JPH03238832A - 半導体装置用容器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置用容器に関し、特に半導体ペレット
をマウント面上に載置し、ペレット電極とこのマウント
面との間をポンディング線で接続するグランド接続構造
の半導体装置用容器に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の半導体装置用容器は、例えば、第４図に
示すように、コバー材よりなる容器本体１の表面には金
（Ａｕ）メツキが通常施されているので、半導体ペレッ
ト４をマウントするマウント面２の全域はマウント用ろ
う材となじみやすいものとされていた。この容器では、
マウント面２の所定の位置に半導体ペレット４をマウン
ト面上した後、ポンディング線５を用いて半導体ペレッ
ト４のＧＮＤ電極とマウント面２との間が接続される。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上述した従来の半導体装置用容器は、マ
ウント面２の全域がマウント用ろう材となじみよくなっ
ているので、半導体ペレット４をマウントする際、マウ
ントすべき領域以外の外側領域６へもマウント用ろう材
が流れ広がって行く現象が起こる。この場合マウント用
ろう材の上からでは、ポンディング線５は直接マウント
面２に接続できないので、ＧＮＤ電極をマウント面２上
に落とすためには、ろう材の流れていない半導体ペレッ
トから離れた遠い位層上でＧＮＤポンディング線を接続
するか、或いは、半導体ペレット４の近傍に金属片を別
にマウントしてその金属片上にポンディング線５を接続
するかして、マウント面２との電気的接続をとるしかな
かった。

しかし、前者の如く半導体ペレット４から遠い位置にポ
ンディング線５を接続した場合では、ポンディング線が
長くなることにより、接地インダクタンスが太きくなり
、それによる損失分を増やすので、半導体ペレット自身
がもつ優れた電気的特性を充分に引出すことが出来なく
なり、また後者の金属片を別に半導体ペレット４の近傍
にマウントする場合では、部品点数および作業数が多く
なり信頼性上問題が生じ易いという欠点がある６ 本発明の目的は、上記の情況に鑑み、従来における半導
体ペレットのマウント領域からのろう材の流れ出し問題
を解決した半導体装置用容器を提供することである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明によれば、半導体装置用容器は、容器本体に一つ
または、複数個の半導体ペレットを搭載するためのマウ
ント面を備える半導体装置用容器において、前記半導体
ペレットをマウントすべき領域を取囲む周縁の少なくと
も一部領域のマウント面上にチタン膜がパターン形成さ
れることを含んでａ威される。

〔作用〕

本発明によれば、半導体ペレットをマウントすべき領域
の周縁に設けられたチタン膜は、マウント用ろう材に対
して極めて悪いぬれ性を示すので、マウント作業の際、
マウント用ろう材がペレットのマウント領域を越えて流
れ広がって行〈従来の問題点は解決される。

〔実施例〕

次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置用容器の上
面拡大図である０本実施例は半導体ペレット４が超高周
波用ＧａＡｇ１　Ｇである場合を示しており、金（Ａｕ
）メツキされたコバー材より成る半導体装置用容器１と
、ＧａＡｓＩ　Ｃを載置するマウント面２と、このマウ
ント面２の表面にＧａＡｓＩ　Ｃをマウントすべき領域
の周囲を完全に取り囲むようにスパッタ形成された輻１
００井ｍ、厚さ１００ＯＡのチタン膜３と、このチタン
Ｈ３をまたぐようにペレット４のＧＮＤ電極とマウント
面２上とを電気接続するポンディング線５とを含む０本
実施例によると、ペレット４をマウントすべき中央部領
域上にろう付けするとき、マウント用ろう材（Ａｕ５ｎ
）の外向きの流れは、ろう材に対するぬれ性が悪いチタ
ン膜３で止められるのでペレット４の周囲から広がらず
にすむ、このマウント作業では、ペレー２ト４のＧＮＤ
電極をペレット４から僅か約１０１００ｐか離れない近
い位置のマウント面２上にポンディング接続することが
できる。従って組立による特性のばらつきを極力抑える
ことができ、また、半導体ペレット自身の特性を損失分
食なく、高効率に引き出すことができる。

第２図は本発明の他の実施例を示す半導体装Ｈｆ１ｊ容
器の上面拡大図である０本実施例によれば、容器本体ｌ
がニッケル（Ｎｉ）メツキと金（Ａｕ）メツキされたコ
バー材より成るカン・ケースの場合が示される。この場
合にはペレット４をマウントすべき領域を挾んで対峙す
るマウント面２の表面に幅７５μｍ、厚さ１５００Ａの
チタンＩＩ３がそれぞれ蒸着法によりパターン形成され
る。前実施例と同様、このチタンＩ！３のマウントろう
材に対するぬれ性の悪さにより、ろう材の流れは抑制さ
れるので、半導体ペレット４から約７５Ｂｍ１．か離れ
ない近くのマウント面上にポンディング線５を接続する
ことができる。

第３図は本発明のその他の実施例を示す半導体装置用容
器の上面拡大図である０本実施例の場合は、金（Ａｕ）
ノー２キを施された銅タングステン材より威る容器ｌが
用いられ、そのマラント面２の表面には凹形のパターン
で帯８゜ｕＬｍ、厚さ２０００Ａの凹形パターンのチタ
ン膜３が選択的にメツキされる。この場合においても、
このチタン膜３のマウント用ろう材に対するぬれ性の悪
さにより、ペレット４をマウントすべき領域以外へのろ
う材の流れを効果的に抑えることができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、マウント面上の
半導体ペレットをマウントすべき領域から外部へ向かう
マウント用ろう材の不必要な流れを効果的に抑制するこ
とができ、半導体ペレットの極めて近くのマウント面上
に、ＧＮＤ結線用のポンディング線を接続することがで
きるので、組立による特性のばらつきを極力抑えること
ができ、また、半導体ペレット自身のもつ各特性を損失
カナなく、高効率で引出すことのできる半導体装置用容
器を実現できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

８１図は本発明の一実施例を示す半導体装置用容器の上
面拡大図、第２図は本発明の他の実施例を示す半導体装
置用容器の上面拡大図、第３図は本発明のその他の実施
例を示す半導体装置用容器の上面拡大図、第４図は従来
の半導体装置用容器の一例を示す上面拡大図である。 １・・・容器本体、　　　２・・・マウント面、３・・
・チタン膜、　　　４・・・半導体ペレット、５・・・
ポンディング線、 ６・・・マウントろう材の流出領域。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 容器本体に一つまたは、複数個の半導体ペレットを搭載
   するためのマウント面を備える半導体装置用容器におい
   て、前記半導体ペレットをマウントすべき領域を取囲む
   周縁の少なくとも一部領域のマウント面上にチタン膜が
   パターン形成されることを特徴とする半導体装置用容器
   。