JPH03177392A - 単結晶引上げ方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、単結晶引上げ方法および装置に関し、引上げ
操作時における原料補充に起因する単結晶体の有転位化
を有効に防止し、単結晶体の抵抗率の均一性の向上を図
り、製品歩留を良好なものとする技術に関するものであ
る。

［従来の技術］ シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素などのの単結晶
体の製造方法として、坩堝内の融液から結晶を成長させ
つつ引上げるチョクラルスキー法（ＣＺ法）が広く行な
われている。

ところで近年、Ｃ２法により得られた単結晶体を使って
、デバイスを作製する場合デバイスの高度化に従って単
結晶の使用可能な抵抗値範囲は限定され、かつ狭くなっ
てくる傾向にある。特に、ＬＳＩの微細化により、例え
ばＣＭＯＳデバイスにおいてはしきい値電圧の厳しい制
御が必要となり、単結晶の許容抵抗値は非常に狭い範囲
に限定されてきている。このためＣ２法において、得ら
れる単結晶体の抵抗分布をいかに制御できるかが極めて
重要な問題となっている。

従来、Ｃ２法によりシリコン単結晶体を製造する場合、
通常、目的とする導電型と抵抗値に応じてドーパントの
必要量を秤量し、原料シリコンと混合し同時溶融する方
法がとられている。これよりシリコン単結晶体を引上げ
ると、添加したリン、硼素、アンチモン、砒素などドー
パントの偏析係数が１よりも小さいため、引上げが進む
につれて融液中のドーパント濃度が大きくなる。このた
めシリコン単結晶体中に含まれるドーパント濃度は単結
晶体の頂部側で小さく、末端部側で大きくなり、抵抗値
は頂部から末端部へ向って漸次減少するものとなり、所
望の抵抗値を有するシリコンウェハはシリコン単結晶体
のごく一部からしか得られず、歩留りが悪いものであっ
た。

このような観点から、単結晶引上げ操作時に、坩堝に多
結晶シリコン原料およびドーパントを弓上げ量に応じて
補給しながら、単結晶体を連続的に引上げる方法が提唱
されている。このような方法によれば、理論的には、単
結晶引上げ操作時の融液中のドーパント濃度を一定に保
つことができ、得られるシリコン単結晶体の抵抗値分布
が小さくなり、目的とするデバイスに適したウェハの歩
留りが良好になることが考えられる。また、ドーパント
を添加しない場合においても、多結晶シリコン原料を供
給しつつ連続的に引上げを行うと、引上げ条件を一定に
保つことが出来るので、長さ方向の抵抗率以外の特性、
例えば酸素濃度が−様な長尺単結晶が得られる。しかし
ながら実際には、従来の単結晶引上げ装置において単結
晶引上げ操作時に坩堝内に原料を供給すると、融液の対
流が乱される、未溶融の原料が凝固ゾーンに到達するな
どによって、引上げ単結晶の有転位化、多結晶化を招く
結果となってしまう。

さらに最近では、このような単結晶体の連続引上げ方法
において、上記のごとき原料の補給に起因する引上げ単
結晶の有転位化、多結晶化を防止するために、一部に貫
通孔を有する隔壁を坩堝内に配するなどして、坩堝を２
重構造とすることも提唱されている（例えば、特開昭５
６−８８８９６号、特開昭５８−１３０１９５号、特表
昭６２−５０２７９３号、特開昭５８−３６９９７号な
ど）。

第４図は、このような２重構造の坩堝を有する単結晶引
上げ装置の従来例を示すものである。すなわち、第４図
に示したシリコン単結晶引上げ装置５１においては、石
英製坩堝５２の内部に、部に貫通孔５３を有する環状隔
壁５４が配されて２重構造となされており、前記環状隔
壁５４より内方が、引上げワイヤ５５の先端に固定され
た秤結晶５６を融液５７に接触させ、引上げてシリコン
単結晶体５８を成長させる凝固ゾーン５つとされ、一方
、前記環状隔壁５４より外方が、原料供給用管６１より
補充される原料を溶融する溶融ゾーン６０とされている
。なお、この単結晶引上げ装置５１において、引上げワ
イヤ５５の捲取り装置６２は、引上げワイヤ５５を捲き
取ると同時に回転させる機構を有しており、また融液５
７を収容する坩堝５２は回転モータ６３により駆動され
る回転軸６４上に配されており、これにより単結晶引上
げ操作時に、引上げられる単結晶体５８を回転させると
ともに融液５７も緩やかに回転させ、単結晶体５８の成
長面内の均一性の向上を図っている。

確かに、このように坩堝５２内を隔壁５４により凝固ゾ
ーン５つと溶融ゾーン６０とに区画すれは、溶融ゾーン
６０に補充された原料の落下により凝固ゾーン５つ中の
融液５７の液面が波立つこと、未溶融の原料が凝固ゾー
ン５９に到達することなど、原料供給に伴う外乱が小さ
くなり、単結晶の有転位化、多結晶化を招く虞れはある
程度低くなるものと考えられるが、その効果は今だ十分
なものとはいえないものであった。

すなわち、第４図に示すような構成の単結晶引上げ装置
５１においては、前記したように引上げ操作時に坩堝５
２が回転するために、例えば貫通孔５３を環状隔壁５４
に１箇所のみ設けたとしても、原料供給用管６１の供給
■から貫通孔５３までの距離が、坩堝５２の回転位置に
よっては十分なものとはならず、溶融ゾーン６０に供給
された原料が未溶融のまま貫通孔３を抜けて凝固ゾーン
５つに到達してしまう場合があり、さらに原料供給用管
６１から融液５７中へ原料を供給した際に発生した飛沫
が環状隔壁５４の上端を飛越えて溶融ゾーン６０より凝
固ゾーン５つに達してしまう場合がありいずれも単結晶
の有転位化、多結晶化をもたらすものであった。

［発明が解決しようとする課題］ 従って本発明は、製品歩留を良好なものとする長さ方向
において均一な抵抗率等の特性を有する単結晶体を安定
して連続的に得ることのできる新規な単結晶引上げ方法
および装置を提供することを目的とするものである。

［課題を解決するための手段］ 上記諸目的は、一部に貫通孔を有する環状隔壁を内部に
配して２重構造とした坩堝において、原料を溶融してな
る融液を形成し、前記環状隔壁より内方において融液に
種結晶を接触させ引上げて単結晶体を成長させつつ、前
記環状隔壁よりも外方において原料を補充し連続的に単
結晶体を引上げる方法において、坩堝を固定する一方で
、坩堝内の融液に回転磁界を与えて該融液を回転させ、
さらに原料の補充を、環状隔壁の貫通孔の位置に対して
前記融ｌ夜の回転方向に十分上流側となる位置で行なう
ことを特徴とする単結晶引上げ方法によって達成される
。

上記諸目的はまた、一部に貫通孔を有する環状隔壁を内
部に配して２重構造とした坩堝において、原料を溶融し
てなる融液を形成し、前記環状隔壁より内方において融
ｌ＆に種結晶を接触させ引上げて単結晶体を成長させつ
つ、前記環状隔壁よりも外方において原料を補充し連続
的に単結晶体を引上げる方法において、坩堝を固定して
、坩堝における前記環状隔壁よりも外方でかつ原料供給
位置以外の部位の上端部を蓋体で覆う一方、坩堝内の融
液に回転磁界を与えて該融液を回転させながら単結晶成
長を行なうことを特徴とする単結晶引上げ方法によって
も達成される。

上記諸目的はさらに、一部に貫通孔を有する環状隔壁を
内部に配して２重構造とした坩堝において、原料を溶融
してなる融液を形成し、前記環状隔壁より内方において
融液に種結晶を接触させ引上げて単結晶体を成長させつ
つ、前記環状隔壁よりも外方において原料を補充し連続
的に単結晶体を引上げる方法において、坩堝を固定して
、坩堝における前記環状隔壁よりも外方でかつ原料供給
位置以外の部位の上端部を蓋体て覆う一方で、坩堝内の
融ｉ＆に回転磁界を与えて謹厳ｌ＆を回転させ、さらに
、原料の補充を、環状隔壁の貫通孔の位置に対して前記
融ン夜の回転方向に十分上流側となる位置で行なうこと
を特徴とする単結晶引上げ方法によっても達成される。

また上記諸目的は、原料を熔融してなる融液を収容する
坩堝として、一部に貫通孔を有する環状隔壁を内部に配
して２重構造としたものを用い、前記環状隔壁より内方
において前記融液に上方から種結晶を接触させ引上げる
手段と、前記環状隔壁よりも外方において原料を補充す
る原料供給手段とを配した単結晶引上げ装置において、
坩堝内に形成される融液に回転磁界を印加する手段を設
け、上記坩堝を固定して、上記原料供給手段の供給口を
、この融液の回転方向において、前記環状隔壁の貫通孔
の位置に対して十分上流側となる位置に配したことを特
徴とする単結晶引上げ装置によっても達成される。

上記諸目的はさらにまた、原料を溶融してなる融液を収
容する坩堝として、一部に貫通孔を有する環状隔壁を内
部に配して２重構造としたものを用い、前記環状隔壁よ
り内方において前記融液に上方から種結晶を接触させ引
上げる手段と、前記環状隔壁よりも外方において原料を
補充する原料供給手段とを配した単結晶引上げ装置にお
いて、坩堝内に形成される融液に回転磁界を印加する手
段を設け、上記坩堝を固定して、坩堝における前記環状
隔壁よりも外方でかつ前記原料供給手段挿通部以外の部
位の上端部を覆う蓋体を設けたことを特徴とする単結晶
引上げ装置によっても達成される。

さらに上記諸目的は、原料を溶融してなる融液を収容す
る坩堝として、一部に貫通孔を有する環状隔壁を内部に
配して２重構造としたものを用い、前記環状隔壁より内
方において前記融液に上方から種結晶を接触させ引上げ
る手段と、前記環状隔壁よりも外方において原料を補充
する原料供給手段とを配した単結晶引上げ装置において
、坩堝内に形成される融液に回転磁界を印加する手段を
設け、上記坩堝を固定して、坩堝における前記環状隔壁
よりも外方でかつ前記原料供給手段挿通部以外の部位の
上端部を覆う蓋体を設け、さらに上記原料供給手段の供
給口を、この融液の回転方向において、前記環状隔壁の
貫通孔の位置に対して十分上流側となる位置に配したこ
とを特徴とする単結晶引上げ装置によっても達成される
。

［作用］ 前記したように、単結晶引上げ操作時において、融液を
回転させるために坩堝を回転させる構成においては、坩
堝に対する原料を供給する機構の位置が、回転方向に常
に変動することとなるが、本発明においては、単結晶引
上げ操作時における融液の回転を、該融液に回転磁界を
かけることによって行なうことにより、謹厳ｌ＆を収納
してなる坩堝を回転させることなく固定し、原料を供給
する機構の坩堝に対する位置を限定したものである。

従って、坩堝内に配された環状隔壁の貫通孔の位置と原
料を供給する位置を前記融液の回転方向において十分能
れたものに設定し、かつこれらを供給する坩堝の環状隔
壁よりも外方の部位（溶融ゾーン）上部に覆いを設ける
ことが容易になされたものである。

このように本発明においては、原料を供給する位置か融
液の回転方向において貫通孔と常時１−分離れたものと
なされるために、溶融ゾーンに供給された原料は、貫通
孔に至るまでに十分な時間、溶融ゾーンを浮遊すること
となるため未溶融状態で貫通孔を通過し坩堝の環状隔壁
よりも内方の部位（凝固ゾーン）に達してしまうことは
なくなり、また前記のように溶融ゾーン上部に覆いが設
けられているために、溶融ゾーンに原料を供給した際に
発生した飛沫が坩堝の上方より環状隔壁を飛び越えて凝
固ゾーンに達することもなくなるものである。なお、本
発明において原料は必要に応じてドーパントを含む。

［実施例］ 以下、本発明を実施態様に基づき詳細に説明する。

第１図は本発明の単結晶引上げ装置の一実施態様の使用
状態における構成を模式的に示すものである。

第１図に示す実施態様の単結晶引上げ装置１においては
、溶融チャンバ−１５底部に固定された載置台１６上に
黒鉛製坩堝１７に保持された石英製坩堝２が載置してあ
り、この石英製坩堝２の内部には、石英製環状隔壁４が
配されて２重構造となされている。そして、前記環状隔
壁４よりも内方が、引上げワイヤ５の先端に固定された
種結晶６を融液７に接触させ、引上げてシリコン単結晶
体８を成長させる凝固ゾーンつとされ、一方、前記環状
隔壁４より外方が、原料供給用管１１より補充される原
料を溶融する溶融ゾーン１０とされている。

しかしてこの石英製坩堝２の環状隔壁４より外方の部位
の上端部は、前記原料供給用管１１を挿通ずる挿通孔か
わずかに開口された黒鉛製環状蓋体１８により覆われて
おり、実質的に溶融ゾーン１０の上部は閉鎖されている
。なお、この実施態様においては、環状蓋体１８は溶融
ゾーン１０上部のみを覆うものとされているが、凝固ゾ
ーン９の少なくとも種結晶６に続いて引上げられるシリ
コン単結晶体８が通過する部位よりもやや大きな直径の
部位が開口されていれば、環状蓋体１８の内部開口をさ
らに縮径して凝固ゾーン９上部の一部をも覆うものとし
てもよい。

また、この単結晶引上げ装置１においては、石英製坩堝
２内に装填される原料を加熱溶解するための円筒状の発
熱体１つが、石英製坩堝２ないし黒鉛製坩堝１７を一定
間隔を離間して側面から囲繞するよう配置しであるが、
この円筒状の発熱体１つは、第３図に示すように下部の
３カ所を電極２０ａ、２０ｂ、２０Ｃとする三相三角形
結線の抵抗負荷を形成しており、第２図に示すようにこ
れらの電極２０ａ、２０ｂ、２０ｃは三相交流電源２１
に接続されている。従って、この発熱体１９に三相交流
を印加すると、ジュール熱の発生により発熱するととも
に、発熱体１つ中心部（石英製坩堝２の中心部でもある
）には誘導回転磁界が発生し、これによって石英製坩堝
２内に形成された融液を回転させることができるもので
ある。なお、この実施態様においては、上記のように石
英製坩堝２を加熱する発熱体１９に３相交流を流して坩
堝２内の融液７に回転磁界を与えるものとしているが、
本発明において融液７に回転磁界を印加する手段として
は、このような多相交流電源を使用する発熱体に限定さ
れるものではなく、例えば、該石英製坩堝２のまわりに
三相固定子巻線を互いに２／３πの位相差をもって配し
これに三相交流を流すというようにして、多相交流誘導
を行なう構成としてもよい。もちろん、この場合には、
坩堝２内の融液を加熱する一般的なヒータを別途必要と
する。

さらに第１図に示す単結晶引上げ装置１においては、坩
堝２内に前記したような管状隔壁４が配されており坩堝
２内を凝固ゾーンつと溶融ゾーン１０に区画しているが
、この両者の間の融液７の流通を可能とするために、隔
壁４の下端近傍において貫通孔３が１箇所設けられてい
る。前記したように本発明の単結晶引上げ装置１におい
ては、第２図に模式するように坩堝２内の融液７に回転
磁界を与え融液７を回転させるものであるが、この回転
方向Ｒにおいて、上記貫通孔３は、前記原料供給用管１
１の下端開口部から十分下流側に位置するものとされ、
この実施態様においては第１図および第２図に示すよう
に、約１８０°回転した位置Ａに配せられている。なお
、原料供給用管１１の下端開口部の配置位置から、約１
８０’回転した位置Ａに配していると、供給された原料
が融液７の流れに乗って貫通孔３の配置位置に至るまで
に十分な時間を費やさせることができるが、好ましくは
、例えば第２図に示す位置Ｂのごとく、より回転させた
位置に貫通孔３を配置することが望まれる。しかしなが
ら、一方、上記位置Ａよりもある程度上流側に貫通孔３
を配しても十分な効果が期待され、少なくとも従来の単
結晶引上げ装置におけるように坩堝の回転に伴ない一定
周期毎に原料供給部と貫通孔とか位相差セロとなるよう
なものと比べると、未溶融の多結晶原料が貫通孔を通過
してしまう虞れは少なくなるものである。

なお、本発明の単結晶引上げ装置において、原料供給部
（原料供給用管１１の下端開口部）と貫通孔３の配置位
置関係は、坩堝の大きさ、融成回転速度、融液温度およ
び供給される原料の大きさなどによって左右されるため
一概には規定てきないが、一般に融液の回転方向に１２
０°〜３４０゜程度離間して配置される。またさらに、
原料供給部（原料供給用管１１の下端開口部）に対し、
貫通孔３の配置位置が例えば、位置Ｂのごとく極めて十
分に離れていれば、貫通孔３の口径をかなり大きなもの
とすることが可能である。このように貫通孔３の口径を
大きなものにできれば、溶融ゾーン１０と凝固ゾーン９
との間の融液７の流通がより十分なものとなり、単結晶
引上げ操作の進行に伴ない、凝固ゾーン９と溶融ゾーン
１０とで融液７中の不純物ｌ震度が異なるものとなると
いった問題の発生する虞れが低下するものである。

なお、第１図において符号２２は断熱材を、符号２３は
引上げチャンバーを、また符号１２はワイヤ捲取り装置
をそれぞれ示すものである。

この第１図に示す実施態様においては、溶融チャンバー
１５内に固定された坩堝２の溶融ゾーン１０の上部を黒
鉛蓋体１８で覆い、また坩堝２内へ原料を補給する原料
供給用管１１の下端開口部と坩堝２内に配された環状隔
壁４の貫通孔３を上記したような特定の位置関係とした
ものであるが、本発明は、これら２つの要件のいずれか
の要件を具備し、かつ融液７に回転磁界を印加する手段
を有する単結晶引上げ装置も包含するものであり、これ
らの単結晶引上げ装置においても、上記第１図に示す実
施態様の単結晶引上げ装置１と同様に安定した単結晶成
長が期待できるものである。

第１図に示す実施態様の単結晶引上げ装置１を用いてド
ーパントの添加されたシリコン単結晶を育成するには、
例えば以下のようにして行なわれる。

すなわち、まず単結晶引上げ装置１の石英製坩堝２内に
多結晶シリコン原料および例えばリン、硼素、またはア
ンチモンなどの所定のドーパントを装填し、石英製坩堝
２の溶融ゾーン１０の上端部には、環状蓋体１８を被せ
る。そして、発熱体１９に三相交流を印加することによ
り、石英製坩堝２内の多結晶シリコン原料およびドーパ
ントを加熱溶解し、シリコン融液７とする。なお、この
ようにして形成される引上げ当初におけるシリコン融液
７中のドーパント濃度Ｃ０，１−ｏは、得ようとする単
結晶体８の目的の抵抗率ρ。に相当する理論ドーパント
濃度Ｃ１，１の１／に倍とされる（但しｋはドーパント
の偏析係数である。）。

ここで、三相交流で印加された発熱体１９のψ６部には
誘導回転磁界が発生するので、坩堝中に形成されたシリ
コン融成７は電磁誘導され回転することとなる。実際に
例えば、発熱体１９に１０００Ａ、５０Ｈｚの電流を流
した場合、１７ｒｐｍにて融液７が回転した。

このように坩堝２内にシリコン＃＋ｉ！Ｉ！ｌ夜７か形
成された後、引上げワイヤ５を下降させ、引上げワイヤ
５先端に固定された種結晶６を、凝固ゾーン９において
融液７に浸け、種結晶６を引上げて種結晶６先端に結晶
を成長させる。先端に成長していく結晶の径を絞る操作
により無転位化させた後、漸次成長速度を減少させであ
るいは融液温度を低くして成長結晶を所望する直径、例
えば５インチまで拡径して行き、所望の直径となったら
引上げ速度あるいは融液温度を適宜制御しながら、この
直径を保ちつつ所定の長さだけ単結晶体８を成長させる
。秤結晶６より成長したシリコン単結晶体８の引上げと
共に、坩堝２内の融液７が引上げられたｆｆｌｆｆｌ分
だけ減少するので、引上げられた単結晶体８の重量を引
上げワイヤ捲取機１２の取付けられた重量分析器（図示
せず）により検知し、その情報に基づき粒状の多結晶シ
リコン原料およびドーパントを原料供給用管１１を通じ
て坩堝２の溶融ゾーン１０に補充し、坩堝２内の融液７
量を一定に保つ。このように単結晶引上げ操作時におい
ては、多結晶シリコン原料およびドーパントが連続的な
いしは断続的に坩堝２の溶融ゾーン１０に補充されるが
、前記したように溶融ゾーン１０の上端部は黒鉛蓋体１
８で覆われているために、原料添加の際に発生した飛沫
が溶融ゾーン１０の上部から凝固ゾーン９に飛んだりす
ることはなく、また前記したように環状隔壁４の貫通孔
３は、多結晶原料およびドーパントを補給する原料供給
用管１１の下端開口部から融液７の回転方向に十分下流
側に位置しているために、添加された拉状多結晶シリコ
ン原料およびドーパントが未溶融のまま貫通孔３を通過
して凝固ゾーン９へと至ることもないので、凝固ゾーン
９からは安定して単結晶体８が引上げられることとなる
。なお、このように単結晶引上げ操作時に補充される原
料におけるドーパント濃度ＣＡは、得ようとする単結晶
体８の目的の抵抗率ρ。に相当する理論ドーパント濃度
ＣＳ、に等しいものとされる。従って、単結晶引上げ量
に応じて多結晶シリコン原料およびドーパントを補充す
れば、融液７中から単結晶体８として析出減少するドー
パント量と補充されるドーパント量が等しくなるために
、融液７中のドーパント濃度は単結晶引上げ操作を通じ
てほぼ一定のものとなり、引上げられた単結晶体８は長
さ方向においてほぼ一定の抵抗率を有するものとなる。

このようにして単結晶引上げ操作を続けて行き、引上げ
られた単結晶体８が所望の長さとなったら、従来の単結
晶引上げ方法におけるのと同様に、漸次成長速度を増加
させるあるいは融液温度を高くして成長結晶を縮径させ
、最終的に融液７の液面から成長した単結晶体８を離す
ことにより結品成艮を終了させ、引上げチャンバー２３
を開いて、得られた単結晶体８を系外に取り出すもので
ある。

なお、以上は本発明の単結晶引上げ方法および装置を、
シリコンにドーパントを添加して単結晶体を引上げる場
合を例にとり説明したが、本発明は、同様の引上げ方法
により製造されるドーノくントを添加しないシリコン、
さらにその他の半導体材料、例えばゲルマニウム、ガリ
ウム砒素などの場合においても同様に適用できるもので
ある。

［発明の効果］ 以上述べたように本発明によれは、単粘昂引にげ操作時
における融液の回転を、謹厳ｉ＆に回転磁界をかけるこ
とによって行なうことにより、該融液を収納してなる坩
堝を回転させることなく固定し、これによって坩堝内に
配された環状隔壁の貫通孔の位置と原料を供給する位置
を前記融液の回転方向において十分離れたものに設定し
、かつこれらが供給される坩堝の溶融ゾーン上部に覆い
を設けたことにより、単結晶引上げ操作時において坩堝
内に原料を補充することに起因して、引上げられる単結
晶体が有転位化、多結晶化する虞れがなくなり、長さ方
向参参歩半蒔与餌において均一な抵抗率を有する単結晶
体を安定して連続的に得ることのできることとなる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の単結晶引上げ装置の一実施態様の使用
状態における構成を模式的に示す断面図、第２図は本発
明の単結晶引上げ装置の一実施例における原料供給位置
と貫通孔の位置との関係を示す模式図、第３図は本発明
の単結晶引上げ装置の一実施態様において用いられる発
熱体の構造を示す斜視図であり、また第４図は従来の単
結晶引上げ装置の一例の使用状態における構成を模式的
に示す断面図である。 １．５１・・・単結晶引上げ装置、 ２．５２・・・石英製坩堝、　３．５３・・・貫通孔、
４．５４・・・石英製環状隔壁、 ５．５５・・・引４二げワイヤ、　６，６６・・・挿結
昂、７．５７・・・縁戚、　８．５８・・・単結晶体、
９．５９・・・凝固ゾーン、１０．６０・・・凝固ゾー
ン、１１．６１・・・１皇料供給用管、 １２．６２・・・ワイヤ！会取り機、 １５・・・溶−チャンバー　　１６・・・載置台、１７
・・・黒鉛製坩堝、　１８・・・黒鉛製環状蓋体、１９
・・・発熱体、 ２０ａ、２０ｂ、２０ｃ・＝電極、 ２１・・・三相交流電源、　２２・・・断熱、材、２３
・・引上げチャンバー、６３・・・回転モーター６４・
・・回転軸。 １面の浄１１（内容に贅更なし） 第 図 第３ｖＡ 手続を市正書（方式） 平成２年４月 ｎ つ 発（７）の名称 単結晶引上げ古注および装惟 ３゜ 補正をする者 事件との関係　　　特許出頼人 住　所　　東京都千代田区人手町２丁口６番Ｂ　；ｊ−
名　称　　（６６５）新日本製鐵株式會社代表名　山水
　全作 ４、代理人 住所 東京都千代田区二番町１１＠地９ダイアパレス番町 ５゜ 補正命令の日付 平成２年３月１２日（発送日二平成２年３月２７ｎ）補
正の対象 図面

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）一部に貫通孔を有する環状隔壁を内部に配して２
   重構造とした坩堝において、原料を溶融してなる融液を
   形成し、前記環状隔壁より内方において融液に種結晶を
   接触させ引上げて単結晶体を成長させつつ、前記環状隔
   壁よりも外方において原料を補充し連続的に単結晶体を
   引上げる方法において、坩堝を固定する一方で、坩堝内
   の融液に回転磁界を与えて該融液を回転させ、さらに原
   料の補充を、環状隔壁の貫通孔の位置に対して前記融液
   の回転方向に十分上流側となる位置で行なうことを特徴
   とする単結晶引上げ方法。
2. （２）一部に貫通孔を有する環状隔壁を内部に配して２
   重構造とした坩堝において、原料を溶融してなる融液を
   形成し、前記環状隔壁より内方において融液に種結晶を
   接触させ引上げて単結晶体を成長させつつ、前記環状隔
   壁よりも外方において原料を補充し連続的に単結晶体を
   引上げる方法において、坩堝を固定して、坩堝における
   前記環状隔壁よりも外方でかつ原料供給位置以外の部位
   の上端部を蓋体で覆う一方、坩堝内の融液に回転磁界を
   与えて該融液を回転させながら単結晶成長を行なうこと
   を特徴とする単結晶引上げ方法。
3. （３）一部に貫通孔を有する環状隔壁を内部に配して２
   重構造とした坩堝において、原料を溶融してなる融液を
   形成し、前記環状隔壁より内方において融液に種結晶を
   接触させ引上げて単結晶体を成長させつつ、前記環状隔
   壁よりも外方において原料を補充し連続的に単結晶体を
   引上げる方法において、坩堝を固定して、坩堝における
   前記環状隔壁よりも外方でかつ原料供給位置以外の部位
   の上端部を蓋体で覆う一方で、坩堝内の融液に回転磁界
   を与えて該融液を回転させ、さらに、原料の補充を、環
   状隔壁の貫通孔の位置に対して前記融液の回転方向に十
   分上流側となる位置で行なうことを特徴とする単結晶引
   上げ方法。
4. （４）原料を溶融してなる融液を収容する坩堝として、
   一部に貫通孔を有する環状隔壁を内部に配して２重構造
   としたものを用い、前記環状隔壁より内方において前記
   融液に上方から種結晶を接触させ引上げる手段と、前記
   環状隔壁よりも外方において原料を補充する原料供給手
   段とを配した単結晶引上げ装置において、坩堝内に形成
   される融液に回転磁界を印加する手段を設け、上記坩堝
   を固定して、上記原料供給手段の供給口を、この融液の
   回転方向において、前記環状隔壁の貫通孔の位置に対し
   て十分上流側となる位置に配したことを特徴とする単結
   晶引上げ装置。
5. （５）原料を溶融してなる融液を収容する坩堝として、
   一部に貫通孔を有する環状隔壁を内部に配して２重構造
   としたものを用い、前記環状隔壁より内方において前記
   融液に上方から種結晶を接触させ引上げる手段と、前記
   環状隔壁よりも外方において原料を補充する原料供給手
   段とを配した単結晶引上げ装置において、坩堝内に形成
   される融液に回転磁界を印加する手段を設け、上記坩堝
   を固定して、坩堝における前記環状隔壁よりも外方でか
   つ前記原料供給手段挿通部以外の部位の上端部を覆う蓋
   体を設けたことを特徴とする単結晶引上げ装置。
6. （６）原料を溶融してなる融液を収容する坩堝として、
   一部に貫通孔を有する環状隔壁を内部に配して２重構造
   としたものを用い、前記環状隔壁より内方において前記
   融液に上方から種結晶を接触させ引上げる手段と、前記
   環状隔壁よりも外方において原料を補充する原料供給手
   段とを配した単結晶引上げ装置において、坩堝内に形成
   される融液に回転磁界を印加する手段を設け、上記坩堝
   を固定して、坩堝における前記環状隔壁よりも外方でか
   つ前記原料供給手段挿通部以外の部位の上端部を覆う蓋
   体を設け、さらに上記原料供給手段の供給口を、この融
   液の回転方向において、前記環状隔壁の貫通孔の位置に
   対して十分上流側となる位置に配したことを特徴とする
   単結晶引上げ装置。