JPH03183157A - 高放熱型半導体装置 - Google Patents
高放熱型半導体装置Info
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- JPH03183157A JPH03183157A JP32188989A JP32188989A JPH03183157A JP H03183157 A JPH03183157 A JP H03183157A JP 32188989 A JP32188989 A JP 32188989A JP 32188989 A JP32188989 A JP 32188989A JP H03183157 A JPH03183157 A JP H03183157A
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
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- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高放熱型半導体装置に関するものである。
。
〔従来の技術〕
第４図は従来の放熱型半導体装置の１１′ｒ血図である
。図において、（６）は半導体チップ、（４）は半導体
チップ（５（ヲ支持するダイパッドで、ダイパッド（４
）上に半導体チップ（６：がろう材（図示せず）によっ
て、同右すれている。（γ）は内部リード、（６）は内
部リード（７）と半導体チップ（５゛の電極（図示せず
）とを接続する為の金属細線で、内部リード（７）に卦
ける金属細線（６）と接合される部分には、接続が確実
に行なわれるように銀メツキ等のメツキ（図示せず）が
施されている。ｆｉ＋は半導体千ツブ（６（及び金属細
線（６）等を封止し、かつ外力より保護するパッケージ
を構成するモールド樹脂、（９）はモールド樹脂（８）
表面に接着剤（２）を介して装置された放熱ブロックで
ある。
。図において、（６）は半導体チップ、（４）は半導体
チップ（５（ヲ支持するダイパッドで、ダイパッド（４
）上に半導体チップ（６：がろう材（図示せず）によっ
て、同右すれている。（γ）は内部リード、（６）は内
部リード（７）と半導体チップ（５゛の電極（図示せず
）とを接続する為の金属細線で、内部リード（７）に卦
ける金属細線（６）と接合される部分には、接続が確実
に行なわれるように銀メツキ等のメツキ（図示せず）が
施されている。ｆｉ＋は半導体千ツブ（６（及び金属細
線（６）等を封止し、かつ外力より保護するパッケージ
を構成するモールド樹脂、（９）はモールド樹脂（８）
表面に接着剤（２）を介して装置された放熱ブロックで
ある。
次に作用について説明する。半導体チップ（５）から発
生する熱はダイパッド（４〉から、あるいは直接モール
ド樹脂（８１を経て放熱ブロック（９１、あるいは外部
リード（８）へ熱伝導による放熱が行われる他、空中へ
の輻射によって放熱される。
生する熱はダイパッド（４〉から、あるいは直接モール
ド樹脂（８１を経て放熱ブロック（９１、あるいは外部
リード（８）へ熱伝導による放熱が行われる他、空中へ
の輻射によって放熱される。
従来の放熱型半導体装置は以上のように構５３２すれて
いるので、半導体チップより放熱ブロックまでの距離が
長いため、放熱性が悪く、高パフ−が得られにくかった
。又、放熱ブロック装着部が平坦なため、機械的強度が
弱く、シばしば放熱ブロックが外れる不具合が多発する
などの問題があつた。
いるので、半導体チップより放熱ブロックまでの距離が
長いため、放熱性が悪く、高パフ−が得られにくかった
。又、放熱ブロック装着部が平坦なため、機械的強度が
弱く、シばしば放熱ブロックが外れる不具合が多発する
などの問題があつた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、強度的に強い高放熱ブロックを持つ高放熱型
半導体装置を得ることを目的とする。
たもので、強度的に強い高放熱ブロックを持つ高放熱型
半導体装置を得ることを目的とする。
この発明に係る高放熱型半導体装置は、半導体チップ表
面を下にして、ダイパッド裏面上に接着後、モールド樹
脂に凹部を作る封止金型で、樹脂封止するとともに、該
凹部と対向する位置に凸部を備えた高放熱ブロックを凹
凸部のはめあいにより装着するようにしたものである。
面を下にして、ダイパッド裏面上に接着後、モールド樹
脂に凹部を作る封止金型で、樹脂封止するとともに、該
凹部と対向する位置に凸部を備えた高放熱ブロックを凹
凸部のはめあいにより装着するようにしたものである。
この発明における高放熱型半導体装置はモールド樹脂表
面を凹部にし、半導体チップと高放熱ブロックまでの距
離を短かくし高放熱性を得るとともに、モールド樹脂四
部と高放熱ブロック凸部のはめあいにより、高放熱ブロ
ックに機械的強度をもたせた。
面を凹部にし、半導体チップと高放熱ブロックまでの距
離を短かくし高放熱性を得るとともに、モールド樹脂四
部と高放熱ブロック凸部のはめあいにより、高放熱ブロ
ックに機械的強度をもたせた。
以下、この発明の一実施例を第１図ないし第３図につい
て説明する。第１図はクワッドフラットパッケージ型の
高放熱型半導体装置の断面図、第２図は高放熱ブロック
装着前のクワッドフラットパッケージ型半導体装置の斜
視図、第３図は高放熱ブロックの斜視図である。
て説明する。第１図はクワッドフラットパッケージ型の
高放熱型半導体装置の断面図、第２図は高放熱ブロック
装着前のクワッドフラットパッケージ型半導体装置の斜
視図、第３図は高放熱ブロックの斜視図である。
図において（２）〜（８）は第４図の従来例に示したも
のと同等であるので説ＢＡを省略する。（１）は高放熱
ブロックである。
のと同等であるので説ＢＡを省略する。（１）は高放熱
ブロックである。
次に作用について説明する。ダイパッド（４）の裏面に
ろう材（図示せず）にて固着された半導体チップ（６！
の電極（図示せず）と、内部リード（γ）とを金属細線
（６）で接合する。内部リード（７）にかける金属細線
り６）と接合される部分には接続が確実に行なわれるよ
うに銀メツキ等のメツキ（図示せず）を施してかく。半
導体チップ（６！の表面を下に、即ちダイパッド（４）
裏面上に接着後、モールド樹脂（８）に凹部を作る封止
金型（図示せず）で第２図に示すごとく樹脂封止する。
ろう材（図示せず）にて固着された半導体チップ（６！
の電極（図示せず）と、内部リード（γ）とを金属細線
（６）で接合する。内部リード（７）にかける金属細線
り６）と接合される部分には接続が確実に行なわれるよ
うに銀メツキ等のメツキ（図示せず）を施してかく。半
導体チップ（６！の表面を下に、即ちダイパッド（４）
裏面上に接着後、モールド樹脂（８）に凹部を作る封止
金型（図示せず）で第２図に示すごとく樹脂封止する。
モールド樹脂（８）表血の凹部に、高放熱ブロック（１
）下面の凸部が接着剤Ｃ２７を介し凹凸部のはめあいに
よシ装着する。
）下面の凸部が接着剤Ｃ２７を介し凹凸部のはめあいに
よシ装着する。
なお、上記実施例ではクワッドフラットパッケージの場
合について説明したが、スモールアウトラインパッケー
ジ、デュアルインラインパッケージ等についても、上記
実施例と同様の効果を奏する。
合について説明したが、スモールアウトラインパッケー
ジ、デュアルインラインパッケージ等についても、上記
実施例と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、モールド樹脂表１１
ｆｆｉを凹部にし半導体チップと高放熱ブロックまでの
距離を短かくし高放熱性を得るとともに、モールド樹脂
表向凹部と高放熱ブロック凸部のはめあいによう、高放
熱ブロック外れ不具合発生を防止できる効果がある。
ｆｆｉを凹部にし半導体チップと高放熱ブロックまでの
距離を短かくし高放熱性を得るとともに、モールド樹脂
表向凹部と高放熱ブロック凸部のはめあいによう、高放
熱ブロック外れ不具合発生を防止できる効果がある。
第１図〜第３図はこの発明の一実施例に係り、第１図は
高放熱型クワッドフラットパッケージ型半導体装置の断
面図、第２図は高放熱ブロック装着前のクワッドフラッ
トパッケージ型半導体装置の斜視図、第３図は高放熱ブ
ロックの斜視図、第４図は従来の放熱型半導体装置の断
面図である。 図において、（１）は高放熱ブロック、Ｃ２）は接着剤
、（８）はモールド樹脂、（４）はダイパッド、（５！
は半導体チップ、（Ｏ）は金属細線、（γ）は内部リー
ド、（８）は外部リードである。 な９１図中、同一符号は同一 又は相当部分を示す。
高放熱型クワッドフラットパッケージ型半導体装置の断
面図、第２図は高放熱ブロック装着前のクワッドフラッ
トパッケージ型半導体装置の斜視図、第３図は高放熱ブ
ロックの斜視図、第４図は従来の放熱型半導体装置の断
面図である。 図において、（１）は高放熱ブロック、Ｃ２）は接着剤
、（８）はモールド樹脂、（４）はダイパッド、（５！
は半導体チップ、（Ｏ）は金属細線、（γ）は内部リー
ド、（８）は外部リードである。 な９１図中、同一符号は同一 又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 高放熱型半導体装置において、ダイパッド裏面上のモー
ルド樹脂表面に凹部を備え、該凹部に対向する位置に凸
部を備えた高放熱ブロックを、凹凸部分のはめあいによ
り、装着させたことを特徴とする高放熱型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32188989A JPH03183157A (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | 高放熱型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32188989A JPH03183157A (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | 高放熱型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03183157A true JPH03183157A (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=18137533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32188989A Pending JPH03183157A (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | 高放熱型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03183157A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009002992A1 (de) * | 2009-05-11 | 2011-02-10 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleitermodulanordnung mit verdrehsicher auf einem Kühlkörper montierbarem Leistungshalbleitermodul |
-
1989
- 1989-12-12 JP JP32188989A patent/JPH03183157A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009002992A1 (de) * | 2009-05-11 | 2011-02-10 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleitermodulanordnung mit verdrehsicher auf einem Kühlkörper montierbarem Leistungshalbleitermodul |
| US8134837B2 (en) | 2009-05-11 | 2012-03-13 | Olaf Hohlfeld | Twist-secured assembly of a power semiconductor module mountable on a heat sink |
| DE102009002992B4 (de) * | 2009-05-11 | 2014-10-30 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleitermodulanordnung mit eindeutig und verdrehsicher auf einem Kühlkörper montierbarem Leistungshalbleitermodul und Montageverfahren |
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