JPH03166786A - 半導体レーザ発光面位置検出装置 - Google Patents
半導体レーザ発光面位置検出装置Info
- Publication number
- JPH03166786A JPH03166786A JP30795089A JP30795089A JPH03166786A JP H03166786 A JPH03166786 A JP H03166786A JP 30795089 A JP30795089 A JP 30795089A JP 30795089 A JP30795089 A JP 30795089A JP H03166786 A JPH03166786 A JP H03166786A
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- Japan
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- semiconductor laser
- light emitting
- emitting surface
- distance
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 9
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザ発光面位置検出装置、特に、半導
体レーザの組立時に半導体レーザ発光面と半導体レーザ
パッケージ基準面との距離とを非接触で測定できる半導
体レーザ発光面位置検出装置に関する． 〔従来の技術〕 従来の半導体レーザ発光面位置検出装置は、半導体レー
ザパッケージの基準面の位置を位置決めをする半導体レ
ーザホルダと、その半導体レーザホルダをレーザ光の進
む方向に垂直に移動させるステージと、半導体レーザ発
光面を検出するための顕微鏡と、その顕微鏡をレーザ光
の進む方向に移動させるステージとを含んで楕戒される
．第４図は従来の半導体レーザ発光面位置検出装置の一
例を示す図である。第５図は第４図を説明するための半
導体レーザパッケージを下から見た図である。第４図に
示す半導体レーザ発光面位置検出装置は、半導体レーザ
パッケージの基準面の位置決めをする半導体レーザホル
ダ１１と、その半導体レーザホルダ１１を光軸方向に垂
直に移動させるステージ１２と、半導体レーザ発光面の
位置を検出するための顕微鏡１３と、その顕微鏡を光軸
方向に移動させるステージ１４とを含んでいる．第５図
のＡは半導体レーザパッケージの第１基準面であり、Ｂ
は半導体レーザパッケージの第２基準面であり、Ｃは半
導体レーザ発光面である。
体レーザの組立時に半導体レーザ発光面と半導体レーザ
パッケージ基準面との距離とを非接触で測定できる半導
体レーザ発光面位置検出装置に関する． 〔従来の技術〕 従来の半導体レーザ発光面位置検出装置は、半導体レー
ザパッケージの基準面の位置を位置決めをする半導体レ
ーザホルダと、その半導体レーザホルダをレーザ光の進
む方向に垂直に移動させるステージと、半導体レーザ発
光面を検出するための顕微鏡と、その顕微鏡をレーザ光
の進む方向に移動させるステージとを含んで楕戒される
．第４図は従来の半導体レーザ発光面位置検出装置の一
例を示す図である。第５図は第４図を説明するための半
導体レーザパッケージを下から見た図である。第４図に
示す半導体レーザ発光面位置検出装置は、半導体レーザ
パッケージの基準面の位置決めをする半導体レーザホル
ダ１１と、その半導体レーザホルダ１１を光軸方向に垂
直に移動させるステージ１２と、半導体レーザ発光面の
位置を検出するための顕微鏡１３と、その顕微鏡を光軸
方向に移動させるステージ１４とを含んでいる．第５図
のＡは半導体レーザパッケージの第１基準面であり、Ｂ
は半導体レーザパッケージの第２基準面であり、Ｃは半
導体レーザ発光面である。
第５図に示す装置で半導体レーザ発光面の検出を行なう
には半導体レーザホルダ１１に半導体レーザをセットす
る。ステージ１２を移動させ、顕微鏡ｌ３の位置を第５
図の半導体レーザバッゲージの第１基準面Ａ，半導体レ
ーザパッケージの第２基準面Ｂ，半導体レーザ発光面Ｃ
のいずれかと一致させる。次にステージ１４を上下に移
動させ顕微鏡の像の焦点を合わせ、その時のステージ１
４のマイクロメータの目盛りの読みを記録する。
には半導体レーザホルダ１１に半導体レーザをセットす
る。ステージ１２を移動させ、顕微鏡ｌ３の位置を第５
図の半導体レーザバッゲージの第１基準面Ａ，半導体レ
ーザパッケージの第２基準面Ｂ，半導体レーザ発光面Ｃ
のいずれかと一致させる。次にステージ１４を上下に移
動させ顕微鏡の像の焦点を合わせ、その時のステージ１
４のマイクロメータの目盛りの読みを記録する。
これをＡ，Ｂ，Ｃ３箇所につき行なう，Ａ，Ｂの２箇所
の平均値とＣとの差が半導体レーザ発光面と半導体レー
ザ基準面との距離である．〔発明が解決しようとする課
題〕 上述した従来の半導体レーザ発光面位置検出装置は、第
５図の３点Ａ，Ｂ，Ｃ各々を測定する際に目視で像の焦
点を合わせる為に測定誤差を生じ、またステージ１２の
移動によって発生する上下方向のずれによる測定誤差が
生じ、測定精度が悪いという欠点があった． 〔課題を解決するための手段〕 本発明の半導体レーザ発光面位置検出装置は、被測定物
である半導体レーザと、前記半導体レーザより発光した
レーザ光を拡大し平行光とするためのコリメータレンズ
と、前記コリメータレンズにより平行光とされたレーザ
光を収束させるための収束レンズと、このレーザ光の波
長での前記収束レンズの後側焦点位置にあり、レーザ光
の進む方向に垂直に振動するナイフエッジ部と、このナ
イフエッジ部を通過した半導体レーザ光を受光するフォ
トディテクタと、半導体レーザパッケージの基準面の位
置を位置決めする半導体レーザホルダと、その半導体レ
ーザホルダを光軸方向に微小に移動させるステージとを
含み、半導体パッケージの基準面と半導体レーザ発光面
との距離を検出することを特徴とする． 〔実施例〕 次に、本発明の実施例について、図面を参照して詳細に
説明する。
の平均値とＣとの差が半導体レーザ発光面と半導体レー
ザ基準面との距離である．〔発明が解決しようとする課
題〕 上述した従来の半導体レーザ発光面位置検出装置は、第
５図の３点Ａ，Ｂ，Ｃ各々を測定する際に目視で像の焦
点を合わせる為に測定誤差を生じ、またステージ１２の
移動によって発生する上下方向のずれによる測定誤差が
生じ、測定精度が悪いという欠点があった． 〔課題を解決するための手段〕 本発明の半導体レーザ発光面位置検出装置は、被測定物
である半導体レーザと、前記半導体レーザより発光した
レーザ光を拡大し平行光とするためのコリメータレンズ
と、前記コリメータレンズにより平行光とされたレーザ
光を収束させるための収束レンズと、このレーザ光の波
長での前記収束レンズの後側焦点位置にあり、レーザ光
の進む方向に垂直に振動するナイフエッジ部と、このナ
イフエッジ部を通過した半導体レーザ光を受光するフォ
トディテクタと、半導体レーザパッケージの基準面の位
置を位置決めする半導体レーザホルダと、その半導体レ
ーザホルダを光軸方向に微小に移動させるステージとを
含み、半導体パッケージの基準面と半導体レーザ発光面
との距離を検出することを特徴とする． 〔実施例〕 次に、本発明の実施例について、図面を参照して詳細に
説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す図である。第１図に示
す半導体レーザ発光面検出装置は、被測定物である半導
体レーザ１と、そのレーザ光の発光面の接合部に垂直な
方向或分を平行にするコリメータレンズ２と、コリメー
タレンズ２を通過したレーザ光を収束させる収束レンズ
３と、収束レンズ３により収束されたレーザ光のビーム
ウエストの位置にあり光軸方向に垂直に振動するナイフ
エッジ４と、ナイフエッジ４を通過した半導体レーザ光
を受光するフォトディテクタ５と、半導体レーザパッケ
ージの基準面の位置を位置決めする半導体レーザホルダ
６と、その半導体レーザホルダ６を光軸方向に微小に移
動させるステージ７とを含んで構成される． 半導体レーザホルダ６によって位置決めされた被測定物
である半導体レーザ１は電源（図示せず）により電流を
供給されて発光する．このレーザ光はコリメータレンズ
２，収束レンズ３を通過する．収束レンズ３とナイフエ
ッジ４との距離は収束レンズ３の被測定物である半導体
レーザ１の波長での後側焦点距離に等しくしておく。収
束レンズ３に入射するレーザ光が平行光ならば、収束レ
ンズ３により収束されたレーザ光のビームウエストはナ
イフエッジ４の位置になる． 第２図はナイフエッジ４を示す図である。ナイフエッジ
４は光を透過しない部分９と光を透過する部分１０とか
ら構成される．ナイフェッジ４は第２図の矢印の方向に
振動し、レーザ光を縦方向に切断する．ナイフエッジ４
を通過したレーザ光はフォトディテクタ５に入射し、フ
ォトディテクタ５は入射光量に比例した電流を出力する
．第３図はフォトディテクタ５の出力電流の波形であり
、Ｗは波形の幅，Ｈは波形の高さである。
す半導体レーザ発光面検出装置は、被測定物である半導
体レーザ１と、そのレーザ光の発光面の接合部に垂直な
方向或分を平行にするコリメータレンズ２と、コリメー
タレンズ２を通過したレーザ光を収束させる収束レンズ
３と、収束レンズ３により収束されたレーザ光のビーム
ウエストの位置にあり光軸方向に垂直に振動するナイフ
エッジ４と、ナイフエッジ４を通過した半導体レーザ光
を受光するフォトディテクタ５と、半導体レーザパッケ
ージの基準面の位置を位置決めする半導体レーザホルダ
６と、その半導体レーザホルダ６を光軸方向に微小に移
動させるステージ７とを含んで構成される． 半導体レーザホルダ６によって位置決めされた被測定物
である半導体レーザ１は電源（図示せず）により電流を
供給されて発光する．このレーザ光はコリメータレンズ
２，収束レンズ３を通過する．収束レンズ３とナイフエ
ッジ４との距離は収束レンズ３の被測定物である半導体
レーザ１の波長での後側焦点距離に等しくしておく。収
束レンズ３に入射するレーザ光が平行光ならば、収束レ
ンズ３により収束されたレーザ光のビームウエストはナ
イフエッジ４の位置になる． 第２図はナイフエッジ４を示す図である。ナイフエッジ
４は光を透過しない部分９と光を透過する部分１０とか
ら構成される．ナイフェッジ４は第２図の矢印の方向に
振動し、レーザ光を縦方向に切断する．ナイフエッジ４
を通過したレーザ光はフォトディテクタ５に入射し、フ
ォトディテクタ５は入射光量に比例した電流を出力する
．第３図はフォトディテクタ５の出力電流の波形であり
、Ｗは波形の幅，Ｈは波形の高さである。
ナイフエッジ４がビームウエストを切断している時、他
の部分を切断している時と比較してＷは狭く、Ｈは高い
。フォトディテクタ５の出力波形を見ながら、ステージ
７を移動させ、ビームウエストがナイフエッジ４の位置
に来るようにする。この時、コリメータレンズ２と収束
レンズ３の間でレーザ光の発光面の接合面に垂直な方向
成分は平行になっていて、その発光点のコリメータレン
ズ２との距離Ｆはコリメータレンズ２の前側焦点距離に
等しい。半導体レーザの発光面の接合面に垂直な方向戒
分の発光点は半導体レーザの発光面である。半導体レー
ザパッケージ基準面８とコリメータレンズ２との距離は
ステージ７の移動量より求まり、その距離から発光面と
コリメータレンズ２との距ｌｌ！！Ｆを引くことにより
、半導体レーザパッケージ基準面８と発光面との距離を
求めることができる。
の部分を切断している時と比較してＷは狭く、Ｈは高い
。フォトディテクタ５の出力波形を見ながら、ステージ
７を移動させ、ビームウエストがナイフエッジ４の位置
に来るようにする。この時、コリメータレンズ２と収束
レンズ３の間でレーザ光の発光面の接合面に垂直な方向
成分は平行になっていて、その発光点のコリメータレン
ズ２との距離Ｆはコリメータレンズ２の前側焦点距離に
等しい。半導体レーザの発光面の接合面に垂直な方向戒
分の発光点は半導体レーザの発光面である。半導体レー
ザパッケージ基準面８とコリメータレンズ２との距離は
ステージ７の移動量より求まり、その距離から発光面と
コリメータレンズ２との距ｌｌ！！Ｆを引くことにより
、半導体レーザパッケージ基準面８と発光面との距離を
求めることができる。
本発明の半導体レーザ発光面位置検出装置は、半導体レ
ーザパッケージ基準面と半導体レーザ発光面との距離を
各々測定する代わりに、半導体レーザパッケージの基準
面の位置を位置決めする半導体レーザホルダと、収束レ
ンズにより収束されたレーザ光のビームウエストにあり
、光軸方向に垂直に振動するナイフエッジと、ナイフエ
ッジを通過したレーザ光を受光するフォトディテクタを
含む構成であるため、半導体レーザパッケージ基準面と
半導体レーザ発光面との距離を非接触で、従来の方式に
比較して精度良く測定を行なう事ができる．
ーザパッケージ基準面と半導体レーザ発光面との距離を
各々測定する代わりに、半導体レーザパッケージの基準
面の位置を位置決めする半導体レーザホルダと、収束レ
ンズにより収束されたレーザ光のビームウエストにあり
、光軸方向に垂直に振動するナイフエッジと、ナイフエ
ッジを通過したレーザ光を受光するフォトディテクタを
含む構成であるため、半導体レーザパッケージ基準面と
半導体レーザ発光面との距離を非接触で、従来の方式に
比較して精度良く測定を行なう事ができる．
第１図は本発明の一実施例を示す構戒図、第２２図は第
１図に示すナイフエッジの部分拡大図、第３図は第１図
に示すフォトディテクタの出力波形図、第４図は従来の
一例を示す構成図、第５図は第４図を説明するための半
導体レーザパッケージを下から見た図である。 １・・・半導体レーザ、２・・・コリメータレンズ、３
・・・収束レンズ、４・・・ナイフエッジ、５・・・フ
ォトディテクタ、６・・・半導体レーザホルダ、７・・
・ステージ、８・・・半導体レーザパッケージ基準面、
９・・・不透明部分、１０・・・透明部分、１１・・・
半導体レーザホルダ、１２・・・ステージ、１３・・・
顕微鏡、１４・・・ステージ。
１図に示すナイフエッジの部分拡大図、第３図は第１図
に示すフォトディテクタの出力波形図、第４図は従来の
一例を示す構成図、第５図は第４図を説明するための半
導体レーザパッケージを下から見た図である。 １・・・半導体レーザ、２・・・コリメータレンズ、３
・・・収束レンズ、４・・・ナイフエッジ、５・・・フ
ォトディテクタ、６・・・半導体レーザホルダ、７・・
・ステージ、８・・・半導体レーザパッケージ基準面、
９・・・不透明部分、１０・・・透明部分、１１・・・
半導体レーザホルダ、１２・・・ステージ、１３・・・
顕微鏡、１４・・・ステージ。
Claims (1)
- 被測定物である半導体レーザと、前記半導体レーザよ
り発光したレーザ光を拡大し平行光とするためのコリメ
ータレンズと、前記コリメータレンズにより平行光とさ
れたレーザ光を収束させるための収束レンズと、このレ
ーザ光の波長での前記収束レンズの後側焦点位置にあり
、レーザ光の進む方向に垂直に振動するナイフエッジ部
と、このナイフエッジ部を通過した半導体レーザ光を受
光するフォトディテクタと、半導体レーザパッケージの
基準面の位置を位置決めする半導体レーザホルダと、そ
の半導体レーザホルダを光軸方向に微小に移動させるス
テージとを含み、半導体パッケージの基準面と半導体レ
ーザ発光面との距離を検出することを特徴とする半導体
レーザ発光面位置検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30795089A JPH03166786A (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 半導体レーザ発光面位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30795089A JPH03166786A (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 半導体レーザ発光面位置検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03166786A true JPH03166786A (ja) | 1991-07-18 |
Family
ID=17975124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30795089A Pending JPH03166786A (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 半導体レーザ発光面位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03166786A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5659566A (en) * | 1993-10-13 | 1997-08-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser module and method of assembling semiconductor laser module |
-
1989
- 1989-11-27 JP JP30795089A patent/JPH03166786A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5659566A (en) * | 1993-10-13 | 1997-08-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser module and method of assembling semiconductor laser module |
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