしまうと、銅が表面に現われるので、それ以
後は処理液を弱くして、金属の表面を計測すると、50
mVの溶解電位を保持する。そこで、これらの金属に特
有の電位を保持することにより、目的の金属のみをエツ
チングできることに着目した。溶解電位を保持するには
、(イ)処理液に被処理物を浸漬させ、外部電源を用い
て被処理物の表面金属に溶解電位をかける方法と、(ロ
)外部電源を用いずに、処理液に浸漬させた同一種類の
金属と被処理物の表面金属を金属で結ぶ方法、および(
ハ)被処理物を処理しない場合には、浸漬させた金属の
溶解を防止するために、外部電源を用いて浸漬させた金
属に負電位をかける方法とがある。 〔実施例〕 以下、本発明の実施例を、図面により詳細に説明する。 第1図は、本発明の一実施例を示す等電位選択除去方法
によるエツチング処理状態の断面模式図であり、第2図
は、第1図における処理時間とニッケルおよび銅の溶解
電位の関係を示す図であり、また第3図は第1図におけ
る処理時間と銅の溶解量の関係図である。 第1図において、1は被処理物と異なる金属、2は被処
理物(銅張積層板の試料l、2)、3はエツチング液、
4は金属線、5は電源をON、OFFするスイッチであ
る。 本実施例に使用する被処理物の試料として、銅張積層板
(例えば、品名MCL−E−168)を10cmXlo
cmに切断したものを作成し、これをサンプル(1)と
した。次に、上記サンプル(1)の試料にニッケルめっ
き厚を0.06〜0.1μmだけ施こし、めっきレジス
ト(例えば、品名5A−7070)を塗布して現像し、
100μmのライン幅を作成した試料を、サンプル(2
)とした。 また、本実施例で使用するエツチング液として、液組成
がN−950(品名メルストップ)の濃度500mQ/
Q、過酸化水素の濃度50mα/Cとし、液温40℃の
ものを使用した。 このように、サンプル(1)の被処理物は銅のみで構成
されているため、表面は勿論鋼である。また、サンプル
(2)の被処理物の表面金属はニッケルで、表面金属に
接触している金属は銅である。 すなわち、サンプル(2)は、第4図のエツチングに使
用された被処理物と樹脂を除けば同一である。 [実験1](単にエツチング液に浸漬する場合)先ず、
第1図に示すように、エツチング液3で満たされた容器
の中に、サンプル(1)を被処理物2として4分間だけ
浸漬し、容器から外に出した後、次に被処理物2に水洗
を1分間だけ行った。 サンプル(1)は銅のみの試料であるため、エツチング
液に浸漬させると全部溶解される。 エラチン液に浸漬している時および水洗時に、被処理物
の表面の溶解電位を測定すると、第2図に示すように、
50mVとなり、銅溶解量は第3図に示すように、3.
2μmとなった。 なお、第2図の横軸に処理時間(分)を、縦軸に溶解電
位(m V)をとっており、サンプル(1)は銅のみで
構成されるので、この銅が全て溶解されるまで4分かか
り、その時点まで溶解電位は50mVを保持する。また
、第3図の横軸に処理時間(分)を、縦軸に銅溶解量(
μm)をとっており、サンプル(1)は銅のみで構成さ
れるので、特性Bの線に沿って銅は溶解される。銅が全
て溶解されるまで4分かかり、その時間の溶解量は3.
2μmである。なお、溶解量の単位として、(重さ/比
重)=(高さ)(μm)を用いている。 次に、サンプル(2)をエツチング液3に4分間浸漬し
、その後、外に出して水洗を1分間処理した。それによ
り、全ての基材鋼がエツチングされた。これは、前述の
ように、表面のニッケルが溶解するまでは、第2図に示
すように、溶解電位は80mVを保持しているが、ニッ
ケルが4分で全て溶解されると、次に銅が溶解され始め
て、溶解電位は50mVを保持するようになる。この銅
も、水洗の1分で溶解されることになる。
【実験2](本発明の処理を行った場合)次に、サンプ
ル(1)をエツチング液3に浸漬した。ただし、実験1
と異なる点は、ニッケル金属1と銅線4により接続され
ることにより、等電位にされる点である。すなわち、第
1図に示すように、被処理物2とニッケル金Mlを銅線
4で接続して、4分間浸漬した。この時に、第1図に示
すように、電源スィッチ5はOFFのままの状態である
。この後、容器から外に出して1分間だけ水洗を行った
。この時点で、溶解電位を測定すると、第2図に示すよ
うに、80mVとなり、また銅溶解量は第3図に示すよ
うに、0.3μmとなった。 この場合、銅線4でニッケル1に接続され、等電位に保
持されるため、エツチング液に浸漬されても銅特有の溶
解電位にはならず、ニッケルと同電位の80mVに保持
されている。また、この場合には、第3図における特性
Aの線に沿って銅が溶解されるので、4分後でも0.3
μmしか溶解されない。要するに、エツチング液に浸漬
しても、銅線4で等電位に保持すれば、エツチング処理
されないということになる。 次に、サンプル(2)を等電位方法を用いて、エツチン
グ液に4分間浸漬し、その後、1分間の水洗を行った。 その時点で、ライン表面を観察すると、銅のみであった
。等電位選択除去方法における電源スィッチ5は、第1
C!!Iに示すようにOFFにした。 次に、第1図に示すように、ニッケル金属lをエツチン
グ液3に浸漬させ、電源スィッチ5をONにし、−80
mVの電位をニッケル金属1にかけた。そして、浸漬前
後でニッケル金属lの重量を測定したところ、重量の変
化はなく、全くエツチングされなかった。 すなわち、サンプル(2)は銅の上にニッケルを付着し
ているため、最初は、被処理物の表面のニッケルとニッ
ケル金属1とが等電位に保持されて、エツチング液3に
4分間浸漬されている間に溶解されてしまい、その結果
、被処理物は銅のみとなったが、鯛はニッケル金属1と
等電位に保持されることにより、殆んど溶解されなかっ
たことになる。しかし、次に、電源スィッチ5をONに
して、負電位(−80mV)をニッケル金属1にかける
と、ニッケル金属lがニッケルの溶解電位(+80mV
)と異なる電位に保持されることにより、それが銅線4
を通して被処理物2に対しても負電位(−80mV)を
保持することになる。サンプル(2)の被処理物の溶解
電位は+80mV[ニッケル)と+50mV(銅)であ
り、エツチング液3に浸漬されている間中、これらとは
全く異なる電位に保持されているため、溶解は起こらな
かったことになる。すなわち、負電位をかけることによ
り、溶解を防止することができる。この場合にも、第3
図の特性Aに沿って4分間で0.3μmしか溶解されな
かった。 ニッケル金属1に負電源電位をかける方法は、金属の溶
解を抑制することができるので、被処理物を処理しない
場合に用いられる。 【他の実施例】 第5図は、本発明の他の実施例を示す等電位選択除去方
法によるエツチング処理状態の断面図である。 本発明の他の実施例として、第1図のニッケル金属lを
用いずに、直接電源電圧を被処理物2にかける方法があ
る。すなわち、第5図に示すように、この場合にも、電
源電圧を+80mVにすれば、被処理物2の表面のニッ
ケルのみを溶解させ、接触する銅の溶解を防止すること
ができる。また、電源電圧を+50mVにすれば、被処
理物2の銅のみを溶解させることができる。 このように、本実施例においては、等電位選択除去方法
を用いてエツチング処理を行えば、ニッケル(被処理物
の表面金属)のみを溶解することができ、銅(被処理物
の表面金属と接触している金属)の溶解を抑制すること
ができる。さらに、外部電源を用いて処理液に浸漬した
金属に負電位をかけることにより、金属の溶解をも抑制
することが可能である。 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、金属が溶解する
時の溶解電位を導線あるいは外部電源により保持するの
で、被処理物の表面金属のみを確実にエツチングするこ
とができ、表面金属が残存したり、表面金属と接触して
いる金属がエツチングされたりする8配がない。
ル(1)をエツチング液3に浸漬した。ただし、実験1
と異なる点は、ニッケル金属1と銅線4により接続され
ることにより、等電位にされる点である。すなわち、第
1図に示すように、被処理物2とニッケル金Mlを銅線
4で接続して、4分間浸漬した。この時に、第1図に示
すように、電源スィッチ5はOFFのままの状態である
。この後、容器から外に出して1分間だけ水洗を行った
。この時点で、溶解電位を測定すると、第2図に示すよ
うに、80mVとなり、また銅溶解量は第3図に示すよ
うに、0.3μmとなった。 この場合、銅線4でニッケル1に接続され、等電位に保
持されるため、エツチング液に浸漬されても銅特有の溶
解電位にはならず、ニッケルと同電位の80mVに保持
されている。また、この場合には、第3図における特性
Aの線に沿って銅が溶解されるので、4分後でも0.3
μmしか溶解されない。要するに、エツチング液に浸漬
しても、銅線4で等電位に保持すれば、エツチング処理
されないということになる。 次に、サンプル(2)を等電位方法を用いて、エツチン
グ液に4分間浸漬し、その後、1分間の水洗を行った。 その時点で、ライン表面を観察すると、銅のみであった
。等電位選択除去方法における電源スィッチ5は、第1
C!!Iに示すようにOFFにした。 次に、第1図に示すように、ニッケル金属lをエツチン
グ液3に浸漬させ、電源スィッチ5をONにし、−80
mVの電位をニッケル金属1にかけた。そして、浸漬前
後でニッケル金属lの重量を測定したところ、重量の変
化はなく、全くエツチングされなかった。 すなわち、サンプル(2)は銅の上にニッケルを付着し
ているため、最初は、被処理物の表面のニッケルとニッ
ケル金属1とが等電位に保持されて、エツチング液3に
4分間浸漬されている間に溶解されてしまい、その結果
、被処理物は銅のみとなったが、鯛はニッケル金属1と
等電位に保持されることにより、殆んど溶解されなかっ
たことになる。しかし、次に、電源スィッチ5をONに
して、負電位(−80mV)をニッケル金属1にかける
と、ニッケル金属lがニッケルの溶解電位(+80mV
)と異なる電位に保持されることにより、それが銅線4
を通して被処理物2に対しても負電位(−80mV)を
保持することになる。サンプル(2)の被処理物の溶解
電位は+80mV[ニッケル)と+50mV(銅)であ
り、エツチング液3に浸漬されている間中、これらとは
全く異なる電位に保持されているため、溶解は起こらな
かったことになる。すなわち、負電位をかけることによ
り、溶解を防止することができる。この場合にも、第3
図の特性Aに沿って4分間で0.3μmしか溶解されな
かった。 ニッケル金属1に負電源電位をかける方法は、金属の溶
解を抑制することができるので、被処理物を処理しない
場合に用いられる。 【他の実施例】 第5図は、本発明の他の実施例を示す等電位選択除去方
法によるエツチング処理状態の断面図である。 本発明の他の実施例として、第1図のニッケル金属lを
用いずに、直接電源電圧を被処理物2にかける方法があ
る。すなわち、第5図に示すように、この場合にも、電
源電圧を+80mVにすれば、被処理物2の表面のニッ
ケルのみを溶解させ、接触する銅の溶解を防止すること
ができる。また、電源電圧を+50mVにすれば、被処
理物2の銅のみを溶解させることができる。 このように、本実施例においては、等電位選択除去方法
を用いてエツチング処理を行えば、ニッケル(被処理物
の表面金属)のみを溶解することができ、銅(被処理物
の表面金属と接触している金属)の溶解を抑制すること
ができる。さらに、外部電源を用いて処理液に浸漬した
金属に負電位をかけることにより、金属の溶解をも抑制
することが可能である。 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、金属が溶解する
時の溶解電位を導線あるいは外部電源により保持するの
で、被処理物の表面金属のみを確実にエツチングするこ
とができ、表面金属が残存したり、表面金属と接触して
いる金属がエツチングされたりする8配がない。
第1図は本発明の一実施例を示す等電位選択除去方法に
よるエツチング処理状態の断面図、第2図は第1図にお
ける処理時間と溶解電位の関係図、第3図は第1図にお
ける処理時間と溶解量の関係図、第4図は従来の金属積
層板とエツチングの説明図、第5図は本発明の他の実施
例を示す等電位選択除去方法によるエツチング処理状態
の断面図である。 1:等電位保持用の金属、2:被処理物、3:エツチン
グ液、4:金属線、5:電源スィッチ、11:樹脂、1
2:銅、13:ニッケル、14:銅パターン(回路部分
)、15ニレジスト膜。 第 図 第 図 処理時間(分) 第 3 処理時間(分) 図 第 図
よるエツチング処理状態の断面図、第2図は第1図にお
ける処理時間と溶解電位の関係図、第3図は第1図にお
ける処理時間と溶解量の関係図、第4図は従来の金属積
層板とエツチングの説明図、第5図は本発明の他の実施
例を示す等電位選択除去方法によるエツチング処理状態
の断面図である。 1:等電位保持用の金属、2:被処理物、3:エツチン
グ液、4:金属線、5:電源スィッチ、11:樹脂、1
2:銅、13:ニッケル、14:銅パターン(回路部分
)、15ニレジスト膜。 第 図 第 図 処理時間(分) 第 3 処理時間(分) 図 第 図
Claims (4)
- 1.溶液を用いて金属表面の異なる金属を選択的に除去
する方法において、被処理物以外の外部電源を用い、溶
液に該被処理物を浸漬するとともに、該外部電源に導線
を介して被処理物を接続することにより、該被処理物の
表面の金属が溶解する溶解電位に該被処理物の金属表面
を保持することを特徴とする等電位選択除去方法。 - 2.溶液を用いて金属表面の異なる金属を選択的に除去
する方法において、被処理物以外に該被処理物の金属表
面と同じ種類の金属の電極を用い、溶液に該被処理物お
よび上記金属電極を浸漬するとともに、該被処理物の金
属表面と該金属電極とを導線で結び、該被処理物の金属
が溶解する溶解電位に該被処理物の金属表面を保持する
ことを特徴とする等電位選択除去方法。 - 3.溶液を用いて金属表面の異なる金属を選択的に除去
する方法において、被処理物以外に該被処理物の金属表
面と同じ種類の金属の電極および外部電源を用い、溶液
に該被処理物および上記金属電極を浸漬するとともに、
該外部電源に導線を介して該金属電極を接続し、さらに
該金属電極に導線を介して該被処理物の金属表面を接続
し、該外部電源から負電位を印加することにより、該金
属電極および該被処理物の表面金属の溶解を抑制するこ
とを特徴とする等電位選択除去方法。 - 4.請求項1、2または3に記載の等電位選択除去方法
において、上記溶液として、エッチング液を用い、目的
の金属のみをエッチングさせることを特徴とする等電位
選択除去方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32755089A JPH03188300A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 等電位選択除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32755089A JPH03188300A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 等電位選択除去方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03188300A true JPH03188300A (ja) | 1991-08-16 |
Family
ID=18200322
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32755089A Pending JPH03188300A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 等電位選択除去方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03188300A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5269890A (en) * | 1992-12-31 | 1993-12-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Electrochemical process and product therefrom |
US8426235B2 (en) | 2009-05-19 | 2013-04-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing capacitive electromechanical transducer |
-
1989
- 1989-12-18 JP JP32755089A patent/JPH03188300A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5269890A (en) * | 1992-12-31 | 1993-12-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Electrochemical process and product therefrom |
US8426235B2 (en) | 2009-05-19 | 2013-04-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing capacitive electromechanical transducer |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4943346A (en) | Method for manufacturing printed circuit boards | |
US4054484A (en) | Method of forming crossover connections | |
CN110537396B (zh) | 利用种子层的电路形成方法 | |
US7468321B2 (en) | Application of impressed-current cathodic protection to prevent metal corrosion and oxidation | |
JPH05166454A (ja) | チップ型ヒューズ | |
JPH03188300A (ja) | 等電位選択除去方法 | |
US6043150A (en) | Method for uniform plating of dendrites | |
CN108770219B (zh) | 无引线板面镀金与osp表面处理的pcb板制作方法 | |
JP2001118872A (ja) | バンプの形成方法 | |
JP3463353B2 (ja) | 半導体電極の製造方法 | |
JPH04245129A (ja) | チップ型ヒューズ | |
JPH0348489A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
JPH03245593A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
GB2087157A (en) | Solder plating printed circuit boards | |
JPH1075063A (ja) | ポスト接続型プリント配線板の製造方法 | |
JPH0779060A (ja) | 配線パターン形成方法及びレジスト除去装置 | |
JPH0629647A (ja) | フォトレジストの剥離方法 | |
JPH05226054A (ja) | 異方導電フィルムの製造方法 | |
JPH10135604A (ja) | 105乃至400ミクロン膜厚並びに17乃至105ミクロン膜厚のハイブリットプリント回路の製造方法 | |
TW556293B (en) | Bump process | |
JPH02312295A (ja) | プリント基板の製造方法 | |
JP4439681B2 (ja) | 配線基板用検査板の製造方法 | |
JPH0481877B2 (ja) | ||
TW202348101A (zh) | 線圈裝置及印刷電路板 | |
JPH05160545A (ja) | プリント配線板の製法 |