JPH03172754A - 酸素センサ - Google Patents

酸素センサ

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JPH03172754A
JPH03172754A JP1311743A JP31174389A JPH03172754A JP H03172754 A JPH03172754 A JP H03172754A JP 1311743 A JP1311743 A JP 1311743A JP 31174389 A JP31174389 A JP 31174389A JP H03172754 A JPH03172754 A JP H03172754A
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JP
Japan
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partition wall
gas diffusion
diffusion hole
oxygen sensor
oxygen
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Pending
Application number
JP1311743A
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English (en)
Inventor
Hideo Yamamoto
秀男 山本
Takafumi Kashima
鹿島 孝文
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Fujikura Ltd
Original Assignee
Fujikura Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は、地下室の酸欠事故防1F、ボイラなどの燃
焼管理等に使用される限界電流式の酸素センサに関する
し従来の技術−j 近年、安定化ジルコニアからなる固体電解質を用いた限
界電流式の酸素センサが実用化されている。
この酸素センサは、第3図に示すように安定化ジルコニ
ア(例えば、Z ro v−8Y to 3)等のイオ
ン導電性を有する固体電解質により形成された薄厚なイ
オン導電体1と、このイオン導電体1の両面に設けられ
て、一定のセンサ監視電圧が印加される多孔質の白金電
極2A・2Bとを具備するものであって、前記イオン導
電体lの一方側に位置する白金電極2人上には、中央部
に上下に貫通する気体拡散孔3Aを有するセラミックキ
ャップ3が設けられている。
そして、このように構成された酸素センサでは、イオン
導電体l内において、酸素ポンピング作用により、気体
拡散孔3Aから取り込まれた酸素がイオンとなって流れ
、このイオン電流の電流値から周囲の酸素濃度が測定さ
れるようになっている。
また、前記イオン導電体l上にセラミックキャップ3で
はなく、第4図に示すようにセラミ、り粉体4を設け、
更に、該セラミック粉体4の外側に、該セラミック粉体
4の全体を覆うガラス封止材5を設けた形式の酸素セン
サも知られている。
そして、この形式の酸素センサでは、符号11\で示す
気体拡散孔をイオン導電体lの側に設け、この気体拡散
孔IAを通じて、図中下方側より周囲の酸素を取り込む
ようにしている。
「発明が解決しようとする課題」 ところで、上記のような酸素センサては、気体拡孔3A
あるいはIAが外部に対して直接開口するように配置さ
れているので、大気中の微細なタストが、気体拡散孔3
AあるいはIAに吸引され、かつこれら気体拡散孔3あ
るいはIA内に付着する場合がある。
これにより、酸素センサの長時間の使用によりセンサ出
力が徐々に低下し、正確な酸素濃度の制定に支障をきた
す場合かあった。
この発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって
、気体拡散孔内にダストが侵入することを防止して、長
期使用による出力低下を未然に防止できる酸素センサの
提供を目的とする。
「課題を解決するための手段J 上記の目的を達成するために、イオン3J、電体の各面
に所定の電圧が印加される電極を設け、気体拡散孔を通
じて取り込んだ試料ガス中の酸素が、酸素ポンピング作
用により固体電解質中をイオンとなって流れ、このイオ
ン電流の電流値から周囲の酸素濃度がal11定される
酸素センサにおいて、1);1配気体拡散孔の試料ガス
の取り込み口に、内側に空間部を有する多孔質な隔壁を
設けるようにしている。
「作用J この発明によれば、気体拡散孔の試料ガスの取り込み口
に、内側に空間部を有する通気性のある隔壁を設けたの
で、外部からダストが侵入ずろことを防止できる。
また、前記隔壁の内側に形成された空間部により、試料
ガスの取り込み範囲が広く確保され、該隔壁の孔にダス
トが詰まった場合であっても1.咳隔壁の一部が目詰ま
りするだけで済み、気体拡1;、:。
孔を通じて取り込まれる試料ガスの取り込み量に影響を
与えない。
「実施例J まず、本発明の実施例を第1図(Δ)及び第2図を参照
して説明する。
第1図(A)は酸素センサの全体概略構成図であって、
この図に符号lOで示すものは、安定化ンルコニア(例
えば、Z ro 、−8Y 20 、)等の固体電解質
により薄厚に形成されたイオン導電体である。
また、符号11−12でそれぞれ示すものは所定電圧が
印加され、かつ前記イオン導電体10に拡散律速を生じ
させる多孔質なカソード電極及びアノード電極である。
なお、これら多孔質なカソード電極11及びアノード電
極12は、前記イオン導電体10の表面に有機バインダ
を含有した白金ペーストを印刷し、これを焼成すること
により得られる。
また、符号13で示すものは、前記イオン導電体10の
一方側に位置するカソード電極1】」二に設けられたセ
ラミック牛ヤソブである。このセラミックキャップ13
は、上下に向けて気体拡散孔13Aが形成されたもので
あって、ガラスによりイオン導電体10上に接合されて
いる。このセラミックキャップ13には、図示しないヒ
ータか設けられ、このヒータから発生する熱により酸素
センサの結露を防止し、かつレスポンスを良’JT ニ
保つようにしている。
また、符号14で示すものは、前記セラミ、クキャノプ
13上に配置され、かつ気体拡散孔13Aの試料ガス取
り込み口を上方から全体的に覆う隔壁である。
この隔壁14は、図に示すようにセラミックキャップ1
3との間に空間部15を有しかつ全体形状がドーム状に
形成された、通気性のある多孔質体な焼結体であって、
周囲から取り込む試料ガスの中に含有されるダストを除
去する機能をffシている。
また、この隔壁14は、前記セラミック粉体。
プ13の気体拡散孔13A上に、カーボンやその他の有
機物を半球形状となるように塗布し、更に、その上に有
機バインダを含有するペースト(後述する)を塗布した
後、700〜1400°Cの範囲で焼成することにより
得られるものである。
なお、この焼成により、前記半球形状に塗布されたカー
ボンその他の有機物、及び前記ペーストに含有された有
機バインダはガス化し、これにより、空間部15と多孔
質な隔壁14とか得られるようになっている。また、空
間部15の容積は、隔壁14を構成する焼結体の強度と
、孔を詰まらせることなく有効に外気を取り込むために
必要な隔壁14の大きさとの関係に基づき決定される。
次に、前記隔壁14の具体的な製造方法(−)〜(四)
、及び前記隔壁14を設置したことによるセンサ出力の
変化について説明する。
まず、前記隔壁14の製造方法について説明すると、 (−)前記隔壁14の材料にセラミックを使用する、前
記セラミックキャップ13上に気体拡散孔13Aを覆う
ようにシアノアクリレート系の接着剤、あるいはカーボ
ンパウダーなどを塗布する。
次に、前記接着剤あるいはカーボンパウダー上に、全体
を覆うようにセラミックペーストを塗布した後、120
0〜1400°Cの範囲の温度で焼成して、前記接着剤
、カーボンパウダーとともにセラミックペーストに含有
される有機バインダ(後述する)をガス化し、これによ
って空間部15とセラミックにより形成された多孔質な
隔壁14とを同時に得る。
なお、このセラミックペーストとしては、例えば、各粒
径が0.1〜10μmのA (1’t O3粉体を80
wt%、Sin、粉体を10wt%、CaO粉体を10
wt%の割合で混合し、これにニトロセルロース等の有
機バインダを添加してなるものが使用される。
(ニ)前記隔壁14の材料にガラスを使用する、前記(
−)で使用したセラミックペーストに替えて、以下の成
分のペーストを使用する。
このペーストは各粒径が0.1〜10μm ノA (1
,03粉体を8ht%、ガラス粉体を20wt%の割合
で混合し、これにニトロセルロース等の有機バインダを
添加してなるものである。なお、前記ガラスの主な成分
は、BaOが20wt%、S iO2か45vt%、B
03か2wt%、CaOが10wt%、pboが15w
t%であり、また、その線膨張係数はアルミナの線膨張
係数に近い78X10−’/’Cである。
なお、上記成分に示すような材料を使用した場合には、
その焼成温度を700〜1000℃の範囲に設定するこ
とが好ましい。
(三)前記隔壁14の材料に一部金属を使用する、前記
(−)で使用したセラミ、クペーストに替えて、以下の
成分のペーストを使用する。
このペーストは粒径が0.1〜10μmのA (ho 
J)体を80wL%、粒径が0.1−0.5μmのpt
粉末を20wt%の割合で混合し、これにニトロセルロ
ース等の有機バインダを添加してなるものである。
なお、上記成分に示すような材料を使用した場合には、
その焼成温度を700〜1400°Cの範囲に設定する
ことが好ましい。
(四)前記隔壁14の材料に金属のみを使用する、前記
(−)で使用したセラミックペーストに替えて、以下の
成分のペーストを使用する。
このペーストは、粒径が5〜20μmのpt粉末を80
wt%、粒径が0.1−0.5μmのPt粉末を20w
t%の割合で混合し、これにニトロセルロース等の有機
バインダを添加してなるものである。
なお、上記成分に示すような材料を使用した場合には、
その焼成温度を700〜1400°Cの範囲に設定する
ことが好ましい。
以上説明したように気体拡散孔13Aの試料ガス取り込
み口に、内側に空間部15を有する隔壁14を設けたの
で、外部から気体拡散孔13A内にダストが侵入するこ
とが防止され、これにより酸素センサを長期に亙って使
用した際のセンサ出力の低下が防止される。
このことを第2図に示す実験結果により確認すると、こ
の実験結果によれば、スタート時、3000時間経過時
、6000時間経過時、10000時間経過時と使用が
長期に亙る場合(作動温度を450°Cに設定)に、従
来の技術の第3図に示す標準の酸素センサ「A」、及び
空間部15を有さない隔壁が設けられた酸素センサ「C
」では、使用時間とともにセンサ出力が徐々に低下して
ゆくことか確認された。 これに対して、本発明として
示した、内側に空間部15を有する隔壁14か設けられ
た酸素センサて「I3」では、その使用か長期に亙る場
合であってもセンサ出力の低下は認められず、良好な出
力特性が得られることが確認された。
なお、前記酸素センサCを実験した結束に示されるよう
に、隔壁14か多孔質体により形成されていた場合であ
っても、その内側に空間部15か形成されていないと、
隔壁14を通じての試料ガスの取り込み範囲が狭いもの
となり、隔壁)4に形成された孔にタストが詰まった場
合に、気体拡散孔13Aを通じての試料ガスの取り込み
に直接支障をきたすことになり、その結果、出力特性が
悪くなると考えられる。
なお、上記実施例では、セラミックキャップ13の上面
に半球状の空間部15を内部に有する隔壁14を設ける
ようにしたが、これに限定されず、第1図(B)に示す
ように断面形状が四角の空間部16を有する隔壁17を
設けるようにしても良い。
また、前記ドーム状の隔壁14を、第1図<C>に示す
ようなセラミック粉体18と該セラミック粉体18の全
体を勺うガラス封止材19とがイオン導電体10の上面
に設けられた形成の酸素センサ(つまり第4図に示す酸
素センサ)に適用しても良い。そして、この場合、気体
拡散孔+OAによる試料ガスの取り込み口は図中下側に
あるので、前記隔壁14はイオン導電体10の下部に位
置することになる。なお、これら第1図(B)及び第1
図(C)に示す酸素センサについては、第1図(、〜)
に示す酸素センサと同様の作用効果が得られる。
「発明の効果」 以上詳細に説明したように、この発明によれば、気体拡
散孔の試料ガスの取り込み口に、内側に空間部を有する
通気性のある隔壁を設けたので、外部から気体拡散孔内
にタストが侵入することを防止でき、これにより酸素セ
ンサを長期に亙って使用した際のセンサ出力の低下を未
然に防止することができる。
また、前記隔壁の内側に形成された空間部により、試料
ガスの取り込み範囲か広(確保され、これによって該隔
壁の孔にタストか詰まった場合であっても、該隔壁の一
部が目詰まりするたけで済む、つまり、気体拡散孔を通
じての試料ガスを常時円滑に取り込むことかでき、セン
サ出力を常時安定に維持することかできる。
【図面の簡単な説明】
第1図(Δ)〜第2図は本発明の一実施例を示す図であ
って、第1図(A)〜第1図(C)は酸素センサの全体
を示す正断面図、第2図は酸素センサの長期使用による
出力変化を示すグラフ、第3図及び第4図は従来の酸素
センサを示す正断面図である。 IO・・・・・・イオン導電体、l0A−13A・・・
気体拡散孔、11−12・ ・・電極、13・・・・セ
ラミックキャップ、14・17・・・・・・隔壁、15
・16・・・・空間部。 第1図(A)    第1図(B) 第1図(C)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 イオン導電体の各面に所定の電圧が印加される電極を設
    け、気体拡散孔を通じて取り込んだ試料ガス中の酸素が
    、酸素ポンピング作用により固体電解質中をイオンとな
    って流れ、このイオン電流の電流値から周囲の酸素濃度
    が測定される酸素センサにおいて、 前記気体拡散孔の試料ガスの取り込み口には、内側に空
    間部を有する通気性のある隔壁が設けられていることを
    特徴とする酸素センサ。
JP1311743A 1989-11-30 1989-11-30 酸素センサ Pending JPH03172754A (ja)

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JP1311743A JPH03172754A (ja) 1989-11-30 1989-11-30 酸素センサ

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