JPH03174439A - 芳香族コポリエステル - Google Patents
芳香族コポリエステルInfo
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- JPH03174439A JPH03174439A JP11015390A JP11015390A JPH03174439A JP H03174439 A JPH03174439 A JP H03174439A JP 11015390 A JP11015390 A JP 11015390A JP 11015390 A JP11015390 A JP 11015390A JP H03174439 A JPH03174439 A JP H03174439A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、比較的低い温度で溶融加工が可能な新規なサ
ーモトロピック芳香族コポリエステルに関するものであ
る。
ーモトロピック芳香族コポリエステルに関するものであ
る。
近年、種々のエンジニアリングプラスチックスが開発さ
れているが、特に光学異方性を有する液晶ポリマーが注
目されている。従来から液晶ポリマーとしては、P−ヒ
ドロキシ安息香酸ホモポリマ、テレフタル酸とヒドロキ
ノンとのポリマーが知られているが、これらのポリマー
は、融点がそれぞれ610℃、596°Cと高いためポ
リマーの分解を伴わずに熔融加工することが困難である
(Advances in Polymer 5cie
nce % 60/61 +61(I984))。P−
ヒドロキシ安息香酸、テレフタル酸およびヒドロキノン
との共重合体も提案されているが(特公昭47−478
70号)、500°C以上の高い融点を有し、溶融加工
性の問題点がある。
れているが、特に光学異方性を有する液晶ポリマーが注
目されている。従来から液晶ポリマーとしては、P−ヒ
ドロキシ安息香酸ホモポリマ、テレフタル酸とヒドロキ
ノンとのポリマーが知られているが、これらのポリマー
は、融点がそれぞれ610℃、596°Cと高いためポ
リマーの分解を伴わずに熔融加工することが困難である
(Advances in Polymer 5cie
nce % 60/61 +61(I984))。P−
ヒドロキシ安息香酸、テレフタル酸およびヒドロキノン
との共重合体も提案されているが(特公昭47−478
70号)、500°C以上の高い融点を有し、溶融加工
性の問題点がある。
これまで液晶ポリマーの融点を下げる方法について各種
の提案がなされている(Brit、 PolymerJ
ournal 、 132 (I980) )。2.2
′−ジメチルビフェニル−4,4°−ジカルボン酸をモ
ノマーの一成分としたポリエステル(Makromol
、Chem、、189.2029(I98B)。
の提案がなされている(Brit、 PolymerJ
ournal 、 132 (I980) )。2.2
′−ジメチルビフェニル−4,4°−ジカルボン酸をモ
ノマーの一成分としたポリエステル(Makromol
、Chem、、189.2029(I98B)。
Makromol、Chem、Makromol Sy
mp、26.47(I989) 、特開昭64−662
31号) 、2.2°−ビス(トリフルオロメチル)−
ビフェニル−4,4°−ジカルボン酸をモノマーの一成
分としたポリエステル(Journal ofPoly
mer Sci、、Part C+ Po1yn+e
r Letters、j2.11(I987)、 Ma
kromolecules、20.2374(I9B?
))などが知られている。しかし、2,2”ジ置換ビフ
ェニル−4,4”−ジカルボン酸類は、フェニル環の共
平面性が妨害され、従って、ポリマーの結晶性が減少す
る。一般に結晶性の小さいポリマーは、満足すべく機械
的強度を有していない等の欠点が指摘されている。
mp、26.47(I989) 、特開昭64−662
31号) 、2.2°−ビス(トリフルオロメチル)−
ビフェニル−4,4°−ジカルボン酸をモノマーの一成
分としたポリエステル(Journal ofPoly
mer Sci、、Part C+ Po1yn+e
r Letters、j2.11(I987)、 Ma
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))などが知られている。しかし、2,2”ジ置換ビフ
ェニル−4,4”−ジカルボン酸類は、フェニル環の共
平面性が妨害され、従って、ポリマーの結晶性が減少す
る。一般に結晶性の小さいポリマーは、満足すべく機械
的強度を有していない等の欠点が指摘されている。
本発明者らは、比較的低温、例えば400°C以下の温
度で溶融加工が可能なポリエステルを得ることを目的と
して鋭意研究をした結果、液晶性を有し、溶融加工でき
る芳香族コポリエステルを見出し、本発明に至った。
度で溶融加工が可能なポリエステルを得ることを目的と
して鋭意研究をした結果、液晶性を有し、溶融加工でき
る芳香族コポリエステルを見出し、本発明に至った。
本発明は、下式の反復単位置I、IIおよびIIIから
実質的に構成され、反復単位置Iが反復単位(I+II
I+III)の1〜90モル%である芳香族コポリエス
テルを提供するものである。
実質的に構成され、反復単位置Iが反復単位(I+II
I+III)の1〜90モル%である芳香族コポリエス
テルを提供するものである。
式中、Rは水素原子、炭素数1〜8のアルキル基あるい
はアリール基、ハロゲン原子を示す。
はアリール基、ハロゲン原子を示す。
本発明においては、上記三種類の反復単位からなる全芳
香族コポリニスチルに関するものであり、これらのコポ
リエステルは、偏光顕微鏡観察において、溶融状態で光
学異方性(液晶性)を示す。
香族コポリニスチルに関するものであり、これらのコポ
リエステルは、偏光顕微鏡観察において、溶融状態で光
学異方性(液晶性)を示す。
本発明の全芳香族ポリエステルは、比較的低い温度、例
えば400°C以下の温度で溶融状態を形成し、通常知
られた各種の成形加工法によって、バルク成形品、゛フ
ィルム、繊維などにすることができる。また、ペンタフ
ルオロフェノール、P−クロロフェノールなどの有機極
性溶媒に溶解するので、溶解加工法によって成形品を得
ることが可能である。これらの成形品は、電気、電子、
自動車材料などに幅広く使用できる。顕著な特性として
、溶融状態において液晶性を有するために、高度に分子
配向した成形品にすることができ、従って、機械強度に
優れた高分子材料を製造することができる。
えば400°C以下の温度で溶融状態を形成し、通常知
られた各種の成形加工法によって、バルク成形品、゛フ
ィルム、繊維などにすることができる。また、ペンタフ
ルオロフェノール、P−クロロフェノールなどの有機極
性溶媒に溶解するので、溶解加工法によって成形品を得
ることが可能である。これらの成形品は、電気、電子、
自動車材料などに幅広く使用できる。顕著な特性として
、溶融状態において液晶性を有するために、高度に分子
配向した成形品にすることができ、従って、機械強度に
優れた高分子材料を製造することができる。
本発明の芳香族コポリエステルを形成している反復単位
置Iは、p−ヒドロキシ安息香酸、その酸エステル、酸
ハロゲン化物、P−アセトキシ安息香酸などから誘導さ
れたものである。
置Iは、p−ヒドロキシ安息香酸、その酸エステル、酸
ハロゲン化物、P−アセトキシ安息香酸などから誘導さ
れたものである。
本発明の芳香族コポリエステルを形成している反復単位
■は、3,3゛−ジメチルビフェニル−4,4’ −ジ
カルボン酸、そのジカルボン酸エステル、ジカルボン酸
ハロゲン化物などから誘導されたものである。
■は、3,3゛−ジメチルビフェニル−4,4’ −ジ
カルボン酸、そのジカルボン酸エステル、ジカルボン酸
ハロゲン化物などから誘導されたものである。
上記3,3°−ジメチルビフェニル−4,4゛−ジカル
ボン酸は、例えばオルトトルイル酸アルキルの酸化カッ
プリング反応によって台底することができる(特願昭6
3−267202号および特願平1−211334号)
。
ボン酸は、例えばオルトトルイル酸アルキルの酸化カッ
プリング反応によって台底することができる(特願昭6
3−267202号および特願平1−211334号)
。
本発明の芳香族コポリエステルを形成している反復単位
■は、ハイドロキノン誘導体から誘導されたものである
。ハイドロキノン誘導体としては、ハイドロキノン、メ
チルハイドロキノン、エチルハイドロキノン、プロピル
ハイドロキノン、ブチルハイドロキノンなどの炭素数1
〜8のアルキル基置換ハイドロキノン、フェニルハイド
ロキノンなどのアリール基置換ハイドロキノン、ハロゲ
ン原子置換ハイドロキノンおよびこれらのジアセチル誘
導体が具体例として挙げられる。本発明においては、反
復単位■として、上記の複数の種類のハイドロキノン誘
導体から誘導された混合物を使用することができる。
■は、ハイドロキノン誘導体から誘導されたものである
。ハイドロキノン誘導体としては、ハイドロキノン、メ
チルハイドロキノン、エチルハイドロキノン、プロピル
ハイドロキノン、ブチルハイドロキノンなどの炭素数1
〜8のアルキル基置換ハイドロキノン、フェニルハイド
ロキノンなどのアリール基置換ハイドロキノン、ハロゲ
ン原子置換ハイドロキノンおよびこれらのジアセチル誘
導体が具体例として挙げられる。本発明においては、反
復単位■として、上記の複数の種類のハイドロキノン誘
導体から誘導された混合物を使用することができる。
本発明の芳香族コポリエステルは、反復単位Iが反復単
位CI+u+ul)の1〜90モル%であり、好ましい
範囲は1〜80モル%、特に好ましい範囲は1〜70モ
ル%である。反復単位置Iが90モル%を越えると、芳
香族コポリエステルの溶融温度が高くなり、成形加工が
困難である。また、反復単位■と反復単位■は実質的に
等モル量で構成されている。
位CI+u+ul)の1〜90モル%であり、好ましい
範囲は1〜80モル%、特に好ましい範囲は1〜70モ
ル%である。反復単位置Iが90モル%を越えると、芳
香族コポリエステルの溶融温度が高くなり、成形加工が
困難である。また、反復単位■と反復単位■は実質的に
等モル量で構成されている。
前記の反復単位I、IIおよびIII以外に、他のエス
テル結合を形成できる反復単位によって反復単位I、反
復単位■、および反復単位■が置換されていてもよい。
テル結合を形成できる反復単位によって反復単位I、反
復単位■、および反復単位■が置換されていてもよい。
他のエステル結合を形成できる反復単位の具体例として
は、イソフタル酸、ナフタリン−1,5−ジカルボン酸
、ジフェニルエーテル−4゜4”−ジカルボン酸、ジフ
ェニルスルホン−4,4”−ジカルボン酸、ジフェニル
ケトン−4,4′−ジカルボン酸、2.2’−ジフェニ
ルプロパン−4,4゛−ジカルボン酸などから誘導され
るようなジカルボキシ単位、レゾルシン、2.5−ジ−
t−ブチルハイドロキノン、2.3.5− トリメチル
ハイドロキノン、1.5−ジヒドロキシナフタレン、2
.2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス
(4−ヒドロキシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)エーテルなどから誘導されるようなジオキシ単位、
m−ヒドロキシ安息香酸、4−ヒドロキシ−4′−カル
ボキシジフェニルエーテル、4−ヒドロキシ−4“−カ
ルボキシビフェニル、1−ヒドロキシ−4−ナフトエ酸
などから誘導されるようなオキシカルボキシ単位を挙げ
ることができる。
は、イソフタル酸、ナフタリン−1,5−ジカルボン酸
、ジフェニルエーテル−4゜4”−ジカルボン酸、ジフ
ェニルスルホン−4,4”−ジカルボン酸、ジフェニル
ケトン−4,4′−ジカルボン酸、2.2’−ジフェニ
ルプロパン−4,4゛−ジカルボン酸などから誘導され
るようなジカルボキシ単位、レゾルシン、2.5−ジ−
t−ブチルハイドロキノン、2.3.5− トリメチル
ハイドロキノン、1.5−ジヒドロキシナフタレン、2
.2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス
(4−ヒドロキシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)エーテルなどから誘導されるようなジオキシ単位、
m−ヒドロキシ安息香酸、4−ヒドロキシ−4′−カル
ボキシジフェニルエーテル、4−ヒドロキシ−4“−カ
ルボキシビフェニル、1−ヒドロキシ−4−ナフトエ酸
などから誘導されるようなオキシカルボキシ単位を挙げ
ることができる。
これらの置換反復単位の置換割合は、芳香族ポリエステ
ルの溶融点を比較的に低くするために、反復単位I、■
、および■の合計量に対してl0モル%以下であること
が好ましい。
ルの溶融点を比較的に低くするために、反復単位I、■
、および■の合計量に対してl0モル%以下であること
が好ましい。
本発明の芳香族ポリエステルの製法については特に制限
はなく、公知のエステル重縮合反応によって製造するこ
とができる。製造法の具体例としては、■ジカルボン酸
ジクロライドとジオールを第3級アミンの存在下に重縮
合する方法、■ジカルボン酸のジフェニルエステルとジ
オールから脱フエノール法で重縮合する方法、■ジカル
ボン酸とジオールのジアセチル誘導体から脱酢酸法で重
縮合する方法が挙げられる。
はなく、公知のエステル重縮合反応によって製造するこ
とができる。製造法の具体例としては、■ジカルボン酸
ジクロライドとジオールを第3級アミンの存在下に重縮
合する方法、■ジカルボン酸のジフェニルエステルとジ
オールから脱フエノール法で重縮合する方法、■ジカル
ボン酸とジオールのジアセチル誘導体から脱酢酸法で重
縮合する方法が挙げられる。
特に好ましい方法は脱酢酸法であり、この方法において
は、反応温度230〜350 ’C1反応時間1〜10
時間で段階的に昇温しで酢酸を留去後、減圧(約0.5
torr)にして反応を完結させる。
は、反応温度230〜350 ’C1反応時間1〜10
時間で段階的に昇温しで酢酸を留去後、減圧(約0.5
torr)にして反応を完結させる。
重縮合反応は触媒の存在下または不存在下に行うことが
できる。触媒の具体例としては、酢酸第■スズ、二酸化
アンチモン、マグネシウム、チタンテトラブトキシド、
酢酸ナトリウムなどを挙げることができる。
できる。触媒の具体例としては、酢酸第■スズ、二酸化
アンチモン、マグネシウム、チタンテトラブトキシド、
酢酸ナトリウムなどを挙げることができる。
上記各方法によって製造した芳香族ポリエステルは、6
0°Cにてペンタフルオロフェノール中、0.2g/d
iの濃度で、対数粘度(ηinh )0.5以上を有す
る。
0°Cにてペンタフルオロフェノール中、0.2g/d
iの濃度で、対数粘度(ηinh )0.5以上を有す
る。
本発明の芳香族ポリエステルは、400°C以下の比較
的低い温度で溶融し、このポリマーを用いて機械的強度
が優れた成形品を製造することができる。
的低い温度で溶融し、このポリマーを用いて機械的強度
が優れた成形品を製造することができる。
以下に本発明の詳細な説明する。
(測定方法)
本発明における実施例で示されている各物性値は、以下
の方法で測定した。
の方法で測定した。
i、光学異方性;偏光顕微鏡に試料をのせ、リンカム社
WTH600RMS型加熱装置を用いて、窒素気流下に
10″C/分で昇温して肉眼観察した。
WTH600RMS型加熱装置を用いて、窒素気流下に
10″C/分で昇温して肉眼観察した。
ii、熱分解開始温度; DuPoht990 TGA
装置を用い、試料を窒素中、10°C/分で昇温し、重
量の経時変化を観測した。
装置を用い、試料を窒素中、10°C/分で昇温し、重
量の経時変化を観測した。
iii 、融点; DuPont990 DSC装置を
用い、試料を窒素中、10°C/分で昇温し、吸熱ピー
クを観測した。
用い、試料を窒素中、10°C/分で昇温し、吸熱ピー
クを観測した。
iv、対数粘度;60″Cにてペンタフルオロフェノー
ル中、0.2g/diの濃度で試料を溶解し、ウベロー
デ型粘度計を用いて測定した。ηinhは、次式に従っ
て計算した。
ル中、0.2g/diの濃度で試料を溶解し、ウベロー
デ型粘度計を用いて測定した。ηinhは、次式に従っ
て計算した。
ηinh = In(t/lo)/c ただし、Lo
はペンタフルオロフェノールの落下時間、tは試料溶液
の落下時間、Cは試料の濃度。
はペンタフルオロフェノールの落下時間、tは試料溶液
の落下時間、Cは試料の濃度。
実施例1〜7
ステンレス製容器にガラス製のセパラブル三つロフラス
コの上部を用い、撹拌機、窒素導入管、クライゼンを取
りつけた。この容器内に第1表に示されているような使
用量で、3.3′−ジメチルビフェニル−4,4゛−ジ
カルボン酸(PA)、p−アセトキシ安息香酸(PBA
)、ヒドロキノンジアセテート誘導体〔ヒドロキノンジ
アセテ−) (IQ) 、メチルヒドロキノンジアセテ
−) (MH口)、t−ブチルヒドロキノンジアセテ−
) (88口)、フェニルヒドロキノンジアセテート(
PHQ) 、クロロヒドロキノンジアセテ−)(GHQ
) )を仕込み、真空ポンプで脱気し、窒素置換を4回
繰り返した後、錫を溶かした金属浴中で230〜250
℃にて1時間加熱し、さらに250〜300℃に2.5
時間で昇温し、酢酸を留出させた。その後、Q、5to
rrの減圧下で30分間さらに加熱し、窒素を導入しな
がら室温に戻した。ポリマーを粉砕して容器から取り出
し、ジメチルホルムアミドおよびアセトンで洗浄して、
100℃で真空乾燥した。
コの上部を用い、撹拌機、窒素導入管、クライゼンを取
りつけた。この容器内に第1表に示されているような使
用量で、3.3′−ジメチルビフェニル−4,4゛−ジ
カルボン酸(PA)、p−アセトキシ安息香酸(PBA
)、ヒドロキノンジアセテート誘導体〔ヒドロキノンジ
アセテ−) (IQ) 、メチルヒドロキノンジアセテ
−) (MH口)、t−ブチルヒドロキノンジアセテ−
) (88口)、フェニルヒドロキノンジアセテート(
PHQ) 、クロロヒドロキノンジアセテ−)(GHQ
) )を仕込み、真空ポンプで脱気し、窒素置換を4回
繰り返した後、錫を溶かした金属浴中で230〜250
℃にて1時間加熱し、さらに250〜300℃に2.5
時間で昇温し、酢酸を留出させた。その後、Q、5to
rrの減圧下で30分間さらに加熱し、窒素を導入しな
がら室温に戻した。ポリマーを粉砕して容器から取り出
し、ジメチルホルムアミドおよびアセトンで洗浄して、
100℃で真空乾燥した。
得られたポリマーの収量、光学異方性を示す温度、融点
、熱分解開始温度、対数粘度および元素分析の結果は、
第1表に示されている。
、熱分解開始温度、対数粘度および元素分析の結果は、
第1表に示されている。
第1表における融点で一印は、吸熱ピークの変化が明瞭
でないことを示す。
でないことを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下式の反復単位置 I 、IIおよびIIIから実質的に構成さ
れ、反復単位置 I が反復単位( I +II+III)の1〜
90モル%である芳香族コポリエステル。 ▲数式、化学式、表等があります▼ I ▲数式、化学式、表等があります▼II ▲数式、化学式、表等があります▼III 式中、Rは水素原子、炭素数1〜8のアルキル基あるい
はアリール基、ハロゲン原子を示す。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2110153A JP2565793B2 (ja) | 1989-09-14 | 1990-04-27 | 芳香族コポリエステル |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1-236930 | 1989-09-14 | ||
JP23693089 | 1989-09-14 | ||
JP2110153A JP2565793B2 (ja) | 1989-09-14 | 1990-04-27 | 芳香族コポリエステル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03174439A true JPH03174439A (ja) | 1991-07-29 |
JP2565793B2 JP2565793B2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=26449830
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2110153A Expired - Fee Related JP2565793B2 (ja) | 1989-09-14 | 1990-04-27 | 芳香族コポリエステル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2565793B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01289830A (ja) * | 1988-05-18 | 1989-11-21 | Agency Of Ind Science & Technol | サーモトロピック全芳香族ポリエステル |
JPH02196819A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-08-03 | Nippon Oil Co Ltd | 全芳香族ポリエステル |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP2110153A patent/JP2565793B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01289830A (ja) * | 1988-05-18 | 1989-11-21 | Agency Of Ind Science & Technol | サーモトロピック全芳香族ポリエステル |
JPH02196819A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-08-03 | Nippon Oil Co Ltd | 全芳香族ポリエステル |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2565793B2 (ja) | 1996-12-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |