JPH03169051A - 半導体素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体素子に関し、特にマイクロ波帯用半導
体素子のキャップの構造に関する．〔従来の技術〕 まず、マイクロ波帯半導体素子の従来例を説明する． 第３図（ａ）及び（ｂ）は、従来例のキャップの底面図
及び側面図、第４図は従来例の斜視図でである． １ｍｍ程度の厚みのセラミック板１の裏面には全面に金
膜２がめっきされたキャップ４が半導体素子用の容器５
にＡｕＳｎなどのろう材でろう付けされている． 〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来の半導体素子では、ろう付け時に金膜を伝
わってキャップの中央部まで、大量にろう材が移動して
ゆき、封止部分に必要な量のろう材がまわらずに容器の
漏れ不良が発生することがあった。

しかしながら、金膜を設けないと、封止部分がマイクロ
波に対し共振を起こす．また、特に容器内全面に金めつ
きが施されている無共振容器においては、キャップの金
膜を封止部分のみに例えば棒状に設けると半導体素子の
使用帯域内で容器の共振によりＲＦ特性を悪化させるこ
とがある．〔課題を解決するための手段〕 本発明の半導体素子は、裏面の外周部にめっきされた棒
状金膜及び前記外周部の内側にめっきされ前記枠状金膜
と連結された網状金膜を有するセラミック板からなるキ
ャップを有するというものである． 〔実施例〕 第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施例を示すキャ
ップの底面図及び側面図である。

ＡＪ２０，などのセラミック板１の裏面に金膜がめっき
されているが、この金膜は封着時に封着用ろう材と接す
る外周部の枠状金膜２Ａとその内側にこれと連結して設
けられた綱状金膜２Ｂとから構成されている．封着は、
前述の従来例と同様に行なうが、本発明の構造にするこ
とにより、全面めっきの場合に比較しろう材の裏面中央
へのまわり込みは網状にしてめっき面積を小さくした分
は少なくなる． また、網状のめっきを施すことにより、共振を抑える効
果は、電磁気的には全面メッキと同様の効果が得られる
． なお、網状金膜２Ｂは、厚さ数マイクロメータの金膜で
囲まれた一辺が数十〜百マイクロメータの正方形の目を
有している。

第２図は本発明の第２の実施例を示すキャップの部分拡
大図である。

この実施例では、外周部の枠状金膜２Ａと網状金膜２Ｂ
の境界に切込み３を設けてろう材の流れ込む幅を狭くし
ているため第１の実施例に比べろう材の網状金膜側への
流れこみをさらに少なくでき、封着部のろう材が十分に
封着部にまわるのでろう材不足による漏れ不良を一層低
減することができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明はセラミック製のキャップの
裏面に設ける金膜を外周部の枠状金膜と内側の網状金膜
にすることにより、キャップの裏面全面に設ける場合と
同様に、半導体素子用容器の封止部又は、内部での共振
を発生させない効果を維持しながら、かつ、ろう材の容
器内部への流れ込みやろう材が、キャップの裏面全体に
拡がり、封止部分のろう材不足による漏れ不良が発生す
ることを防止する効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施例を示す
キャップの底面図及び側面図、第２図は第２の実施例を
示す部分拡大図、第３図（ａ）及び（ｂ）は従来例を示
すキャップの底面図及び側面図、第４図はマイクロ波帯
半導体素子の斜視図である． １・・・セラミック板、２・・・金膜、２Ａ・・・枠状
金膜、２Ｂ・・・綱状金膜、３・・・切込み、４・・・
キャップ、５・・・容器．

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 裏面の外周部にめっきされた枠状金膜及び前記外周部の
   内側にめっきされ前記枠状金膜と連結された網状金膜を
   有するセラミック板からなるキャップを有することを特
   徴とする半導体素子。