JPH03162102A - 静磁波素子 - Google Patents
静磁波素子Info
- Publication number
- JPH03162102A JPH03162102A JP1300894A JP30089489A JPH03162102A JP H03162102 A JPH03162102 A JP H03162102A JP 1300894 A JP1300894 A JP 1300894A JP 30089489 A JP30089489 A JP 30089489A JP H03162102 A JPH03162102 A JP H03162102A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- electrode
- wave element
- thin film
- magnetostatic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 40
- 230000003068 static effect Effects 0.000 title claims abstract description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000005293 ferrimagnetic effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 17
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 17
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 17
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 238000004435 EPR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/215—Frequency-selective devices, e.g. filters using ferromagnetic material
- H01P1/218—Frequency-selective devices, e.g. filters using ferromagnetic material the ferromagnetic material acting as a frequency selective coupling element, e.g. YIG-filters
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ．発明の目的
（産業上の利用分野）
本発明は、非磁性基板上に形或した磁性薄膜の磁気スピ
ン共鳴がマイクロ波に共振することを利用した静磁波共
振子に関する。
ン共鳴がマイクロ波に共振することを利用した静磁波共
振子に関する。
（従来の技術）
マイクロ波回路等に使用される素子としてＧＧＧ（ガド
リニウム、ガリウム、ガーネット）非磁性基板上に、液
相エビタキシャル或長させたＹＩＧ（イットリウム、鉄
、ガーネット）薄膜を所要の形状に加工した静磁波素子
が特開昭６２ −２４５７０４号公報等に開示されてい
る． 第４図はこの特開昭６２−２４５７０４号に示された例
で静磁波素子の概略構或図である。この静磁波素子は、
ＧＧＧ基板１の上にＹＩＧ薄膜２を液相エビタキシャル
法により形成し、このＹＩＧ薄膜２上に金あるいはアル
ミ膜からなる等間隔に配置された複数の電ｉ３及びこれ
らの電極３の両側に端子４を写真蝕刻技術により形成し
たものである。
リニウム、ガリウム、ガーネット）非磁性基板上に、液
相エビタキシャル或長させたＹＩＧ（イットリウム、鉄
、ガーネット）薄膜を所要の形状に加工した静磁波素子
が特開昭６２ −２４５７０４号公報等に開示されてい
る． 第４図はこの特開昭６２−２４５７０４号に示された例
で静磁波素子の概略構或図である。この静磁波素子は、
ＧＧＧ基板１の上にＹＩＧ薄膜２を液相エビタキシャル
法により形成し、このＹＩＧ薄膜２上に金あるいはアル
ミ膜からなる等間隔に配置された複数の電ｉ３及びこれ
らの電極３の両側に端子４を写真蝕刻技術により形成し
たものである。
静磁波素子は端子４においてマイクロ波回路の一部に接
続されるものである。
続されるものである。
このような静磁波素子に磁石及びコイル（図示せず）の
一方もしくは両方によりＹＩＧ膜面に平行または垂直に
磁場を印加すると電子スピン共鳴現象に基づく共振が起
こる。例えば第４図で静磁波素子の膜面に外部磁界を垂
直な磁場として与えると、ＹＩＧ薄膜には靜磁前進体積
波が伝搬、ＹＩＧ薄膜の両端面５ａ、５ｂで反射して定
在波となって共振するようになる。この共振が起こる周
波数は与えた磁場により変えることができ、このような
静磁波素子を２端子デバイスとして用いてマイクロ波発
振器を作ることができる。静磁波素子は高品質のＹＩＧ
薄膜により高い選択度（Ｑ）を持つこと、また共振周波
数の可変幅を大きく取れること等の優れた特徴を持つこ
とが知られている。
一方もしくは両方によりＹＩＧ膜面に平行または垂直に
磁場を印加すると電子スピン共鳴現象に基づく共振が起
こる。例えば第４図で静磁波素子の膜面に外部磁界を垂
直な磁場として与えると、ＹＩＧ薄膜には靜磁前進体積
波が伝搬、ＹＩＧ薄膜の両端面５ａ、５ｂで反射して定
在波となって共振するようになる。この共振が起こる周
波数は与えた磁場により変えることができ、このような
静磁波素子を２端子デバイスとして用いてマイクロ波発
振器を作ることができる。静磁波素子は高品質のＹＩＧ
薄膜により高い選択度（Ｑ）を持つこと、また共振周波
数の可変幅を大きく取れること等の優れた特徴を持つこ
とが知られている。
既にマイクロ波領域では広く使われているＹＩＧ球を用
いる素子に比較しても、写真蝕刻技術により素子を作或
するため比較的安価であることが特開昭６３−２２８８
０２号公報等に開示されている。
いる素子に比較しても、写真蝕刻技術により素子を作或
するため比較的安価であることが特開昭６３−２２８８
０２号公報等に開示されている。
第４図で電極３の作戒位置は等間隔のビッチＰで示され
ている．また、第５図は別の従来技術として米国特許第
４７８２３１２号における電極位置を示している。ここ
では入力電８ｉＩ６ａと出力電ｉ６ｂをＪ次の共ロ，１
モードのピーク位置に配することが示されている． 第６図でＪは静磁波素子の電極の幅方向に立っ静磁波の
モードである。この場合、第５図のように入力電極６ａ
と出力ｔ極６ｂとが別々に存在すると最も低次元の共Ｑ
モードのピーク位置はＪ＝２となる．この状態は第６図
でａ．ｂの位置となり、入出力の電極を分けず■本の電
極を配する場合は最も低次元の共鳴モードＪ＝１の位置
Ｃが配置位置となる。
ている．また、第５図は別の従来技術として米国特許第
４７８２３１２号における電極位置を示している。ここ
では入力電８ｉＩ６ａと出力電ｉ６ｂをＪ次の共ロ，１
モードのピーク位置に配することが示されている． 第６図でＪは静磁波素子の電極の幅方向に立っ静磁波の
モードである。この場合、第５図のように入力電極６ａ
と出力ｔ極６ｂとが別々に存在すると最も低次元の共Ｑ
モードのピーク位置はＪ＝２となる．この状態は第６図
でａ．ｂの位置となり、入出力の電極を分けず■本の電
極を配する場合は最も低次元の共鳴モードＪ＝１の位置
Ｃが配置位置となる。
しかし 上記従来技術にあって１よ、第６図に示したよ
うに、結合する静磁波モード以外の高次モードが存在す
るため、この高次モードによりスブリアス共振があり、
例えばこの共振子を使ってマイクロ波発振器を楕或する
場合に不要な周波数で発振が起こる現象があった。第５
図のＴ４ｆｉ位置においても、主共振の出力は高くなる
がスプリアス共振を抑制することはできなかった．その
ため、不要な周波数の出力が依然として残留するという
問題があった。
うに、結合する静磁波モード以外の高次モードが存在す
るため、この高次モードによりスブリアス共振があり、
例えばこの共振子を使ってマイクロ波発振器を楕或する
場合に不要な周波数で発振が起こる現象があった。第５
図のＴ４ｆｉ位置においても、主共振の出力は高くなる
がスプリアス共振を抑制することはできなかった．その
ため、不要な周波数の出力が依然として残留するという
問題があった。
（発明が解決しようとする課題）
したがって、本発明の目的は上記課題に鑑み、従来欠点
を解消し、高次モードによる共振を抑えて、スブリアス
共振の少ない静磁波素子を提供するものである。
を解消し、高次モードによる共振を抑えて、スブリアス
共振の少ない静磁波素子を提供するものである。
口 発明の構或
（課題を解決するための手段）
上記目的を達戒するためには、本発明は非磁性基板上に
形或され膜面に平行または垂直な磁場を与えられたフェ
リ磁性薄膜と、マイクロ波を該フェリ磁性薄膜面内の静
磁波と結合させる複数本の電極とからなる静磁波素子に
於いて、静磁波のモードのうち２次から電極の本数＋１
次のモードまで実質的に結合しない位置に電極を配置し
た静磁波素子として提供される。
形或され膜面に平行または垂直な磁場を与えられたフェ
リ磁性薄膜と、マイクロ波を該フェリ磁性薄膜面内の静
磁波と結合させる複数本の電極とからなる静磁波素子に
於いて、静磁波のモードのうち２次から電極の本数＋１
次のモードまで実質的に結合しない位置に電極を配置し
た静磁波素子として提供される。
また、前記静磁波素子に於いて、前記電極は、電極の本
数をｎ、静磁波反射端面距離ｌ、前記静磁波反射端面の
一方からｉ番目の電極までの距離をＸｉとしたとき、 前記電極を、式（ｉ）・・・ Σｓｉｎ（ＪπＸｉ／ｆ）＝０ （
ｉ）ｉ＝１ （Ｊ＝２．３、・・・・ｎ＋１のすべてを満足する。） の関係を実質的に充足した位置に配置した静磁波素子と
して提供される。
数をｎ、静磁波反射端面距離ｌ、前記静磁波反射端面の
一方からｉ番目の電極までの距離をＸｉとしたとき、 前記電極を、式（ｉ）・・・ Σｓｉｎ（ＪπＸｉ／ｆ）＝０ （
ｉ）ｉ＝１ （Ｊ＝２．３、・・・・ｎ＋１のすべてを満足する。） の関係を実質的に充足した位置に配置した静磁波素子と
して提供される。
さらに、前記靜磁波素子に於いて、前記電極は複数本形
或されており、電極の本数を０、静磁波反射端面間距Ｍ
ｇ，前記静磁波反射端面の一方からｉ番目の電極までの
距離をＸｉとしたとき、静磁波反射端面間の中心に対し
対称に配置され、かつ各電極は、式（ｉｉ）・・ ｎ Σｓｉｎ（Ｊ π Ｘｉ／．Ｒ） ＝＝Ｑ
（ ｉｉ ）ｉ＝１ （Ｊ＝３．５、・・・ｎ−１、ｎ ＋ １のすべてを満
足する．） の関係を実質的に充足した位置に配置した静磁波素子と
して提供される。
或されており、電極の本数を０、静磁波反射端面間距Ｍ
ｇ，前記静磁波反射端面の一方からｉ番目の電極までの
距離をＸｉとしたとき、静磁波反射端面間の中心に対し
対称に配置され、かつ各電極は、式（ｉｉ）・・ ｎ Σｓｉｎ（Ｊ π Ｘｉ／．Ｒ） ＝＝Ｑ
（ ｉｉ ）ｉ＝１ （Ｊ＝３．５、・・・ｎ−１、ｎ ＋ １のすべてを満
足する．） の関係を実質的に充足した位置に配置した静磁波素子と
して提供される。
また、さらに、前記フェリ磁性薄膜と、マイクロ波を該
フェリ磁性薄膜面内の静磁波と結合させる一本または複
数本の電極とからなる静磁波素子に於いて、前記電極は
前記靜磁波反射端面の一方からの距離をＹｉとしたとき
、静磁波反射端面の中心に対し対称に配置され、式（ｉ
ｉｉ） ・・・２ｎ Σｓｉｎ（ＪπＹｉ／．＆）＝Ｏ
（石）ｉ＝１ （Ｊ＝３． ５、・・・２ｎ−１、２ｎ＋１のすべてを
満足する。〉 の関係を実質的に充足する位置Ｙｔを各電極の幅方向の
両端が占める静磁波素子で提供される。
フェリ磁性薄膜面内の静磁波と結合させる一本または複
数本の電極とからなる静磁波素子に於いて、前記電極は
前記靜磁波反射端面の一方からの距離をＹｉとしたとき
、静磁波反射端面の中心に対し対称に配置され、式（ｉ
ｉｉ） ・・・２ｎ Σｓｉｎ（ＪπＹｉ／．＆）＝Ｏ
（石）ｉ＝１ （Ｊ＝３． ５、・・・２ｎ−１、２ｎ＋１のすべてを
満足する。〉 の関係を実質的に充足する位置Ｙｔを各電極の幅方向の
両端が占める静磁波素子で提供される。
（作用）
本発明者等は電極に流れるマイクロ波電流と静磁波の各
高次モードとの結合強さは、その位置における静磁波の
各高次モードの振幅に略比例関係にあることを見い出し
た。さらに、靜磁波の高次モードと結合しないためには
、各電極から各高次モードにエネルギーを与えず、しか
もエネルギーを検出しない位置に配置すれば良いことも
見い出した。
高次モードとの結合強さは、その位置における静磁波の
各高次モードの振幅に略比例関係にあることを見い出し
た。さらに、靜磁波の高次モードと結合しないためには
、各電極から各高次モードにエネルギーを与えず、しか
もエネルギーを検出しない位置に配置すれば良いことも
見い出した。
このような位置は各高次モードで電極位置の振幅を積算
したものが０（零）の位置である．この位置では、ある
ｔ８ｉ！と高次モードが結合し、＋の振幅分結合しても
、他の電極で同じだけの−の振幅分だけ結合し全体の電
極に対する結合は相殺されてＯ〈零〉になると推測され
る． また、本発明者等はこの関係に基づきｎ本の電極の配置
を前記式（ｉ）の満足する位置の付近に配置すればｎ＋
１次までの高次モードとの結合を小さくすることができ
、スプリアスを最小にとどぬることができることを確認
した． ｎ本の電極の位置の自由度はｎであるため、ｎ本の電極
では２次からｎ＋１次までの高次モードに有効に対策で
きるものである。
したものが０（零）の位置である．この位置では、ある
ｔ８ｉ！と高次モードが結合し、＋の振幅分結合しても
、他の電極で同じだけの−の振幅分だけ結合し全体の電
極に対する結合は相殺されてＯ〈零〉になると推測され
る． また、本発明者等はこの関係に基づきｎ本の電極の配置
を前記式（ｉ）の満足する位置の付近に配置すればｎ＋
１次までの高次モードとの結合を小さくすることができ
、スプリアスを最小にとどぬることができることを確認
した． ｎ本の電極の位置の自由度はｎであるため、ｎ本の電極
では２次からｎ＋１次までの高次モードに有効に対策で
きるものである。
例えば、２本の電極で３次のモード（Ｊ＝３）まで抑制
したい場合は、 式（ｉ＞は次のように展開できる。
したい場合は、 式（ｉ＞は次のように展開できる。
２
となり、
ｓｉｎ（２πＸＩ／ ４ ） ＋ｓｉｎ（２πＸ２／
１ ）＝Ｏ （１−１）ｓｉｎ（３πＸ１／ ４
）＋ｓｉｎ（３πＸ２／ ！２）・Ｏ （１−２
）上記（１−１）、（１−２）式を同時に満足すればよ
い。
１ ）＝Ｏ （１−１）ｓｉｎ（３πＸ１／ ４
）＋ｓｉｎ（３πＸ２／ ！２）・Ｏ （１−２
）上記（１−１）、（１−２）式を同時に満足すればよ
い。
この時に、（１−１＞式の右辺が示すのは２次のモード
との結合度であり、ここで、Ｘｉを静磁波反射端面の一
方から距離とすれば、２次のモードは、ｓｉｎ（ ２π
Ｘｉ／ｆ）で表される。これを図示すると第６図のＪ＝
２のようになる。
との結合度であり、ここで、Ｘｉを静磁波反射端面の一
方から距離とすれば、２次のモードは、ｓｉｎ（ ２π
Ｘｉ／ｆ）で表される。これを図示すると第６図のＪ＝
２のようになる。
この式（ｉ）の解は無数にあるが、例えば、Ｘｉの位置
をｄとした場合、ｓｉｎ（２πＸｉ／ｆ）の値はー８２
、即ちその位置における振幅の値であり、もう一本電極
を配置して実質的に結合しないようにするためには、ｓ
ｉｎ（２ πＸ２ ／４ ） ＝Ｓ２の振幅をもつ位置
、即ち、第６図中の中間点Ｃを中心とした対称位ｉ１ｄ
’に配すれば良い。
をｄとした場合、ｓｉｎ（２πＸｉ／ｆ）の値はー８２
、即ちその位置における振幅の値であり、もう一本電極
を配置して実質的に結合しないようにするためには、ｓ
ｉｎ（２ πＸ２ ／４ ） ＝Ｓ２の振幅をもつ位置
、即ち、第６図中の中間点Ｃを中心とした対称位ｉ１ｄ
’に配すれば良い。
これは一方の電極をどの位置に置いても上記中間点Ｃと
対称に配置すれば実質的に２次モードと結合しないこと
を意味する． 一方、（１−２）式の右辺が示すのは３次のモードとの
結合度であり、ここで、同様にＸｉを静磁波反射端面の
一方から距離とすれば、３次のモードはｓｉｎ（ ３π
Ｘｉ／．Ｒ）で表される。これを図示すると第６図のＪ
＝３のようになる． この場合には、例えば上記の如く中間点Ｃと対称に配置
し、（１−１）式を充足させることで、３次のモードと
も実質的に結合しない位置としてｅ１及びｅ２があるこ
とは容易に計算できよう。
対称に配置すれば実質的に２次モードと結合しないこと
を意味する． 一方、（１−２）式の右辺が示すのは３次のモードとの
結合度であり、ここで、同様にＸｉを静磁波反射端面の
一方から距離とすれば、３次のモードはｓｉｎ（ ３π
Ｘｉ／．Ｒ）で表される。これを図示すると第６図のＪ
＝３のようになる． この場合には、例えば上記の如く中間点Ｃと対称に配置
し、（１−１）式を充足させることで、３次のモードと
も実質的に結合しない位置としてｅ１及びｅ２があるこ
とは容易に計算できよう。
即ち、ｅｌ及びｅ２の位置は式（ｉ）を充足するもので
あり、本発明の電極位置を示すことになる。
あり、本発明の電極位置を示すことになる。
また、偶数次モードは静磁波素子上の静磁波反射端面間
の中心を含む中心線に対し奇関数となるため、偶数本の
電極をこの中心線に対し対称であり、かつ、式（ｉｉ）
の関係を満足する位置Ｘｉの付近に配置することにより
、全ての偶数次の高次モードとｎ＋１次までの奇数次の
高次モードとの結合を抑制でき、スプリアスを小さくす
るのに効果がある． また電極に流れるマイクロ波電流の分布は、電極の両端
に多く流れ、中央付近では少なくなるので、ｎ磁波反射
端面の一方からの距離をＹｉとしたとき、Ｙｉが上記の
中心線に対し対称であり、かつ、上記、式（ｉｔｉ）の
関係を満足する位置Ｙｉの付近に各電極の幅方向の両端
が占めるよう配置して高次モードを抑制できる． （実施例） 本発明の静磁波素子について図面を参照して説明するが
、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
の中心を含む中心線に対し奇関数となるため、偶数本の
電極をこの中心線に対し対称であり、かつ、式（ｉｉ）
の関係を満足する位置Ｘｉの付近に配置することにより
、全ての偶数次の高次モードとｎ＋１次までの奇数次の
高次モードとの結合を抑制でき、スプリアスを小さくす
るのに効果がある． また電極に流れるマイクロ波電流の分布は、電極の両端
に多く流れ、中央付近では少なくなるので、ｎ磁波反射
端面の一方からの距離をＹｉとしたとき、Ｙｉが上記の
中心線に対し対称であり、かつ、上記、式（ｉｔｉ）の
関係を満足する位置Ｙｉの付近に各電極の幅方向の両端
が占めるよう配置して高次モードを抑制できる． （実施例） 本発明の静磁波素子について図面を参照して説明するが
、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例１
第１図は本発明の一実施例を示す静磁波素子の平面図で
ある。この静磁波素子は、第４図で示した公知の静磁波
素子と同様に、ＧＧＧ基板１上にＹ Ｉ Ｇ薄膜２を液
相エビタキシャル成長法にて作戊し、ＹＩＧ薄膜２上に
金あるいはアルミ膜からなるｔ極３をｎ本及びこれらの
電ｉ３と両側で接続した端子４を写真蝕刻技術により形
威したものである．静磁波素子は端子４においてマイク
ロ波回路に接続されるものである． 具体的には、ＹＩＧ薄膜２の幅々は２ｍｍ、その長さＷ
は５ｍｍ，また結合用電極３の長さ々２は３開、幅Ｗ２
は０．０２ｍｍであり、ＹＩＧ薄膜２の厚さは３５μｍ
とした。
ある。この静磁波素子は、第４図で示した公知の静磁波
素子と同様に、ＧＧＧ基板１上にＹ Ｉ Ｇ薄膜２を液
相エビタキシャル成長法にて作戊し、ＹＩＧ薄膜２上に
金あるいはアルミ膜からなるｔ極３をｎ本及びこれらの
電ｉ３と両側で接続した端子４を写真蝕刻技術により形
威したものである．静磁波素子は端子４においてマイク
ロ波回路に接続されるものである． 具体的には、ＹＩＧ薄膜２の幅々は２ｍｍ、その長さＷ
は５ｍｍ，また結合用電極３の長さ々２は３開、幅Ｗ２
は０．０２ｍｍであり、ＹＩＧ薄膜２の厚さは３５μｍ
とした。
ここで電極の本数ｎを変化させ、それぞれの電極の中心
位置をＸｉとしたとき、 ｎ Σｓｉｎ（ＪπＸｉ／ｆｆｌ＞ ＝Ｏ
（ ！ ）ｉ＝１ （Ｊ＝２．３、 ・ ・ ・ ｎ．ｎ＋１）の関係を満
足するようなそれぞれの電極位置Ｘｉを求め、表１で示
す電極位置ｘｉに電極を作成した５表 １ 比較例として電極を等間隔に配置した場合も表１にその
配置位置を示す。
位置をＸｉとしたとき、 ｎ Σｓｉｎ（ＪπＸｉ／ｆｆｌ＞ ＝Ｏ
（ ！ ）ｉ＝１ （Ｊ＝２．３、 ・ ・ ・ ｎ．ｎ＋１）の関係を満
足するようなそれぞれの電極位置Ｘｉを求め、表１で示
す電極位置ｘｉに電極を作成した５表 １ 比較例として電極を等間隔に配置した場合も表１にその
配置位置を示す。
ここで、電極位置はＹＩＧ薄膜２の幅１の中心に対して
対称となるように配置している。
対称となるように配置している。
式（ｉ）の右辺の計算値を結合度とし、靜磁波のモード
（Ｊ）をＪ＝１．２．３・・・ｎ．ｎ＋１・・・１０と
したときの表１に示した本実施例（試料番号１，２．，
３）及び比較例く試料番号４）に対する結合度（図中×
で示している）の計算結果をそれぞれ第７図、第８図、
第９図及び第１０図に示す． これらの図から本実施例ではＪ＝１の主共振以外のＪ＝
２〜ｎ＋１までの高次モードと結合しないことが予測さ
れる．図では×印は結合状態を示している。また本実施
例の内、偶数本の電極を持つ場合、第７図及び第９図か
ら電極本数＋２のモードまで結合しないことが予測され
る．この電極数が偶数の場合の電極位置は前述の式（ｉ
ｉ）を満足するものである。
（Ｊ）をＪ＝１．２．３・・・ｎ．ｎ＋１・・・１０と
したときの表１に示した本実施例（試料番号１，２．，
３）及び比較例く試料番号４）に対する結合度（図中×
で示している）の計算結果をそれぞれ第７図、第８図、
第９図及び第１０図に示す． これらの図から本実施例ではＪ＝１の主共振以外のＪ＝
２〜ｎ＋１までの高次モードと結合しないことが予測さ
れる．図では×印は結合状態を示している。また本実施
例の内、偶数本の電極を持つ場合、第７図及び第９図か
ら電極本数＋２のモードまで結合しないことが予測され
る．この電極数が偶数の場合の電極位置は前述の式（ｉ
ｉ）を満足するものである。
一方、比較例では主共振Ｊ＝１の他にＪ＝３、Ｊ＝５の
主共振の近傍のモードを結合することが予想される． これらを実証するために、上記Ｗ？磁波素子について次
の実験を実施した。静磁波素子のＹＩＧ膜面２に垂直（
第１図等で■で図示、磁場方向は図面下に向かう）に約
２５００エルステッド（０８）の磁場を印加し帯域阻止
特性をネットワークアナライザーで測定した。試料番号
１ないし４について測定結果をそれぞれ第１１図ないし
第１４図に示した．縦軸は利得、横軸は周波数である。
主共振の近傍のモードを結合することが予想される． これらを実証するために、上記Ｗ？磁波素子について次
の実験を実施した。静磁波素子のＹＩＧ膜面２に垂直（
第１図等で■で図示、磁場方向は図面下に向かう）に約
２５００エルステッド（０８）の磁場を印加し帯域阻止
特性をネットワークアナライザーで測定した。試料番号
１ないし４について測定結果をそれぞれ第１１図ないし
第１４図に示した．縦軸は利得、横軸は周波数である。
これらの結果から、本実施例の静磁波素子の主共振はい
ずれも２．２ＧＨｚ付近にあり、伝搬長が１／２波長と
なる周波数すなわち第１次モードで共振していると解さ
れる。
ずれも２．２ＧＨｚ付近にあり、伝搬長が１／２波長と
なる周波数すなわち第１次モードで共振していると解さ
れる。
実施例（第１１図、第１２図、第ｌ３図）の帯域阻止特
性は比較例〈第１４図）に比べ高次モードのうち第１次
モードに近いモードでスプリアス共振が抑制されている
ことが確認された．これに対し比較例はスプリアス共振
を抑制することができず、そのため、主共振の近傍の周
波数に出力が依然として残留している また、第ｌ１図と第１３図とを比較すると、大きなスブ
リアス共振はそれぞれ２．６ＧＨｚ付近及び２．８ＧＨ
ｚ付近に存在し、第１３図の方が大きなスプリアス共振
が主共振から離れた周波数に存在している。このことか
ら帯域特性の点で電極本数ｎの数を増やすことが好まし
いことがわかる。
性は比較例〈第１４図）に比べ高次モードのうち第１次
モードに近いモードでスプリアス共振が抑制されている
ことが確認された．これに対し比較例はスプリアス共振
を抑制することができず、そのため、主共振の近傍の周
波数に出力が依然として残留している また、第ｌ１図と第１３図とを比較すると、大きなスブ
リアス共振はそれぞれ２．６ＧＨｚ付近及び２．８ＧＨ
ｚ付近に存在し、第１３図の方が大きなスプリアス共振
が主共振から離れた周波数に存在している。このことか
ら帯域特性の点で電極本数ｎの数を増やすことが好まし
いことがわかる。
また、第１１図と第１２図とを比較すると、どちらも同
じ位置（２．６ＧＨｚ付近〉に大きなスプリアス共振が
見られ、試料番号１の場合のように偶数本で、ｔ［ｉ位
置をＹＩＧ薄膜２の幅ｇの中心に対して対称となるよう
に配置することにより、電極本数が１本少ない場合でも
同様な帯域特性が得られることがわかる。
じ位置（２．６ＧＨｚ付近〉に大きなスプリアス共振が
見られ、試料番号１の場合のように偶数本で、ｔ［ｉ位
置をＹＩＧ薄膜２の幅ｇの中心に対して対称となるよう
に配置することにより、電極本数が１本少ない場合でも
同様な帯域特性が得られることがわかる。
なお、電極位置については前記関係式（ｉ）を実質的に
充足した位置にあればよいが、その程度は、考慮する高
次モードの波長の１／４程度以内であれば実質的に抑制
の効果が期待できる．また、ここでは静磁波素子のＹＩ
Ｇ膜面２に垂直に約２５００エルステッド（Ｏｅ）の磁
場を印加した場合を示したが、この磁場を可変すること
によって共振周波数を可変できることはもちろんであり
、また、磁場の印加方向をＹｒＧ膜面２に平行にしても
略同様な結果が得られることも容易に類推できよう。
充足した位置にあればよいが、その程度は、考慮する高
次モードの波長の１／４程度以内であれば実質的に抑制
の効果が期待できる．また、ここでは静磁波素子のＹＩ
Ｇ膜面２に垂直に約２５００エルステッド（Ｏｅ）の磁
場を印加した場合を示したが、この磁場を可変すること
によって共振周波数を可変できることはもちろんであり
、また、磁場の印加方向をＹｒＧ膜面２に平行にしても
略同様な結果が得られることも容易に類推できよう。
実施例２
第２図は本発明の他の実施例を示す靜磁波素子の平面図
である．この静磁波素子は、第１図で示した製造方法に
より形或したものである。
である．この静磁波素子は、第１図で示した製造方法に
より形或したものである。
具体的には、電極本数ｎを２本とし、ＹＩＧ薄膜２の幅
を２ｍｍ、その長さＷは５ｍｍ，また結合用電極３の長
さ｛２は３開であり、ＹＩＧ薄膜２の厚さは３５μｌと
した。
を２ｍｍ、その長さＷは５ｍｍ，また結合用電極３の長
さ｛２は３開であり、ＹＩＧ薄膜２の厚さは３５μｌと
した。
２本の電極の幅方向の端の位置をそれぞれＹｌ，Ｙ２、
Ｙ３、Ｙ４とし、電極をＹＩＧ薄膜２の幅方向の中心に
配するものとして、前述式（ｉｉｉ）を満たすような位
置を求めた． しかして、前述式＜ｉｉｉ）に電極本数ｎ＝２を代入し
展開すると、 Σｓｉｎ（３ ｙｒ Ｙｉ／ ４ ） ｉ＝１ ＝０ （ＩＶ） ４ Σｓｉｎ（５πＹｉ／．Ｒ）＝Ｏ （
Ｖ）ｉ＝１ となり、 前述式（ＩＶ）及び式（Ｖ）を共に満たすＹｌ，Ｙ３、
Ｙ４を求めた。計算結果を表２に示す。
Ｙ３、Ｙ４とし、電極をＹＩＧ薄膜２の幅方向の中心に
配するものとして、前述式（ｉｉｉ）を満たすような位
置を求めた． しかして、前述式＜ｉｉｉ）に電極本数ｎ＝２を代入し
展開すると、 Σｓｉｎ（３ ｙｒ Ｙｉ／ ４ ） ｉ＝１ ＝０ （ＩＶ） ４ Σｓｉｎ（５πＹｉ／．Ｒ）＝Ｏ （
Ｖ）ｉ＝１ となり、 前述式（ＩＶ）及び式（Ｖ）を共に満たすＹｌ，Ｙ３、
Ｙ４を求めた。計算結果を表２に示す。
表 ２
Ｙ２、
この静磁波素子を実施例１と同じ条件で帯域阻止特性を
測定したところ実施例１の電極本数４本の場合〈第１１
図〉と類似の結果となり、高次モードの抑制に効果があ
ることが確認できた．従って、式（ｉｉｉ）を充足した
場合にあっても、高次モード印制に効果があることが確
認された。
測定したところ実施例１の電極本数４本の場合〈第１１
図〉と類似の結果となり、高次モードの抑制に効果があ
ることが確認できた．従って、式（ｉｉｉ）を充足した
場合にあっても、高次モード印制に効果があることが確
認された。
実施例３
第３図は他の例で、静磁波素子の側面図及び平面図をそ
れぞれ（Ａ）、（Ｂ）に示しものである。
れぞれ（Ａ）、（Ｂ）に示しものである。
ｉｆ！３としてマイクロストリップライン９を用いた例
である．マイクロストリップライン９は誘電体７を挟ん
で上面導体１０と裏面導体８とからなる．このマイクロ
ストリップライン９の長手方向に垂直に２本の電極３を
加工し、第３図（Ｂ）に示すように作戒した．このマイ
クロストリップライン９の長手方向に垂直にＧＧＧ基板
１をＹＩＧ薄膜２面を電極３側にして載置して静磁波素
子を形成した。このときＹＩＧ薄膜２の端と電極３の位
置Ｙ１．Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４は実施例２に従い表２の結果
になるようにした。
である．マイクロストリップライン９は誘電体７を挟ん
で上面導体１０と裏面導体８とからなる．このマイクロ
ストリップライン９の長手方向に垂直に２本の電極３を
加工し、第３図（Ｂ）に示すように作戒した．このマイ
クロストリップライン９の長手方向に垂直にＧＧＧ基板
１をＹＩＧ薄膜２面を電極３側にして載置して静磁波素
子を形成した。このときＹＩＧ薄膜２の端と電極３の位
置Ｙ１．Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４は実施例２に従い表２の結果
になるようにした。
具体的には、ＹＩＧ薄膜２の幅１は２ｍｍ、その長さＷ
は５ｍｍ，ＹＩＧ薄膜２の厚さは３５ｕｍとした． この実施例３の静磁波素子の帯域阻止特性は実施例２と
同様に測定したところ、実施例２と略同一の結果が得ら
れた。
は５ｍｍ，ＹＩＧ薄膜２の厚さは３５ｕｍとした． この実施例３の静磁波素子の帯域阻止特性は実施例２と
同様に測定したところ、実施例２と略同一の結果が得ら
れた。
（発明の効果）
本発明の静磁波素子によれば、従来例に比べ高次モード
のうち第１次モードに近いモードでスブリアス共振が抑
制されていることが分かる．これによりマイクロ波発振
器、フィルター等に有効であり、小形化、集積度を上げ
ることができる．さらに、共振周波数を容易に制御可能
な静磁波素子が提供できる。
のうち第１次モードに近いモードでスブリアス共振が抑
制されていることが分かる．これによりマイクロ波発振
器、フィルター等に有効であり、小形化、集積度を上げ
ることができる．さらに、共振周波数を容易に制御可能
な静磁波素子が提供できる。
第ｌ図は本発明の靜磁波素子の■実施例を示す平面図、
第２図は本発明の他の実施例を示す平面図、第３図は本
発明の別の実施例を示す側面図（Ａ＞及び平面図（Ｂ）
、第４図は従来の静磁波素子の側面図（Ａ）及び平面図
（Ｂ）、第５図は従来の別の静磁波素子の平面図、第６
図は電極位置とモード強度の関係図、第７図、第８図及
び第９図は実施例のモード数に対する結合度の関係図、
第１０図は従来技術のモード数に対する結合度の関係図
、第１１図、第１２図及び第１３図は本発明の実施例の
帯域阻止特性、第１４図は従来技術の帯域阻止特性であ
る。 １：ＧＧＧ基板、２：ＹＩＧ薄膜 ３；電極、４：端子、５ａ、５ｂ：両端面ｎ−電極の本
数 ７：誘電体、８：裏面導体９：マイクロストリップ
ライン 第 １ 図 第 ２ 図 ４ （Ａ） （Ｂ） 第 ３ 図 （Ａ） ｌ （Ｂ） 第 ４ 図 ２ 第５ 図 第 ６ 図 Ｏ ■ つ ３ ４ ５ モード数 ６ ７ （Ｊ） ８ ９ １０ ｎ＝４ 第 ７ 図 モード数 （Ｊ） ｎ＝５ 第 ８ 図 Ｏ １ つ ３ ４ ５ モート数 ６７ （ ．Ｊ ） ８ ９ １０ ｎ＝６ 男 ９ 図 Ｏ １ ク ３４ヲ モード数 ６ ７ （Ｊ） ８ ９ １０ ｎ＝フ 第 １０ 図 ２ ２．５ 周波数 ＧＨＺ ３ 第 １１ 図 ２ ２，５ 周波数 Ｇ｝１２ ３ 第 ｌ２ 図 つ ２．５ 罰波数 ＧＨＺ ） 第 １３ ｌ つ ２．５ 周：皮数 ＧＨｚ ） 第 ″Ｌ４ 刃
第２図は本発明の他の実施例を示す平面図、第３図は本
発明の別の実施例を示す側面図（Ａ＞及び平面図（Ｂ）
、第４図は従来の静磁波素子の側面図（Ａ）及び平面図
（Ｂ）、第５図は従来の別の静磁波素子の平面図、第６
図は電極位置とモード強度の関係図、第７図、第８図及
び第９図は実施例のモード数に対する結合度の関係図、
第１０図は従来技術のモード数に対する結合度の関係図
、第１１図、第１２図及び第１３図は本発明の実施例の
帯域阻止特性、第１４図は従来技術の帯域阻止特性であ
る。 １：ＧＧＧ基板、２：ＹＩＧ薄膜 ３；電極、４：端子、５ａ、５ｂ：両端面ｎ−電極の本
数 ７：誘電体、８：裏面導体９：マイクロストリップ
ライン 第 １ 図 第 ２ 図 ４ （Ａ） （Ｂ） 第 ３ 図 （Ａ） ｌ （Ｂ） 第 ４ 図 ２ 第５ 図 第 ６ 図 Ｏ ■ つ ３ ４ ５ モード数 ６ ７ （Ｊ） ８ ９ １０ ｎ＝４ 第 ７ 図 モード数 （Ｊ） ｎ＝５ 第 ８ 図 Ｏ １ つ ３ ４ ５ モート数 ６７ （ ．Ｊ ） ８ ９ １０ ｎ＝６ 男 ９ 図 Ｏ １ ク ３４ヲ モード数 ６ ７ （Ｊ） ８ ９ １０ ｎ＝フ 第 １０ 図 ２ ２．５ 周波数 ＧＨＺ ３ 第 １１ 図 ２ ２，５ 周波数 Ｇ｝１２ ３ 第 ｌ２ 図 つ ２．５ 罰波数 ＧＨＺ ） 第 １３ ｌ つ ２．５ 周：皮数 ＧＨｚ ） 第 ″Ｌ４ 刃
Claims (4)
- （１）非磁性基板上に形成され膜面に平行または垂直な
磁場を与えられたフェリ磁性薄膜と、マイクロ波を該フ
ェリ磁性薄膜面内の静磁波と結合させる複数本の電極と
からなる静磁波素子に於いて、静磁波のモードのうち２
次から電極の本数＋１次のモードまで実質的に結合しな
い位置に電極を配置したことを特徴とする静磁波素子。 - （２）非磁性基板上に形成され膜面に平行または垂直な
磁場を与えられたフェリ磁性薄膜と、マイクロ波を該フ
ェリ磁性薄膜面内の静磁波と結合させる複数本の電極と
からなる静磁波素子に於いて、電極の本数をｎ、靜磁波
反射端面間距離ｌ、前記静磁波反射端面の一方からｉ番
目の電極までの距離をＸｉとしたとき、前記電極を、式
（ｉ）・・・▲数式、化学式、表等があります▼（ｉ） （Ｊ＝２，３、・・・・ｎ＋１のすべてを満足する。） の関係を実質的に充足した位置に配置したことを特徴と
する静磁波素子。 - （３）非磁性基板上に形成され膜面に平行または垂直な
磁場を与えられたフェリ磁性薄膜と、マイクロ波を該フ
ェリ磁性薄膜面内の静磁波と結合させる複数本の電極と
からなる静磁波素子に於いて、前記電極は、複数本形成
されており、電極の本数をｎ、静磁波反射端面距離ｌ、
前記静磁波反射端面の一方からｉ番目の電極までの距離
をＸｉとしたとき、静磁波反射端面間の中心に対し対称
に配置され、かつ各電極 は、式（ｉｉ）・・・ ▲数式、化学式、表等があります▼（ｉｉ） （Ｊ＝３，５、・・・ｎ−１、ｎ＋１のすべてを満足す
る。） の関係を実質的に充足した位置に配置したことを特徴と
する静磁波素子。 - （４）非磁性基板上に形成され膜面に平行または垂直な
磁場を与えられたフェリ磁性薄膜と、マイクロ波を該フ
ェリ磁性薄膜面内の静磁波と結合させる一本または複数
本の電極とからなる静磁波素子に於いて、前記電極は電
極の本数をｎ、静磁波反射端面間距離ｌ、前記静磁波反
射端面の一方からの距離をＹｉとしたとき、静磁波反射
端面の中心に対し対称に配置され、各電極は、式（ｉｉ
ｉ）・・▲数式、化学式、表等があります▼（ｉｉｉ） （Ｊ＝３，５、・・・２ｎ−１、２ｎ＋１のすべてを満
足する。） の関係を実質的に充足する位置Ｙｉを各電極の幅方向の
両端が占めることを特徴とする静磁波素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1300894A JPH03162102A (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 静磁波素子 |
| US07/614,444 US5168254A (en) | 1989-11-21 | 1990-11-16 | Magnetostatic wave device with minimized higher order mode excitations |
| DE4036841A DE4036841C2 (de) | 1989-11-21 | 1990-11-19 | Mit magnetostatischen Wellen arbeitende Einrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1300894A JPH03162102A (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 静磁波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03162102A true JPH03162102A (ja) | 1991-07-12 |
Family
ID=17890404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1300894A Pending JPH03162102A (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 静磁波素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5168254A (ja) |
| JP (1) | JPH03162102A (ja) |
| DE (1) | DE4036841C2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05226910A (ja) * | 1992-02-12 | 1993-09-03 | Murata Mfg Co Ltd | 静磁波共振器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100396922B1 (ko) * | 2000-12-19 | 2003-09-02 | 한국전자통신연구원 | 정자파 필터 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2461368A1 (fr) * | 1979-07-06 | 1981-01-30 | Thomson Csf | Dispositif a ondes magnetostatiques comportant une structure d'echange a bandes conductrices |
| US4395686A (en) * | 1981-10-02 | 1983-07-26 | Westinghouse Electric Corp. | Attenuation of higher order width modes in magnetostatic wave devices |
| US4465986A (en) * | 1982-11-22 | 1984-08-14 | Westinghouse Electric Corp. | Magnetostatic wave device |
| JPS62228802A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-07 | 株式会社東芝 | ボイラ装置 |
| JPS62245704A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-27 | Hitachi Ltd | 静磁波可変共振子 |
| JP2523600B2 (ja) * | 1987-03-18 | 1996-08-14 | 株式会社日立製作所 | 静磁波発振回路 |
| US4782312A (en) * | 1987-10-22 | 1988-11-01 | Hewlett-Packard Company | Mode selective magnetostatic wave resonators |
| US4992760A (en) * | 1987-11-27 | 1991-02-12 | Hitachi Metals, Ltd. | Magnetostatic wave device and chip therefor |
| JPH0230208A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-01-31 | Hitachi Ltd | 静磁波帯域通過濾波器 |
| JPH0233822A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-05 | Mitsubishi Electric Corp | 電子管用陰極 |
-
1989
- 1989-11-21 JP JP1300894A patent/JPH03162102A/ja active Pending
-
1990
- 1990-11-16 US US07/614,444 patent/US5168254A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-11-19 DE DE4036841A patent/DE4036841C2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05226910A (ja) * | 1992-02-12 | 1993-09-03 | Murata Mfg Co Ltd | 静磁波共振器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4036841A1 (de) | 1991-05-23 |
| US5168254A (en) | 1992-12-01 |
| DE4036841C2 (de) | 1995-06-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2617143C1 (ru) | Функциональный элемент на магнитостатических спиновых волнах | |
| JPH0770918B2 (ja) | 同調発振器 | |
| RU2666968C1 (ru) | Частотный фильтр свч сигнала на магнитостатических волнах | |
| KR940000431B1 (ko) | 신호 변환기 | |
| JP4011554B2 (ja) | 伝送線路型共振器を用いた高周波発振器 | |
| Du et al. | Frequency tunable magnetostatic wave filters with zero static power magnetic biasing circuitry | |
| JPH03162102A (ja) | 静磁波素子 | |
| JPH01236724A (ja) | 静磁波素子用チップおよび静磁波素子 | |
| Tsai | Wideband tunable microwave devices using ferromagnetic film–gallium arsenide material structures | |
| JPH0799402A (ja) | 静磁波マイクロ波装置 | |
| JP2507524B2 (ja) | 静磁波共振器 | |
| JP2565050B2 (ja) | 静磁波共振器 | |
| Zhang et al. | Compact, widely tunable, half-lambda YIG oscillator | |
| Du et al. | Magnetostatic Wave Notch Filters Frequency Tuned Via a Zero DC Power Magnetic Bias Circuit | |
| Zhang et al. | Realization of four transmission zeros in a four-pole superconducting microstrip filter using cross-shaped spiral resonators | |
| JP2630109B2 (ja) | 静磁波素子 | |
| Castéra et al. | Magnetostatic wave resonators and oscillators | |
| JPH05199015A (ja) | 静磁波素子 | |
| JP2755320B2 (ja) | 静磁波共振子 | |
| JP2595716B2 (ja) | 静磁波デバイス | |
| Castéra | Magnetostatic wave temperature coefficients | |
| JPH0685507A (ja) | 静磁波マイクロ波装置 | |
| JPH0722889Y2 (ja) | 静磁波共振子 | |
| JPH0258401A (ja) | フェリ磁性体薄膜フィルタ | |
| JPH04322501A (ja) | 静磁波デバイス |