JPH03173878A - 液晶性化合物及び用途 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は表示素子、あるいは電気光学素子に用いられる
新規な液晶性化合物に関する。本発明にいう液晶性化合
物とは単独で液晶状態が観察できる物質のみならず、そ
れ自身が液晶相を示さなくても液晶組成物の構成成分と
して有用な化合物をも含んでいる。

（従来の技術とその課題） 液晶は表示材料として、広く用いられるＪ：うになって
来たが、現在のところ表示方式としてＴＮ（Ｔｗｉｓｔ
ｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）型を一般的に採用している。

このＴＮ表示方式は消費電力が少くてすむ、受光型で目
が疲れない等の長所がある一方、駆動が基本的に読電率
の異方性に基いているためその力が弱く、応答速度が遅
いという欠点があり、高速応答が必要とされる分野には
応用上の制限を受けていた。

強誘電性液晶は、１９７５年にＲ，８，Ｈｅｙｅｒらに
よって初めて見出されたものであるが（Ｊ、　ｐｈｙｓ
ｉｑｕｅ。

３６、　Ｌ−６９（１９７５）　）　、このものは自発
分極に由来する比較的大きな力が駆動力となるため応答
速度が極めて速く、かつメモリー性を持つという優れた
性能があり、新しい表示素子として注目されている。液
晶が強誘電性を示す条件としてはカイラルスメクティッ
クＣ相（ＳｍＣ相）を示すことが必要であり、このため
分子中に不斉炭素を含まなければならない。また分子の
長袖に対して垂直方向に双極子モーメントを持つことが
必要である。

Ｍａｙｅｒ等の合成した強誘電性液晶ＤＯＢＡ）ＩＢｃ
は次のような構造をしており 上記の条件を満足しているが、シッフ塩基を含むため化
学的に不安定であり、自発分極も３×１０″″９Ｃ／　
ｃｒｉと小さかった。その後多くの強誘電性液晶化合物
が合成されたが十分に高速応答するものはまだ見付かっ
ておらず、したがって実用化には至っていない。

これら従来の強誘電性液晶化合物を比較してみると、例
えば０ＯＢＡＩＩＢＣの不斉炭素原子の位置がひとつカ
ルボニル基に近づいたＤＯＢＡ−１−ＭＢＣでは自発分
極が５×１０″″８Ｃ／ｃＩｉであり、０ＯＢＡＩ（Ｂ
Ｃよりも大きくなっている。これは、強誘電性の出現に
重要な要素である不斉炭素と双極子の位置が近づいたた
めに、分子の双極子部分の自由回転か抑えられ、双極子
の配向性が向上したものと考えられる。すなわら、不斉
部分は分子の自由回転を束縛づる動きをしてａ′３す、
従来の強誘電性液晶化合物のほとんどは不斉部分が直鎖
上にあるため、分子の自由回転を完全には抑えることが
できず、双極子部分を固定できないために満足な自発分
極および高速応答が得られなかったと考えられる。

（課題を解決するための手段） 本発明は従来の強誘電性液晶化合物の双極子部分の自由
回転を抑えるための手段として、不斉部分を５員環ラク
１〜ンに直結させた構造により自由回転を束縛し、しか
も化学的に安定な強誘電性を有する新規な液晶性化合物
及びその用途を提供するものである。

本発明に係る新規化合物は一般式（Ｉ＞（式（Ｉ）中Ｒ
１及びＲ２はそれぞれ独立して炭素数１〜１５のアルキ
ル基又は炭素数２〜１５のアルケニル畢、Ａ及びＤはそ
れぞれ独立して単結曾 合又は−〇−１Ｂは単結合又は−０Ｃ−１Ｚは符号は不
斉炭素原子を表わＶ） て表わされる光学活性γ−ラクトン環を有する化合物及
びこの化合物の少なくとも１種を含む液晶組成物、ざら
には該組成物を用い′Ｃなる電気光学素子である。

上記一般式（Ｉ＞のＲ１及びＲ２において、アルキル基
の例としては、例えばメチル、エチル。

０−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、　　ｎ　−
ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、
ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリ
デシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ペンタデシル、インプ
ロピル、ｔ−ブチル、２−メチルプロピル、　１−メチ
ルプロピル、３−メチルブチル、２−メチルブチル、１
−メチルブチル。

４−メチルペンチル、３−メチルペンチル、２−メチル
ペンチル、　１−メチルペンチル、５−メチルヘキシル
、４−メチルヘキシル、３−メチルヘキシル、２−メチ
ルヘキシル、１−メチルヘキシル、６−メチルヘプチル
、５−メチルヘプチル。

４−メチルヘプチル、３−メチルヘプチル、２−メチル
ヘプチル、１−メチルヘプチル、７−メチルオクチル、
　６−メチルオクチル、５−メチルオクチル、４−メチ
ルオクチル、３−メチルオクチル、２−メチルオクチル
、　１−メチルオクチル。

８−メチルノニル、７−メチルノニル、６−メチルノニ
ル、５−メチルノニル、４−メチルノニル。

３−メチルノニル、２−メチルノニル、　１−メチルノ
ニル、３，７−シメチルオクチル、　３，７．１１−ト
リメチルドデシルなどの具が挙げられる。またアルケニ
ル基の例としては、例えばビニル、プロペニル、ブテニ
ル、ペンテニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル
、ノネニル、デヒニル、ウンデセニル、ドデセニル、ト
リデセニル、テトラデセニル、ペンタデセニルなどの直
鎖状のもの、１−メチルプロペニル、２−メチルプロペ
ニル。

３−メチルブテニル、４−メチルペンテニルなどの分岐
を有するアルケニル基が挙げられる。

本発明に係る上記の新規化合物は強誘電性を発生させる
ための双極子モーメントを持つ部分としてのカルボニル
基を５員環の内部に位置させ、さらに環上に２つの不斉
炭素を持たせることにより、この部分の自由回転を不可
能にし、全体として双極子部分を一方向に向わせること
ができ、自発分極を大きくし、延いては高速応答を実現
できるものである。なお、本発明の液晶性化合物（Ｉ）
はＴ−ラフ１〜ン環に不斉炭素を２個含んでいるため、
２種類のジアステレオマーが存在する。これらは全て双
極子部分の自由回転を抑えるという目的に合致した構造
をしているので、それぞれを単独で用いてもあるいはそ
れぞれの混合物として用いても液晶性化合物として有用
である。

本光明に係る一般式（Ｉ＞で表わされる化合物は、次に
示すような方法によって製造することかできる。

まず、一般式（Ｉ＞においてＢが単結合の場合、次の表
１に示される反応によって製造することができる。但し
、表１の反応式において、Ｒ１Ｒ２，Ａ、Ｄ、Ｚ、Ｙ及
び＊の符号は一般式（１）のＲ１、Ｒ２，Ａ、Ｄ、Ｚ、
Ｙ及び＊の符号と同様の意味を表わす。

表１の反応において、公知の方法によって合成したアセ
トフェノン涜導体（ｎ）をビルゲロット（Ｗｉ　ｌ　Ｉ
ｇｅｒｏｄｔ　）反応によりフェニル酸［導体（ＩＩＩ
）を合成し、これを２倍モル量のリチウムジイソプロピ
ルアミド（ＬＤＡ）と−３０〜１０℃の温度で反応させ
、続いて０．３〜３倍モルの光学活性エポキシ化合物（
Ｖ）と−７８℃〜室温で反応させることにより付加化合
物（Ｖｌ＞を得ることができる。この化合物（Ｖｌ）を
硫酸、塩酸、パラトルエンスルホン酸等の酸触媒の存在
下でベンゼン、トルエン等の溶媒中分子内脱水反応させ
ると前記−般式（Ｉ）のＢが単結合である光学活性γ−
ラクトン誘導体（Ｉ）−（１）が得られる。

一方、上記付加化合物（ＶＩ）のＹが−Ｃ口３の化合物
は、フェニル酢酸誘導体（ＩＩＩ）にリチウムジイソプ
ロピルアミド（ＬＤＡ）を反応させ、続いてヨウ化メチ
ル（ＭｅＩ）を作用させてフェニルメチル酢酸誘導体（
ＩＶ）を合成し、これにリチウムジイソプロピルアミド
（ＬＤＡ）　、続いて光学活性エポキシ化合物（Ｖ）と
を反応させることによって得ることができる。

上記反応において用いた光学活性エポキシ化合物（Ｖ）
にｃ１５いて、Ａが単結合である化合物（’￥）−（１
）は次の反応によって得ることができる。

（Ｖ）−（１） （上記反応において、Ｒ１及び＊の符号は一般式（工〉
のＲ１及び＊の符号と同様の意味を表わし、Ｘはハロゲ
ン原子を表わす） すなわち、ハロゲン化アルキル又はハロゲン化アルケニ
ル（ＲＩ　Ｘ）とマグネシウムとの反応でグリニヤール
反応剤を合成し、次いでハロゲン化銅（ＣｕＸ）の存在
下で光学活性エビクロロヒドリンと反応させることによ
り光学活性エポキシ化合物（Ｖ）−（１）を得ることが
できる。

光学活性エポキシ化合物（Ｖ）に３３いて、Ａが一〇−
である化合物（Ｖ）−（２）は次の反応によって得るこ
とができる。

（Ｖ）−（２） （上記反応において、Ｒ１及び＊の符号は一般式（Ｉ＞
のＲ１及び＊の符号と同様の意味を表わす） すなわら、アルコール類（Ｒ１０目）と光学活性エピク
ロロヒドリンとを酸触媒の存在下で反応ざじてクロロヒ
ドリンエーテル（ＶＩ）を合成し、次いでアルカリで閉
環して合成する二段階法、またはアルコール類と光学活
性エビクロロヒドリン及び塩基との反応を第四級アンモ
ニウム塩触媒の存在下で行う一段階法で合成することが
できる。

また、上記光学活性エポキシ化合物（Ｖ）−（１）の他
の合成法としては、オレフィンと空気との反応を微生物
を利用して行う方法がある。

上記光学活性エピクロロヒドリンは、高純度のものとし
ては、Ｒ体は本出願人に係る特開昭６１１３２１９６＠
公報及び特開昭６２−６６９７号公報記載の方法、８体
は同じく特開平１−２３０５６７号公報記載の方法によ
って得られたものを用いることができる。

次に、一般式（Ｉ＞においてＢが一〇〇−である場合、
次の表２に示される反応によって製逍することかできる
。但し、表２の反応式において、Ｒ１、Ｒ２，Ａ、Ｄ、
７．Ｙ及び＊の符号は一般式（１）のＲ１、Ｒ２，八、
Ｄ、Ｚ、Ｙ及び＊の符号と同様の意味を表わす。またＭ
ｅ、　Ｅｔ及びｐｈはそれぞれメチル塁、エチル基及び
フェニル基を表わす。

表２の反応を説明すると、ｐ−ヒドロキシフェニル酢酸
エチルエステルをハロゲン化ベンジルとの反応でベンジ
ルエーテル化し、続いてエステルを加水分解することに
よりｐ−ペンジルオキシフ工二ル酢酸（■）が得られる
。この化合物（■）からγ−ラクトン誘導体（Ｘ）を合
或する方法、または化合物（■）から化合物（ＩＸ）を
経てγ−ラクトン誘導体（Ｘ）を合成する方法は、前記
表］のフェニル酢Ｍ誘導体（ＩＩＩ）から付加化合物（
ｖｌ〉を経てγ−ラクトン誘導体（Ｉ）−（１）を合成
する方法、またはフェニル酢酸誘導体（Ｉ［Ｉ）からフ
ェニルメチル酢酸誘導体（ＩＶ）を合或し、続いて付加
化合物（ＶＩ）を経てγ−ラクトン誘導体（Ｉ）−（１
）を合成する方法と同様にして行うことができる。上記
γ−ラクトン誘導体（Ｘ）はこれを触媒の存在下で水素
化して２−（ｐ〜ヒドロキシフェニル）−γ−ラクトン
誘導体（ＸＩ）とし、次いでカルボン酸クロライド誘導
体（ＸＩ［＞でエステル化することによって、前記一般
式（Ｉ）のＢが一〇〇−である光学活性γ−ラクトン誘
導体（Ｉ＞−（２）を得ることができる。

前記表１及び表２の反応において、使用するエポキシ化
合物（Ｖ）としてラセミ体のものを用いられば最終目的
物であるγ−ラクトン誘導体（Ｉ）−（１）又は（Ｉ＞
−（２＞はラセミ体のものが得られる。このラセミ体の
化合物は他の光学活性液晶化合物に添加してその螺旋ピ
ッチの調整に使用することができる。

本発明の上記一般式（Ｉ）の化合物は、この化合物の少
なくとも１種と他のカイラルな液晶又は非カイラルな液
晶、あるいはこれらの混合物とを混ビ合わせることによ
り液晶組成物とすることができる。

上記他のカイラルな液晶及び非カイラルな液晶としては
、本発明化合物と混合してスメクチックＣ相を示すもの
であれば従来知られているものを含む総ての物質が適用
できる。

上記カイラルな液晶及び非カイラルな液晶として従来知
られている−６のは、例えば東ドイツ或書ｊ−Ｆｌｉ！
ｓｓｉｇｅ　Ｋｒ１ｓｔａｌｌｅ　ｉｎ　Ｔａｂｃｌｌ
ｅｎ　　Ｉ　Ｊ　（ＶＥＢＤｅｕｔｓｃｈｅｒ　Ｖｅｒ
ｌａｇ　ｆｌ、ｌｒ　Ｇｒｕｎｄｓｔｏｆｆｉｎｄｕｓ
ｔｒｉｅ。

１−ｅｉｐＺｉｇ、　１９７４　）及びｒＦＩ５ｓｓｉ
ｇｅ　Ｋｒ１ｓｔａｌｌｅ　１ｎＴａｂｃｌｌｅｎ　ｆ
ｌ　ｊ　（ＶＥＢ　Ｄｅｕｔｓｃｈｅｒ　Ｖｅｒｌａｇ
　ｆ電ｒＧｒｕｎｄｓｔｏｆｆｉｎｄｕｓｔｒｉｅ、Ｌ
ｅｉｐｚｉｇ、　１９８４　）に記載されているものが
挙げられる。このようなカイラルな液晶及び非カイラル
な液晶の具体例としては、下記式（Ｊ）で表わされる化
合物が挙げられる。

Ｒ３−ｗ４に＄ｒ− 上記式（Ｊ）において、 れ独立に 巳。

Ｆ及びＧはそれぞ から選ばれた六員環を表わしてあり、これら六員環中の
水素原子はハロゲン原子、シアノ原子又はニトロ基で置
換されていてもよい。ａはＯ又は１である。またＷ、に
、Ｌ及びＭはそれぞれ独立に単結合であるか、又は −Ｃ−Ｏ−、−Ｃロ２０−、−Ｃ二〇 −Ｃ目＝Ｃｌ−１−−０−、−３− −Ｎ＝Ｎ−及び　−ＣＩ−１２−ＣＨ２−から選ばれた
基を表わし、ａ＝０のときＫ（よ単結合を表わす。Ｒ３
及びＲ４はそれぞれ独立に炭素数１〜１５の直鎖状もし
くは分岐状アルキル基を表わし、これらは不斉炭素原子
を含んでいてもよい。

上記式（Ｊ）で表わされる化合物のうち、ざらに好まし
いものとしては、下記式（Ｊ−１＞もしくは式（Ｊ−２
）で表わされる化合物を挙げることができる。

（上記式（Ｊ−１＞中Ｒ５及びＲ６は、それぞれ炭素数
１〜１５の直鎖状もしくは分岐状アルキル基もしくはア
ルコキシ基を表わし、これらは不斉炭素原子を含んでい
てもよい） （Ｊ−２＞ （上記式（Ｊ−２＞中Ｒ５及びＲ６は上記式（Ｊ−”ｌ
）のＲ５及びＲ６と同じ意味を表わし、ｋ及び１はそれ
ぞれ独立してＯ又は１を表わす。

（ＤＬ、ｋ＋　ｉ　＝２になることはない）本発明の液
晶組成物に透明電極を付し、ポリエチレン、ポリエステ
ル、ナイロン、ポリビニルフルコール、ポリイミド等で
表面配向処理した２枚のガラス板に刺入し、偏光子を設
けた複屈折モード及びホス］〜−ゲストモードの液晶セ
ルは表示素子又は電気光学素子として使用することがで
きる。

本発明の、一般式（Ｉ）の化合物は熱や光に対する安定
性が良く、この化合物を含む液晶組成物は強誘電性液晶
として優れた性質をもっている。

ざらに、該化合物をネマチック液晶に添加した液晶組成
物は次のような用途に利用できる。

（１〉リバース・ドメインの発生を抑制するためにＴＮ
型及びＳＴＮ型液晶に添加した液晶組成物。

（２〉コレステリック−ネマティック相転移効果を用い
る表示素子（Ｊ、Ｊ、Ｗｙｓｏｋｉ、Ａ、八（Ｊａｍｓ
　ａｎｄ　ｗ。

ｔｌａａｓ：　　Ｐｈｙｓ、Ｒｅｖ、Ｌｅｔｔ、、２０
．ｔ０２４（１９６８）　）。

（３）ホワイト・ティラー型ゲスト・ホスト効果を用い
る表示素子（［）、Ｌ、Ｗｈｉｔｅ　ａｎｄ　Ｇ、Ｎ、
Ｔａｙｌｏｒ　；Ｊ、ＡＩ）Ｉ）１．Ｐｈｙｓ、、４５
．４７１８（１９７４）　）。

（４）コレステリック相をマトリックス中に固定化し、
その選択取乱特性を用いるノツチフィルターやバンドパ
スフィルター（Ｆ、Ｊ、Ｋａｈｎ　：　Ａｐｐｌ、Ｐｈ
ｙｓ。

Ｌｅｔｔ、　、　１８．２３１　（１９７１）　）。

（５）コレステリック相の円偏光特性を利用した円偏光
ビームスプリッタ−（Ｓ、［）、Ｊａｃｏｂ、５ＰＩＥ
、３７．９８（１９８１））。

（実施例） 以下の各側において、本発明の一般式（Ｉ＞で示される
光学活性化合物のＲ，Ｓ表示は、下記の化学式の位置番
号に基いて行った。

また実施例中に記載した相転移温度はＤＳＣおよび偏光
顕微鏡観察により決定した。また相転移温度の項に示し
た記号は以下の相を表わす。

Ｃ；結晶相 ＳｍＡ　；スメクティックへ相 ＳｍＣ；スメクティックＣ相 ＳｍＣＨ力イラルスメクティックＣ相 Ｓｍｌ　　°　ＳｍＡ、　　ＳｍＣ，ＳｍＣ”以外の未
同定のスメクディツク相 Ｎ　；ネマティック相 Ｎ＊；カイラルネマティック相 ■　；等方性液体相 Ｘｎ；未同定相 く式（Ｖ）化合物の合成〉 合成例１ （Ｒ）−１，２−エポキシノナンの合成ヨウ化第−銅１
．９（１（１０ｍ　ｍｏｌ）のエーテル７５ｄ！ｆ３濁
液を反応容器に入れ、これに窒素気流下−３０℃でヘキ
シルプロミド１２．３８（＋　（７５ｍ　ｍｏｌ　）と
マグネシウム２ｇ（８２，５ｍ　ｍｏｌ　）とからテト
ラヒドロフラン７５ｄ中で製造したグリニヤール試薬を
加え、３０分間撹拌した後同温度でＲ−エピクロロヒド
リン４．６３ｇ　（５０ｍ　ｍｏｌ、化学純度９８．５
％以上、光学純度９９％以上（［α］管＝−３４，０’
　、ｃ＝　１．２゜メタノール）〉のテトラヒドロフラ
ン−エーテル混合溶液（１：１）１００−を加えて２時
間撹拌した。反応終了後飽和塩化アンモニウム水１００
ｄを加えて室温に戻し、エーテルで抽出後飽和食塩水で
洗浄し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。

次いで減圧下で溶媒を留去し、残渣を減圧蒸留により精
製し下記化学式で示される（Ｒ）−クロロヒドリン体６
．２９（１（３５，２ｍｍ０Ｉ、収率７０％）を得た。

−１ ［α１甘　＋８．２０゜ ｂｐｅｏ〜６６℃ ＩＲｖｍａｘ ＮＭＲ（ＣＤＣ１３） δ：０．７〜１．８　　　（１５Ｈ，ｍ＞２．２　　　
　　　　　　　　（１ト１．　　ｂｒｄ）３．３〜３．
９（３目、ｍ） 上記（Ｒ）−クロロヒドリン体４．９９ｇと４８％苛性
ソーダ５０ｍの混合物を２時間撹拌下に還流させた。反
応終了後生成物をエーテルで抽出し、抽出物を精留して
（Ｒ）−１，２−エポキシ−ｎ−ノナン３．９７（］を
得た。

（ｎｅａｔ　） （１４ｍｍｌ１ｇ、　Ｋｕｇｅｌｒｏｈｒ　）（ｎｅａ
ｔ　）　　３３８０”’ ［α］菅　＋１０．８７゜ ＮＭＲ（ＣＤＣ１３） δ　：０．８８　　　　　　　　　　（３ト１．　ｔ　
〉１．２〜１．６　　　（１２日、ｍ） ２．４６　　　　　（１０，ｍ） ２．７４　　　　　（１０，ｍ） ２．９１　　　　　（１０，ｍ） 合成例２ Ｒ−メチルグリシジルエーテルの合成 撹拌流度させた硫酸０．９８（ｌ及びメタノール１００
ｄの溶液に合成例１で用いたのと同じ（Ｒ）−エピクロ
ロヒト１）ン２３．６６ｇ及びメタノール２０ｄの溶液
を２０分間かけて滴下し、そのままさらに２０分間撹拌
還流した。反応液を１０〜１５℃に冷却後、苛性カリ３
１ｇのメタノール溶液１５０−を滴下して１０分間撹拌
した。反応液を飽和食塩水に移し、塩化メチレンで生成
物を抽出し、これを精留（ｂｄ　１１０°Ｃ〉して（Ｒ
）−メチルグリシジルエーテル４．１４ＣＩを得た。

［α］習　＋６，４９°　（ｃ＝　１．０８６．　ＣＩ
−＋２　Ｃｂ　）ＮｔＶｔＲ（ＣＤα３〉 δ：２．６３　　　　　１目、ｄｄ） ２．８２　　　　　１１七ｍ〉 ３．１６　　　　　　１０．ｍ） ３．３４　　　　　　１１−１．　ｄｄ）３．４２　　
　　　　３０．Ｓ） ３、７１　　　　　　１０．ｄｄ） 合１戊例３ （Ｒ）又は（Ｓ）　−ｎ−へキシルグリシジルエーテル
の合成 ５０％苛性ソーダ４０ｇ、合成例１と同じ（Ｒ）〜エピ
クロロヒドリン２４ｇ及びテトラブチルアンモニウム硫
酸水素塩４００ｍｇの混合物を２０〜２５°Ｃに冷却し
なからｎ−ヘキサノール６−を滴下した。反応液をさら
に同温度で３時間撹拌の複水を加えて生成物をエーテル
で抽出した。抽出物を減圧下で粘沼することにより（Ｒ
）−ｎ−へキシルグリシジルエーテル３．３５（］を得
た。

［α］ｌｒ　　＋２．４８°　（ｃ＝　１．０４８．　
Ｃ目２Ｃ１２〉ｂｐ　　　５２°Ｃ／　４ｍｍｌｌｑ ＮＭＲ（ＣＤα３） δ：０．８９　　　　　　３０．ｍ） １．２〜１．４　　　　　６）−１，ｍ＞１．５８　　
　　　　２０．ｍ） ２．５８　　　　　１０．ｄｄ＞ ２．７７　　　　　１目、ｄｄ） ３．１２　　　　　　　　　　　１ト１．　ｍ）３．３
６　　　　　　　　　　　１ト１．ｄｄ＞３．４８　　
　　　　　　　　　　２ト１．　ｍ）３、７０　　　　
　１０．ｄｄ） 上記（Ｒ）−エピクロロヒドリンの代りに（Ｓ）−エピ
クロロヒドリン（化学純度９８．５％以上、光学純度９
９％以上（［α］背−＋３４．０°、　ｃ＝　１．２゜
メタノール）〉を用いた以外は同様にして（Ｓ）０−へ
キシルグリシジルエーテル３．２０（］を得た。

［α］Ｖ　　　　−２，４５°　　（ｃ＝　　１．００
５．　　ＣトＬＣｂ）合成例４ （Ｓ）−アリルグリシジルニーデルの合成撹拌速流ざぜ
た硫酸０．５（］及びアリルアルコール１００ｍ１の溶
液に合成例３と同じ（Ｓ）−エピクロ１］ヒドリン１９
．５４ｇ及びアリルアルコール２０ｄの溶液を２０分間
かけて滴下し、さらに２０分間撹拌還流した。反応液を
１０〜１５℃に冷却後、苛性カリ２５．２９のメタノー
ル溶液１３０ｄを滴下して１０分間撹拌した。反応液を
飽和食塩水に移し、塩化メチレンで生成物を抽出し、こ
れを精留して（Ｓ）−アリルグリシジルエーテル９．５
１ｇを得た。

［ＩＷ　　−９，２４°　（Ｃ＝　１．０７５．　ＣＨ
２Ｃ１２）ＮＣ１２）Ｎα３） δ：２．６１　　　　　（１０，ｄｄ＞２．８０　　　
　　（１０，１＞ ３．１６　　　　　（１日、ｍ） ３．４０　　　　　（什１．ｄｄ） ３．７３　　　　　（１０，ｄｄ） ４．０５　　　　　（１０，ｍ） ５．２０　　　　　（１０，ｄ＞ ５゜２９　　　　　　　　（１ト１．　ｄ）５．９１　
　　　　（１１−１，ｍ） 〈式（１）化合物の合成〉 合成例５ ４−　（４’　−ｎ−ヘプチル）−ビフェニル酢酸の合
成 ４−アセチル−４’　−ｎ−へブチルごフェニル１０．
８５（Ｊ、イオウ２．３６ｇをモルホリン２（７中で９
時間撹拌下に還流した。反応液に苛性ソーダ２９．５（
］、水８０７及びエタノール１０（７の溶液を加え９時
間撹拌した後、反応液を水に移して塩酸酸性にし析出し
た固体を濾別採取して粗生成物１３．５１（］を得た。

粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製
し目的物８．２９ｇを得た。

ｍｐ　　１５４〜１６２℃ ＩＲ（ヌジョール）　１７２４ｃｍ−１ＮＭＲ（ＣＤＣ
１３） δ：０．８８　　　　　３［七ｍ １．２〜１．４　　８０１ｍ １．６４　　　　　　２日９ｍ ２．６３　　　　　　２目、ｔ ３．８８　　　　　　２０．Ｓ ７．２３　　　　　　（２日、ｄ ７．３３　　　　　（２１」、　ｄ ７．４８　　　　　　　　　（２ト１．　ｄ　）７．５
４　　　　　　（２０，ｄ） 合成例６ ４−　（４’　−ｎ−ノニルオキシ）−ビフェニル酢酸
の合成 ４−アセチル−４′−〇−ノニルオキシビフェニル１０
．１４ｇ、イオウ１．５３６ｇをモルホリン２０ｄ中で
１５時間撹拌下に還流した。反応液に苛性ソーダ２５ｇ
、水６５蔵及びエタノール１００蔵の溶液を加え９時間
撹拌した後、反応液を水に移して塩酸酸性にし析出した
固体を濾別採取して粗生成物を得、これをシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーで精製して目的物１２．８４（
ｌを１ｑた。

ｍｐ　　１７５〜１７６℃ ＩＲ（ヌジョール）　１７０４ｃｍ−１ＮＭＲ（ＣＤＣ
１２３＞ δ：０．８９　　　　　　（３０，ｍ）１．２〜１．５
　　　（１２ｔｌ、　ｍ）１．８０　　　　　　（２目
、ｍ） ３．６９　　　　　　（２日、Ｓ） ３．９９　　　　　　（２０，１＞ ６．９５　　　　　　（２０，ｄ） ７．３３　　　　　　　　　　（２ト１．　ｄ　〉７．
４９　　　　　　（２日、ｄ＞ ７．５２　　　　　　（２０，ｄ） 合成例７ ４−（４’−ｎ−ブチルトランスシクロヘキシル）フェ
ニル酢酸の合成 ４−　（４’　−ｎ−ブチルトランスシクロヘキシル）
アセトフェノン５ｇ、イオウ１．２４（］をモルホリン
７．５１ｄ中で１１時間跪拝下に還流した。反応液に苛
性ソーダ１６．７ｇ、水４３．４ｄ及びエタノール６７
−の溶液を加え７時間撹拌した後、反応ｉを水に移し塩
ＩＩ性にして生成物をエーテルで抽出した。

抽出した粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーで精製して目的物３．３３（］を得た。

ｍ０７２〜７４°Ｃ ＩＲ（ヌジョール＞　１７１８ｃｍ−１ＮＭＲ（ＣＤα
３） δ：０．８〜１．５　　　（１４１−１，ｍ＞１．８６
　　　　　　（４目、ｍ） ２．４４　　　　　　（ＩＨ，ｔ） ３．５９　　　　　　（２０，Ｓ） ７．１７　　　　　　（４１−（、ｍ）〈式（１ｖ）化
合物の合成〉 合成例８ ２−　（４’−ノニルオキシ−４−ビフェニル）プロピ
オン酸の合成 ７８°Ｃに冷却したジイソプロピルアミン５０６ｍ（］
及びテトラヒドロフラン１０ｍ１の溶液に１５％ｎ−ブ
チルリチウムのヘキサン溶液３ｒｄを滴下し、徐々に温
度を０℃まで上昇させ３０分間撹拌した。この反応液に
合成例６で合成した４−（４’−ｎ−ノニルオキシ）−
ビフェニル酸１７０８ｍｇ及びテトラヒドロ７ラン８−
の溶液を滴下し１時間撹拌した。

反応液を一７８°Ｃに冷却しヨウ化メチル４２６ｍｇ及
びテトラヒドロフラン２蔵の溶液を滴下した。反応液の
温度を徐々に室温まで上昇させて６時間撹拌した複水を
加え、さらに塩酸酸性としクロロホルムで抽出して目的
物７３０ｍｇを得た。

ＮＭＲ（ＣＤＣ１３） δ：０．８９　　　　　　（３日、１＞１．２〜１．６
　　　（１２０，ｍ） １．５５　　　　　　３０．ｄ＞ １．８０　　　　　　２０．ｍ） ３、７９　　　　　　１０．ｑ） ３゜９９　　　　　２０．ｔ） ６．９５　　　　　　２０．ｄ） ７、３７　　　　　　２０．ｄ＞ ７．４〜７．６　　４０．ｍ） 実施例１ 一７８℃に冷却したジイソプロピルアミン１１３ｍｇ及
びテトラヒドロフラン２ｍｆｌの溶液に１５％ｎ−ブチ
ルリチウムのヘキサン溶液０．７ｍｉを滴下し、徐々に
温度を０℃まで上昇させ３０分間撹拌した。この反応液
に合成例６で合成した４−（４’−ｎ−ノニルオキシ）
−ビフェニル酸Ｍ　１７７ｍｇ及びテトラヒドロフラン
２ｍｌの溶液を滴下し１時間撹拌した。反応液を一７８
°Ｃに冷却し、合成例１で合成した（Ｒ＞−１，２−エ
ポキシノナン８５ｍｇ及びテトラヒドロフラン２ｄの溶
液を滴下した。反応液の温度を徐々に室温まで上昇させ
６時間撹拌した接水を加え、さらに塩Ｆ！！性としクロ
ロホルムで生成物を抽出した。抽出物に乾燥ベンビン及
び触媒量の硫酸を加え、ベンゼンを少しずつ流出させな
がら６時間加熱撹拌した。冷却後ベンゼンを減圧留去し
、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し
て下記化学式で示されるγ−ラクトン誘６体（２Ｒ，４
Ｒ）及び（２３，４Ｒ）をそれぞれ３５ｍ（Ｊ及び１０
４ｍｇ得た。

（２Ｒ，４Ｒ）体 相転移温度 Ｃ−１色とう１ １蔵コ％！　　　−５，４２°　（ｃ＝１．６６゜ＮＭ
Ｒ（ＣＤＣ１３） δ：０．８９　　　　　　（６０，ｍ）１．２〜１．９
　　　（２６０，ｍ） ＣトＬＣＪ！２） ２．０５　　　　　（１日、ｔｄ） ２．７４　　　　　（１目、ｄｄｄ ３．８８　　　　　（１日、ｄｄ） ３．９８　　　　　　（２１−１，ｔ）１４８　　　　
　（１０，ｍ） ６．９５　　　　　　（２０，ｄ） ７．３１　　　　　　（２０，ｄ） ７．４８　　　　　、（２０，ｄ） ７．５３　　　　　　　　　（２ト１．　ｄ　）ＩＲ（
ヌジョール）　１７５０ｃｍ−１（２８，４Ｒ）体 〉 相転移温度 ［α］甘　＋２９．３３°　（Ｃ＝０．９５．０口２Ｃ
１２〉ＮＭＲ（ＣＤＣ１３） δ　：０．８９　　　　　　　　　　（６ト１．　ｍ〉
１．２〜１．９　　　２６日、ｍ） ２．４１　　　　　　１０．ｄｄｄ） ２．５３　　　　　１日、ｄｔ） ３．９３　　　　　１０．ｄｄ） ３．９９　　　　　　２０，１） ４．６６　　　　　１日、ｍ） ６．９６　　　　　（２０，ｄ） ７．３２　　　　　　（２０，ｄ＞ ７．４８　　　　　　（２０，ｄ） ７．５３　　　　　　（２０，ｄ） ＩＲ（ヌジョール）　１７５０ｃｍ−１実施例２ 一７８°Ｃに冷却したジイソプロピルアミン３３９ｍｇ
及びテトラヒドロ７ラン６ｒｎｌの溶液に１５％ｎ−ブ
ヂルリチウムのヘキサン溶液２．１ｄを滴下し、徐々に
湿度を０℃まで上昇させ３０分間撹拌した。この反応液
に合成例６で台底した４　−（４’　−ｎノニルオキシ
〉−ビフェニル酢酸５３１ｍｇ及びテトラヒドロフラン
５蔵の溶液を滴下し１時間撹拌した。反応液を一７８℃
に冷却し、合成例３で台底した（Ｒ）−ｎ−へキシルグ
リシジルエーテル２５６ｍｇ及びテトラヒドロフラン１
ｍ１．の溶液を滴下した。

反応液の温度を徐々に室温まで上昇させ６時間撹拌した
接水を加え、さらに塩酸酸性としクロロホルムで生成物
を抽出した。抽出物に乾燥ベンビン及び触ｔｓ量の硫酸
を加え、ベンビンを少しずつ流出させながら６時間加熱
撹拌した、冷却後ベンゼンを減圧留去し、残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーで精製して下記化学式で
示されるＴ−ラクトン誘導体（２Ｒ，４３）及び（２Ｓ
、　４Ｓ）をそれぞれ２５９ｍ０及び２０７ｍａｉｌた
。

（２Ｒ，４３）休 り 相転移温度 ｃ　　９出≧）■ ［α］ｌ　　＋１．３６°　（Ｃ＝１．０［）。

ＮＭＲ（ＣＤＣ１＋　） Ｃト１２　ＣＵ２） δ：０．８９ １．２〜１．５ １．５８ １．７８ ２．３２ ２．６６ ３．５１ ３．６１ ３．７０ ３．８つ ３．９７ ４．６３ ６．９５ ７．２３ ７．４８ ７．５２ （２Ｓ、　４Ｓ）体 （６１−１，ｍ） （１８０，ｍ） （２０，ｍ＞ （２目、ｍ） （１ト（、ｔｄ） （１）−１，ｄｄｄ） （２０，１） （１０，ｄｄ） （ＩＮ、ｄｄ＞ １日、ｄｄ） ２１−１．ｔ） １日、ｍ＞ ２０、ｄ） ２ト１．　ｄ　） ２ト１．　ｄ　） ２０、ｄ） 相転移温度 ｃ６バと）■ ［α］ＩＦ　　＋２９．２７°　（ｃ＝１ｊ６．ＣＨ２
（１’２　）ＮＭＲ（ＣＤＣＪ！３） δ：０．８９　　　　　　（６０，ｍ）１．２〜１．５
　　　（１８０，ｍ） １．５８　　　　　　（２日、ｍ） １．７８　　　　　（２０，ｍ） ２．４７　　　　　（１日、ｄｔ） ２．６５　　　　　（ｌｌ七ｄｄｄ＞ ３．４９　　　　　　（２０，１） ３．５９　　　　　（１０，ｄｄ） ３．６８　　　　　（ＩＨ，ｄｄ＞ ３．９７　　　　　　（２目、１＞ ４．０６　　　　　（１０，１＞ ４．７２　　　　　（１０，ｍ） ６．９４．　　　　　（２０，ｄ） ７．３０　　　　　　　　　　（２ト１．　ｄ　〉７．
４８　　　　　　（２目、ｄ＞ ７．５２　　　　　（２０，ｄ＞ 実施例３ 一７８℃に冷却したジイソプロピルアミン５０５ｍｇ及
びテトラヒドロフラン１０ｄの溶液に１５％ｎ−ブチル
リチウムのヘキサン溶液３ｄを滴下し、徐々に温度を０
℃まで上昇させ３０分間撹拌した。この反応液に合成例
５で合成した４−（４’−ｎ−ヘプチル）−ビフェニル
酢酸７００ｍｇ及びテトラヒドロフラン６艷の溶液を滴
下し１時間撹拌した。反応液を一７８℃に冷却し、市販
の（Ｒ＞　−１，２−エポキシへブタン（［α］　ｖ＋
１５．０”　　（ｎｅａｔ）　）２６０ｍｇ及びテトラ
ヒドロフラン１ｄの溶液を滴下した。反応液の温度を徐
々に室温まで上昇ざｔ！６時間撹拌した接水を加え、さ
らに塩酸酸性としクロロホルムで生成物を抽出した。抽
出物に乾燥ベンゼン及び触媒量の硫酸を加え、ベンゼン
を少しずつ流出させながら６時間加熱撹拌した。冷却後
ベンゼンを減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーで精製して下記化学式で示されるγ−ラク
トン誘導体（２Ｒ，４Ｒ）及び（２３，４Ｒ）をそれぞ
れ３３０ｍｇ及び３８３ｍ（］得た。

（２Ｒ１ ４Ｒ）体 相転移温度 Ｃ−士バと）■ ［α］τ　−５，６６°　（ｃ＝　１．０８９゜ＮＭＲ
（ＣＤＣｂ　） δ：０．９０　　　　　　（６日、ｍ）１６２０〜１．
８５　　　　（１８ト１．　ｍ）２．０８　　　　　（
ＩＨ，ｄｔ） ２．６３　　　　　　（２０，１） ２．７８　　　　　　　　　　（１ト１．　ｍ）３．９
２　　　　　　　　（１口、　　ｄｄ）４．５１　　　
　　（１０，ｍ） ７．２５　　　　　　　　　（２ト１．　ｄ〉７．３４
　　　　　（２１−１，ｄ＞ ７．４９　　　　　（２目、ｄ） ７．５７　　　　　　　　　　（２ト１．　ｄ　〉Ｃ目
２α２） （２Ｓ。

４Ｒ）体 り 相転移温度 Ｃ９厄とン■ ［α］習　＋３３．４８°　（Ｃ＝　１．０２７゜ＮＭ
Ｒ（ＣＤ（１’３　） δ：０．９０　　　　　　６０．ｍ＞ １．２〜１．９　　　　　１８ト１．　ｍ）２．３５〜
２．６８　　　　　４Ｈ，ｍ＞３．９４　　　　　　　
　　　　１ト１．ｄｄ）４．６７　　　　　１０．ｍ） ７、２５　　　　　　２日、ｄ） ７．３４　　　　　　２０．ｄ＞ ７．４８　　　　　　２日、ｄ＞ ７、５７　　　　　　２０．ｄ） ＣトｈＣｂ） 実施例４ ７８°Ｃに冷却したジイソプロピルアミン５０５ｍｇ及
びテトラヒドロフラン１０ｄの溶液に１５％ｎ−ブチル
リチウムのヘキサン溶液３ｄを滴下し、徐々に温度を０
℃まで上昇させ３０分間撹拌した。この反応液に合成例
７で合成した４　−（４’　−ｎ−ブチルトランスシク
ロヘキシル〉フェニル酢酸６００ｍｇ及びテトラヒドロ
フラン３ｄの溶液を滴下し１時間撹拌した。反応液を一
７８°Ｃに冷却し、合成例４で合成した（Ｓ）−アリル
グリシジルエーテル２７５ｍｇ及びテトラヒドロフラン
１ｍ！！の溶液を滴下した。反応液の温度を徐々に室温
まで上昇さけ６時間撹拌した接水を加え、ざらに塩酸酸
性としクロロホルムで生成物を抽出した。抽出物に乾燥
ベンゼン及び触媒量の硫酸を加え、ベンビンを少しずつ
流出させながら６時間加熱撹拌した。冷却後ベンゼンを
減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーで精製して下記化学式で示されるγ−ラクトン誘導体
（２Ｓ、　４Ｒ）及び（２Ｒ２４Ｒ）をそれぞれ３２０
ｍｇ及び２４６ｍｇ４％た。

（２Ｓ。

４Ｒ）体 相転移温度 Ｃ１０二と）Ｉ ＥＣＸＥＩ　　−３，２２°　（ｃ＝　１．０３３ＮＭ
Ｒ（ＣＤα３） δ：０．８〜１．５　　（１４Ｈ，ｍ＞１．８８　　　
　　（４１七ｍ〉 ２．３０　　　　　（１０，ｄｔ） ２．４５　　　　　　　　　　（１ト１．　ｍ）２．６
８　　　　　（１０，ｍ） ３．６２〜３．７６（２０，ｍ） ３．８６　　　　　（１日、ｄｄ） ４．０９　　　　　（２Ｈ，ｍ＞ ４．６５　　　　　　　　　　（１ト１．　ｍ）５．２
２　　　　　（１１−１，ｍ＞ ５．３０　　　　　　　　　　（１Ｈ，ｍ＞５．９１　
　　　　（１１七ｍ） ０口２（１’２） ７．２０ （２Ｒ，４Ｒ）体 （ ４０゜ Ｓ） 相転移温度 ［α］菅　−４０，４２°　（ｃ＝　１．０２４゜ＮＭ
Ｒ（ＣＤＣｂ　） δ：０．８〜１．５　　　（１４目、ｍ）１．８６　　
　　　（４１１，ｍ＞ ２．３７〜２．５５（２０，ｍ） ２．６５　　　　　　（ＩＨ，ｍ） ３゜６０〜３．７６　　（２０，ｍ） ３．９５〜４．１（３ト１．　ｍ〉 ４．７５　　　　　（１０，ｍ） ５．２２　　　　　（１日、ｍ） ５．２９　　　　　（１０，ｍ） ５．９１　　　　　　（ＩＨ，ｍ＞ ７．１９　　　　　　（４０，ｓ） Ｃト１２　Ｃ１２） 実施例５ 一７８°Ｃに冷却したジイソプロピルアミン５０５ｍｇ
及びテトラヒドロ７ラン１０ｒｒＩｌの溶液に１５％ｎ
−ブチルリチ「クムのヘキサン溶液３ｄを滴下し、徐々
に温度をＯ’Ｃまで上昇させ３０分間境拌した。この反
応液に合成例７で合成した４　−（４’　−ｎ−ブチル
トランスシクロヘキシル）フェニル酢１６００ｍｇ及び
テトラヒドロ７ラン３ｄの溶液を滴下し１時間撹拌した
。反応液を一７８℃に冷却し、市販の（Ｒ）　−１，２
−エポキシトリデカン（［α］″ｇ＋９．８°　（ｎｅ
ａｔ）　＞　　４７７ｍａ及びテトラヒドロ７ラン１ｒ
ｄ！の溶液を滴下した。反応液の温度を徐々に室温まで
上昇させ６時間撹拌した接水を加え、ざらに塩酸酸性と
しクロロホルムで生成物を抽出した。抽出物に乾燥ベン
ゼン及び触媒量の硫酸を加え、ベンゼンを少しずつ流出
させながら６時間加熱撹拌した。冷却後ベンゼンを減圧
留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで
精製して下記化学式で示されるγ−ラクトン誘導体（２
Ｒ，４Ｒ）及び（２Ｓ、　４Ｒ）をそれぞれ３２０ＩＩ
ＩＧ及び３６７ｍｇ得た。

（２Ｒ，４Ｒ）体 相転移温度 Ｃ−エバと〉■ ［α］背　−３，５７°　（ｃ＝　１．０３５゜ＮＭＲ
（ＣＤＣＪ１３） δ：０．８〜１．９　　４１日、ｍ） ２．０２　　　　　１１−１．　ｄ　ｔ　）２．４５　
　　　　１日、ｍ） ２．７２　　　　　１０．ｍ） ３、８３　　　　　１０．ｄｄ） ４．４７　　　　　（１０，ｍ） γ、２０　　　　　　　　　　（４Ｈ，ｓ＞（２Ｓ、　
４Ｒ）休 Ｃトｈ　Ｃ１２） 相転移温度 ［α］ｉＦ　　　＋３１．０２°　　（ｃ＝　　１．０
３８゜ＮＭＲ（ＣＤα３） δ：０．８〜１．９　　　（４１０，ｍ）２６２８〜２
．５５　　　　（３Ｈ，ｍ＞３．８７　　　　　（１０
，ｄｄ） ４．６２　　　　　（１０，ｍ） ７．１９　　　　　　　　　（４ト１．　ｓ）Ｃト１２
Ｃ１２） 実施例６ ＝１８℃に冷却したジイソプロピルアミン５０５ｍｇ及
びテトラヒドロフラン１０７の溶液に１５％ｎ−ブチル
リチウムのヘキサン溶液３ｒｒＩｉを滴下し、徐々に温
度をＯ′Ｃまで上昇さ′ｔ！３０分間撹拌した。この反
応液に合成例５で合成し、た４　−（４’　−ｎ−ヘプ
チル）−ビフェニル酢酸７００ｍｇ及びテトラヒドロフ
ラン３ｍｉの溶液を滴下し１時間撹拌した。反応液を一
７８℃に冷却し、合成例２で合成した（Ｒ）−メチルグ
リシジルエーテル２１２ｍｇ及びテトラヒドロフラン１
ｍｌの溶液を滴下した。反応液の温度を徐々に室温まで
上昇させ６時間撹拌した接水を加え、ざらに塩Ｍ酸性と
しクロロホルムで生成物を抽出した。抽出物に乾燥ベン
ゼン及び触媒量の硫酸を加え、ベンビンを少しずつ流出
させながら６時間加熱撹拌した。冷却後ベンピンを減圧
留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで
精製して下記化学式で示されるγ−ラクトン誘導体（２
Ｒ，４Ｓ）及び（２３，４３）をそれぞれ１１３ｍｇ及
び２５５ｍｇ得た。

（２Ｒ，４Ｓ）体 り 相転移温度 Ｃ−ノ■≧う■ ［α］習　十〇、３５°　（ｃ＝１．０１゜ＮＭＲ（Ｃ
ＤＯ２３＞ δ：０．８Ｂ　　　　　　（３目、ｍ）Ｃトｈｃｆ２　
） １゜２〜１，４５ １．６５ ２．３４ ２．６〜２．８ ３．４６ ３．６７ ３．９４ ４．６７ ７．２５ ７．３６ ７．４９ ７．５８ （２８，４３）体 ８０、ｍ） ２目、ｍ） １０、ｄｔ） ３０、ｍ＞ ３ト１．５） ２０、ｍ＞ １０、ｄｄ） １０、ｍ＞ ２０、ｄ） （２日、ｄ） （２ト１．　ｄ　〉 （２０，ｄ） り 相転移温度 ｃ６パ≧ン■ ［αコ管　　千　３４．１０°　（Ｃ＝１．０１３　。

ＮＭＲ（ＣＤα３） ＣＦ＋２Ｃ之２　） δ：０．８８　　　　　　（３０，ｍ）１．２〜１．４
５（８ト１．　ｍ） １．６５　　　　　（２Ｈ，ｍ＞ ２．５２　　　　　（１０，ｄｔ） ２．５９〜２．７５（３目、ｍ） ３．４４　　　　　　（３０，Ｓ） ３．６５　　　　　　（２日、ｍ） ４．０８　　　　　（１１−１，ｔ） ４．７７　　　　　（１０，ｍ） ７．２４　　　　　　（２０，ｄ） ７．３３　　　　　　　　　（２ト１．　ｄ　）７．４
８　　　　　’（２０，ｄ） ７．５７　　　　　　　　　　（２ト１．　ｄ　〉実施
例７ 一７８℃に冷却したジイソプロピルアミン５０６ｍｇ及
びテトラヒドロフラン１０ｄの溶液に１５％ｎ−ブチル
リチウムのヘキサン溶液３ｍｌを滴下し、徐々に温度を
０℃まで上昇させ３０分間境拌した。この反応液に合成
例８で合成した２−（、４’　−ノニルオキシ−４−ビ
フェニル）プロピオン酸７３０ｍｇ及びテトラヒドロフ
ラン８ｄの溶液を滴下し１時間撹拌した。反応液を一７
８℃に冷却し、合成例１で合成した（Ｒ）−Ｌ２−■ポ
キシノナン３１２ｍａ及びテトラヒドロフラン１−の溶
液を滴下した。反応液の温度を徐々に室温まで上昇させ
６時間撹拌した復水を加え、さらに塩酸酸性としクロロ
ホルムで生成物を抽出した。抽出物に乾燥ベンゼン及び
触媒量のＵＡ酸を加え、ベンゼンを少しずつ流出させな
がら６時間加熱撹拌した。冷却後ベンゼンを減圧留去し
、残漬をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し
て下記化学式で示されるγ−ラクトン誘導体（２Ｒ，４
Ｒ）及び（２３，４１１＞をそれぞれ４０８ｍｇ及び２
８０ｍｇ得た。

（２Ｒ，４Ｒ）体 相転移温度 Ｃ−ノ旦≧うＩ ［α］管　＋１３．２４°　（ｃ＝１．０６゜０口２（
１’２） ＮＭＲ（ＣＤＣ１３ δ：０．８８ １．２〜１．７ １．６７ １．７９ ２．３３ ２．５０ ３．９９ ４．５７ ６．９６ ７．４５〜７．５５ （２３，４Ｒ）休 ） （６０，ｍ） （２４目、ｍ） （３ト１．　Ｓ） （２ｔ−１，ｍ） （１ト１．ｄｄ） （１ト１．ｄｄ） （２ト１．　　ｔ　） 〈１０．ｍ） （２ト１．　ｄ　） （６Ｆ！、　ｍ〉 相転移温度 ｃ　　７芯辷）Ｉ ［α］習　＋２５．１１°　（ｃ＝　１．０１７゜ＮＭ
Ｒ（ＣＤＣｂ　） δ：０．８８　　　　　　（６０，ｍ）ＣトｈＱ！２　
） １．１５〜１．７０　　２４Ｈ，ｍ＞ １．６１３１−１．　　ｓ） １．７８　　　　　　２０．ｍ） １．９９　　　　　　　　　　　１Ｈ，ｄｄ＞２．７７
　　　　　１１−１．　ｄｄ）３．９９　　　　　　２
０，１＞ ４．２４　　　　　１日、ｍ） ６．９６　　　　　　２１−１．　ｄ）７．３５〜７．
６０　　６１−１．　ｍ）実施例８ ７８°Ｃに冷却したジイソプロピルアミン５０５ｍｇ及
σア１〜ラヒドロフラン１（７の溶液に１５％ｎ−ブチ
ルリチウムのヘキサン溶液３ｍｌを滴下し、徐々に温Ｙ
ｆｉを０℃まで上昇させ３０分間境拌した。この反応液
に市販の４−オクチルオキシフェニル酢酸５９４ｍｇ及
びテトラヒドロフラン３Ｉｒ１１の溶液を滴下し１時間
撹拌した。反応液を一７８℃に冷却し、合成例１で合成
した（Ｒ）−１，２−エポキシノナン３２０ｍｇ及びテ
トラヒドロフラン１ｒｎｉの溶液を滴下した。反応液の
温度を徐々に室温まで上昇させ６時間撹拌した接水を加
え、ざらに塩酸酸性としクロロホルムで生成物を抽出し
た。抽出物に乾燥ベンゼン及び触媒量の硫酸を加え、ベ
ンピンを少しずつ流出させながら６時間加熱１ｊｌ拌し
た。冷却後ベンビンを減圧留去し、残渣をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーで精製して下記化学式で示され
るγ−ラクトン涜導体（２Ｒ，４Ｒ）及び（２Ｓ、　４
Ｒ）をそれぞれ２８９ｍｇ及び２８５ｍｇ得た。

（２Ｒ，’ＩＲ）体 り 相転移温度 ｃ７旦≧）■ ［α］管　−３，７２°　（Ｃ＝ ＮＭＲ（ＣＤα３） δ：０．８９ １．２〜１．９ １．９９ ２．７１ （６ト１．　ｍ） （２４０，ｍ） （１０，ｄｔ） （１０，ｄｄｄ） １．０１８゜ ０口５Ｃ１２） ３．８１ ３゜９４ ４．４６ ６．８８ ７．１８ （２Ｓ、　４Ｒ）体 １目、ｄ（１） ２０．１＞ １０、ｍ） ２０、ｄ） ２１−１．ｄ） 相転移温度 り ［α］菅　＋３４．２３゜ ＮＭＲ（ＣＤα３） δ：０１８９ １．２〜１．９ ２．３〜２．５５ ３．８５ ３．９４ （Ｃ＝１．ＯＯ。

６日、ｍ） ２４ト１．　ｍ） ２）−１，ｍ） １ト１．ｄｄ＞ ２Ｈ，ｔ） Ｃト１２　ｃｂ） ４．６１　　　　　（１０，ｍ＞ ６．８８　　　　　　（２日、ｄ） ７．１８　　　　　　（２＋−１，ｄ）実施例９ 一７８℃に冷却したジイソプロピルアミン５０５ｍｇ及
びテトラとドロフラン１（７！の溶液に１５％ｎ−ブチ
ルリチウムのヘキサン溶液３ｄを滴下し、徐々に温度を
０℃まで上昇させ１時間撹拌した。この反応液に合成例
５で合成した４−（４’−ｎ−ヘプチル〉−ビフェニル
酢ｉ’１６８２ｍ！１１及びテトラヒドロフラン３ｄの
溶液を滴下し１時間撹拌した。反応液を一７８℃に冷却
し、合成例３で合成した（Ｓ）ｎ−へキシルグリシジル
エーテル４４５ｍｇ及びテトラヒドロフラン１ｍｌの溶
液を滴下した。反応液の温度を徐々に室温まで上昇さぜ
６時間■Ｚ拌した接水を加え、ざらに塩酸酸性としクロ
ロボルムで生成物を抽出した。抽出物に９２燥ベンビン
及び触媒量の濃硫酸を加え、ベンゼンを少しずつ流出さ
せながら６時間加熱撹拌した。冷却後ベンゼンを減圧留
去し、残漬をシリカゲル力ラムクロマトグラフイーで精
製して下記化学式で示されるＴ−ラクトン誘導体（２Ｓ
、　４Ｒ）及び（２Ｒ，４Ｒ）をそれぞれ４０１ｍｇ及
び４６５ｍａ得た。

（２３，４Ｒ）体 ○ ０口２Ｃ１２〉 相転移温度 ｃ　　７迦と）Ｉ ［α］Ｗ　　−２，１７°　（ｃ＝１．０７゜ＮＭＲ（
ＣＤＣ１３） δ：０．８６〜０，９１ １．２９〜１８６１ ２．２８〜２．４２ ２．６１〜２．７６ ３．５２ ３．６１〜３．７５ ３．９２ ６１１、ｍ＞ １８０、ｍ） １０、ｍ＞ ３０、ｍ） ２０、ｔ、Ｊ＝６．６０日２〉 ２０、ｍ） １日、ｄｄ。

１２．０９トＩＺ） ４．６２〜４．６７（１目、ｍ） Ｊ＝９．１６目２゜ ７．２４ ７．３５ ７．４８ ７．５７ （２Ｒ，４Ｒ）体 （２０゜ （２０゜ （２０゜ （２目。

υ＝８．０６ＨＺ　） Ｊ＝８．４２０２） Ｊ＝８．４２目Ｚ） Ｊ＝８．０６目２） 相転移温度 Ｃ４バと）■ −３７，９５°　（Ｃ＝ ［α］習 ＮＭＲ（ＣＤα３ δ：０．８６〜０．９０ １．２９〜１，６０ ２．４５〜２．５７ ２．６１〜２，７４ ３．５１ ３．６０〜３．７５ ４．０９ ４．７４〜４．７８ ） １．００３．　　ＣＦＩＣｌｈ＞ （６日、ｍ） （１８０，ｍ） （１０，ｍ） ３Ｈ，ｍ＞ ２目、　　ｔ、　　Ｊ＝６．６８ト１ｚ）２目、ｍ） １１−１．　　ｔ、　Ｊ＝９．３５目Ｚ）１日、ｍ） ７．２４　　　　　　（２日、ｄ、Ｊ＝８．０６０Ｚ〉
７．３３　　　　（２目、ｄ、Ｊ＝８．４３Ｈ２）？、
４８　　　　　　（２０，ｄ、Ｊ＝８．４３目Ｚ〉７．
５７　　　　　　（２）−１，ｄ、　　Ｊ＝８．０６０
２〉実施例１０ 実施例１で得られた下記化学式で示されるγ−ラクトン
誘導体（２Ｒ，４Ｒ） と下記化学式で示される化合物 とを１　：　１９　（重量）の比率で混合して液晶組成
物を得た。この組成物について応答速度を測定した結果
、８５μｓｅｃ　　（３０℃）なる高速応答の結果が得
られた。なお、応答速度の測定は、上記組成物を配向剤
処理した厚さ２ｔ！！ｎのセルに封入し、直交ニコル下
Ｖｐ−ｐ　＝２０Ｖの電圧を印加したときの透過光強度
の変化より求めた。スペーサーとしてはＰＥＴフィルム
、配向剤としてはポリイミド膜、また電極としてはＩＴ
Ｏ電極を用い、ラビングは平行とした。

実施例１１ 実施例２で得られた下記化学式で示されるγ−ラクトン
誘導体（２３，４Ｓ） を用い、下記に示されるような割合で配合して強誘電性
液晶組成物を得た。この組成物について実施例１０と同
様な方法で応答速度を測定した。その結果、上記γ−ラ
クトン誘導体（２３，４Ｓ）は単独では強誘電性を示さ
ないが、他の液晶化合物と混合することにより強誘電性
が発現し、高速応答を示すことが判った。

液晶組成物 実施例２のＴ−ラクトン誘導体（２Ｓ、４３）重量％ ５．０ 相転移温度（’Ｃ） 応答速度　　　　　　　３２０ｔ！ｓｅｃ　　（４０’
Ｃ）（発明の効果〉 本発明に係る新規な液晶性化合物は、従来の液晶材料と
比較して熱、光に対する安定性がよく、化学的にも安定
であって強誘電性液晶として優れた性質を有し、応答速
度の著しく速い液晶材料を与える。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式（ I ）中Ｒ＾１及びＲ＾２はそれぞれ独立して炭
   素数１〜１５のアルキル基又は炭素数２〜１５のアルケ
   ニル基、Ａ及びＤはそれぞれ独立して単結合又は−Ｏ−
   、Ｂは単結合又は▲数式、化学式、表等があります▼、
   Ｚは単結合又は▲数式、化学式、表等があります▼及び
   ▲数式、化学式、表等があります▼より選ばれた 基、Ｙは水素原子又は−ＣＨ＿３を表わし、＊の符号は
   不斉炭素原子を表わす） で表わされる光学活性γ−ラクトン環を有する化合物。
2. （２）一般式（ I ）の化合物がラセミ体である請求項
   １記載の化合物。
3. （３）請求項１又は２記載の化合物の少なくとも１種を
   含有することを特徴とする液晶組成物。
4. （４）請求項３記載の液晶組成物を用いてなる電気光学
   素子。