JPH03184966A - 光学活性エポキシシクロヘキサン誘導体及びその製造方法 - Google Patents
光学活性エポキシシクロヘキサン誘導体及びその製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D303/00—Compounds containing three-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
- C07D303/02—Compounds containing oxirane rings
- C07D303/38—Compounds containing oxirane rings with hydrocarbon radicals, substituted by carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D303/00—Compounds containing three-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
- C07D303/02—Compounds containing oxirane rings
- C07D303/38—Compounds containing oxirane rings with hydrocarbon radicals, substituted by carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals
- C07D303/40—Compounds containing oxirane rings with hydrocarbon radicals, substituted by carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals by ester radicals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D493/00—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system
- C07D493/02—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system in which the condensed system contains two hetero rings
- C07D493/10—Spiro-condensed systems
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Epoxy Compounds (AREA)
- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は下記−紋穴(I)
II″
(式中、Rは4−オキシカルボニル−1−ヒドロキシ−
3−メチル−3(Z)−ブテン−1−イル基、又は4−
ヒドロキシカルボニル−3−メチル1 (E) 、
3 (Z)−ブタジェン−1−イル基を表し、R1及
びVは低級アルコキシ基を表すか、又はR′及びR1は
結合している炭素原子と一体となって1.3−ジオキソ
ラン環を形成する。)で表される光学活性エポキシシク
ロヘキサン誘導体、及びその鏡像異性体及び−紋穴(1
)で表される光学活性エポキシシクロヘキサン誘導体よ
り導かれる一般式(II) (式中、R1は水素原子、低級アルキル基、アリル基、
アラルキル基又はアリール基を表す、〉で表される光学
活性エポキシシクロヘキサノン誘導体及びその鏡像異性
体、並びに前記−紋穴(1)においてRが4−ヒドロキ
シカルボニル−3−メチル−1(E) 、 3 (Z
)−ブタジェン−1−イルの場合の化合物の製造方法に
関する。
3−メチル−3(Z)−ブテン−1−イル基、又は4−
ヒドロキシカルボニル−3−メチル1 (E) 、
3 (Z)−ブタジェン−1−イル基を表し、R1及
びVは低級アルコキシ基を表すか、又はR′及びR1は
結合している炭素原子と一体となって1.3−ジオキソ
ラン環を形成する。)で表される光学活性エポキシシク
ロヘキサン誘導体、及びその鏡像異性体及び−紋穴(1
)で表される光学活性エポキシシクロヘキサン誘導体よ
り導かれる一般式(II) (式中、R1は水素原子、低級アルキル基、アリル基、
アラルキル基又はアリール基を表す、〉で表される光学
活性エポキシシクロヘキサノン誘導体及びその鏡像異性
体、並びに前記−紋穴(1)においてRが4−ヒドロキ
シカルボニル−3−メチル−1(E) 、 3 (Z
)−ブタジェン−1−イルの場合の化合物の製造方法に
関する。
本発明により得られる光学活性エポキシシクロヘキサン
誘導体(1)及びその鏡像異性体、並びに光学活性エボ
キシンクロヘキサノン誘導体(II)及びその鏡像異性
体は植物ホルモンとして植物生理に重要な作用を有して
いるが、未だ農業への応用がされておらず将来を期待さ
れている下記式(Ill)で表されるアブシジン酸及び
アブシジン酸と同等の活性を有しているがアプシジン酸
以上に入手が困難なために農業生産への応用がされずに
いる下記式(■)で表されるキサントキシン双方の天然
型の光学活性及びその鏡像異性体を製造す0 〔従来の技術〕 従来、光学活性アブシジン酸を製造する方法はいくつか
知られている。それらは(イ)光学活性の原料を用いて
誘導する方法(K、Mori、Tetrahedron
Lett、1.±じ〔La+ 2635 ; M
、5hibasaki、S、Terashlma。
誘導体(1)及びその鏡像異性体、並びに光学活性エボ
キシンクロヘキサノン誘導体(II)及びその鏡像異性
体は植物ホルモンとして植物生理に重要な作用を有して
いるが、未だ農業への応用がされておらず将来を期待さ
れている下記式(Ill)で表されるアブシジン酸及び
アブシジン酸と同等の活性を有しているがアプシジン酸
以上に入手が困難なために農業生産への応用がされずに
いる下記式(■)で表されるキサントキシン双方の天然
型の光学活性及びその鏡像異性体を製造す0 〔従来の技術〕 従来、光学活性アブシジン酸を製造する方法はいくつか
知られている。それらは(イ)光学活性の原料を用いて
誘導する方法(K、Mori、Tetrahedron
Lett、1.±じ〔La+ 2635 ; M
、5hibasaki、S、Terashlma。
and S、Yamada、Chem、Pharm、
Bul1119ヱ6. 24.315:に、Kienz
le、H,Mayer、R,E、Minder、and
H,Thosmem+He1v、Chim、Act
a、 131J1.1.2616参照)、又は(ロ)微
生物を用いる醗酵法により製造する方法P332 (福
岡、1988)参照)(ハ)光学不活性のラセも体のア
ブシジン酸を製造の後、光学分割法によりそれぞれ光学
活性体を得る方法(R,S。
Bul1119ヱ6. 24.315:に、Kienz
le、H,Mayer、R,E、Minder、and
H,Thosmem+He1v、Chim、Act
a、 131J1.1.2616参照)、又は(ロ)微
生物を用いる醗酵法により製造する方法P332 (福
岡、1988)参照)(ハ)光学不活性のラセも体のア
ブシジン酸を製造の後、光学分割法によりそれぞれ光学
活性体を得る方法(R,S。
Burden and H,F、Taylor、Pur
e & Appl、Chem、L17fi+鮭、203
参照〉に分類できる。
e & Appl、Chem、L17fi+鮭、203
参照〉に分類できる。
しかしながら、(イ〉による合成法は一般的に光学活性
原料の入手が容易でない等の点で不利であるし、(ロ)
における醗酵法は生産率が低く未だ実用的方法にはなり
得ない、(ハ〉の光学分割法は、いくつか知られている
ラセミ体製造方法のうちでもっとも効率の良い方法の一
つである、後記−紋穴(I c)及び(Id)で示され
る物質の光学不活性ラセミ体を中間体とする方法(M、
G。
原料の入手が容易でない等の点で不利であるし、(ロ)
における醗酵法は生産率が低く未だ実用的方法にはなり
得ない、(ハ〉の光学分割法は、いくつか知られている
ラセミ体製造方法のうちでもっとも効率の良い方法の一
つである、後記−紋穴(I c)及び(Id)で示され
る物質の光学不活性ラセミ体を中間体とする方法(M、
G。
Con5tantino、P、Losco、and t
!、E、Ca5tellano、J、Org。
!、E、Ca5tellano、J、Org。
Chem、+1llll+ M、681参考)を用いた
としても、光学分割操作が加わる事は操作の繁雑さや目
的の光学活性体の収率低下等で不利になる。
としても、光学分割操作が加わる事は操作の繁雑さや目
的の光学活性体の収率低下等で不利になる。
ラセミ体アブシジン酸の植物ホルモン作用は光学活性ア
プシジン酸に比べて劣るために(R,S。
プシジン酸に比べて劣るために(R,S。
Burden and H,F、Taylor
Pure & Appl、Chem、、王旦ヱ旦。
Pure & Appl、Chem、、王旦ヱ旦。
47.203参照〉光学活性体が求められているし、光
学活性アブシジン酸はラセミ体アブシジン酸に比べ現状
では著しく高価である。
学活性アブシジン酸はラセミ体アブシジン酸に比べ現状
では著しく高価である。
従来、キサントキシンを製造する方法はいくつか知られ
ている。(イ)β−イオノンを出発物とする方法(R,
S、Burder+G、11.Dae+son、and
H,F、Taylor+Phytochem、、
王立ヱ2. 11,2295. H,F、↑aylo
r、andR,S、Burder、J、Exp、Bot
、、通出、 24.873参照〉及び(ロ)イソホロン
を出発物質とする方法(T、0rltaniand
K、Yamashita、Agr、Blol、Chem
、、 15じ74. 3ヱ。
ている。(イ)β−イオノンを出発物とする方法(R,
S、Burder+G、11.Dae+son、and
H,F、Taylor+Phytochem、、
王立ヱ2. 11,2295. H,F、↑aylo
r、andR,S、Burder、J、Exp、Bot
、、通出、 24.873参照〉及び(ロ)イソホロン
を出発物質とする方法(T、0rltaniand
K、Yamashita、Agr、Blol、Chem
、、 15じ74. 3ヱ。
1215参照)が知られているが、(イ)、(ロ)の方
法とも光学的に不活性なうセミ体のキサントキシンを製
造するものであり重要性は低い、また(ハ)光学活性な
4−ヒドロキシシクロシトラールを出発物質とする光学
活性キサントキシンの製造方法(F、Klenzle、
H,Mayer、R,E、Mlnder、and H。
法とも光学的に不活性なうセミ体のキサントキシンを製
造するものであり重要性は低い、また(ハ)光学活性な
4−ヒドロキシシクロシトラールを出発物質とする光学
活性キサントキシンの製造方法(F、Klenzle、
H,Mayer、R,E、Mlnder、and H。
Thommen、He1v、Chia+、^eta、
1978.61.2616参照)が知られているが、光
学活性の出発物質の入手が困難である等の点で不利であ
る。
1978.61.2616参照)が知られているが、光
学活性の出発物質の入手が困難である等の点で不利であ
る。
本発明者等は、人手容易な後記−紋穴(V)で表される
不斉エポキシアルデヒドを出発物質として一般式(1)
及び(II)で表される光学活性エポキシシクロヘキサ
ン誘導体及び光学活性エポキシシクロヘキサノン誘導体
が効率良く得られること及びこのものが短工程で式(I
I[)及び(IV)で表される光学活性アプシジン酸及
び光学活性キサントキシンに導くことができることを見
出し、本発明を充放した。
不斉エポキシアルデヒドを出発物質として一般式(1)
及び(II)で表される光学活性エポキシシクロヘキサ
ン誘導体及び光学活性エポキシシクロヘキサノン誘導体
が効率良く得られること及びこのものが短工程で式(I
I[)及び(IV)で表される光学活性アプシジン酸及
び光学活性キサントキシンに導くことができることを見
出し、本発明を充放した。
本発明の一般式(1)及び(I[)で表されるエポキシ
シクロヘキサン誘導体、及びエポキシシクロヘキサノン
誘導体の製造は以下の第1〜第4工程により示すことが
できる。又、本発明の前記−紋穴(1)及び(II)の
化合物によれば以下の第1〜第4工程により光学活性ア
プシジン酸(DI)及び光学活性キサントキシン(IV
)を容易に製造することができる。
シクロヘキサン誘導体、及びエポキシシクロヘキサノン
誘導体の製造は以下の第1〜第4工程により示すことが
できる。又、本発明の前記−紋穴(1)及び(II)の
化合物によれば以下の第1〜第4工程により光学活性ア
プシジン酸(DI)及び光学活性キサントキシン(IV
)を容易に製造することができる。
([1)
−11
(II)
(式中、R3は水素原子、低級アルキル基、アリル基、
アラルキル基、又はアリール基を表し、R4は低級アル
キル基、アリル基、アラルキル基、又はアリール基を表
し、+p及びR&はそれぞれ低級アルキル基を表すか、
又はR1及びR&は結合している酸素原子と一体となっ
てジオキソラン環を形成する。
アラルキル基、又はアリール基を表し、R4は低級アル
キル基、アリル基、アラルキル基、又はアリール基を表
し、+p及びR&はそれぞれ低級アルキル基を表すか、
又はR1及びR&は結合している酸素原子と一体となっ
てジオキソラン環を形成する。
−紋穴(Ia)、(Ib)及び(II)は一方の光学異
性体のみを示したが、これらの鏡像異性体についても全
く同様の関係が威り立つものである。
性体のみを示したが、これらの鏡像異性体についても全
く同様の関係が威り立つものである。
)
〔第1工程〕
本工程は一般式(V)で示される光学活性なアルデヒド
の亜鉛の存在下に3−(ハロメチル)−3−メチルアク
リル酸エステルを作用させ、−紋穴(VI)で示される
光学活性な、4.4−シアル 2− コキシー1−(5,6−シヒドロー2H−4−メチル−
2−オキソピラン−6−イル)−1,2オキソ−2,6
,6−)リメチルシクロヘキサン及び−紋穴(I a)
で示される光学活性な4,4ジアルコキシ−1−(4−
(アルコキシカルボニル)−1−ヒドロキシ−3−メチ
ル−3−ブテン−1−イル)−1,2−オキソ−2,6
,6−)リメチルシクロヘキサンを得るものである。−
紋穴(V)で表されるアルデヒド中のR1及びR2置換
基としては、メチル基、エチル基、n−及びiプロピル
基、n −、i −、5ec−、又はt−ブチル基をあ
げることができるが、R1及びR1は必ずしも同一の置
換基である必要はない。また結合している酸素原子と一
体となって1.3−ジオキサ環を形成することができる
が、安定性や加水分解の適性等から1.3−ジオキソラ
ン環誘導体が好適である。また一方の3−(ハロメチル
)−3メチルアクリル酸工ステル誘導体のXとしては塩
素原子、臭素原子、又はヨウ素原子をあげることができ
るが、製造法の容易さや反応性に冨む等の理由で臭素原
子が好適である。またエステル置換基R4としてはメチ
ル基、エチル基、n−及びi−プロピル基、n −、i
−+ see −+ 又はt−ブチル基などの低級
アルキル基、置換又は未置換のアリル基、ベンジル基、
p−メトキシベンジル基、p−ニトロベンジル基などの
アラルキル基、フェニル基、又は置換フェニル基をあげ
ることができる0本工程の一方の原料である3−〈ブロ
モメチル〉−3−メチルアクリル酸エステルは3.3−
ジメチルアクリル酸エステルをブロム化することで容易
に得られることが知られている(1.Ahmad。
の亜鉛の存在下に3−(ハロメチル)−3−メチルアク
リル酸エステルを作用させ、−紋穴(VI)で示される
光学活性な、4.4−シアル 2− コキシー1−(5,6−シヒドロー2H−4−メチル−
2−オキソピラン−6−イル)−1,2オキソ−2,6
,6−)リメチルシクロヘキサン及び−紋穴(I a)
で示される光学活性な4,4ジアルコキシ−1−(4−
(アルコキシカルボニル)−1−ヒドロキシ−3−メチ
ル−3−ブテン−1−イル)−1,2−オキソ−2,6
,6−)リメチルシクロヘキサンを得るものである。−
紋穴(V)で表されるアルデヒド中のR1及びR2置換
基としては、メチル基、エチル基、n−及びiプロピル
基、n −、i −、5ec−、又はt−ブチル基をあ
げることができるが、R1及びR1は必ずしも同一の置
換基である必要はない。また結合している酸素原子と一
体となって1.3−ジオキサ環を形成することができる
が、安定性や加水分解の適性等から1.3−ジオキソラ
ン環誘導体が好適である。また一方の3−(ハロメチル
)−3メチルアクリル酸工ステル誘導体のXとしては塩
素原子、臭素原子、又はヨウ素原子をあげることができ
るが、製造法の容易さや反応性に冨む等の理由で臭素原
子が好適である。またエステル置換基R4としてはメチ
ル基、エチル基、n−及びi−プロピル基、n −、i
−+ see −+ 又はt−ブチル基などの低級
アルキル基、置換又は未置換のアリル基、ベンジル基、
p−メトキシベンジル基、p−ニトロベンジル基などの
アラルキル基、フェニル基、又は置換フェニル基をあげ
ることができる0本工程の一方の原料である3−〈ブロ
モメチル〉−3−メチルアクリル酸エステルは3.3−
ジメチルアクリル酸エステルをブロム化することで容易
に得られることが知られている(1.Ahmad。
R,N、Gedye、and A、Nechvatal
+J、Chem、Soc、(C)。
+J、Chem、Soc、(C)。
1968、185参照)。又もう一方の一般式(V)で
表されるアルデヒドはその光学活性体に容易に不斉エポ
キシ化を経て合成できることが知られている物質である
(M、Aces+oglu、P、1Iebelhart
、M、Rey andC,l(、Eugster、FI
elv、Chim、Acta+ 1988+ 7L93
1参照)〈下記参考側参照)。
表されるアルデヒドはその光学活性体に容易に不斉エポ
キシ化を経て合成できることが知られている物質である
(M、Aces+oglu、P、1Iebelhart
、M、Rey andC,l(、Eugster、FI
elv、Chim、Acta+ 1988+ 7L93
1参照)〈下記参考側参照)。
縮合反応に当たってはいわゆるリホルマツキー(Ref
or+gatsky)反応条件下に行われるものである
。
or+gatsky)反応条件下に行われるものである
。
実際に行うに当たっては亜鉛は1.0−5.0当量必要
であるが2.0−3.0当量が好適である。また3−(
ブロモメチル〉−3−メチルアクリル酸エステルも1.
2−1.5当量が好適である。反応を行うに当たっては
溶媒の使用が望ましく、エーテル、テトラヒドロフラン
、ジオキサン、ベンゼン、トルエン等が用いられる。反
応温度は0℃−150℃の範囲で行われるが、20℃−
50℃で行うのが好適である。本反応条件下に環化した
ラクトン体(Vl)とエステル体(I a)との混合物
が得られるがカラムクロマト等の分離操作により容易に
分離できる。
であるが2.0−3.0当量が好適である。また3−(
ブロモメチル〉−3−メチルアクリル酸エステルも1.
2−1.5当量が好適である。反応を行うに当たっては
溶媒の使用が望ましく、エーテル、テトラヒドロフラン
、ジオキサン、ベンゼン、トルエン等が用いられる。反
応温度は0℃−150℃の範囲で行われるが、20℃−
50℃で行うのが好適である。本反応条件下に環化した
ラクトン体(Vl)とエステル体(I a)との混合物
が得られるがカラムクロマト等の分離操作により容易に
分離できる。
15−
〔第2工程〕
本工程は一般式(VI)で示される光学活性アセタール
体に酸処理を施し式(■)で示される光学活性な1−(
5,6−シヒドロー2H−4−メチル−2−オキソピラ
ン−6−イル)−1,2−オキソ−2,6,6−ドリメ
チルシクロヘキサンー4−オンを得るものである0本反
応はおだやかな酸性条件下に行われるが、塩酸、硫酸、
リン酸、カンファースルホン酸、メタンスルホン酸等の
稀!I溶液や、ギ酸、酢酸、シュウ酸等の有機酸も用い
ることができる。溶媒としては水やメタノール、エタノ
ール等のアルコール類、THF、ジオキサン等の水溶性
エーテル類及びこれらの混合物を用いることができる。
体に酸処理を施し式(■)で示される光学活性な1−(
5,6−シヒドロー2H−4−メチル−2−オキソピラ
ン−6−イル)−1,2−オキソ−2,6,6−ドリメ
チルシクロヘキサンー4−オンを得るものである0本反
応はおだやかな酸性条件下に行われるが、塩酸、硫酸、
リン酸、カンファースルホン酸、メタンスルホン酸等の
稀!I溶液や、ギ酸、酢酸、シュウ酸等の有機酸も用い
ることができる。溶媒としては水やメタノール、エタノ
ール等のアルコール類、THF、ジオキサン等の水溶性
エーテル類及びこれらの混合物を用いることができる。
また酸水溶液や、酸を吸着させたシリカゲル等を用い、
水と混合しない塩化メチレン、クロロホルム、ベンゼン
、エーテル等と二層又は二相で行っても良い、一般に反
応は特に加熱や冷却を必要としない。
水と混合しない塩化メチレン、クロロホルム、ベンゼン
、エーテル等と二層又は二相で行っても良い、一般に反
応は特に加熱や冷却を必要としない。
16−
〔第3工程〕
本工程は、前記第1工程において得られた一般式(Vl
)又は(Ia)で示される光学活性ラクトン又はエステ
ル体を塩基で処理して、−紋穴(Ib)で表される光学
活性な4,4−ジアルコキシ−1−〔4−(オキシカル
ボニル)−3−メチル−1゜3−ブタジェン−1−イル
)−1,2−オキソ−2,6,6−)リメチルシクロヘ
キサンを得るものである0本工程を行うに当たって塩基
として水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチ
ウム、水酸化バリウム等のアルカリ又はアルカリ土類金
属水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカ
リ金属炭酸塩、ベンジルトリメチルアンモニウム水酸化
物等の四級アンモニウム水酸化物、ナトリウムメトキシ
ド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムt−ブトキシド
、カリウムt−ブトキシド等のアルカリ金属アルコキシ
ドやアンモニアを挙げることができる。溶媒としては水
、メタノール、エタノール、エーテル、TI(F、ジオ
キサン、ピリジン等やこれらの溶媒の混合物が用いられ
る。
)又は(Ia)で示される光学活性ラクトン又はエステ
ル体を塩基で処理して、−紋穴(Ib)で表される光学
活性な4,4−ジアルコキシ−1−〔4−(オキシカル
ボニル)−3−メチル−1゜3−ブタジェン−1−イル
)−1,2−オキソ−2,6,6−)リメチルシクロヘ
キサンを得るものである0本工程を行うに当たって塩基
として水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチ
ウム、水酸化バリウム等のアルカリ又はアルカリ土類金
属水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカ
リ金属炭酸塩、ベンジルトリメチルアンモニウム水酸化
物等の四級アンモニウム水酸化物、ナトリウムメトキシ
ド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムt−ブトキシド
、カリウムt−ブトキシド等のアルカリ金属アルコキシ
ドやアンモニアを挙げることができる。溶媒としては水
、メタノール、エタノール、エーテル、TI(F、ジオ
キサン、ピリジン等やこれらの溶媒の混合物が用いられ
る。
〔第4工程〕
本工程は一般式(Ib)で示される光学活性なジエンア
セタール体をおだやかな酸性条件下に処理することによ
り一般式(I[〉で表される1−〔4−〈オキシカルボ
ニル〉−3−メチル−1゜3−ブタジェン−1−イル)
−1,2−オキソ−2,6,6−ドリメチルシクロヘキ
サンー4−オンを得るものである0本工程に用いられる
酸性条件としては、塩酸、硫酸、リン酸、カンファース
ルホン酸、メタンスルホン酸、過塩素酸等を用いること
ができるがC工程を併発させないためには、希薄な酸濃
度にするとか、低温にする等の注意が必要である。その
ためには水冷下に1〜10%の過塩素酸を短時間作用さ
せると目的を達威しやすい。
セタール体をおだやかな酸性条件下に処理することによ
り一般式(I[〉で表される1−〔4−〈オキシカルボ
ニル〉−3−メチル−1゜3−ブタジェン−1−イル)
−1,2−オキソ−2,6,6−ドリメチルシクロヘキ
サンー4−オンを得るものである0本工程に用いられる
酸性条件としては、塩酸、硫酸、リン酸、カンファース
ルホン酸、メタンスルホン酸、過塩素酸等を用いること
ができるがC工程を併発させないためには、希薄な酸濃
度にするとか、低温にする等の注意が必要である。その
ためには水冷下に1〜10%の過塩素酸を短時間作用さ
せると目的を達威しやすい。
以上のようにして得られた本発明の一般式(Ib)又は
(I[)で示される化合物からは、光学活性のアブシジ
ン酸が下記のB工程又はC工程に従って製造することが
できる。又前記した如く、本発明者によって別途見出さ
れた(■〉からも下記のA工程に従って光学活性アブシ
ジン酸を製造することができる。
(I[)で示される化合物からは、光学活性のアブシジ
ン酸が下記のB工程又はC工程に従って製造することが
できる。又前記した如く、本発明者によって別途見出さ
れた(■〉からも下記のA工程に従って光学活性アブシ
ジン酸を製造することができる。
(A工程〕
本工程は、式(■)で示される光学活性ケトエポキシド
に塩基処理を行い、式(I[I)で示される光学活性な
アブシジン酸を得るものである0本工程を行うに当たっ
ては前記第3工程において記載した方法をそのまま適用
することができる。
に塩基処理を行い、式(I[I)で示される光学活性な
アブシジン酸を得るものである0本工程を行うに当たっ
ては前記第3工程において記載した方法をそのまま適用
することができる。
式(■)で示される中間体から製造された武(II)で
示されるアブシジン酸は正の旋光性を示し、天然から得
られたものと同一の絶対配置を有するものである(F、
Kienzle、 Il、Mayor、 R,E、Mi
nder。
示されるアブシジン酸は正の旋光性を示し、天然から得
られたものと同一の絶対配置を有するものである(F、
Kienzle、 Il、Mayor、 R,E、Mi
nder。
=19
It、Thommen、He1v、Chi−、Acta
+ 1978+ uI2616 参照)〔B工程
〕 本工程は一般式(Ib)で示される光学活性なアセター
ル体を酸処理することにより式(11[)で示されるア
ブシジン酸を得るものである。
+ 1978+ uI2616 参照)〔B工程
〕 本工程は一般式(Ib)で示される光学活性なアセター
ル体を酸処理することにより式(11[)で示されるア
ブシジン酸を得るものである。
本工程を行うに当たっては前記第2工程において記載し
た方法をそのまま適用することができる。
た方法をそのまま適用することができる。
本工程は一般式(II)で示される光学活性なシクロヘ
キサノン体を酸処理することにより式(III)で示さ
れるアブシジン酸を得るものである0本工程を行うに当
たっては前記B工程において記載した方法をそのまま適
用することができる。
キサノン体を酸処理することにより式(III)で示さ
れるアブシジン酸を得るものである0本工程を行うに当
たっては前記B工程において記載した方法をそのまま適
用することができる。
また前記式(II)で示される化合物からは、光学活性
のキサントキシンが下記のり、E、及びF工程に従って
製造することができる。
のキサントキシンが下記のり、E、及びF工程に従って
製造することができる。
0−
〔D工程〕
本工程は、−紋穴(II)で示されるエポキシシクロヘ
キサノン誘導体を還元処理することにより選択的にケト
ンをヒドロキシ基に変え、−紋穴(■〉で表される1−
(4−(オキシカルボニル)−3−メチル−1,3−ブ
タジェン−1−イJし〕4−ヒドロキシ−1,2−オキ
ソ−2,6,6−ドリメチルシクロヘキサンを得るもの
である0本工程における還元剤としては水素化ホウ素ナ
トリウム、リチウムアルミナムヒドリド、ジイソブチル
アルミナムヒドリド、K−セレクトリゆ、L−セレクト
リゆ等が好適に用いられる0反応は溶媒中で行われるが
、用いる還元剤によって水、メタノール、エタノール、
エチルエーテル、テトラヒドロフラン、トルエンやこれ
らの混合物が適宜選ばれるものである。
キサノン誘導体を還元処理することにより選択的にケト
ンをヒドロキシ基に変え、−紋穴(■〉で表される1−
(4−(オキシカルボニル)−3−メチル−1,3−ブ
タジェン−1−イJし〕4−ヒドロキシ−1,2−オキ
ソ−2,6,6−ドリメチルシクロヘキサンを得るもの
である0本工程における還元剤としては水素化ホウ素ナ
トリウム、リチウムアルミナムヒドリド、ジイソブチル
アルミナムヒドリド、K−セレクトリゆ、L−セレクト
リゆ等が好適に用いられる0反応は溶媒中で行われるが
、用いる還元剤によって水、メタノール、エタノール、
エチルエーテル、テトラヒドロフラン、トルエンやこれ
らの混合物が適宜選ばれるものである。
なお、本工程で得られる一般式(■)で示される物質は
既知であり、すでに光学活性キサントキシンに誘導され
ている(FJlenzle+H,Mayor+R,E。
既知であり、すでに光学活性キサントキシンに誘導され
ている(FJlenzle+H,Mayor+R,E。
Minder、and H,Thomwen、He1
v、Chis+、Acta+1i7fi+ 61+2
616参照)。
v、Chis+、Acta+1i7fi+ 61+2
616参照)。
本工程は一般式(■)で示されるエポキシシクロヘキサ
ノール誘導体をさらに還元して式(IX)で表される1
−(5−ヒドロキシ−3−メチル−1,3−ペンタジェ
ン−1−イル)−4−ヒドロキシ−1,2−オキソ−2
,6,6−ドリメチルシクロヘキサンを得るものである
0本工程は、通常のカルボン酸もしくはエステル基のヒ
ドロキシメチル基への還元条件下に行われる。還元剤と
しては、リチウムアルミナムヒドリドやジイソブチルア
ルごナムヒドリド等が好適に使用される。反応は溶媒中
で行われるが還元剤によりエチルエーテル、テトラヒド
ロフラン、トルエンやこれらの混合物が適宜選ばれるも
のである。
ノール誘導体をさらに還元して式(IX)で表される1
−(5−ヒドロキシ−3−メチル−1,3−ペンタジェ
ン−1−イル)−4−ヒドロキシ−1,2−オキソ−2
,6,6−ドリメチルシクロヘキサンを得るものである
0本工程は、通常のカルボン酸もしくはエステル基のヒ
ドロキシメチル基への還元条件下に行われる。還元剤と
しては、リチウムアルミナムヒドリドやジイソブチルア
ルごナムヒドリド等が好適に使用される。反応は溶媒中
で行われるが還元剤によりエチルエーテル、テトラヒド
ロフラン、トルエンやこれらの混合物が適宜選ばれるも
のである。
本反応の条件下には還元剤を過剰に用いることにより前
記−紋穴(I[)で示されるエポキシシクロヘキサノン
誘導体から一般式(■)で示される中間体を単離するこ
となく 〈■〉で示されるジオール体に誘導することが
できる。すなわち、D工程とE工程を一挙に行うことが
可能である。
記−紋穴(I[)で示されるエポキシシクロヘキサノン
誘導体から一般式(■)で示される中間体を単離するこ
となく 〈■〉で示されるジオール体に誘導することが
できる。すなわち、D工程とE工程を一挙に行うことが
可能である。
なお、本工程において生成する式(IX)で示されるジ
オール体は既知物質でありすでに光学活性キサントキシ
ンに誘導されている(FJienzle、H。
オール体は既知物質でありすでに光学活性キサントキシ
ンに誘導されている(FJienzle、H。
Mayer、RoE、Mlnder、 and 11.
Thovwen、FIelv、Chlm。
Thovwen、FIelv、Chlm。
Acta、 197B、 61.2616参照)。
本工程は、式(IX)で示されるジオール体の一級水酸
基のみを選択的に酸化しアルデヒドとし、式(IV)で
示される光学活性キサントキシンを得るものである0選
択的酸化剤としては活性二酸化マンガンが好適に用いる
ことができる。
基のみを選択的に酸化しアルデヒドとし、式(IV)で
示される光学活性キサントキシンを得るものである0選
択的酸化剤としては活性二酸化マンガンが好適に用いる
ことができる。
23
本工程は既に反応条件が知られており、それをそのまま
適用できるものである(F、Kienzle+H。
適用できるものである(F、Kienzle+H。
Mayer+R,E、Minder、 and H,T
hommen+He1v、Chim。
hommen+He1v、Chim。
Acta、 1i7fi、 61.2616参照)。
以下、実施例および参考例をもってさらに詳しく説明す
る。
る。
参考例1
粉末のモレキエラーシーブス3A80■をアルゴン雰囲
気下に無水塩化メチレン13m1に加え、=20℃に冷
却してD−(−)−酒石酸ジエチル(DET)39μJ
(15m61%)、テトライソプロポキシチタン4
3μJ(10mo1%〉を加え、これにt−ブチルヒド
ロパーオキシド(TBHP)−24= の2.4Mイソオクタン溶液378μJ(1,63mm
ol)を滴下した。45分後に4,4−エチレンジオキ
シ−2,6,6−ドリフチル−l−シクロヘキセンメタ
ノール314w (1,48mmo+)の無水塩化メチ
レン(0,5m1)溶液を滴下し、4.5時間後、蒸留
水900μlを加え次いで、10%水酸化ナトリウムの
飽和塩化ナトリウム溶液1.5m lを加えてさらに1
時間後、塩化メチレン層を分層し、水層を塩化メチレン
で抽出し、これをあわせて無水硫酸ナトリウムで脱水後
減圧下に溶媒を留去し、粗生成物351■を得た。これ
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:酢
酸エチル−7:I)により精製し、目的の4.4−エチ
レンジオキシ−1,2−オキソ−2゜6.6−)リメチ
ルシクロヘキサンメタノール252*(75%)を得た
。シフト試薬Eu(tfc)s20mo1%を加えてH
−NMRで比較すると光学収率は約90%であった。
気下に無水塩化メチレン13m1に加え、=20℃に冷
却してD−(−)−酒石酸ジエチル(DET)39μJ
(15m61%)、テトライソプロポキシチタン4
3μJ(10mo1%〉を加え、これにt−ブチルヒド
ロパーオキシド(TBHP)−24= の2.4Mイソオクタン溶液378μJ(1,63mm
ol)を滴下した。45分後に4,4−エチレンジオキ
シ−2,6,6−ドリフチル−l−シクロヘキセンメタ
ノール314w (1,48mmo+)の無水塩化メチ
レン(0,5m1)溶液を滴下し、4.5時間後、蒸留
水900μlを加え次いで、10%水酸化ナトリウムの
飽和塩化ナトリウム溶液1.5m lを加えてさらに1
時間後、塩化メチレン層を分層し、水層を塩化メチレン
で抽出し、これをあわせて無水硫酸ナトリウムで脱水後
減圧下に溶媒を留去し、粗生成物351■を得た。これ
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:酢
酸エチル−7:I)により精製し、目的の4.4−エチ
レンジオキシ−1,2−オキソ−2゜6.6−)リメチ
ルシクロヘキサンメタノール252*(75%)を得た
。シフト試薬Eu(tfc)s20mo1%を加えてH
−NMRで比較すると光学収率は約90%であった。
IH
S
NMR(CDCl2) 61.09(s、31()、
1.17(s、3B)、1.32(dd、1)1.J=
2.3,13.8)、1.41(s、311)、1.6
3(d、ILJ、、13.8)、1.87(t、IH,
J、、5.1)、2.00(dd、III、J=2.3
.15.6)、2.25(d、LH,、r=15゜6)
、 3.71 (dd、 LH。
1.17(s、3B)、1.32(dd、1)1.J=
2.3,13.8)、1.41(s、311)、1.6
3(d、ILJ、、13.8)、1.87(t、IH,
J、、5.1)、2.00(dd、III、J=2.3
.15.6)、2.25(d、LH,、r=15゜6)
、 3.71 (dd、 LH。
J=4.9,11.3)、3.77〜3.91(s、4
H+IH)。
H+IH)。
229(m+1)213(M−OH)。
参
考例2
塩化オキサリル140,171 (1,59mmol。
1.1当量)、無水ジメチルスルホキシド(DMSO)
225#A (3,13mmo 1. 2.2当量)を
アルゴン雰囲気下に無水塩化メチレン7mlに溶解し、
10分後4.4−エチレンジオキシ−1,2−オキソー
2.6.6−)リメチルシクロヘキサンメタノール32
9g (1,442mmo 1)を無水塩化メチレン2
mlに溶解して滴下した。20分後トリエチルアアミ1
.5ml (10,8mmo l。
225#A (3,13mmo 1. 2.2当量)を
アルゴン雰囲気下に無水塩化メチレン7mlに溶解し、
10分後4.4−エチレンジオキシ−1,2−オキソー
2.6.6−)リメチルシクロヘキサンメタノール32
9g (1,442mmo 1)を無水塩化メチレン2
mlに溶解して滴下した。20分後トリエチルアアミ1
.5ml (10,8mmo l。
7.5当量)を加え、さらに10分後、蒸留水を加えて
無水塩化メチレン層を分層し、水層を塩化メチレンで抽
出し、これをあわせて無水硫酸ナトリウムで脱水後減圧
下に溶媒を留去し、4.4−エチレンジオキシ−1,2
−オキソ−2,6,6−ドリメチルシクロヘキサンカル
ボキシアルデヒド322■(99%)を得た。
無水塩化メチレン層を分層し、水層を塩化メチレンで抽
出し、これをあわせて無水硫酸ナトリウムで脱水後減圧
下に溶媒を留去し、4.4−エチレンジオキシ−1,2
−オキソ−2,6,6−ドリメチルシクロヘキサンカル
ボキシアルデヒド322■(99%)を得た。
一〇−NMR(CDCIs) δ1.08(s、3B
)、1.31(s、3H)、1.32(dd、 IH,
J=1.9.13.8) 、 1゜46(s、311)
、1.71(d、IH。
)、1.31(s、3H)、1.32(dd、 IH,
J=1.9.13.8) 、 1゜46(s、311)
、1.71(d、IH。
J−13,8)、2.09(dd、IH,J=1.9,
15.8)、2.30(d。
15.8)、2.30(d。
IH,J=15.8)、3.82〜3.90(m、2H
)、3.91〜3.95(s+、2H)、9.78(s
、IH)。
)、3.91〜3.95(s+、2H)、9.78(s
、IH)。
7−
実
施
例
p1285)により活性化した粉末亜鉛200■(4当
量)、ヨウ素10■をアルゴン雰囲気下におき無水’l
゛HF l 、5m lを加えて氷冷し、3−(ブロモ
メトル)−3−メチルアクリル酸メチル<’l:E=4
75”)313QI (1,58mmo 1.2当量〉
を加え10分間攪拌した。これに参考例2で得られたア
ルデヒド(〔α) fi’−56,7(C0,98,C
HCl5) 178■(0,79mmol)を無水TH
F1.5mlに溶解して滴下した。30分後原料の消失
を確認し、飽和塩化アンモニウム水溶液5mlを加え、
ジエチル28 エーテルで抽出後、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナト
リウムで脱水後減圧下に溶媒留去して粗生成物303■
を得た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(
ヘキサン:酢酸エチル−6=1)により精製し、4.4
−エチレンジオキシ−1(4−(メトキシカルホニル)
−1−ヒドロキシ−3−メチル−3−ブテン−1−イル
)−1,2オキソ−2,6,6−1−リメナルシクロへ
牛サンの異性体混合物を51■(19%)、4.4−エ
チレンジオキシ−1−(5,6−シヒドロー2H4−メ
チル−2−オキソビラン−6−イル)−1,2−オキソ
−2,6,6−)リメチルシクロヘキサンの2種類の異
性体くラクトン1および2)をそれぞれ44■(18%
)、68■(28%)単離した。
量)、ヨウ素10■をアルゴン雰囲気下におき無水’l
゛HF l 、5m lを加えて氷冷し、3−(ブロモ
メトル)−3−メチルアクリル酸メチル<’l:E=4
75”)313QI (1,58mmo 1.2当量〉
を加え10分間攪拌した。これに参考例2で得られたア
ルデヒド(〔α) fi’−56,7(C0,98,C
HCl5) 178■(0,79mmol)を無水TH
F1.5mlに溶解して滴下した。30分後原料の消失
を確認し、飽和塩化アンモニウム水溶液5mlを加え、
ジエチル28 エーテルで抽出後、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナト
リウムで脱水後減圧下に溶媒留去して粗生成物303■
を得た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(
ヘキサン:酢酸エチル−6=1)により精製し、4.4
−エチレンジオキシ−1(4−(メトキシカルホニル)
−1−ヒドロキシ−3−メチル−3−ブテン−1−イル
)−1,2オキソ−2,6,6−1−リメナルシクロへ
牛サンの異性体混合物を51■(19%)、4.4−エ
チレンジオキシ−1−(5,6−シヒドロー2H4−メ
チル−2−オキソビラン−6−イル)−1,2−オキソ
−2,6,6−)リメチルシクロヘキサンの2種類の異
性体くラクトン1および2)をそれぞれ44■(18%
)、68■(28%)単離した。
メチルエステル混合物
’ H−NMR(CDCI 3) 6 1.08(
s、311)11.20(s、311)+1.31(d
d、II、J=2.5.14)、1.52(s、31)
、1.60(d、18゜J=i4ン、1.97(d、I
H,J−2,5)、2.19(dd、IH,J=2.5
゜16)、2.28(d、38.J−1,3)、2.4
1〜2.51(m%’H)。
s、311)11.20(s、311)+1.31(d
d、II、J=2.5.14)、1.52(s、31)
、1.60(d、18゜J=i4ン、1.97(d、I
H,J−2,5)、2.19(dd、IH,J=2.5
゜16)、2.28(d、38.J−1,3)、2.4
1〜2.51(m%’H)。
2.59(s、1)1)、3.69(s、3H)、3.
82〜3.94(m、4H)。
82〜3.94(m、4H)。
4.25(@、IH)、5.80(dd、LH,J=1
゜1,2.4)。
゜1,2.4)。
〔α] D” +35.’/ (C0,83−CHCl
5)。
5)。
ラクトン l
ap 157.5〜161℃。
’II−NMR(CDCIg) δ1.00(s、3
H)、1.30(dd、1B、J=2.0.13.7)
、1.31(s、30)、1.42(s、3H)、1.
67(d。
H)、1.30(dd、1B、J=2.0.13.7)
、1.31(s、30)、1.42(s、3H)、1.
67(d。
111、J=13.7) 、 1.99(dd、 18
. J−4,7+ 19.1) 、 1.99(s、3
H)、2.07(dd、IH,J=2.0.15.8)
、2.21(d。
. J−4,7+ 19.1) 、 1.99(s、3
H)、2.07(dd、IH,J=2.0.15.8)
、2.21(d。
IH,J−15,8) 、 2.62 (qdd、 I
H,J=1.2.13.5.19.1) 。
H,J=1.2.13.5.19.1) 。
3.78〜3.96(+1.4H) 、 5.04 (
dd、 IH,J=4.7.13.5) 。
dd、 IH,J=4.7.13.5) 。
5.79(d、 IH,J=1.5) 。
MS 308(M”) 197 181 113 1
12 11186゜〔α) D0+38−1 (C0,
62,CHCl5)。
12 11186゜〔α) D0+38−1 (C0,
62,CHCl5)。
ラクトン 2
’H−NMR(CDCIs) δ1.21(s、3)
1)、1.34(dd、111.J=1.6,13.7
>、1.35(s、3i1)、1.44(s、3)1)
、1.69(d。
1)、1.34(dd、111.J=1.6,13.7
>、1.35(s、3i1)、1.44(s、3)1)
、1.69(d。
Hi、 J=13.7) 、 2.02(t、 3H,
J=1.2) 、 2.10(dd、 IH。
J=1.2) 、 2.10(dd、 IH。
J=1.6.15.7) 、2.24(d、 ill、
J−15,7) 、2.36(dd。
J−15,7) 、2.36(dd。
1B、J=3.7,17.5)、2.87(qdd、I
H,J=1.2,13.5゜17.5)、3.83〜3
.93(m、41)、4.52(dd、11(、J・3
.7゜13.5)、5.81(dd、 IFI、J=1
.4,2.3)。
H,J=1.2,13.5゜17.5)、3.83〜3
.93(m、41)、4.52(dd、11(、J・3
.7゜13.5)、5.81(dd、 IFI、J=1
.4,2.3)。
(α) ’j:、’ −59,7(C1,02,C)I
CIs)。
CIs)。
カリウムメ
トキシl′716■
(2,5当′I)
をア
1
ルゴン雰囲気下、0℃において無水メタノール3Qml
に溶解し、これに4.4−エチレンジオキシ−1−(5
,6−シヒドロー2H−4−メチル−2−オキソピラン
−6−イル)−1,2−オキソ−2,6,6−)リメチ
ルシクロヘキサンと、4.4−エチレンジオキシ−1−
(4−(メトキシカルボニル)−1−ヒドロキシ−3−
メチル−3−ブテン−■−イルi−1.2−オキソー2
゜6.6−ドリメチルシクロヘキサンの2種の異性体の
混合物(2,5mmo I)(実施例1と同様に行って
得た生成物)765■を無水メタノールl Q m l
に溶解して滴下した。室温にて2時間攪拌後、反応が遅
いため60℃に2時間加熱攪拌後、飽和塩化アンモニウ
ム水溶液を加えて中和し、少量の2N−塩酸を加えたう
えでジエチルエーテルで抽出、飽和塩化ナトリウム水溶
液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで脱水後減圧下に溶媒
を留去し、4.4−エチレンジオキシ−1−(4−(ヒ
ドロ2 キシカルボニル)−3−メチル−1,3−ブタジェン−
1−イル)−・1,2−オキソ−2,6,6トリメチル
ジクロヘキサン688■(92%)を得た。ざらにジア
ゾメタンで処理することにより定量的にメチルエステル
を得た。
に溶解し、これに4.4−エチレンジオキシ−1−(5
,6−シヒドロー2H−4−メチル−2−オキソピラン
−6−イル)−1,2−オキソ−2,6,6−)リメチ
ルシクロヘキサンと、4.4−エチレンジオキシ−1−
(4−(メトキシカルボニル)−1−ヒドロキシ−3−
メチル−3−ブテン−■−イルi−1.2−オキソー2
゜6.6−ドリメチルシクロヘキサンの2種の異性体の
混合物(2,5mmo I)(実施例1と同様に行って
得た生成物)765■を無水メタノールl Q m l
に溶解して滴下した。室温にて2時間攪拌後、反応が遅
いため60℃に2時間加熱攪拌後、飽和塩化アンモニウ
ム水溶液を加えて中和し、少量の2N−塩酸を加えたう
えでジエチルエーテルで抽出、飽和塩化ナトリウム水溶
液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで脱水後減圧下に溶媒
を留去し、4.4−エチレンジオキシ−1−(4−(ヒ
ドロ2 キシカルボニル)−3−メチル−1,3−ブタジェン−
1−イル)−・1,2−オキソ−2,6,6トリメチル
ジクロヘキサン688■(92%)を得た。ざらにジア
ゾメタンで処理することにより定量的にメチルエステル
を得た。
カルボン酸
’H−NMR(CDCIs) δ1.00(s、3■
)、1.21(s、38)、1.25(s、3H)、1
.35(dd、1)1.J=2.0,13.7)、1.
74(d、IH。
)、1.21(s、38)、1.25(s、3H)、1
.35(dd、1)1.J=2.0,13.7)、1.
74(d、IH。
J、、13.7) 、2.05(d、 IH,J=1.
2) 、2.05(dd、 II(、J=2.0.15
.7) 、 2.28(d、 Ill、 J=15.7
) 、 3.82〜3.96(僧、411)、5.72
(d、111.J=1.1)、6.34(dd、II、
J=0.5゜16.0> 、7.63(dd、 IH,
J=0.7.16.0) 。
2) 、2.05(dd、 II(、J=2.0.15
.7) 、 2.28(d、 Ill、 J=15.7
) 、 3.82〜3.96(僧、411)、5.72
(d、111.J=1.1)、6.34(dd、II、
J=0.5゜16.0> 、7.63(dd、 IH,
J=0.7.16.0) 。
〔α〕も’ +19.9 (C1,01,ClIC1+
)。
)。
メチルエステル
’H−NMR(CDCIg) 61.00(s、3B
)、1.22(s、3H)、1.25(s、3FI)、
1.34(dd、IH,J=2.2.14)、1.74
(d、1B。
)、1.22(s、3H)、1.25(s、3FI)、
1.34(dd、IH,J=2.2.14)、1.74
(d、1B。
J=14)、2.01(s、3!()、2.04(dd
、IFI、J−2,2,16)。
、IFI、J−2,2,16)。
2.28(d、1[1,J=16)、3.70(s、3
8)、3.82〜3.95(s+、48)、5.70(
brs、IH)、6.28(d、IH,J−16)、7
.62(d、 IH,J−16) 。
8)、3.82〜3.95(s+、48)、5.70(
brs、IH)、6.28(d、IH,J−16)、7
.62(d、 IH,J−16) 。
実
施
例
4.4−エチレンジオキシ−1−(4−(ヒドロキシカ
ルボニル)−3−メチル−1,3−ブタジェン−1−イ
ル11.2−オキソ−2,6゜6−ドリメチルシクロヘ
キサン11+g (0,036mmol)を4℃におい
て10%過塩素酸溶液(THF:Hlo・1:1)10
0μlに溶解した。2時間攪拌後、飽和炭酸水素ナトリ
ウム゛水溶液を加え中和し、塩化メチレンで抽出、水で
洗浄し、無水硫酸ナトリウムで脱水後減圧下に溶媒留去
して1− (4−(ヒドロキシカルボニル)−3−メチ
ル−13−ブタジェン−ニーイル)−1,2−オキソ−
2,6,6−ドリメチルシクロヘキサン4−オン8.7
■(92%)を得た。
ルボニル)−3−メチル−1,3−ブタジェン−1−イ
ル11.2−オキソ−2,6゜6−ドリメチルシクロヘ
キサン11+g (0,036mmol)を4℃におい
て10%過塩素酸溶液(THF:Hlo・1:1)10
0μlに溶解した。2時間攪拌後、飽和炭酸水素ナトリ
ウム゛水溶液を加え中和し、塩化メチレンで抽出、水で
洗浄し、無水硫酸ナトリウムで脱水後減圧下に溶媒留去
して1− (4−(ヒドロキシカルボニル)−3−メチ
ル−13−ブタジェン−ニーイル)−1,2−オキソ−
2,6,6−ドリメチルシクロヘキサン4−オン8.7
■(92%)を得た。
’H−NMR(CDCh) δ1.08(s、3H)
、 1.16(s、3H) 、 1.27(s、3H
)、1.98(d、IH,J=15)、2.20(d、
3H,J=5.3)+2.60(dd、IH,J=1.
1.20) 、2.63(d、IH,J=15) 。
、 1.16(s、3H) 、 1.27(s、3H
)、1.98(d、IH,J=15)、2.20(d、
3H,J=5.3)+2.60(dd、IH,J=1.
1.20) 、2.63(d、IH,J=15) 。
2.87(d、1)1.J=20)、5.78(brs
、IFI)、6.32(d。
、IFI)、6.32(d。
IH,J=16)、7.72(d、18.J=16)。
IR(KRr disk)
3450、2980.171B、 1676、1246
情−1〔α〕10用5.8 (co、81. CHCl
3)。
情−1〔α〕10用5.8 (co、81. CHCl
3)。
実施例4
35−
4.4−エチレンジオキシ−1−(4−(メトキシカル
ボニル)−3−メチル−1,3−ブタジェン−1−イル
)−1,2−オキソ−2,6,6トリメチルシクロヘキ
サン74■(0,23mm o I)を4℃において3
%過塩素酸溶液(THP:HgO” 1:1)460μ
lに溶解した。2時間攪拌後、飽和炭酸水素ナトリウム
水溶液を加えて中和し、塩化メチレンで抽出、水で洗浄
し、無水硫酸ナトリウムで脱水後減圧下に溶媒留去して
1− (4−(メトキシカルボニル〉−3−メチル−1
,3−ブタジェン−1−イル)−1,2−オキソ−2,
6,6−ドリメチルシクロヘキサンー4−オン55■(
86X)を得た。
ボニル)−3−メチル−1,3−ブタジェン−1−イル
)−1,2−オキソ−2,6,6トリメチルシクロヘキ
サン74■(0,23mm o I)を4℃において3
%過塩素酸溶液(THP:HgO” 1:1)460μ
lに溶解した。2時間攪拌後、飽和炭酸水素ナトリウム
水溶液を加えて中和し、塩化メチレンで抽出、水で洗浄
し、無水硫酸ナトリウムで脱水後減圧下に溶媒留去して
1− (4−(メトキシカルボニル〉−3−メチル−1
,3−ブタジェン−1−イル)−1,2−オキソ−2,
6,6−ドリメチルシクロヘキサンー4−オン55■(
86X)を得た。
’H−NMR(CDC13) δ1.0?(s、3H
)、1.15(s、3H)、1.276 (s、3H)、1.97(d、IH,J−16)、2.
04(d、3H,J−1,2)。
)、1.15(s、3H)、1.276 (s、3H)、1.97(d、IH,J−16)、2.
04(d、3H,J−1,2)。
2.59(d、 II、J−20) 、2.63(d、
1B、 J=16) 、2.86(dtlH,J−2
0)+3.71(s+3B)、5.75(brs、IH
)、6.26(dd、11(、J−0,6,16)、7
.74(dd、IH,J=0.7.16)。
1B、 J=16) 、2.86(dtlH,J−2
0)+3.71(s+3B)、5.75(brs、IH
)、6.26(dd、11(、J−0,6,16)、7
.74(dd、IH,J=0.7.16)。
10%水酸化ナトリウムのエタノール−ピリジン(1:
1)(1,2m1)溶液を氷冷し、これに1− (5
,6−シヒドロー2H−4−メチル−2−オキソピラン
−6−イル)−1,2−オキソ−2,6,6−ドリメチ
ルンクロヘキサンー4−オンをピリジン0.25m1に
溶解して加えた。2時間後、原料の消失を確認し、反応
液をジエチルエーテルで薄めたうえでIM−塩酸を用い
て約pH2とし、ジエチルエーテルで抽出、飽和塩化ナ
トリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸す1リウムで脱水後
減圧下に溶媒を留去して相生酸物14■を得た。
1)(1,2m1)溶液を氷冷し、これに1− (5
,6−シヒドロー2H−4−メチル−2−オキソピラン
−6−イル)−1,2−オキソ−2,6,6−ドリメチ
ルンクロヘキサンー4−オンをピリジン0.25m1に
溶解して加えた。2時間後、原料の消失を確認し、反応
液をジエチルエーテルで薄めたうえでIM−塩酸を用い
て約pH2とし、ジエチルエーテルで抽出、飽和塩化ナ
トリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸す1リウムで脱水後
減圧下に溶媒を留去して相生酸物14■を得た。
これをシリカゲルカラムクロマト(ヘキサン:酢酸エチ
ル=4 : 1)により精製し、(+)−アブシジン#
5.3■(38%)を得た。
ル=4 : 1)により精製し、(+)−アブシジン#
5.3■(38%)を得た。
’H−NMR(CDCh) δi、03(s、3B)
、1.12(s、3H)、1.93(d、311.J=
1.3)、2.05(d、31.J−1,1)、2.3
0(d、IH。
、1.12(s、3H)、1.93(d、311.J=
1.3)、2.05(d、31.J−1,1)、2.3
0(d、IH。
J=17)、2.49(d、IH,J−17)、5.7
8(brs、1■)、5.97(brs、IH)、6.
18(d、1B、J=16)、7.81(d、IH,J
=16)。
8(brs、1■)、5.97(brs、IH)、6.
18(d、1B、J=16)、7.81(d、IH,J
=16)。
参
考
例
一
(4
(ヒドロキシカルボニル)
3
メ
チル−1゜
3−ブタジェン−1−イル)
−3゜
−
オキソ−3,5,5−)リフチルシクロヘキサン−1−
オン8.7■をメタノール2 m lに溶解し、■規定
の塩酸500μlを加え、室温にて1時間撹拌した。飽
和食塩水を加え、塩化メチレンで抽出し、少量の飽和食
塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで脱水後減圧下に溶
媒留去した後、これをシリカゲルカラムクロマト(ヘキ
サン:酢酸エチル−4:l)により精製し、目的の〈+
)−アブシジン酸7.5曜(87%)を得た。
オン8.7■をメタノール2 m lに溶解し、■規定
の塩酸500μlを加え、室温にて1時間撹拌した。飽
和食塩水を加え、塩化メチレンで抽出し、少量の飽和食
塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで脱水後減圧下に溶
媒留去した後、これをシリカゲルカラムクロマト(ヘキ
サン:酢酸エチル−4:l)により精製し、目的の〈+
)−アブシジン酸7.5曜(87%)を得た。
11−NMR(CDCIs) δ1.03(g、3N
)、 1.12(s、3H)、 1.93(d、3H,
J−1,3)、2.05(d、3H,J−1,1)、2
.30(d、1B。
)、 1.12(s、3H)、 1.93(d、3H,
J−1,3)、2.05(d、3H,J−1,1)、2
.30(d、1B。
J=17)、2.49(d、1B、JJ7)、5.78
(brs、IH)、5.97(brs、IH)、6.1
8(d、IH,J=16)、7.81(d、IH,J−
16)。
(brs、IH)、5.97(brs、IH)、6.1
8(d、IH,J=16)、7.81(d、IH,J−
16)。
〔α〕13° +383.7(C1,02,EtOH)
参 考 例 4.4−エチレンジオキシ−1−(4−(ヒドロキシカ
ルボニル)−3−メチル−1,3−7’タジエン−1−
イル)−1,2−オキソ−2,6゜6−トリメチルシク
ロヘキサン525■(1,703mmol)を無水メタ
ノール16m1に溶解し、1規定の塩酸3.6mlを加
え、室温にて19時間撹拌後、飽和食塩水を加え、塩化
メチレンで抽出し、少量の飽和食塩水で洗浄し、無水硫
酸ナトリウムで脱水後減圧下に溶媒留去した。この粗生
成物をヘキサン−クロロホルムから再結晶して(+)−
アブシジン酸372■(83%〉を得た。
参 考 例 4.4−エチレンジオキシ−1−(4−(ヒドロキシカ
ルボニル)−3−メチル−1,3−7’タジエン−1−
イル)−1,2−オキソ−2,6゜6−トリメチルシク
ロヘキサン525■(1,703mmol)を無水メタ
ノール16m1に溶解し、1規定の塩酸3.6mlを加
え、室温にて19時間撹拌後、飽和食塩水を加え、塩化
メチレンで抽出し、少量の飽和食塩水で洗浄し、無水硫
酸ナトリウムで脱水後減圧下に溶媒留去した。この粗生
成物をヘキサン−クロロホルムから再結晶して(+)−
アブシジン酸372■(83%〉を得た。
参
考
例
水素化アルミニウムリチウム12w(1,6当量)をア
ルゴン雰囲気下、0℃において無水テトラヒドロフラン
2mlに溶解し、1− (4−(メトキシカルボニル)
−3−メチル−1,3−ブタジェン−1−イル)−1,
2−オキソ−2,6,6−ドリメチルシクロヘキサンー
4−オン55曜(0,198mmo I)を無水テトラ
ヒドロフラン0.5mlに溶解して滴下した。1時間撹
拌後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加えて過剰の賦薬
を中和し、ジエチルエーテルで抽出、飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸ナトリウムで脱水後、減圧下に溶媒を留去
し、目的の4−ヒドロキシ−1−(4−(メトキシカル
ボニル)−3−メチル−1,3−ブタジェン−1−イル
)−1,2−オキソ−2,6゜6−トリメチルシクロヘ
キサンの2種の立体異性体の混合物52■(94%)を
得た。その生成比は、約1:1であった。
ルゴン雰囲気下、0℃において無水テトラヒドロフラン
2mlに溶解し、1− (4−(メトキシカルボニル)
−3−メチル−1,3−ブタジェン−1−イル)−1,
2−オキソ−2,6,6−ドリメチルシクロヘキサンー
4−オン55曜(0,198mmo I)を無水テトラ
ヒドロフラン0.5mlに溶解して滴下した。1時間撹
拌後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加えて過剰の賦薬
を中和し、ジエチルエーテルで抽出、飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸ナトリウムで脱水後、減圧下に溶媒を留去
し、目的の4−ヒドロキシ−1−(4−(メトキシカル
ボニル)−3−メチル−1,3−ブタジェン−1−イル
)−1,2−オキソ−2,6゜6−トリメチルシクロヘ
キサンの2種の立体異性体の混合物52■(94%)を
得た。その生成比は、約1:1であった。
4β−ヒドロキシル体
’H−NMR(CDCIs) δ1.01 (s、
31) 、 1 、15 (s、 3H) 、 1.2
2(s、3H)、1.60〜1.66(m、IH)、2
.01(d、3H,J=1.2)、2.38(ddd、
IH,J−1,7,5,0,14)、3.70(s。
31) 、 1 、15 (s、 3H) 、 1.2
2(s、3H)、1.60〜1.66(m、IH)、2
.01(d、3H,J=1.2)、2.38(ddd、
IH,J−1,7,5,0,14)、3.70(s。
31)、3.59〜3.64(m、18)、5.70(
brs、IH)、6.27(d、1f1.J−16)、
7.60(d、IH,J=16)。
brs、IH)、6.27(d、1f1.J−16)、
7.60(d、IH,J=16)。
4α−ヒドロキシル体
’H−NMR(CDCh) 61.04(s、3B)
、1.16(s、3H)、1.22(s、31()、1
.36(ddd、lH,J−1,5,3,9,13)、
1.90(dd、11.J−8,4,15)、2.01
(s、3H)、2.20(ddd。
、1.16(s、3H)、1.22(s、31()、1
.36(ddd、lH,J−1,5,3,9,13)、
1.90(dd、11.J−8,4,15)、2.01
(s、3H)、2.20(ddd。
In、J=1.3.6.7.15)、3.70(s、3
H)+3.72〜3.77(m、1B)、5.71(b
rs、18)、6.20(d、IFI、JP16)。
H)+3.72〜3.77(m、1B)、5.71(b
rs、18)、6.20(d、IFI、JP16)。
7.62(d、IH,J−16)。
溝側7
3−
1− (4−(メトキシカルボニル)−3−メチル−1
,3−ブタジェン−1−イル)−1,2オキソ−2,6
,6−ドリメチルシクロヘキサン=4−オン60■(0
,216mmo 1)を、アルゴン雰囲気下、−78℃
において無水テトラヒドロフラン570μlに溶解し、
K−セレクトリゆ(0,5Mテトラヒドロフラン溶液)
432μl(1当量〉を滴下した。30分間撹拌後、飽
和塩化アンモ、ニウム水溶液を加えて中和し、ジエチル
エーテルで抽出、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリ
ウムで脱水後減圧下に溶媒留去し、これをシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー(ヘキサン:酢酸エチル−4:
1)により精製し、目的の4βヒドロキシ−1−(4−
(メトキシカルボニル)−3−メチル−1,3−ブタジ
ェン−1−イル)1.2−オキソ−2,6,6−ドリメ
チルシクロヘキサン23g(38%)と4α−ヒドロキ
シ1− (4−(メトキシカルボニル)−3−メチ4 ルー1.3−ブタジェン−1−イル)−1,2−オキソ
−2,6,6−ドリメチルシクロヘキサン7■(12%
)を得た。
,3−ブタジェン−1−イル)−1,2オキソ−2,6
,6−ドリメチルシクロヘキサン=4−オン60■(0
,216mmo 1)を、アルゴン雰囲気下、−78℃
において無水テトラヒドロフラン570μlに溶解し、
K−セレクトリゆ(0,5Mテトラヒドロフラン溶液)
432μl(1当量〉を滴下した。30分間撹拌後、飽
和塩化アンモ、ニウム水溶液を加えて中和し、ジエチル
エーテルで抽出、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリ
ウムで脱水後減圧下に溶媒留去し、これをシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー(ヘキサン:酢酸エチル−4:
1)により精製し、目的の4βヒドロキシ−1−(4−
(メトキシカルボニル)−3−メチル−1,3−ブタジ
ェン−1−イル)1.2−オキソ−2,6,6−ドリメ
チルシクロヘキサン23g(38%)と4α−ヒドロキ
シ1− (4−(メトキシカルボニル)−3−メチ4 ルー1.3−ブタジェン−1−イル)−1,2−オキソ
−2,6,6−ドリメチルシクロヘキサン7■(12%
)を得た。
参
考
例
4−ヒドロキシ−1−(4−(メトキシカルボニル)−
3−メチル−1,3−ブタジェン−1イル)−1,2−
オキソ−2,6,6−ドリメチルシクロヘキサン(4α
−ヒドロキシル体=4β−ヒドロキシル体−1:1)5
2■(0,186mmol)をアルゴン雰囲気下、−7
8℃において無水トルエン5mlに溶解し、水素化ジイ
ソブチルアル旦ニウム930μl1(1,0Mへキサン
溶液5当量)を滴下した。1時間反応後メタノールを加
えて過剰の試薬を中和し、飽和塩化アンモニウム水溶液
を加えてジエチルエーテルで抽出、飽和食塩水で洗浄し
、無水硫酸ナトリウムで脱水後減圧下に溶媒留去し、こ
れをシリカゲルカラムクロマト(ヘキサン:酢酸エチル
=4:1)により精製し、目的の4−ヒドロキシ−1−
(5−ヒドロキシ−3−メチル−1,3−ペンタジェン
−l−イル)−1,2−オキソ−2,6,6−ドリメチ
ルシクロヘキサン21■(48%)とその異性体19■
(44%)を得た。
3−メチル−1,3−ブタジェン−1イル)−1,2−
オキソ−2,6,6−ドリメチルシクロヘキサン(4α
−ヒドロキシル体=4β−ヒドロキシル体−1:1)5
2■(0,186mmol)をアルゴン雰囲気下、−7
8℃において無水トルエン5mlに溶解し、水素化ジイ
ソブチルアル旦ニウム930μl1(1,0Mへキサン
溶液5当量)を滴下した。1時間反応後メタノールを加
えて過剰の試薬を中和し、飽和塩化アンモニウム水溶液
を加えてジエチルエーテルで抽出、飽和食塩水で洗浄し
、無水硫酸ナトリウムで脱水後減圧下に溶媒留去し、こ
れをシリカゲルカラムクロマト(ヘキサン:酢酸エチル
=4:1)により精製し、目的の4−ヒドロキシ−1−
(5−ヒドロキシ−3−メチル−1,3−ペンタジェン
−l−イル)−1,2−オキソ−2,6,6−ドリメチ
ルシクロヘキサン21■(48%)とその異性体19■
(44%)を得た。
α−ジオール体
’H−NMR(CDCIs) δ1.01(s、3H
)、1.15(s、3H)、1.19(s、38)、1
.36(ddd、IH,J=1.4,3.9.13)、
1.89(dd、IH9J=8.5.15)+1−87
(brs、3[()+2.20(ddd。
)、1.15(s、3H)、1.19(s、38)、1
.36(ddd、IH,J=1.4,3.9.13)、
1.89(dd、IH9J=8.5.15)+1−87
(brs、3[()+2.20(ddd。
IH,J、、1.4.6.7.15)、3.84〜3.
91 (s+、 1)1) 、 4.31β 1H (d、2H,J=6.9) 、5.58(t、 IH,
J=6.9) 、5.90(d。
91 (s+、 1)1) 、 4.31β 1H (d、2H,J=6.9) 、5.58(t、 IH,
J=6.9) 、5.90(d。
LH,J=16) 、6.57(dd、 IFI、J=
0.6.16) 。
0.6.16) 。
ジオール体
NMR(CDCIs) δ0.98(s、3H)、1
.14(s、3H)、1.19(s、3B)、1.24
〜1.27(m、2B)、1.60〜1.66(m。
.14(s、3H)、1.19(s、3B)、1.24
〜1.27(m、2B)、1.60〜1.66(m。
LH)、1.87(d、3H,J=1.0)、2.38
(ddd、1B、J=1.8゜5.1.14)、3.8
7〜3.94(−、IH)、4.29〜4.34(■。
(ddd、1B、J=1.8゜5.1.14)、3.8
7〜3.94(−、IH)、4.29〜4.34(■。
2H)、5.57(t、111.J=6.8)、5.9
6(d、IFl、J−16)。
6(d、IFl、J−16)。
6.56(dd、IH,J=0.6.16)。
参
前例9
7−
5.89(d、IH,J−8,1)、6.39(d、I
H,J=15)、7.214β−ヒドロキシ−1−(5
−ヒドロキシ−3−メチル−1,3−ペンタジェン−1
−イル)−1,2−オキソ−2,6,6−)リメチルシ
クロヘキサン7w (0,024mmo 1)をアルゴ
ン雰囲気下に無水塩化メチレンl m 1 、二酸化マ
ンガン42■(20当量)を加え、室温にて2時間撹拌
した。過剰の二酸化マンガンを濾別後、減圧下に溶媒留
去してキサントキシン5■(83%)を得た。α−ジオ
ール体についても同様の反応を行い、エピキサントキシ
ンを得た。
H,J=15)、7.214β−ヒドロキシ−1−(5
−ヒドロキシ−3−メチル−1,3−ペンタジェン−1
−イル)−1,2−オキソ−2,6,6−)リメチルシ
クロヘキサン7w (0,024mmo 1)をアルゴ
ン雰囲気下に無水塩化メチレンl m 1 、二酸化マ
ンガン42■(20当量)を加え、室温にて2時間撹拌
した。過剰の二酸化マンガンを濾別後、減圧下に溶媒留
去してキサントキシン5■(83%)を得た。α−ジオ
ール体についても同様の反応を行い、エピキサントキシ
ンを得た。
(−)−キサントキシン
’H−NMR(CDCIs)δ1.00(s、3H)
、 1.19(s、3H) 、 1.21(s、3H)
、2.12(brs、31)、3.87〜3.96(−
、IH)。
、 1.19(s、3H) 、 1.21(s、3H)
、2.12(brs、31)、3.87〜3.96(−
、IH)。
5.88(d、 IH,J−8,2) 、6.38(d
、 IH,J−15) 、7.21(d、 1B、 J
−15) 、 10.20(d、 to、 J−8,2
)。
、 IH,J−15) 、7.21(d、 1B、 J
−15) 、 10.20(d、 to、 J−8,2
)。
エピキサントキシン
’H−NMR(CDCIs) 61.03(s、3H
)、1.20(s、3B)、1.21(s、3H)、2
.12(bra、3H)、3.86〜3.95(m、1
11)。
)、1.20(s、3B)、1.21(s、3H)、2
.12(bra、3H)、3.86〜3.95(m、1
11)。
8−
Claims (3)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは4−オキシカルボニル−1−ヒドロキシ−
3−メチル−3(Z)ブテン−1−イル基、又は4−ヒ
ドロキシカルボニル−3−メチル−1(E)、3(Z)
−ブタジエン−1−イル基を表し、R^1及びR^2は
低級アルコキシ基を表すか、又はR^1及びR^2は結
合している炭素原子と一体となって1,3−ジオキソラ
ン環を形成する。)で表される光学活性エポキシシクロ
ヘキサン誘導体、及びその鏡像異性体。 - (2)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^3は水素原子、低級アルキル基、アリル基
、アラルキル基又はアリール基を表す。)で表される光
学活性エポキシシクロヘキサノン誘導体及びその鏡像異
性体。 - (3)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1及びR^2は低級アルコキシ基を表すか
、又はR^1及びR^2は結合している炭素原子と一体
となって1,3−ジオキソラン環を形成する。)で表さ
れる光学活性アルデヒド誘導体と一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^4は低級アルキル基、アリル基、アラルキ
ル基又はアリール基を表し、Xは塩素、臭素又はヨウ素
原子を表す。)で表される3−メチルクロトン酸エステ
ル誘導体とを反応させることからなる一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1及びR^2は低級アルコキシ基を表すか
、又はR^1及びR^2は結合している炭素原子と一体
となって1,3−ジオキソラン環を形成する。R^4は
低級アルキル基、アリル基、アラルキル基又はアリール
基を表す。)で表される光学活性エポキシシクロヘキサ
ン誘導体の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2095007A JP2770546B2 (ja) | 1989-08-18 | 1990-04-12 | 光学活性エポキシシクロヘキサン誘導体及びその製造方法 |
US07/834,547 US5254694A (en) | 1989-08-18 | 1990-08-16 | Optically active epoxycyclohexane derivative and epoxycyclohexanone derivative, and process for the preparation thereof |
AU61680/90A AU644093B2 (en) | 1989-08-18 | 1990-08-16 | Optically active epoxycyclohexane derivative, optically active epoxycyclohexanone derivative, and production of said derivatives |
EP19900912393 EP0487731A4 (en) | 1989-08-18 | 1990-08-16 | Optically active epoxycyclohexane derivative, optically active epoxycyclohexanone derivative, and production of said derivatives |
PCT/JP1990/001042 WO1991002728A1 (en) | 1989-08-18 | 1990-08-16 | Optically active epoxycyclohexane derivative, optically active epoxycyclohexanone derivative, and production of said derivatives |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21129089 | 1989-08-18 | ||
JP1-211290 | 1989-08-18 | ||
JP21722189 | 1989-08-25 | ||
JP1-217221 | 1989-08-25 | ||
JP2095007A JP2770546B2 (ja) | 1989-08-18 | 1990-04-12 | 光学活性エポキシシクロヘキサン誘導体及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03184966A true JPH03184966A (ja) | 1991-08-12 |
JP2770546B2 JP2770546B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=27307719
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2095007A Expired - Lifetime JP2770546B2 (ja) | 1989-08-18 | 1990-04-12 | 光学活性エポキシシクロヘキサン誘導体及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5254694A (ja) |
EP (1) | EP0487731A4 (ja) |
JP (1) | JP2770546B2 (ja) |
AU (1) | AU644093B2 (ja) |
WO (1) | WO1991002728A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996008481A1 (fr) * | 1994-09-14 | 1996-03-21 | Sagami Chemical Research Center | Derive d'epoxycyclohexane et regulateur de croissance vegetale |
WO2016047532A1 (ja) * | 2014-09-24 | 2016-03-31 | 国立大学法人静岡大学 | アブシジン酸誘導体 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09208407A (ja) * | 1996-02-08 | 1997-08-12 | Sagami Chem Res Center | 植物成長促進剤 |
EP2511255A1 (de) | 2011-04-15 | 2012-10-17 | Bayer CropScience AG | Substituierte Prop-2-in-1-ol- und Prop-2-en-1-ol-Derivate |
EP2510786A1 (de) | 2011-04-15 | 2012-10-17 | Bayer CropScience AG | Substituierte Prop-2-in-1-ol- und Prop-2-en-1-ol-Derivate |
EP2740720A1 (de) | 2012-12-05 | 2014-06-11 | Bayer CropScience AG | Substituierte bicyclische- und tricyclische Pent-2-en-4-insäure -Derivate und ihre Verwendung zur Steigerung der Stresstoleranz in Pflanzen |
EP2740356A1 (de) | 2012-12-05 | 2014-06-11 | Bayer CropScience AG | Substituierte (2Z)-5(1-Hydroxycyclohexyl)pent-2-en-4-insäure-Derivate |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3400158A (en) * | 1966-11-02 | 1968-09-03 | Reynolds Tobacco Co R | 4-(1-hydroxy-2, 6, 6-trimethyl-2-cyclohexen-1-yl)-3-butene-2-one |
GB1164564A (en) * | 1967-08-21 | 1969-09-17 | Shell Int Research | Novel Cyclobexylpentadienone Acid Derivatives, the preparation thereof and Compositions containing the same |
-
1990
- 1990-04-12 JP JP2095007A patent/JP2770546B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-08-16 AU AU61680/90A patent/AU644093B2/en not_active Ceased
- 1990-08-16 US US07/834,547 patent/US5254694A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-16 WO PCT/JP1990/001042 patent/WO1991002728A1/ja not_active Application Discontinuation
- 1990-08-16 EP EP19900912393 patent/EP0487731A4/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996008481A1 (fr) * | 1994-09-14 | 1996-03-21 | Sagami Chemical Research Center | Derive d'epoxycyclohexane et regulateur de croissance vegetale |
WO2016047532A1 (ja) * | 2014-09-24 | 2016-03-31 | 国立大学法人静岡大学 | アブシジン酸誘導体 |
JPWO2016047532A1 (ja) * | 2014-09-24 | 2017-07-13 | 国立大学法人静岡大学 | アブシジン酸誘導体 |
US10125095B2 (en) | 2014-09-24 | 2018-11-13 | National University Corporation Shizuoka University | Abscisic acid derivative |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU6168090A (en) | 1991-04-03 |
EP0487731A4 (en) | 1993-01-20 |
AU644093B2 (en) | 1993-12-02 |
US5254694A (en) | 1993-10-19 |
JP2770546B2 (ja) | 1998-07-02 |
EP0487731A1 (en) | 1992-06-03 |
WO1991002728A1 (en) | 1991-03-07 |
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