JPH0316292A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

半導体レーザ装置

Info

Publication number
JPH0316292A
JPH0316292A JP15183489A JP15183489A JPH0316292A JP H0316292 A JPH0316292 A JP H0316292A JP 15183489 A JP15183489 A JP 15183489A JP 15183489 A JP15183489 A JP 15183489A JP H0316292 A JPH0316292 A JP H0316292A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wavelength
semiconductor laser
dielectric
reflectance
reflectivity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15183489A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinichi Takigawa
信一 瀧川
Yuichi Shimizu
裕一 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP6249689A priority Critical patent/JPH02241075A/ja
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP15183489A priority patent/JPH0316292A/ja
Priority to US07/494,075 priority patent/US5031186A/en
Publication of JPH0316292A publication Critical patent/JPH0316292A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光情報処理機器,光通信用半導体レーザに関
するものである。
従来の技術 光情報処理や光通信に用いられる半導体レーザは、温度
変化,光出力変化に対して、発振波長が安定であること
が要望される。通常のファブリベロー型半導体レーザで
は、発振可能な縦モードに、しきい値利得差がない(波
長選択性がない)ため、発振波長は、活性層が有するゲ
インビーク波長で決定される。その活性層ゲインビーク
波長は、温度で大きく変化するため、発振波長も温度で
大きく変化した。そこで、我々は、膜厚が、その膜内波
長より充分に厚い、誘電体反射膜を、半導体レーザの光
出射端面に形成し、その誘電体反射膜の反射率波長依存
性を用いて、しきい値利得差を付加する方法を提案した
≠帛傘降奪=隼号イ。例えば、誘電体の厚さとし て、光学長9を用いると、約60”の温度範囲において
安定な発振波長を得ることができる。
発明が解決しようとする課題 半導体レーザでは、高出力化のため、光出射面の反射膜
を、低反射率膜(ARコート)にする必要がある。とこ
ろが、前述した従来の技術は、光出射面をARコートに
することが出来なかった。
これは、次のように説明できる。誘電体反射膜の反射率
波長依存性を用いて、しきい値利得差を付加する方法で
は、しきい値利得が最小となる波長では、反射率Rは次
のようになっている。
作用 二種類の誘電体を、屈折率nQの半導体レーザに形威し
た場合を考える。半導体レーザに近い方の誘電体の屈折
率,厚さをnl l dl 、遠い方のそれらをn2 
.d2とすると,波長λ0における反射率は、次式で与
えられる。
ここで、nQ+nl は、各々、半導体レーザの材質,
誘電体膜の屈折率である。これから、わかるように、従
来の技術では、反射率の最小値は、1(1−no )/
 (1+no )l”である。これは、半導体レーザと
空気で決まる反射率であり、低反射率化されていない。
課題を解決するための手段 この問題を解決するため、本発明では、ファブリペロー
型半導体レーザにおいて、レーザ光出射面に、二種類以
上の誘電体膜を形成し、それらの誘電体の厚さのうち、
少なくとも、ひとつは、誘電体内の波長より、充分大き
くする。
ここで、δ,=4πn,d,/λ0,δ2=4 yc 
n2d2/λo+,  r  ’ =  (n+−no
) / (n十no ) p r”= (n2n+)/
 (nz+n+) ,r”’− (1−n2)/ (1
+n2)である。今、λ0が変動し、λ0+Δλになっ
た時、δ1はΔδiだけ、変動し、 11 Δδi= 4 !t nIdI( 2,  2。+Δλ
”(i=1.2) になる。ここで、厚さd,をλo / n iより大き
くすれば、波長差Δλにより、Δδ函は、大きく変化し
、反射率も、ΔRだけ変化する。これによりしきい値利
得差Δg+h; ・・・・・・(2) =土en(1+…) 2L          R L :キャビティ長 αin:内部ロス Ro :もう片端面の反射率 が生じる。このΔg+hにより、発振波長は、安定化さ
れる。一方、発振波長において、反射率Rは最大になっ
ている。その値は、例えば、d,=0.25(λo/n
l >,d2>λo/n2とすれば、 である。(3)式において、n2<nl のとき、また
は(4)式においてnl<nQのとき、R<+(1−n
o )/ (1+no )l”を示すことが出来る。
このことは、低反射率膜になっていることを意味する。
なお、(3)式において、n2>n.H のとき、また
は、(ω式において、nl  >nQのとき、R〉1 
(1−no )/ (1+no ) l’となり、高反
射率膜に応用することもできる。
実施例 第1図(a) . (b)は、各々、本発明の一実施例
における半導体レーザ装置の端面反射率波長依存性と、
しきい値利得差の波長依存性である。用いた誘電体反射
膜は、二層であり、半導体レーザに近い層が、TiZr
O4 (屈折率1。9,光学長0.25)、遠い層がA
ezOs(屈折率1.65,光学長9.25)であり、
Ae 2 03 (7)厚さは、膜白波長より充分大き
い。キャビティ長は250μmである。また、波長78
0nmでしきい値利得が最も低い(反射率が最も高い〉
ように設計してある。第1図(a)から、発振波長にお
いて、反射率は、20%であり、ARコートになってい
ることがわかる。また、第1図から、780nmの縦モ
ードと同じしきい値利得を有する縦モードは、740n
mと820nmである。したがって、活性層のゲインピ
ークが、40nm変化するまでは、発振波長は780n
mに安定している。
具体的な素子の特性を以下に示す。この素子は、ファブ
リ・ペロー型半導体レーザである。後方端面には、Ah
  O3/S i/Ae2 0s /Si(各光学長0
.25)形成されており、反射率94%であり、ほとん
ど反射率波長依存性を持たない。第2図は、この素子の
電流一光出力特性を示す。最大光出力80mWが得られ
ている。第3図は、この素子の波長光出力依存性を示す
。発振波長は、最小しきい値利得を有する780nm固
定されている。また第4図は、波長温度依存性を示す。
この図から、50m.Wなる高出力において、約80度
の温度範囲にわたって、安定な発振波長を有しているこ
とがわかる。
なお、本実施例では、TiZr04とAe 203を用
いた場合について述べたが、他の誘電体材料を用いて、
本発明を実施することができる。
発明の効果 以上のように、本発明を用いれば、波長が安定な半導体
レーザを作製でき、工業的に大変有用である。
【図面の簡単な説明】
第1図(a) , (b)は各々本発明の一実施例によ
る半導体レーザ装置の端面反射率、および、各縦モード
のしきい値利得差の波長依存性を示す図、第2図は本発
明を用いた素子の電流一光出力特性を示す図、第3図は
本発明を用いた素子の波長先出力依存性を示す図、第4
図は本発明を用い失素子の波長温度依存性を示す図であ
る。 第 2 図 (b) 波長(ytM) 電 L(ys.A> ;叉−J:(κ次ノ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体レーザ装置の光出射面に、反射率波長依存
    性を有する多層膜を形成し、その反射率波長依存性を利
    用して、波長選択性を持たせたことを特徴とする半導体
    レーザ装置。
  2. (2)反射率波長依存性を有する多層膜として、誘電体
    反射膜を用い、その多層膜の膜厚のうち、少なくとも、
    ひとつは、その誘電体内波長よりも、厚いことを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載の半導体レーザ装置。
JP15183489A 1989-03-15 1989-06-14 半導体レーザ装置 Pending JPH0316292A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6249689A JPH02241075A (ja) 1989-03-15 1989-03-15 半導体レーザ装置
JP15183489A JPH0316292A (ja) 1989-06-14 1989-06-14 半導体レーザ装置
US07/494,075 US5031186A (en) 1989-03-15 1990-03-15 Semiconductor laser device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15183489A JPH0316292A (ja) 1989-06-14 1989-06-14 半導体レーザ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0316292A true JPH0316292A (ja) 1991-01-24

Family

ID=15527319

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15183489A Pending JPH0316292A (ja) 1989-03-15 1989-06-14 半導体レーザ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0316292A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001077456A (ja) * 1999-09-07 2001-03-23 Sony Corp 半導体レーザおよび光学部品用コート膜

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001077456A (ja) * 1999-09-07 2001-03-23 Sony Corp 半導体レーザおよび光学部品用コート膜

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7103081B2 (en) DFB laser with ar coating selected to provide wide temperature range of operation
US7903716B2 (en) Surface emitting semiconductor laser having an interference filter
US7106775B2 (en) Semiconductor laser devices
US6487227B1 (en) Semiconductor laser
JPS6037631B2 (ja) アルゴン・イオン・レ−ザ装置
KR100562059B1 (ko) 광 반도체장치
JPH0449793B2 (ja)
US4573156A (en) Single mode laser emission
US4852112A (en) Semiconductor laser with facet protection film of selected reflectivity
US20060093005A1 (en) Semiconductor laser
US4839901A (en) Semiconductor laser with constant differential quantum efficiency or constant optical power output
US20020037024A1 (en) Distributed feedback semiconductor laser
JPH0316292A (ja) 半導体レーザ装置
EP0280581B1 (en) An external cavity type semiconductor laser apparatus
KR100754956B1 (ko) 반도체 레이저장치 및 레이저시스템
JPS6097684A (ja) 半導体レーザ
US5031186A (en) Semiconductor laser device
JPH1075004A (ja) 半導体発光装置
JP4595711B2 (ja) 半導体レーザ
JPH02241075A (ja) 半導体レーザ装置
US4811350A (en) Semiconductor laser apparatus
JPS6014489A (ja) 半導体発光装置
JPH07202319A (ja) 量子井戸半導体レーザ素子
JPH054830B2 (ja)
JPS63222487A (ja) 半導体発光装置の製造方法