JPH03177392A - 単結晶引上げ方法および装置 - Google Patents
単結晶引上げ方法および装置Info
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- JPH03177392A JPH03177392A JP31671689A JP31671689A JPH03177392A JP H03177392 A JPH03177392 A JP H03177392A JP 31671689 A JP31671689 A JP 31671689A JP 31671689 A JP31671689 A JP 31671689A JP H03177392 A JPH03177392 A JP H03177392A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、単結晶引上げ方法および装置に関し、引上げ
操作時における原料補充に起因する単結晶体の有転位化
を有効に防止し、単結晶体の抵抗率の均一性の向上を図
り、製品歩留を良好なものとする技術に関するものであ
る。
操作時における原料補充に起因する単結晶体の有転位化
を有効に防止し、単結晶体の抵抗率の均一性の向上を図
り、製品歩留を良好なものとする技術に関するものであ
る。
[従来の技術]
シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素などのの単結晶
体の製造方法として、坩堝内の融液から結晶を成長させ
つつ引上げるチョクラルスキー法(CZ法)が広く行な
われている。
体の製造方法として、坩堝内の融液から結晶を成長させ
つつ引上げるチョクラルスキー法(CZ法)が広く行な
われている。
ところで近年、C2法により得られた単結晶体を使って
、デバイスを作製する場合デバイスの高度化に従って単
結晶の使用可能な抵抗値範囲は限定され、かつ狭くなっ
てくる傾向にある。特に、LSIの微細化により、例え
ばCMOSデバイスにおいてはしきい値電圧の厳しい制
御が必要となり、単結晶の許容抵抗値は非常に狭い範囲
に限定されてきている。このためC2法において、得ら
れる単結晶体の抵抗分布をいかに制御できるかが極めて
重要な問題となっている。
、デバイスを作製する場合デバイスの高度化に従って単
結晶の使用可能な抵抗値範囲は限定され、かつ狭くなっ
てくる傾向にある。特に、LSIの微細化により、例え
ばCMOSデバイスにおいてはしきい値電圧の厳しい制
御が必要となり、単結晶の許容抵抗値は非常に狭い範囲
に限定されてきている。このためC2法において、得ら
れる単結晶体の抵抗分布をいかに制御できるかが極めて
重要な問題となっている。
従来、C2法によりシリコン単結晶体を製造する場合、
通常、目的とする導電型と抵抗値に応じてドーパントの
必要量を秤量し、原料シリコンと混合し同時溶融する方
法がとられている。これよりシリコン単結晶体を引上げ
ると、添加したリン、硼素、アンチモン、砒素などドー
パントの偏析係数が1よりも小さいため、引上げが進む
につれて融液中のドーパント濃度が大きくなる。このた
めシリコン単結晶体中に含まれるドーパント濃度は単結
晶体の頂部側で小さく、末端部側で大きくなり、抵抗値
は頂部から末端部へ向って漸次減少するものとなり、所
望の抵抗値を有するシリコンウェハはシリコン単結晶体
のごく一部からしか得られず、歩留りが悪いものであっ
た。
通常、目的とする導電型と抵抗値に応じてドーパントの
必要量を秤量し、原料シリコンと混合し同時溶融する方
法がとられている。これよりシリコン単結晶体を引上げ
ると、添加したリン、硼素、アンチモン、砒素などドー
パントの偏析係数が1よりも小さいため、引上げが進む
につれて融液中のドーパント濃度が大きくなる。このた
めシリコン単結晶体中に含まれるドーパント濃度は単結
晶体の頂部側で小さく、末端部側で大きくなり、抵抗値
は頂部から末端部へ向って漸次減少するものとなり、所
望の抵抗値を有するシリコンウェハはシリコン単結晶体
のごく一部からしか得られず、歩留りが悪いものであっ
た。
このような観点から、単結晶引上げ操作時に、坩堝に多
結晶シリコン原料およびドーパントを弓上げ量に応じて
補給しながら、単結晶体を連続的に引上げる方法が提唱
されている。このような方法によれば、理論的には、単
結晶引上げ操作時の融液中のドーパント濃度を一定に保
つことができ、得られるシリコン単結晶体の抵抗値分布
が小さくなり、目的とするデバイスに適したウェハの歩
留りが良好になることが考えられる。また、ドーパント
を添加しない場合においても、多結晶シリコン原料を供
給しつつ連続的に引上げを行うと、引上げ条件を一定に
保つことが出来るので、長さ方向の抵抗率以外の特性、
例えば酸素濃度が−様な長尺単結晶が得られる。しかし
ながら実際には、従来の単結晶引上げ装置において単結
晶引上げ操作時に坩堝内に原料を供給すると、融液の対
流が乱される、未溶融の原料が凝固ゾーンに到達するな
どによって、引上げ単結晶の有転位化、多結晶化を招く
結果となってしまう。
結晶シリコン原料およびドーパントを弓上げ量に応じて
補給しながら、単結晶体を連続的に引上げる方法が提唱
されている。このような方法によれば、理論的には、単
結晶引上げ操作時の融液中のドーパント濃度を一定に保
つことができ、得られるシリコン単結晶体の抵抗値分布
が小さくなり、目的とするデバイスに適したウェハの歩
留りが良好になることが考えられる。また、ドーパント
を添加しない場合においても、多結晶シリコン原料を供
給しつつ連続的に引上げを行うと、引上げ条件を一定に
保つことが出来るので、長さ方向の抵抗率以外の特性、
例えば酸素濃度が−様な長尺単結晶が得られる。しかし
ながら実際には、従来の単結晶引上げ装置において単結
晶引上げ操作時に坩堝内に原料を供給すると、融液の対
流が乱される、未溶融の原料が凝固ゾーンに到達するな
どによって、引上げ単結晶の有転位化、多結晶化を招く
結果となってしまう。
さらに最近では、このような単結晶体の連続引上げ方法
において、上記のごとき原料の補給に起因する引上げ単
結晶の有転位化、多結晶化を防止するために、一部に貫
通孔を有する隔壁を坩堝内に配するなどして、坩堝を2
重構造とすることも提唱されている(例えば、特開昭5
6−88896号、特開昭58−130195号、特表
昭62−502793号、特開昭58−36997号な
ど)。
において、上記のごとき原料の補給に起因する引上げ単
結晶の有転位化、多結晶化を防止するために、一部に貫
通孔を有する隔壁を坩堝内に配するなどして、坩堝を2
重構造とすることも提唱されている(例えば、特開昭5
6−88896号、特開昭58−130195号、特表
昭62−502793号、特開昭58−36997号な
ど)。
第4図は、このような2重構造の坩堝を有する単結晶引
上げ装置の従来例を示すものである。すなわち、第4図
に示したシリコン単結晶引上げ装置51においては、石
英製坩堝52の内部に、部に貫通孔53を有する環状隔
壁54が配されて2重構造となされており、前記環状隔
壁54より内方が、引上げワイヤ55の先端に固定され
た秤結晶56を融液57に接触させ、引上げてシリコン
単結晶体58を成長させる凝固ゾーン5つとされ、一方
、前記環状隔壁54より外方が、原料供給用管61より
補充される原料を溶融する溶融ゾーン60とされている
。なお、この単結晶引上げ装置51において、引上げワ
イヤ55の捲取り装置62は、引上げワイヤ55を捲き
取ると同時に回転させる機構を有しており、また融液5
7を収容する坩堝52は回転モータ63により駆動され
る回転軸64上に配されており、これにより単結晶引上
げ操作時に、引上げられる単結晶体58を回転させると
ともに融液57も緩やかに回転させ、単結晶体58の成
長面内の均一性の向上を図っている。
上げ装置の従来例を示すものである。すなわち、第4図
に示したシリコン単結晶引上げ装置51においては、石
英製坩堝52の内部に、部に貫通孔53を有する環状隔
壁54が配されて2重構造となされており、前記環状隔
壁54より内方が、引上げワイヤ55の先端に固定され
た秤結晶56を融液57に接触させ、引上げてシリコン
単結晶体58を成長させる凝固ゾーン5つとされ、一方
、前記環状隔壁54より外方が、原料供給用管61より
補充される原料を溶融する溶融ゾーン60とされている
。なお、この単結晶引上げ装置51において、引上げワ
イヤ55の捲取り装置62は、引上げワイヤ55を捲き
取ると同時に回転させる機構を有しており、また融液5
7を収容する坩堝52は回転モータ63により駆動され
る回転軸64上に配されており、これにより単結晶引上
げ操作時に、引上げられる単結晶体58を回転させると
ともに融液57も緩やかに回転させ、単結晶体58の成
長面内の均一性の向上を図っている。
確かに、このように坩堝52内を隔壁54により凝固ゾ
ーン5つと溶融ゾーン60とに区画すれは、溶融ゾーン
60に補充された原料の落下により凝固ゾーン5つ中の
融液57の液面が波立つこと、未溶融の原料が凝固ゾー
ン59に到達することなど、原料供給に伴う外乱が小さ
くなり、単結晶の有転位化、多結晶化を招く虞れはある
程度低くなるものと考えられるが、その効果は今だ十分
なものとはいえないものであった。
ーン5つと溶融ゾーン60とに区画すれは、溶融ゾーン
60に補充された原料の落下により凝固ゾーン5つ中の
融液57の液面が波立つこと、未溶融の原料が凝固ゾー
ン59に到達することなど、原料供給に伴う外乱が小さ
くなり、単結晶の有転位化、多結晶化を招く虞れはある
程度低くなるものと考えられるが、その効果は今だ十分
なものとはいえないものであった。
すなわち、第4図に示すような構成の単結晶引上げ装置
51においては、前記したように引上げ操作時に坩堝5
2が回転するために、例えば貫通孔53を環状隔壁54
に1箇所のみ設けたとしても、原料供給用管61の供給
■から貫通孔53までの距離が、坩堝52の回転位置に
よっては十分なものとはならず、溶融ゾーン60に供給
された原料が未溶融のまま貫通孔3を抜けて凝固ゾーン
5つに到達してしまう場合があり、さらに原料供給用管
61から融液57中へ原料を供給した際に発生した飛沫
が環状隔壁54の上端を飛越えて溶融ゾーン60より凝
固ゾーン5つに達してしまう場合がありいずれも単結晶
の有転位化、多結晶化をもたらすものであった。
51においては、前記したように引上げ操作時に坩堝5
2が回転するために、例えば貫通孔53を環状隔壁54
に1箇所のみ設けたとしても、原料供給用管61の供給
■から貫通孔53までの距離が、坩堝52の回転位置に
よっては十分なものとはならず、溶融ゾーン60に供給
された原料が未溶融のまま貫通孔3を抜けて凝固ゾーン
5つに到達してしまう場合があり、さらに原料供給用管
61から融液57中へ原料を供給した際に発生した飛沫
が環状隔壁54の上端を飛越えて溶融ゾーン60より凝
固ゾーン5つに達してしまう場合がありいずれも単結晶
の有転位化、多結晶化をもたらすものであった。
[発明が解決しようとする課題]
従って本発明は、製品歩留を良好なものとする長さ方向
において均一な抵抗率等の特性を有する単結晶体を安定
して連続的に得ることのできる新規な単結晶引上げ方法
および装置を提供することを目的とするものである。
において均一な抵抗率等の特性を有する単結晶体を安定
して連続的に得ることのできる新規な単結晶引上げ方法
および装置を提供することを目的とするものである。
[課題を解決するための手段]
上記諸目的は、一部に貫通孔を有する環状隔壁を内部に
配して2重構造とした坩堝において、原料を溶融してな
る融液を形成し、前記環状隔壁より内方において融液に
種結晶を接触させ引上げて単結晶体を成長させつつ、前
記環状隔壁よりも外方において原料を補充し連続的に単
結晶体を引上げる方法において、坩堝を固定する一方で
、坩堝内の融液に回転磁界を与えて該融液を回転させ、
さらに原料の補充を、環状隔壁の貫通孔の位置に対して
前記融l夜の回転方向に十分上流側となる位置で行なう
ことを特徴とする単結晶引上げ方法によって達成される
。
配して2重構造とした坩堝において、原料を溶融してな
る融液を形成し、前記環状隔壁より内方において融液に
種結晶を接触させ引上げて単結晶体を成長させつつ、前
記環状隔壁よりも外方において原料を補充し連続的に単
結晶体を引上げる方法において、坩堝を固定する一方で
、坩堝内の融液に回転磁界を与えて該融液を回転させ、
さらに原料の補充を、環状隔壁の貫通孔の位置に対して
前記融l夜の回転方向に十分上流側となる位置で行なう
ことを特徴とする単結晶引上げ方法によって達成される
。
上記諸目的はまた、一部に貫通孔を有する環状隔壁を内
部に配して2重構造とした坩堝において、原料を溶融し
てなる融液を形成し、前記環状隔壁より内方において融
l&に種結晶を接触させ引上げて単結晶体を成長させつ
つ、前記環状隔壁よりも外方において原料を補充し連続
的に単結晶体を引上げる方法において、坩堝を固定して
、坩堝における前記環状隔壁よりも外方でかつ原料供給
位置以外の部位の上端部を蓋体で覆う一方、坩堝内の融
液に回転磁界を与えて該融液を回転させながら単結晶成
長を行なうことを特徴とする単結晶引上げ方法によって
も達成される。
部に配して2重構造とした坩堝において、原料を溶融し
てなる融液を形成し、前記環状隔壁より内方において融
l&に種結晶を接触させ引上げて単結晶体を成長させつ
つ、前記環状隔壁よりも外方において原料を補充し連続
的に単結晶体を引上げる方法において、坩堝を固定して
、坩堝における前記環状隔壁よりも外方でかつ原料供給
位置以外の部位の上端部を蓋体で覆う一方、坩堝内の融
液に回転磁界を与えて該融液を回転させながら単結晶成
長を行なうことを特徴とする単結晶引上げ方法によって
も達成される。
上記諸目的はさらに、一部に貫通孔を有する環状隔壁を
内部に配して2重構造とした坩堝において、原料を溶融
してなる融液を形成し、前記環状隔壁より内方において
融液に種結晶を接触させ引上げて単結晶体を成長させつ
つ、前記環状隔壁よりも外方において原料を補充し連続
的に単結晶体を引上げる方法において、坩堝を固定して
、坩堝における前記環状隔壁よりも外方でかつ原料供給
位置以外の部位の上端部を蓋体て覆う一方で、坩堝内の
融i&に回転磁界を与えて謹厳l&を回転させ、さらに
、原料の補充を、環状隔壁の貫通孔の位置に対して前記
融ン夜の回転方向に十分上流側となる位置で行なうこと
を特徴とする単結晶引上げ方法によっても達成される。
内部に配して2重構造とした坩堝において、原料を溶融
してなる融液を形成し、前記環状隔壁より内方において
融液に種結晶を接触させ引上げて単結晶体を成長させつ
つ、前記環状隔壁よりも外方において原料を補充し連続
的に単結晶体を引上げる方法において、坩堝を固定して
、坩堝における前記環状隔壁よりも外方でかつ原料供給
位置以外の部位の上端部を蓋体て覆う一方で、坩堝内の
融i&に回転磁界を与えて謹厳l&を回転させ、さらに
、原料の補充を、環状隔壁の貫通孔の位置に対して前記
融ン夜の回転方向に十分上流側となる位置で行なうこと
を特徴とする単結晶引上げ方法によっても達成される。
また上記諸目的は、原料を熔融してなる融液を収容する
坩堝として、一部に貫通孔を有する環状隔壁を内部に配
して2重構造としたものを用い、前記環状隔壁より内方
において前記融液に上方から種結晶を接触させ引上げる
手段と、前記環状隔壁よりも外方において原料を補充す
る原料供給手段とを配した単結晶引上げ装置において、
坩堝内に形成される融液に回転磁界を印加する手段を設
け、上記坩堝を固定して、上記原料供給手段の供給口を
、この融液の回転方向において、前記環状隔壁の貫通孔
の位置に対して十分上流側となる位置に配したことを特
徴とする単結晶引上げ装置によっても達成される。
坩堝として、一部に貫通孔を有する環状隔壁を内部に配
して2重構造としたものを用い、前記環状隔壁より内方
において前記融液に上方から種結晶を接触させ引上げる
手段と、前記環状隔壁よりも外方において原料を補充す
る原料供給手段とを配した単結晶引上げ装置において、
坩堝内に形成される融液に回転磁界を印加する手段を設
け、上記坩堝を固定して、上記原料供給手段の供給口を
、この融液の回転方向において、前記環状隔壁の貫通孔
の位置に対して十分上流側となる位置に配したことを特
徴とする単結晶引上げ装置によっても達成される。
上記諸目的はさらにまた、原料を溶融してなる融液を収
容する坩堝として、一部に貫通孔を有する環状隔壁を内
部に配して2重構造としたものを用い、前記環状隔壁よ
り内方において前記融液に上方から種結晶を接触させ引
上げる手段と、前記環状隔壁よりも外方において原料を
補充する原料供給手段とを配した単結晶引上げ装置にお
いて、坩堝内に形成される融液に回転磁界を印加する手
段を設け、上記坩堝を固定して、坩堝における前記環状
隔壁よりも外方でかつ前記原料供給手段挿通部以外の部
位の上端部を覆う蓋体を設けたことを特徴とする単結晶
引上げ装置によっても達成される。
容する坩堝として、一部に貫通孔を有する環状隔壁を内
部に配して2重構造としたものを用い、前記環状隔壁よ
り内方において前記融液に上方から種結晶を接触させ引
上げる手段と、前記環状隔壁よりも外方において原料を
補充する原料供給手段とを配した単結晶引上げ装置にお
いて、坩堝内に形成される融液に回転磁界を印加する手
段を設け、上記坩堝を固定して、坩堝における前記環状
隔壁よりも外方でかつ前記原料供給手段挿通部以外の部
位の上端部を覆う蓋体を設けたことを特徴とする単結晶
引上げ装置によっても達成される。
さらに上記諸目的は、原料を溶融してなる融液を収容す
る坩堝として、一部に貫通孔を有する環状隔壁を内部に
配して2重構造としたものを用い、前記環状隔壁より内
方において前記融液に上方から種結晶を接触させ引上げ
る手段と、前記環状隔壁よりも外方において原料を補充
する原料供給手段とを配した単結晶引上げ装置において
、坩堝内に形成される融液に回転磁界を印加する手段を
設け、上記坩堝を固定して、坩堝における前記環状隔壁
よりも外方でかつ前記原料供給手段挿通部以外の部位の
上端部を覆う蓋体を設け、さらに上記原料供給手段の供
給口を、この融液の回転方向において、前記環状隔壁の
貫通孔の位置に対して十分上流側となる位置に配したこ
とを特徴とする単結晶引上げ装置によっても達成される
。
る坩堝として、一部に貫通孔を有する環状隔壁を内部に
配して2重構造としたものを用い、前記環状隔壁より内
方において前記融液に上方から種結晶を接触させ引上げ
る手段と、前記環状隔壁よりも外方において原料を補充
する原料供給手段とを配した単結晶引上げ装置において
、坩堝内に形成される融液に回転磁界を印加する手段を
設け、上記坩堝を固定して、坩堝における前記環状隔壁
よりも外方でかつ前記原料供給手段挿通部以外の部位の
上端部を覆う蓋体を設け、さらに上記原料供給手段の供
給口を、この融液の回転方向において、前記環状隔壁の
貫通孔の位置に対して十分上流側となる位置に配したこ
とを特徴とする単結晶引上げ装置によっても達成される
。
[作用]
前記したように、単結晶引上げ操作時において、融液を
回転させるために坩堝を回転させる構成においては、坩
堝に対する原料を供給する機構の位置が、回転方向に常
に変動することとなるが、本発明においては、単結晶引
上げ操作時における融液の回転を、該融液に回転磁界を
かけることによって行なうことにより、謹厳l&を収納
してなる坩堝を回転させることなく固定し、原料を供給
する機構の坩堝に対する位置を限定したものである。
回転させるために坩堝を回転させる構成においては、坩
堝に対する原料を供給する機構の位置が、回転方向に常
に変動することとなるが、本発明においては、単結晶引
上げ操作時における融液の回転を、該融液に回転磁界を
かけることによって行なうことにより、謹厳l&を収納
してなる坩堝を回転させることなく固定し、原料を供給
する機構の坩堝に対する位置を限定したものである。
従って、坩堝内に配された環状隔壁の貫通孔の位置と原
料を供給する位置を前記融液の回転方向において十分能
れたものに設定し、かつこれらを供給する坩堝の環状隔
壁よりも外方の部位(溶融ゾーン)上部に覆いを設ける
ことが容易になされたものである。
料を供給する位置を前記融液の回転方向において十分能
れたものに設定し、かつこれらを供給する坩堝の環状隔
壁よりも外方の部位(溶融ゾーン)上部に覆いを設ける
ことが容易になされたものである。
このように本発明においては、原料を供給する位置か融
液の回転方向において貫通孔と常時1−分離れたものと
なされるために、溶融ゾーンに供給された原料は、貫通
孔に至るまでに十分な時間、溶融ゾーンを浮遊すること
となるため未溶融状態で貫通孔を通過し坩堝の環状隔壁
よりも内方の部位(凝固ゾーン)に達してしまうことは
なくなり、また前記のように溶融ゾーン上部に覆いが設
けられているために、溶融ゾーンに原料を供給した際に
発生した飛沫が坩堝の上方より環状隔壁を飛び越えて凝
固ゾーンに達することもなくなるものである。なお、本
発明において原料は必要に応じてドーパントを含む。
液の回転方向において貫通孔と常時1−分離れたものと
なされるために、溶融ゾーンに供給された原料は、貫通
孔に至るまでに十分な時間、溶融ゾーンを浮遊すること
となるため未溶融状態で貫通孔を通過し坩堝の環状隔壁
よりも内方の部位(凝固ゾーン)に達してしまうことは
なくなり、また前記のように溶融ゾーン上部に覆いが設
けられているために、溶融ゾーンに原料を供給した際に
発生した飛沫が坩堝の上方より環状隔壁を飛び越えて凝
固ゾーンに達することもなくなるものである。なお、本
発明において原料は必要に応じてドーパントを含む。
[実施例]
以下、本発明を実施態様に基づき詳細に説明する。
第1図は本発明の単結晶引上げ装置の一実施態様の使用
状態における構成を模式的に示すものである。
状態における構成を模式的に示すものである。
第1図に示す実施態様の単結晶引上げ装置1においては
、溶融チャンバ−15底部に固定された載置台16上に
黒鉛製坩堝17に保持された石英製坩堝2が載置してあ
り、この石英製坩堝2の内部には、石英製環状隔壁4が
配されて2重構造となされている。そして、前記環状隔
壁4よりも内方が、引上げワイヤ5の先端に固定された
種結晶6を融液7に接触させ、引上げてシリコン単結晶
体8を成長させる凝固ゾーンつとされ、一方、前記環状
隔壁4より外方が、原料供給用管11より補充される原
料を溶融する溶融ゾーン10とされている。
、溶融チャンバ−15底部に固定された載置台16上に
黒鉛製坩堝17に保持された石英製坩堝2が載置してあ
り、この石英製坩堝2の内部には、石英製環状隔壁4が
配されて2重構造となされている。そして、前記環状隔
壁4よりも内方が、引上げワイヤ5の先端に固定された
種結晶6を融液7に接触させ、引上げてシリコン単結晶
体8を成長させる凝固ゾーンつとされ、一方、前記環状
隔壁4より外方が、原料供給用管11より補充される原
料を溶融する溶融ゾーン10とされている。
しかしてこの石英製坩堝2の環状隔壁4より外方の部位
の上端部は、前記原料供給用管11を挿通ずる挿通孔か
わずかに開口された黒鉛製環状蓋体18により覆われて
おり、実質的に溶融ゾーン10の上部は閉鎖されている
。なお、この実施態様においては、環状蓋体18は溶融
ゾーン10上部のみを覆うものとされているが、凝固ゾ
ーン9の少なくとも種結晶6に続いて引上げられるシリ
コン単結晶体8が通過する部位よりもやや大きな直径の
部位が開口されていれば、環状蓋体18の内部開口をさ
らに縮径して凝固ゾーン9上部の一部をも覆うものとし
てもよい。
の上端部は、前記原料供給用管11を挿通ずる挿通孔か
わずかに開口された黒鉛製環状蓋体18により覆われて
おり、実質的に溶融ゾーン10の上部は閉鎖されている
。なお、この実施態様においては、環状蓋体18は溶融
ゾーン10上部のみを覆うものとされているが、凝固ゾ
ーン9の少なくとも種結晶6に続いて引上げられるシリ
コン単結晶体8が通過する部位よりもやや大きな直径の
部位が開口されていれば、環状蓋体18の内部開口をさ
らに縮径して凝固ゾーン9上部の一部をも覆うものとし
てもよい。
また、この単結晶引上げ装置1においては、石英製坩堝
2内に装填される原料を加熱溶解するための円筒状の発
熱体1つが、石英製坩堝2ないし黒鉛製坩堝17を一定
間隔を離間して側面から囲繞するよう配置しであるが、
この円筒状の発熱体1つは、第3図に示すように下部の
3カ所を電極20a、20b、20Cとする三相三角形
結線の抵抗負荷を形成しており、第2図に示すようにこ
れらの電極20a、20b、20cは三相交流電源21
に接続されている。従って、この発熱体19に三相交流
を印加すると、ジュール熱の発生により発熱するととも
に、発熱体1つ中心部(石英製坩堝2の中心部でもある
)には誘導回転磁界が発生し、これによって石英製坩堝
2内に形成された融液を回転させることができるもので
ある。なお、この実施態様においては、上記のように石
英製坩堝2を加熱する発熱体19に3相交流を流して坩
堝2内の融液7に回転磁界を与えるものとしているが、
本発明において融液7に回転磁界を印加する手段として
は、このような多相交流電源を使用する発熱体に限定さ
れるものではなく、例えば、該石英製坩堝2のまわりに
三相固定子巻線を互いに2/3πの位相差をもって配し
これに三相交流を流すというようにして、多相交流誘導
を行なう構成としてもよい。もちろん、この場合には、
坩堝2内の融液を加熱する一般的なヒータを別途必要と
する。
2内に装填される原料を加熱溶解するための円筒状の発
熱体1つが、石英製坩堝2ないし黒鉛製坩堝17を一定
間隔を離間して側面から囲繞するよう配置しであるが、
この円筒状の発熱体1つは、第3図に示すように下部の
3カ所を電極20a、20b、20Cとする三相三角形
結線の抵抗負荷を形成しており、第2図に示すようにこ
れらの電極20a、20b、20cは三相交流電源21
に接続されている。従って、この発熱体19に三相交流
を印加すると、ジュール熱の発生により発熱するととも
に、発熱体1つ中心部(石英製坩堝2の中心部でもある
)には誘導回転磁界が発生し、これによって石英製坩堝
2内に形成された融液を回転させることができるもので
ある。なお、この実施態様においては、上記のように石
英製坩堝2を加熱する発熱体19に3相交流を流して坩
堝2内の融液7に回転磁界を与えるものとしているが、
本発明において融液7に回転磁界を印加する手段として
は、このような多相交流電源を使用する発熱体に限定さ
れるものではなく、例えば、該石英製坩堝2のまわりに
三相固定子巻線を互いに2/3πの位相差をもって配し
これに三相交流を流すというようにして、多相交流誘導
を行なう構成としてもよい。もちろん、この場合には、
坩堝2内の融液を加熱する一般的なヒータを別途必要と
する。
さらに第1図に示す単結晶引上げ装置1においては、坩
堝2内に前記したような管状隔壁4が配されており坩堝
2内を凝固ゾーンつと溶融ゾーン10に区画しているが
、この両者の間の融液7の流通を可能とするために、隔
壁4の下端近傍において貫通孔3が1箇所設けられてい
る。前記したように本発明の単結晶引上げ装置1におい
ては、第2図に模式するように坩堝2内の融液7に回転
磁界を与え融液7を回転させるものであるが、この回転
方向Rにおいて、上記貫通孔3は、前記原料供給用管1
1の下端開口部から十分下流側に位置するものとされ、
この実施態様においては第1図および第2図に示すよう
に、約180°回転した位置Aに配せられている。なお
、原料供給用管11の下端開口部の配置位置から、約1
80’回転した位置Aに配していると、供給された原料
が融液7の流れに乗って貫通孔3の配置位置に至るまで
に十分な時間を費やさせることができるが、好ましくは
、例えば第2図に示す位置Bのごとく、より回転させた
位置に貫通孔3を配置することが望まれる。しかしなが
ら、一方、上記位置Aよりもある程度上流側に貫通孔3
を配しても十分な効果が期待され、少なくとも従来の単
結晶引上げ装置におけるように坩堝の回転に伴ない一定
周期毎に原料供給部と貫通孔とか位相差セロとなるよう
なものと比べると、未溶融の多結晶原料が貫通孔を通過
してしまう虞れは少なくなるものである。
堝2内に前記したような管状隔壁4が配されており坩堝
2内を凝固ゾーンつと溶融ゾーン10に区画しているが
、この両者の間の融液7の流通を可能とするために、隔
壁4の下端近傍において貫通孔3が1箇所設けられてい
る。前記したように本発明の単結晶引上げ装置1におい
ては、第2図に模式するように坩堝2内の融液7に回転
磁界を与え融液7を回転させるものであるが、この回転
方向Rにおいて、上記貫通孔3は、前記原料供給用管1
1の下端開口部から十分下流側に位置するものとされ、
この実施態様においては第1図および第2図に示すよう
に、約180°回転した位置Aに配せられている。なお
、原料供給用管11の下端開口部の配置位置から、約1
80’回転した位置Aに配していると、供給された原料
が融液7の流れに乗って貫通孔3の配置位置に至るまで
に十分な時間を費やさせることができるが、好ましくは
、例えば第2図に示す位置Bのごとく、より回転させた
位置に貫通孔3を配置することが望まれる。しかしなが
ら、一方、上記位置Aよりもある程度上流側に貫通孔3
を配しても十分な効果が期待され、少なくとも従来の単
結晶引上げ装置におけるように坩堝の回転に伴ない一定
周期毎に原料供給部と貫通孔とか位相差セロとなるよう
なものと比べると、未溶融の多結晶原料が貫通孔を通過
してしまう虞れは少なくなるものである。
なお、本発明の単結晶引上げ装置において、原料供給部
(原料供給用管11の下端開口部)と貫通孔3の配置位
置関係は、坩堝の大きさ、融成回転速度、融液温度およ
び供給される原料の大きさなどによって左右されるため
一概には規定てきないが、一般に融液の回転方向に12
0°〜340゜程度離間して配置される。またさらに、
原料供給部(原料供給用管11の下端開口部)に対し、
貫通孔3の配置位置が例えば、位置Bのごとく極めて十
分に離れていれば、貫通孔3の口径をかなり大きなもの
とすることが可能である。このように貫通孔3の口径を
大きなものにできれば、溶融ゾーン10と凝固ゾーン9
との間の融液7の流通がより十分なものとなり、単結晶
引上げ操作の進行に伴ない、凝固ゾーン9と溶融ゾーン
10とで融液7中の不純物l震度が異なるものとなると
いった問題の発生する虞れが低下するものである。
(原料供給用管11の下端開口部)と貫通孔3の配置位
置関係は、坩堝の大きさ、融成回転速度、融液温度およ
び供給される原料の大きさなどによって左右されるため
一概には規定てきないが、一般に融液の回転方向に12
0°〜340゜程度離間して配置される。またさらに、
原料供給部(原料供給用管11の下端開口部)に対し、
貫通孔3の配置位置が例えば、位置Bのごとく極めて十
分に離れていれば、貫通孔3の口径をかなり大きなもの
とすることが可能である。このように貫通孔3の口径を
大きなものにできれば、溶融ゾーン10と凝固ゾーン9
との間の融液7の流通がより十分なものとなり、単結晶
引上げ操作の進行に伴ない、凝固ゾーン9と溶融ゾーン
10とで融液7中の不純物l震度が異なるものとなると
いった問題の発生する虞れが低下するものである。
なお、第1図において符号22は断熱材を、符号23は
引上げチャンバーを、また符号12はワイヤ捲取り装置
をそれぞれ示すものである。
引上げチャンバーを、また符号12はワイヤ捲取り装置
をそれぞれ示すものである。
この第1図に示す実施態様においては、溶融チャンバー
15内に固定された坩堝2の溶融ゾーン10の上部を黒
鉛蓋体18で覆い、また坩堝2内へ原料を補給する原料
供給用管11の下端開口部と坩堝2内に配された環状隔
壁4の貫通孔3を上記したような特定の位置関係とした
ものであるが、本発明は、これら2つの要件のいずれか
の要件を具備し、かつ融液7に回転磁界を印加する手段
を有する単結晶引上げ装置も包含するものであり、これ
らの単結晶引上げ装置においても、上記第1図に示す実
施態様の単結晶引上げ装置1と同様に安定した単結晶成
長が期待できるものである。
15内に固定された坩堝2の溶融ゾーン10の上部を黒
鉛蓋体18で覆い、また坩堝2内へ原料を補給する原料
供給用管11の下端開口部と坩堝2内に配された環状隔
壁4の貫通孔3を上記したような特定の位置関係とした
ものであるが、本発明は、これら2つの要件のいずれか
の要件を具備し、かつ融液7に回転磁界を印加する手段
を有する単結晶引上げ装置も包含するものであり、これ
らの単結晶引上げ装置においても、上記第1図に示す実
施態様の単結晶引上げ装置1と同様に安定した単結晶成
長が期待できるものである。
第1図に示す実施態様の単結晶引上げ装置1を用いてド
ーパントの添加されたシリコン単結晶を育成するには、
例えば以下のようにして行なわれる。
ーパントの添加されたシリコン単結晶を育成するには、
例えば以下のようにして行なわれる。
すなわち、まず単結晶引上げ装置1の石英製坩堝2内に
多結晶シリコン原料および例えばリン、硼素、またはア
ンチモンなどの所定のドーパントを装填し、石英製坩堝
2の溶融ゾーン10の上端部には、環状蓋体18を被せ
る。そして、発熱体19に三相交流を印加することによ
り、石英製坩堝2内の多結晶シリコン原料およびドーパ
ントを加熱溶解し、シリコン融液7とする。なお、この
ようにして形成される引上げ当初におけるシリコン融液
7中のドーパント濃度C0,1−oは、得ようとする単
結晶体8の目的の抵抗率ρ。に相当する理論ドーパント
濃度C1,1の1/に倍とされる(但しkはドーパント
の偏析係数である。)。
多結晶シリコン原料および例えばリン、硼素、またはア
ンチモンなどの所定のドーパントを装填し、石英製坩堝
2の溶融ゾーン10の上端部には、環状蓋体18を被せ
る。そして、発熱体19に三相交流を印加することによ
り、石英製坩堝2内の多結晶シリコン原料およびドーパ
ントを加熱溶解し、シリコン融液7とする。なお、この
ようにして形成される引上げ当初におけるシリコン融液
7中のドーパント濃度C0,1−oは、得ようとする単
結晶体8の目的の抵抗率ρ。に相当する理論ドーパント
濃度C1,1の1/に倍とされる(但しkはドーパント
の偏析係数である。)。
ここで、三相交流で印加された発熱体19のψ6部には
誘導回転磁界が発生するので、坩堝中に形成されたシリ
コン融成7は電磁誘導され回転することとなる。実際に
例えば、発熱体19に1000A、50Hzの電流を流
した場合、17rpmにて融液7が回転した。
誘導回転磁界が発生するので、坩堝中に形成されたシリ
コン融成7は電磁誘導され回転することとなる。実際に
例えば、発熱体19に1000A、50Hzの電流を流
した場合、17rpmにて融液7が回転した。
このように坩堝2内にシリコン#+i!I!l夜7か形
成された後、引上げワイヤ5を下降させ、引上げワイヤ
5先端に固定された種結晶6を、凝固ゾーン9において
融液7に浸け、種結晶6を引上げて種結晶6先端に結晶
を成長させる。先端に成長していく結晶の径を絞る操作
により無転位化させた後、漸次成長速度を減少させであ
るいは融液温度を低くして成長結晶を所望する直径、例
えば5インチまで拡径して行き、所望の直径となったら
引上げ速度あるいは融液温度を適宜制御しながら、この
直径を保ちつつ所定の長さだけ単結晶体8を成長させる
。秤結晶6より成長したシリコン単結晶体8の引上げと
共に、坩堝2内の融液7が引上げられたfflffl分
だけ減少するので、引上げられた単結晶体8の重量を引
上げワイヤ捲取機12の取付けられた重量分析器(図示
せず)により検知し、その情報に基づき粒状の多結晶シ
リコン原料およびドーパントを原料供給用管11を通じ
て坩堝2の溶融ゾーン10に補充し、坩堝2内の融液7
量を一定に保つ。このように単結晶引上げ操作時におい
ては、多結晶シリコン原料およびドーパントが連続的な
いしは断続的に坩堝2の溶融ゾーン10に補充されるが
、前記したように溶融ゾーン10の上端部は黒鉛蓋体1
8で覆われているために、原料添加の際に発生した飛沫
が溶融ゾーン10の上部から凝固ゾーン9に飛んだりす
ることはなく、また前記したように環状隔壁4の貫通孔
3は、多結晶原料およびドーパントを補給する原料供給
用管11の下端開口部から融液7の回転方向に十分下流
側に位置しているために、添加された拉状多結晶シリコ
ン原料およびドーパントが未溶融のまま貫通孔3を通過
して凝固ゾーン9へと至ることもないので、凝固ゾーン
9からは安定して単結晶体8が引上げられることとなる
。なお、このように単結晶引上げ操作時に補充される原
料におけるドーパント濃度CAは、得ようとする単結晶
体8の目的の抵抗率ρ。に相当する理論ドーパント濃度
CS、に等しいものとされる。従って、単結晶引上げ量
に応じて多結晶シリコン原料およびドーパントを補充す
れば、融液7中から単結晶体8として析出減少するドー
パント量と補充されるドーパント量が等しくなるために
、融液7中のドーパント濃度は単結晶引上げ操作を通じ
てほぼ一定のものとなり、引上げられた単結晶体8は長
さ方向においてほぼ一定の抵抗率を有するものとなる。
成された後、引上げワイヤ5を下降させ、引上げワイヤ
5先端に固定された種結晶6を、凝固ゾーン9において
融液7に浸け、種結晶6を引上げて種結晶6先端に結晶
を成長させる。先端に成長していく結晶の径を絞る操作
により無転位化させた後、漸次成長速度を減少させであ
るいは融液温度を低くして成長結晶を所望する直径、例
えば5インチまで拡径して行き、所望の直径となったら
引上げ速度あるいは融液温度を適宜制御しながら、この
直径を保ちつつ所定の長さだけ単結晶体8を成長させる
。秤結晶6より成長したシリコン単結晶体8の引上げと
共に、坩堝2内の融液7が引上げられたfflffl分
だけ減少するので、引上げられた単結晶体8の重量を引
上げワイヤ捲取機12の取付けられた重量分析器(図示
せず)により検知し、その情報に基づき粒状の多結晶シ
リコン原料およびドーパントを原料供給用管11を通じ
て坩堝2の溶融ゾーン10に補充し、坩堝2内の融液7
量を一定に保つ。このように単結晶引上げ操作時におい
ては、多結晶シリコン原料およびドーパントが連続的な
いしは断続的に坩堝2の溶融ゾーン10に補充されるが
、前記したように溶融ゾーン10の上端部は黒鉛蓋体1
8で覆われているために、原料添加の際に発生した飛沫
が溶融ゾーン10の上部から凝固ゾーン9に飛んだりす
ることはなく、また前記したように環状隔壁4の貫通孔
3は、多結晶原料およびドーパントを補給する原料供給
用管11の下端開口部から融液7の回転方向に十分下流
側に位置しているために、添加された拉状多結晶シリコ
ン原料およびドーパントが未溶融のまま貫通孔3を通過
して凝固ゾーン9へと至ることもないので、凝固ゾーン
9からは安定して単結晶体8が引上げられることとなる
。なお、このように単結晶引上げ操作時に補充される原
料におけるドーパント濃度CAは、得ようとする単結晶
体8の目的の抵抗率ρ。に相当する理論ドーパント濃度
CS、に等しいものとされる。従って、単結晶引上げ量
に応じて多結晶シリコン原料およびドーパントを補充す
れば、融液7中から単結晶体8として析出減少するドー
パント量と補充されるドーパント量が等しくなるために
、融液7中のドーパント濃度は単結晶引上げ操作を通じ
てほぼ一定のものとなり、引上げられた単結晶体8は長
さ方向においてほぼ一定の抵抗率を有するものとなる。
このようにして単結晶引上げ操作を続けて行き、引上げ
られた単結晶体8が所望の長さとなったら、従来の単結
晶引上げ方法におけるのと同様に、漸次成長速度を増加
させるあるいは融液温度を高くして成長結晶を縮径させ
、最終的に融液7の液面から成長した単結晶体8を離す
ことにより結品成艮を終了させ、引上げチャンバー23
を開いて、得られた単結晶体8を系外に取り出すもので
ある。
られた単結晶体8が所望の長さとなったら、従来の単結
晶引上げ方法におけるのと同様に、漸次成長速度を増加
させるあるいは融液温度を高くして成長結晶を縮径させ
、最終的に融液7の液面から成長した単結晶体8を離す
ことにより結品成艮を終了させ、引上げチャンバー23
を開いて、得られた単結晶体8を系外に取り出すもので
ある。
なお、以上は本発明の単結晶引上げ方法および装置を、
シリコンにドーパントを添加して単結晶体を引上げる場
合を例にとり説明したが、本発明は、同様の引上げ方法
により製造されるドーノくントを添加しないシリコン、
さらにその他の半導体材料、例えばゲルマニウム、ガリ
ウム砒素などの場合においても同様に適用できるもので
ある。
シリコンにドーパントを添加して単結晶体を引上げる場
合を例にとり説明したが、本発明は、同様の引上げ方法
により製造されるドーノくントを添加しないシリコン、
さらにその他の半導体材料、例えばゲルマニウム、ガリ
ウム砒素などの場合においても同様に適用できるもので
ある。
[発明の効果]
以上述べたように本発明によれは、単粘昂引にげ操作時
における融液の回転を、謹厳i&に回転磁界をかけるこ
とによって行なうことにより、該融液を収納してなる坩
堝を回転させることなく固定し、これによって坩堝内に
配された環状隔壁の貫通孔の位置と原料を供給する位置
を前記融液の回転方向において十分離れたものに設定し
、かつこれらが供給される坩堝の溶融ゾーン上部に覆い
を設けたことにより、単結晶引上げ操作時において坩堝
内に原料を補充することに起因して、引上げられる単結
晶体が有転位化、多結晶化する虞れがなくなり、長さ方
向参参歩半蒔与餌において均一な抵抗率を有する単結晶
体を安定して連続的に得ることのできることとなる。
における融液の回転を、謹厳i&に回転磁界をかけるこ
とによって行なうことにより、該融液を収納してなる坩
堝を回転させることなく固定し、これによって坩堝内に
配された環状隔壁の貫通孔の位置と原料を供給する位置
を前記融液の回転方向において十分離れたものに設定し
、かつこれらが供給される坩堝の溶融ゾーン上部に覆い
を設けたことにより、単結晶引上げ操作時において坩堝
内に原料を補充することに起因して、引上げられる単結
晶体が有転位化、多結晶化する虞れがなくなり、長さ方
向参参歩半蒔与餌において均一な抵抗率を有する単結晶
体を安定して連続的に得ることのできることとなる。
第1図は本発明の単結晶引上げ装置の一実施態様の使用
状態における構成を模式的に示す断面図、第2図は本発
明の単結晶引上げ装置の一実施例における原料供給位置
と貫通孔の位置との関係を示す模式図、第3図は本発明
の単結晶引上げ装置の一実施態様において用いられる発
熱体の構造を示す斜視図であり、また第4図は従来の単
結晶引上げ装置の一例の使用状態における構成を模式的
に示す断面図である。 1.51・・・単結晶引上げ装置、 2.52・・・石英製坩堝、 3.53・・・貫通孔、
4.54・・・石英製環状隔壁、 5.55・・・引4二げワイヤ、 6,66・・・挿結
昂、7.57・・・縁戚、 8.58・・・単結晶体、
9.59・・・凝固ゾーン、10.60・・・凝固ゾー
ン、11.61・・・1皇料供給用管、 12.62・・・ワイヤ!会取り機、 15・・・溶−チャンバー 16・・・載置台、17
・・・黒鉛製坩堝、 18・・・黒鉛製環状蓋体、19
・・・発熱体、 20a、20b、20c・=電極、 21・・・三相交流電源、 22・・・断熱、材、23
・・引上げチャンバー、63・・・回転モーター64・
・・回転軸。 1面の浄11(内容に贅更なし) 第 図 第3vA 手続を市正書(方式) 平成2年4月 n つ 発(7)の名称 単結晶引上げ古注および装惟 3゜ 補正をする者 事件との関係 特許出頼人 住 所 東京都千代田区人手町2丁口6番B ;j−
名 称 (665)新日本製鐵株式會社代表名 山水
全作 4、代理人 住所 東京都千代田区二番町11@地9ダイアパレス番町 5゜ 補正命令の日付 平成2年3月12日(発送日二平成2年3月27n)補
正の対象 図面
状態における構成を模式的に示す断面図、第2図は本発
明の単結晶引上げ装置の一実施例における原料供給位置
と貫通孔の位置との関係を示す模式図、第3図は本発明
の単結晶引上げ装置の一実施態様において用いられる発
熱体の構造を示す斜視図であり、また第4図は従来の単
結晶引上げ装置の一例の使用状態における構成を模式的
に示す断面図である。 1.51・・・単結晶引上げ装置、 2.52・・・石英製坩堝、 3.53・・・貫通孔、
4.54・・・石英製環状隔壁、 5.55・・・引4二げワイヤ、 6,66・・・挿結
昂、7.57・・・縁戚、 8.58・・・単結晶体、
9.59・・・凝固ゾーン、10.60・・・凝固ゾー
ン、11.61・・・1皇料供給用管、 12.62・・・ワイヤ!会取り機、 15・・・溶−チャンバー 16・・・載置台、17
・・・黒鉛製坩堝、 18・・・黒鉛製環状蓋体、19
・・・発熱体、 20a、20b、20c・=電極、 21・・・三相交流電源、 22・・・断熱、材、23
・・引上げチャンバー、63・・・回転モーター64・
・・回転軸。 1面の浄11(内容に贅更なし) 第 図 第3vA 手続を市正書(方式) 平成2年4月 n つ 発(7)の名称 単結晶引上げ古注および装惟 3゜ 補正をする者 事件との関係 特許出頼人 住 所 東京都千代田区人手町2丁口6番B ;j−
名 称 (665)新日本製鐵株式會社代表名 山水
全作 4、代理人 住所 東京都千代田区二番町11@地9ダイアパレス番町 5゜ 補正命令の日付 平成2年3月12日(発送日二平成2年3月27n)補
正の対象 図面
Claims (6)
- (1)一部に貫通孔を有する環状隔壁を内部に配して2
重構造とした坩堝において、原料を溶融してなる融液を
形成し、前記環状隔壁より内方において融液に種結晶を
接触させ引上げて単結晶体を成長させつつ、前記環状隔
壁よりも外方において原料を補充し連続的に単結晶体を
引上げる方法において、坩堝を固定する一方で、坩堝内
の融液に回転磁界を与えて該融液を回転させ、さらに原
料の補充を、環状隔壁の貫通孔の位置に対して前記融液
の回転方向に十分上流側となる位置で行なうことを特徴
とする単結晶引上げ方法。 - (2)一部に貫通孔を有する環状隔壁を内部に配して2
重構造とした坩堝において、原料を溶融してなる融液を
形成し、前記環状隔壁より内方において融液に種結晶を
接触させ引上げて単結晶体を成長させつつ、前記環状隔
壁よりも外方において原料を補充し連続的に単結晶体を
引上げる方法において、坩堝を固定して、坩堝における
前記環状隔壁よりも外方でかつ原料供給位置以外の部位
の上端部を蓋体で覆う一方、坩堝内の融液に回転磁界を
与えて該融液を回転させながら単結晶成長を行なうこと
を特徴とする単結晶引上げ方法。 - (3)一部に貫通孔を有する環状隔壁を内部に配して2
重構造とした坩堝において、原料を溶融してなる融液を
形成し、前記環状隔壁より内方において融液に種結晶を
接触させ引上げて単結晶体を成長させつつ、前記環状隔
壁よりも外方において原料を補充し連続的に単結晶体を
引上げる方法において、坩堝を固定して、坩堝における
前記環状隔壁よりも外方でかつ原料供給位置以外の部位
の上端部を蓋体で覆う一方で、坩堝内の融液に回転磁界
を与えて該融液を回転させ、さらに、原料の補充を、環
状隔壁の貫通孔の位置に対して前記融液の回転方向に十
分上流側となる位置で行なうことを特徴とする単結晶引
上げ方法。 - (4)原料を溶融してなる融液を収容する坩堝として、
一部に貫通孔を有する環状隔壁を内部に配して2重構造
としたものを用い、前記環状隔壁より内方において前記
融液に上方から種結晶を接触させ引上げる手段と、前記
環状隔壁よりも外方において原料を補充する原料供給手
段とを配した単結晶引上げ装置において、坩堝内に形成
される融液に回転磁界を印加する手段を設け、上記坩堝
を固定して、上記原料供給手段の供給口を、この融液の
回転方向において、前記環状隔壁の貫通孔の位置に対し
て十分上流側となる位置に配したことを特徴とする単結
晶引上げ装置。 - (5)原料を溶融してなる融液を収容する坩堝として、
一部に貫通孔を有する環状隔壁を内部に配して2重構造
としたものを用い、前記環状隔壁より内方において前記
融液に上方から種結晶を接触させ引上げる手段と、前記
環状隔壁よりも外方において原料を補充する原料供給手
段とを配した単結晶引上げ装置において、坩堝内に形成
される融液に回転磁界を印加する手段を設け、上記坩堝
を固定して、坩堝における前記環状隔壁よりも外方でか
つ前記原料供給手段挿通部以外の部位の上端部を覆う蓋
体を設けたことを特徴とする単結晶引上げ装置。 - (6)原料を溶融してなる融液を収容する坩堝として、
一部に貫通孔を有する環状隔壁を内部に配して2重構造
としたものを用い、前記環状隔壁より内方において前記
融液に上方から種結晶を接触させ引上げる手段と、前記
環状隔壁よりも外方において原料を補充する原料供給手
段とを配した単結晶引上げ装置において、坩堝内に形成
される融液に回転磁界を印加する手段を設け、上記坩堝
を固定して、坩堝における前記環状隔壁よりも外方でか
つ前記原料供給手段挿通部以外の部位の上端部を覆う蓋
体を設け、さらに上記原料供給手段の供給口を、この融
液の回転方向において、前記環状隔壁の貫通孔の位置に
対して十分上流側となる位置に配したことを特徴とする
単結晶引上げ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31671689A JPH03177392A (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | 単結晶引上げ方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31671689A JPH03177392A (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | 単結晶引上げ方法および装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03177392A true JPH03177392A (ja) | 1991-08-01 |
Family
ID=18080107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31671689A Pending JPH03177392A (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | 単結晶引上げ方法および装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03177392A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013035498A1 (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-14 | シャープ株式会社 | 多結晶シリコンインゴットの製造方法 |
-
1989
- 1989-12-06 JP JP31671689A patent/JPH03177392A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013035498A1 (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-14 | シャープ株式会社 | 多結晶シリコンインゴットの製造方法 |
JP2013056812A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Sharp Corp | 多結晶シリコンインゴットの製造方法 |
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