JPH0317771B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0317771B2
JPH0317771B2 JP22149386A JP22149386A JPH0317771B2 JP H0317771 B2 JPH0317771 B2 JP H0317771B2 JP 22149386 A JP22149386 A JP 22149386A JP 22149386 A JP22149386 A JP 22149386A JP H0317771 B2 JPH0317771 B2 JP H0317771B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
rod
polycrystalline silicon
current
temperature
frequency
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP22149386A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPS6374909A (ja
Inventor
Hisafuku Yamaguchi
Hiroshi Watanabe
Takashi Tanaka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin-Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin-Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin-Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Shin-Etsu Handotai Co Ltd
Priority to JP22149386A priority Critical patent/JPS6374909A/ja
Publication of JPS6374909A publication Critical patent/JPS6374909A/ja
Publication of JPH0317771B2 publication Critical patent/JPH0317771B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
JP22149386A 1986-09-19 1986-09-19 大直径多結晶シリコン棒の製造方法 Granted JPS6374909A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22149386A JPS6374909A (ja) 1986-09-19 1986-09-19 大直径多結晶シリコン棒の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22149386A JPS6374909A (ja) 1986-09-19 1986-09-19 大直径多結晶シリコン棒の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6374909A JPS6374909A (ja) 1988-04-05
JPH0317771B2 true JPH0317771B2 (show.php) 1991-03-08

Family

ID=16767576

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22149386A Granted JPS6374909A (ja) 1986-09-19 1986-09-19 大直径多結晶シリコン棒の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6374909A (show.php)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4812938B2 (ja) * 1997-12-15 2011-11-09 レック シリコン インコーポレイテッド 多結晶シリコン棒製造用化学的蒸気析着方式
RU2499768C2 (ru) * 2008-03-10 2013-11-27 Аег Пауэр Солюшнс Б.В. Устройство и способ равномерного электропитания кремниевого стержня
US8961689B2 (en) * 2008-03-26 2015-02-24 Gtat Corporation Systems and methods for distributing gas in a chemical vapor deposition reactor
JP5308288B2 (ja) * 2009-09-14 2013-10-09 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン製造用反応炉、多結晶シリコン製造システム、および多結晶シリコンの製造方法
DE102010003068A1 (de) 2010-03-19 2011-09-22 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung von rissfreien polykristallinen Siliciumstäben
EP2549638A1 (de) * 2011-07-19 2013-01-23 AEG Power Solutions B.V. Stromversorgungsanordnung für einen Reaktor zur Polysiliciumherstellung mit einem Frequenzumrichter
JP5792658B2 (ja) * 2012-02-23 2015-10-14 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン棒の製造方法
JP5792657B2 (ja) 2012-02-23 2015-10-14 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン棒の製造方法
JP6378147B2 (ja) * 2015-09-04 2018-08-22 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン棒の製造方法およびｃｚ単結晶シリコンの製造方法
JP7191780B2 (ja) 2019-06-17 2022-12-19 信越化学工業株式会社 多結晶シリコンロッドの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6374909A (ja) 1988-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5976481A (en) Polycrystal silicon rod and production process therefor
JP5719282B2 (ja) 多結晶シリコンの製造方法
US3146123A (en) Method for producing pure silicon
EP0045599B1 (en) Process and apparatus for the production of silicon bodies by continuous chemical vapor deposition
CN102084038B (zh) 硅或活性金属的直接铸造
JPWO1997044277A1 (ja) 多結晶シリコンロッドおよびその製造方法
JPH09278590A (ja) ボトムレス式の晶出室でシリコンから成る溶融液を一方向性凝固させてインゴットを形成するための方法および装置
CN108538707B (zh) 一种二维黑磷晶体制备方法
US4309241A (en) Gas curtain continuous chemical vapor deposition production of semiconductor bodies
JPH03150298A (ja) 多結晶シリコン製造装置の芯線間接続用ブリッジ
JP2686223B2 (ja) 単結晶製造装置
JPS6374909A (ja) 大直径多結晶シリコン棒の製造方法
US3853974A (en) Method of producing a hollow body of semiconductor material
WO2018076139A1 (zh) 多晶硅的制造方法以及单晶硅的制造方法
JP5579634B2 (ja) 多結晶シリコン製造用反応炉および多結晶シリコンの製造方法
JP5861770B2 (ja) 多結晶シリコンおよびその鋳造方法
JPH06340490A (ja) シリコン単結晶製造装置
JP5820917B2 (ja) 多結晶シリコンの製造方法
CN113818085B (zh) 助熔剂法均匀化生长氮化物单晶的系统及方法
JP2012224499A (ja) シリコン芯線の製造方法
JP2022182823A (ja) 単結晶製造装置
US3335697A (en) Apparatus for vapor deposition of silicon
TW202513469A (zh) 石墨材料的純化方法、基於碳化矽長晶的石墨坩堝純化方法與高純度碳化矽的製造方法
US3310426A (en) Method and apparatus for producing semiconductor material
KR20120007143A (ko) 마이크로파로 화학증기증착 반응로 내부 입자 또는 소재를 가열, 용융하는 방법