JPH03171621A - 多層膜構造の半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野〕 この発明は、一般に多層膜構造を有する半導体装置に関
するものであり、より特定的には、金属配線膜の良好な
被覆性を呈するコンタクトホールを与えるように改良さ
れた、多層膜構造を有する半導体装置に関する。この発
明は、さらに、そのような多層膜構造を有する半導体装
置の製造方法に関する。

［従来の技術］ 最近、半導体装置の高集積化には目覚ましいものがあり
、この高集積化のために、多層膜中にコンタクトホール
を形成する技術が要求されている。

第４図は、多層膜を有する従来のダイナミックランダム
アクセスメモリ（ＤＲＡＭ）の断面図である。ＤＲＡＭ
は、Ｐ型の半導体基板１を備えている。半導体基板１の
主表面には、素子領域を分離するための分離酸化Ｍ２が
形成されている。図示のＤＲＡＭは、基本的に、トラン
ジスタとスタックドキャパシタとを備える。トランジス
タは、半導体基板１の主表一に形成されたｎ型のソース
／ドレイン領域３と、半導体基板１上に設けられたトラ
ンスファゲート酸化膜４と、トランスファゲート５を含
む。一方、スタックドキャパシタは、ストレージノード
６と、該ストレージノード６上に設けられたキャパシタ
誘電体膜７と、キャパシタ誘電体膜７の上に設けられた
セルプレート電極８とを含む。ストレージノード６とト
ランスファゲート５とは、これらの間に設けられた第１
の層間絶縁模りによって分離されている。第１の層間絶
縁膜９はたとえばシリコン酸化膜で形成され、キャパシ
タ誘電体膜７は、たとえばシリコン窒化膜で形成される
。

トランジスタとスタックドキャパシタを含む半導体基板
１の表面全面に第２の層間絶縁膜１０が設けられている
。第２の層間絶縁膜１０には、ソース／ドレイン領域３
に通じるコンタクトホール１ｌが設けられている。コン
タクトホール１１を介してビット線１２が、ソース／ド
レイン領域３に接続されている。ビット線１２の上には
、第３のｊφ間絶縁膜１３が設けられる。第３の層間絶
縁膜１３の上には、トランスファゲート５に信号を運ぶ
ためのＡＭ配線１４が形成されている。Ａ（配線１４は
Ａｌｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金で、スパッタ法で形成される。

以上のように構成されているＤＲＡＭは、ワード線が選
択されて、トランスファゲート５に所’Ｍの電位が印加
されることによって、ソース／ドレイン領域３．３間を
導通させて、読出／書込動作を行なう。

次に、ＡＱ配線１４とトランスファゲート５とのコンタ
クト部構造について説明する。

第５図は、ＡＱ．配線とトランスファゲートとのコンタ
クト部の従来の構造の断面図である。このようなコンタ
クト部は、第４図に示す断面図において、紙面の前方ま
たは後方に存在する。

第５図を参照して、トランスファゲート５の上に、第１
の層間絶縁膜９、キャパシタ誘電体膜７の延長部分７ａ
および第２の層間絶縁膜１０からなる多層膜１５が形成
されている。多層膜１５にはコンタクトホール１６が形
成され、このコンタクトホール１６を介して、Ａ（配線
１４がトランスファゲート５に接続されている。このＡ
ｆｌ配線１４は、前述したとおり゜、スバッタ法で形威
される。

［発明が１１決しようとする課題］ さて、第４図を参照して、コンタクトホール１１を介し
てビット線１２をソース／ドレイン領域３に接続すると
きには、コンタクトホール１１中にポリシリコンがＣＶ
Ｄ法により埋込まれる。ＣＶＤ法は、コンタクトホール
１１の側壁面に対して波田性が良いので、この場合には
何ら問題はない。

しかしながら、第５図を参照して、コンタクトホール１
６を介してＡＱ．配線１４をトランスファゲート５に接
続するときは、コンタクトホール１６中に、Ａｌｌ−Ｓ
ｔ−Ｃｕ合金がスパッタ法によって埋込まれる。このス
バッタ法は、コンタクトホール１６の側壁面に対して、
被覆性が良くないので、以下に述べる問題点が１しる。

その問題点を図面を参照しながら説明する。

第６Ａ図〜第６Ｄ図、は、多層膜中にコンタクトホール
を形成する、従来の工程図であり、断面図で表わされて
いる。

第６Ａ図を参照して、基板１７上に多層膜１５が形成さ
れる。多層膜１５は、下層膜１８、中間膜１９および上
層膜２０を含む。基板１７は、たとえばシリコン基板、
あるいは配線（多結晶シリコン、Ａｍ合金等）である。

下層膜１８は、層間絶縁膜たとえばシリコン酸化膜であ
る。中間膜１９は、キャパシタ誘電体膜の延長部たとえ
ばシリコン窒化膜である。上層膜２０は、層間絶縁膜た
とえばシリコン酸化膜である。

次に、第６Ｂ図を参照して、多層膜１５の上にレジスト
膜２１を形成する。その後、コンタクトホールを形成す
べき部分に開口部ができるように、レジスト膜２１をパ
ターニングする。その後、レジスト膜２１をマスクにし
て、基板１７の表面が露出するまで、下層膜１８、中間
膜１９および上層膜２０からなる多雇膜１５をエッチン
グし、それによってコンタクトホール２２を形成する。

コンタクトホール２２の形成は、通常、異方性の強いプ
ラズマエッチングにより、上層膜２０、中間膜１つおよ
び下層膜１８を一気にエッチングすることによって、行
なわれる。異方性を強くすることにより、シリコン酸化
膜（１８．２０）とシリコン窒化膜（１つ）とのエッチ
ングの選択性は低下し、平滑なエッチング面が得られる
。その後、レジスト膜２１を除去する。

レジスト膜２１を除去した後に、第６Ｃ図を参照して、
基板１７を薄いフッ酸またはフッ化アンモニウム水溶液
に短時間浸漬することによって、址板１７の表面に７ｊ
在する数１０Ａ程度の極薄い自然酸化膜の除去を行なう
。この自然酸化膜の除去処理は、基板１７と後に形成さ
れるＡｉ配線との接合のオーミック性を高めるために、
必須の工捏である。しかしながら、湿式による自然酸化
膜の除央処理は化学的なエッチングであるため、エッチ
ングの選択性が高い。そのため、シリコン酸化膜（１８
．２０）はエッチングされ、一方、シリコン窒化膜（１
つ）はエッチングされない、という現象が発生し、図の
ように、コンタクトホール２２の側壁面において、シリ
コン窒化膜１９の庇状の突起ＩＱａが牛成する。このよ
うな庇状の突起１９ａが存花したまま、／ｌ合金等のＡ
ｆＬ配線１４をスパッタ法により形成すると、第６Ｄ図
を参照して、／ｌ配線１４が庇状の突起１９ａの下に回
り込まなくなる。その結果、コンタクトホール２２の側
壁面において、ＡｆＬ配線１４の被覆性が極端に悪化し
、ひどい場合には、図のように、中間膜１９（シリコン
窒化膜）を境にして、Ａ（配線１４が断線し、導通不良
となる。また、断線までいかない場合でも、庇状の突起
１９ａの部分において、Ａｌｌ配線１４の膜厚が薄くな
り、信頼性上問題となる。

また、従来の方法では、コンタクトホールを形成ずると
きにも、問題点が生じる場合がある。

第７Ａ図〜第７Ｅ図は、ウエットエッチングと異方性エ
ッチングをｆＪＦ用して、多層膜中にコンタクトホール
を形成する方法の工程図である。

第７Ａ図を参照して、基板１７上に、多層膜１５が形成
される。多層膜１５は、下層膜１８、中間膜１９および
上層膜２０からなる。下層１１ｇおよび上層［２０は、
たとえばシリコン酸化膜である。中間膜１９は、シリコ
ン窒化膜である。

次に、昂７Ｂ図を参照して、多層膜１５の上にレジスト
膜２１を形成する。次に、コンタクトホールを形成すべ
き部分に開口部ができるように、レジスト膜２１をパタ
ーニングする。次に、レジスト膜２１をマスクにして、
フッ化水素系のエッチング液で、多層膜１−５の等方性
のウエットエッチングを行う。コンタクトホール形成時
に、ウエットエッチングをＯＦ用するのは、コンタクト
ホールの上端部をテーパ形状にするためである。しかし
ながら、このウエッ１・エッチングは、化学的エッチン
グであるため、エッチングの選択性が高い。

そのため、シリコン酸化膜（１８．２０）はエッチング
され、一方、シリコン窒化膜（１つ）はエッチングされ
ないという現象が起こり、図のように、シリコン窒化膜
１９の庇状の突起１９ａが生或する。次に、第７Ｃ図を
参照して、レジスト膜２１をマスクにして、異方性のプ
ラズマエッチングを行なうことによって、基板１７に達
するコンタクトホール２２を形成する。

その後、第７Ｄ図を参照して、レジスト膜２１を除去す
ると、シリコン窒化膜１９の庇状の突起１９ａがコンタ
クトホール２２の側壁面に突出した、コンタクトホール
２２が得られる。

このような庇状の突起１９ａが存在したまま、ＡＱ．合
金等の／ｌ配線１４をスバッタ法により形成すると、図
のように、，７１配線１４が庇状の突起１９ａの下に回
り込まなくなる。その結果、コンタクトホール２２の側
壁面において、ＡＱ配線１４の被覆性が極端に悪化し、
ひどい場合には、図のように、シリコン窒化膜（１９）
を境にして、Ａｉ配線１４が断線し、導通不良となる。

また、断線までもいかない場合でも、庇状の突起１９ａ
の部分において、Ａｉ配線１４の膜厚が薄くなり、信頼
性上問題となる。

また、上記火施例では、中間膜が庇状の突起ととして、
コンタクトホールの壁面から突出する場合を例示したが
、第８図を参照して、中間膜１９に、ボーラスなスピン
オングラスＭ　（ＳＯＧ膜）を用いた場合には、Ａｆｌ
配線を形成する前のエッチング（自然酸化膜除去のため
のエッチング）により、中間膜１つが、コンタクトホー
ル２２の壁曲から後追し、コンタクトホール２２の側壁
に窪み状の？７１　１　９　ｂが坐じるという現象が坐
じる。このような窪み状の溝１９ｂを残したまま、Ａｍ
配線１４をスバッタ法により形成すると、図のようにＡ
Ｑ配線１４の断線が生じる。なお、第８図において、参
照番号１４．１７．１８，２０．２２で示す部材または
要素は、第６Ｄ図で説明したものと全く同一であるので
、ここではその説明を繰返さない。

上述した、コンタクトホール内におけるＡｕ配線の断線
という問題は、半導体装置の微細化に伴う膜の多層化お
よびコンタクトホールのアスペクト比の増人に１＋う金
属配線膜の被覆性の悪化等によって、今後ますます深刻
な問題となる。

上述のような問題点を解決するために、特開昭６４−５
７７１７号公報は、コンタクトホールの側聖面を、多桔
晶シリコン膜で保護する技術を開ボしている。

すなわち、第９図を参照して、基板１７の上に多層膜１
５が形成されている。多層膜１５は上層膜２３と下層膜
２４とからなる。多層膜ｌ５には、基板１７に通じるコ
ンタクトホール２２が形威されている。コンタクトホー
ル２２の側壁面を覆うように、ポリシリコン膜２５が杉
成されている。

このように構成することにより、上述した庇状の突起お
よび窪み状の溝の発生は防止される。しかしながら、こ
の方法には、以下の問題点があった。

すなわち、多層膜１５をエッチングしてコンタクトホー
ル２２を形成するときに、基板１７の表面がエッチング
ｎ．’Ｉの衝撃を受ける。さらに、ポリシリコン２５を
コンタクトホール２２の側聖面に）］二成するために、
基板１７の表面がもう一度、エッチング特の衝撃を受け
る。２回も越板１７の表面が衝撃を受けるので、基板１
７が損傷を受け、リーク電流が発生するという問題点が
あった。

また、コンタクトホール２２の底に多結晶シリコン膜が
残り、Ａｍ配線１４と基板１７とのオーミックな接合が
とれないという問題点があった。

さらに、この方法では、基板１７上に多粘晶シリコン膜
をＣＶＤ法により堆積し、これをドライエッチングして
、ポリシリコン膜２５をコンタクトホール２２の側壁面
に形成する。このドライエッチング時に、ポリシリコン
の破片が異物となって飛散し、半導体装置のいたる所に
付着し、配線間のショートの原因になるという問題点が
あった。

それゆえに、この発明の目的は、金属配線の良好な披覆
性を呈するコンタクトホールを与える、ように改良され
た多層膜構造の半導体装置を堤供することにある。

この発明のさらに他の目的は、金属配線の良好な被覆性
を呈するコンタクトホールを有する、多層膜構造の半導
体装置を製造する方法を堤供することにある。

［課題を角ｔ決するための手段］ 上記目的を達成するために、この発明に従う半導体装置
は、基板と金域配線膜とのコンタクトをとるためのコン
タクトホールが形成される、予定の部分をＨする多雇膜
構造の半導体装置に係るものである。当該半導体装置は
、Ｕ板と、上記基板の上に設けられた下層膜とを、備え
ている。上記下層膜には、上記コンタクトホールが形成
される予定の部分に、該コンタクトホールの径よりも大
きい径をＨする開口部が設けられている。当該半導体装
置は、さらに、上記開口部を含む上記下層膜の上に設け
られた上層膜を備えている。

この発明に従う多層膜構造の半導体装置の好ましい丈施
態様によれば、旦板と、上記基板の上に段けられた下層
膜と、上記下層膜の上に設けられた中間膜と、を備えて
いる。上記中間膜には、上記コンタクトホールが形成さ
れるｒ定の部分に、該コンタクトホールの径よりも大き
い径を有する開目部が設けられている。当該半導体装置
は、さらに、上記開目部を含む上記中間膜の上に設けら
れた上層膜を備えている。

この発明の他の局内に従う半導体装置の製造方広は、基
板と金属配線膜とのコンタクトをとるためのコンタクト
ホールを有する、多層膜構造の半導体装置の製遣方法に
係るものである。まず、話板の上に下層膜が形成される
。次に、上記下層膜の、上記コンタクトホールが形威さ
れる予定の部分に、該コンタクトホールの径よりも大き
い径を有する開口部が形成される。その後、上記開口部
を含む上記下層膜の上に上層膜が形成される。その後、
上記上層膜に上記基板に通じるコンタクトホールが形成
される。

この発明の他の局−に従う゛１′−導体装置の製造方法
の好ましい実施態桟によれば、まず基板の上にド層膜が
形成される。次に上記下層膜の上に中間膜が形成される
。その後、上記中間膜の、上記コンタクトホールが形成
される予定の部分に、該コンタクｉ・ホールの径よりも
大きい径をＨする開口部が形成される。次に、上記開口
部を含む上記中間膜の上に上層膜が形成される。その後
、上記上１ω膜および上記下層膜に、上記話板に通じる
コンタク］・ホールが形成される。

［作用］ この発明に従う、多層膜購遣の半導体装置によれば、下
層膜と上層膜とを備え、上記下層膜の、コンタクトホー
ルが形成される予定の部分に、該コンタクトホールの径
よりも大きい径を有する開一部が設けられている。それ
ゆえに、上層膜およびド層膜を含む多層膜にコンタクト
ホールを形成したときでも、下層膜はコンタクトホール
の側壁１１ｉから内方に後退しており、コンタクトホー
ルの側聖而に露出しない。その粘果、その後、たとえば
コンタクトホールの底聖部分に生じたｎ然酸化膜をエッ
チング液で除失する操作を行なっても、コンタクトホー
ルの側壁に庇状の突起が生じたり、窪み状の満が生じた
りすることはない。

また、基板に通じるコンタクトホールを形成するための
エッチング（コンタクトホールの底壁を叩くエッチング
）は１回だけ行なえばよいので、県板にり．えるダメー
ジは少ない。

この允明の他のＮｉｆｊに従う、コンタクトホールをＨ
する多肋膜構造の半導体装置の製造方法によれば、下層
膜と上層膜を含む多層膜にコンタクトホールを形成して
も、下層膜はコンタクトホールの側壁面から内万に後退
しており、該コンタクトホールの側壁面に露出しない。

それゆえに、たとえば、コンタクトホールの底壁部分に
生じた自然酸化膜をエッチング液で除去する操作を行な
っても、コンタクトホールの側壁に突起が生じたり、窪
み状の満が生じたりすることはない。その結果、金属配
線の良好な披ｍ性を呈するコンタクトホールが形成され
る。

［丈施例］ 以ド、この発明の丈施例を図について説明する。

第１図は、本発明の一実施例に係る、多層膜構遣をｆｉ
する半導体装置のコンタクト部の断面図である。第１図
を参照して、基板ｌ７の上に下層膜１８が設けられてい
る。基板１７は、たとえばシリコン話板あるいは配線（
多結晶シリコン、Ａ（合金′：Ｓ）である。下層膜１８
は、層間絶縁膜たとえばシリコン酸化膜である。

下層膜１８の上に中間膜１９が設けられている。

中間膜１９は、たとえばシリコン窒化膜である。

中間膜１９には、コンタク］・ホールが形成される予定
の部分に、該コンタクトホールの径よりも大きい径を有
する開口部１９ａが設けられている。

開一部１９ａを含む中間膜１９の上に上層膜２０が設け
られている。上層膜２Ｕは、層間絶縁膜たとえばシリコ
ン酸化膜である。

第２Ａ図〜第２Ｆ図は、第１図に示す多層膜描遣の半導
体装置を形成し、次に、得られた多層膜にコンタクトホ
ールを形成し、その後Ａｉ配線を胤す工程図である。

第２Ａ図を参照して、基板１７上に下層膜１８を形成す
る。その後、下層膜１８の上に中間膜１９が形成される
。その後、中間膜１９の上にレジスト膜２６を形成する
。その後、レジスト膜２６をパターニングし、それによ
って、レジスト膜２６に実際のコンタクトホールの径よ
りも大きな径を有する開口部２６ａを形成する。開口部
２６ａの径は、たとえば３ミクロンである。次に、パタ
ニングされたレジスト膜２６をマスクにして、中間膜１
９（シリコン窒化膜）を、ＣＦ，を用いるプラズマエッ
チングによって、エッチングする。

これによって、中間膜１９に、実陛のコンタクトホール
の径（２ミクロン）よりも大きい径（３ミクロン）をｈ
゛する開口部１９ａが形成される。

次に、第２Ａ図および第２Ｂ図を参照して、レジスト膜
２６を除大した後、開口部１９ａを含む中間膜１９の表
面全而に、上層膜２０（シリコン酸化膜）を形成する。

なお、第２Ｂ図は第１図に相当するものである。

次に、第２Ｃ図を参照して、上層膜２０の上にレジスト
膜２１を形成する。その後、レジスト膜２１をパターニ
ングし、レジスト膜２１に実際のコンタクトホールの径
（２ミクロン）を有する開口部２１ａを形成する。次に
、パターニングされたレジスト膜２１をマスクにして、
上層膜２０および下層膜１８を、一気に、異方性の強い
プラズマエッチングによってエッチングする。

次に、第２Ｄ図を参照して、レジスト膜を除犬ずると、
所定の径（２ミクロン）を有するコンタク１・ホール２
２が、多層膜１５中に形成される。

次に、第２Ｅ図を参照して、基板１７を薄いフッ酸また
はフッ化アンモニウム水溶液に短時間浸漬することによ
って、基阪１７の表面に存ｌ〔する数１０ＡｆＭ度の極
薄い自然酸化膜の除大を行なう。

この場合、上層膜２０の側壁部分２０ａと下層膜】８の
側壁部分１８ａも、多少エッチングを受け、内ノノに後
退する。しかしながら、中間膜１つは、上層膜の側壁部
分２０ａおよび下層膜の側聖部分１８ａがエッチングを
受けて後追する距離以上の距離をもって、内方に後退さ
せて設けられているので、中間膜ｌ９が、コンタクトホ
ール２２の側壁に露出することはない。その桔果、上述
したように、たとえばコンタクトホールの底壁部分に生
じ光自然酸化膜をエッチング波で除表する操作を行なっ
ても、コンタクトホール２２の側壁に突起が生じたり、
窪み状の満が生じたりすることはない。

また、この実施例の場合、基板１７の表面に通じるコン
タクトホール２２を形成するためのエッチング（コンタ
クトホールの庇壁を叩くエッチング）を１同だけ行なえ
ばよいので、基板１７に与えるダメージは少ない。

次に、第２Ｆ図を参煎じて、コンタクトホール２２を含
む基板１７の表面全面に、Ａｉ−Ｓｉ−ＣｕＱ金をスバ
ッタ法で堆積させる。すると、コンタクトホール２２の
側壁に庇状の突起または窪み状の溝が／ｊ　’（Ｅ　Ｌ
．ないので、コンタクトホール２２の側壁において、良
好な被覆性を示すＡｌｌ配線１４が得られる。

なお上記丈施例では、第１図に示す多層膜構造の十導体
装置を用いて、第２Ａ図〜第２Ｆ図に示す工程で、コン
タクトホールを形成し、引き続きＡＱ配線を形成する方
法を例示した。しかし、この発明はこれに眠られるもの
でなく、第１図に示す多層膜構造の半導体装置を用いて
、第７Ａ図〜第７Ｅ図に示す工程で、コンタクトホール
を形成し、引き続きＡＭ配線を形成する方法を行なって
も、同様の効果を奏する。

また、上記実施例では中間膜１つとして、シリコン窒化
膜を例示したが、この発明はこれに限られるものでなく
、第８図の説明のところで述べたＳＯＧ膜であっても、
実施例と同様の効果を奏する。

さらに、上記丈施例では３層膜構造の半導体装置を例に
したが、この発明はこれに限られるものでなく、第３図
に示すような２層膜構造の゛ト導体装置であってもよい
。

すなわち、第３図を参照して、基板１７の上にド層膜１
８が設けられている。ド層膜１８には、コンタクトホー
ルが形成されるｒ定の部分に、該コンタクトホールの径
よりも大きい径を有する開一部２７が設けられている。

そして、開口部２７を含む下層膜１８の上に上層＠２０
が設けられている。このように構成される２層膜構造の
半導体装置であっても、第２Ａ図〜第２Ｆ図に示す方法
または第７Ａ図〜第７Ｅ図に示ずｈ゛法により、コンタ
クトホールの側聖に良奸な披覆性を呈するＡ蛙配線が形
成される。

なお上記実施例では２層膜構遣の半導体装置および３層
膜構造の゛１こ導体装置を例示したが、４層以上の多層
膜を右゛する半導体装置であってもよい。

以上、本発明を要約すると、次のとおりである。

（１）　特許請求の範囲第１項に記載の多層膜購造を有
する゛＋ｔ．導体装置であって、前記下層膜は、或るエ
ッチング液に対し、前記上層膜と異なる反応性を示す月
料で形威されている。

（２）　ｕ板と金屈配線膜とのコンタクトをとるための
コンタクトホールか形成される、予定の部分をＨする多
層膜横遣の半導体装置であって、前記基板の上に設けら
れた下層膜と、 前記下雇膜の上に設けられた中間膜と、前記中間膜には
、前記コンタクトホールが形成される予定の部分に、該
コンタクトホールの径よりも大きい径をＨする開口部が
設けられており、さらに 前記開口部を含む前記Φ間膜の上に設けられた上層膜と
、 を備えた、多層膜横逍の゛１５導体装置。

（３）　上記（２）に記載の゛Ｆ導体装置であって、 前記中ＩＬ’ｌ　Ｍは、或る工・１チンダ液に対して前
記上層膜および下層膜と異なる反応性を示す材料で形成
されている。

（４）　　凸．ｔＭと金属配線膜とのコンタクトをとる
ためのコンタクトホールを有する、多廟膜描造の半導体
装置の製造方法であって、 是板の上に下層膜を形成する工程と、 前記下Ｊｉｍ膜の上に中間ｊ漠を形成する工程と、前記
ψ間膜の、前記コンタクトホールが形成されるｒ一定の
部分に、該コンタクトホールの径よりも大きい径を（了
する開口部を形成する工程と、前記開口部を含む前記ψ
間膜の上に上層膜を形成する工程と、 前記上Ｒ！Ｉ膜および前記下層膜に前記基板に通じる前
記コンタクトホールを形成する工程と、を備えた、コン
タクトホールを何する多層膜構造の半導体装置の製遣方
法。

［発明の効果コ 以上説明したとおり、この発明に従う、多層膜購造の半
導体装置によれば、下層膜と上層膜とを備え、該下層膜
の、コンタクトホールが形成される予定の部分に、該コ
ンタクトホールの径よりも大きい径を有する開一部が設
けられている。それゆえに、上層膜およびＦ層膜を含む
多層膜にコンタクトホールを形成したときても、下廟膜
はコンタクトホールの側壁而に露出しない。そのため、
その後、たとえばコンタクトホールの底壁部分に牛じた
口然酸化膜をエッチング液で除太する操作を行なっても
、コンタクトホールの側壁に突起が牛じたり、窪み状の
満が牛じたりすることはない。

その桔果、コンタクトホールの側壁に良好な被覆性を呈
する金属配線が形成される。

また、この発明の他の曲面に従う、コンタクトホールを
有する多層膜構造の半導体装置の製造方法によれば、下
層膜と上層膜とを含む多層膜にコンタクトホールを形成
しても、下層膜はコンタクトホールの側壁から内方に後
走しており、該コンタクトホールの側壁向に露出しない
。それゆえに、たとえば、コンタクトホールの底壁部分
に生じた酸化膜をエッチング液で除上ずる捏作を行なっ
ても、コンタク１・ホールの側壁に突起が！Ｌじたり、
窪み状の満が生じたりすることはない。その粘果、金城
配線の良奸な被覆性を呈するコンタクトホールが得られ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の一実施例に係る、多層膜横這の半
導体装置の、コンタクト部の断面図である。 第２Ａ図〜第２Ｆ図は、この発明の他の失施例に係る、
コンタクトホールを有する多層膜構造の半導体装置の製
造方法を示す工程図であり、断面図で表わされている。 第３図は、この発明の他の大施例に係る、多層膜構造の
十導体装置の、コンタクト部の断面図である。 第４図は、従来の、多層膜構造を有するダイナミックラ
ンダムアクセスメモリの断面図である。 第５図は、第４図に示すダイナミックランダムアクセス
メモリのコンタクト部の断面図である。 第６Ａ図〜第６Ｄ図は、従来の多層膜堝造を有する半導
体装置にコンタク１・ホールを形成する、従来の方法を
工程順に示した断面図である。 第７Ａ図〜第７Ｅ図は、多層膜構造の半導体装置にコン
タクトホールを杉成する、他の従来例を示す王程図であ
る。 第８図は、ＳＯＧ膜を右する多層膜構造の半導体装置に
、コンタクトホールを形成する場合の、問題点を示した
断面図である。 第９図は、コンタクトホールの側聖が多結晶シリコン膜
で＃．護された、従来の多層膜構造の半導体装置の断面
図である。 図において、１７は払板、１８は下層膜、２０は上層膜
、２７は開目部である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代裡人　大青増雄 第 Ｉ 図 第３口 ７゜基板 ８　：　下層乃更 ２０ヱ層獲 ２７．閉口ｇｐ も２０圀 ２１０ も２Ｄ図 ２２ 第２Ｅ区 ２２ 第５区 ６

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板と金属配線膜とのコンタクトをとるためのコ
   ンタクトホールが形成される予定の部分を有する、多層
   膜構造の半導体装置であって、基板と、 前記基板の上に設けられた下層膜と、 前記下層膜には、前記コンタクトホールが形成される予
   定の部分に、該コンタクトホールの径よりも大きい径を
   有する開口部が設けられており、さらに 前記開口部を含む前記下層膜の上に設けられた上層膜と
   、を備えた、多層膜構造の半導体装置。
2. （２）基板と金属配線膜とのコンタクトをとるためのコ
   ンタクトホールを有する、多層膜構造の半導体装置の製
   造方法であって、 基板の上に下層膜を形成する工程と、 前記下層膜の、前記コンタクトホールが形成される予定
   の部分に、該コンタクトホールの径よりも大きい径を有
   する開口部を形成する工程と、前記開口部を含む前記下
   層膜の上に上層膜を形成する工程と、 前記上層膜に前記基板に通じる前記コンタクトホールを
   形成する工程と、 を備えた、多層膜構造の半導体装置の製造方法。