JPH04322501A - 静磁波デバイス - Google Patents
静磁波デバイスInfo
- Publication number
- JPH04322501A JPH04322501A JP9090191A JP9090191A JPH04322501A JP H04322501 A JPH04322501 A JP H04322501A JP 9090191 A JP9090191 A JP 9090191A JP 9090191 A JP9090191 A JP 9090191A JP H04322501 A JPH04322501 A JP H04322501A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ferrimagnetic
- thin film
- permanent magnet
- circuit
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005293 ferrimagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 64
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 54
- 239000002902 ferrimagnetic material Substances 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 38
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 25
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005308 ferrimagnetism Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、マイクロ波帯等で用
いられる静磁波デバイスに関するものである。
いられる静磁波デバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６および図７は例えば、ＩＥＥＥ
Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｔｈｅｏｒｙ ａｎｄ Ｔ
ｅｃｈｎｉｑｕｅｓ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｄｉｇ
ｅｓｔ，１９８５，ｐｐ．２８５−２８８に示された従
来の静磁波デバイスの一例であるフェリ磁性体フィルタ
を示す斜視図および断面図である。図において、１，２
は同一の共振周波数をもつ円形フェリ磁性体薄膜共振器
、３はフェリ磁性体薄膜共振器を液相成長法などにより
作成し保持するのに必要なフェリ磁性体薄膜用誘電体基
板、４は円形フェリ磁性体薄膜共振器を相互に結合する
ためのストリップ導体、５，６は円形フェリ磁性体薄膜
共振器１，２と外部回路とを結合するための入出力スト
リップ導体、７は地導体、８は入出力ストリップ導体５
，６と地導体７とを保持しマイクロストリップ線路を形
成するための誘電体基板である。また、９は円形フェリ
磁性体薄膜共振器１，２の上下に配置された永久磁石板
、１０は永久磁石９を保持し磁気抵抗を下げて所要磁界
強度を得るための鉄などから形成された磁性体ヨークで
あり、円形フェリ磁性体薄膜共振器１，２の膜面に垂直
に直流磁界が印加されている。さらに、１１は永久磁石
９とストリップ導体４を短絡しないように永久磁石９と
ストリップ導体４の表面との間に設けた空間である。
Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｔｈｅｏｒｙ ａｎｄ Ｔ
ｅｃｈｎｉｑｕｅｓ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｄｉｇ
ｅｓｔ，１９８５，ｐｐ．２８５−２８８に示された従
来の静磁波デバイスの一例であるフェリ磁性体フィルタ
を示す斜視図および断面図である。図において、１，２
は同一の共振周波数をもつ円形フェリ磁性体薄膜共振器
、３はフェリ磁性体薄膜共振器を液相成長法などにより
作成し保持するのに必要なフェリ磁性体薄膜用誘電体基
板、４は円形フェリ磁性体薄膜共振器を相互に結合する
ためのストリップ導体、５，６は円形フェリ磁性体薄膜
共振器１，２と外部回路とを結合するための入出力スト
リップ導体、７は地導体、８は入出力ストリップ導体５
，６と地導体７とを保持しマイクロストリップ線路を形
成するための誘電体基板である。また、９は円形フェリ
磁性体薄膜共振器１，２の上下に配置された永久磁石板
、１０は永久磁石９を保持し磁気抵抗を下げて所要磁界
強度を得るための鉄などから形成された磁性体ヨークで
あり、円形フェリ磁性体薄膜共振器１，２の膜面に垂直
に直流磁界が印加されている。さらに、１１は永久磁石
９とストリップ導体４を短絡しないように永久磁石９と
ストリップ導体４の表面との間に設けた空間である。
【０００３】次に動作について説明する。入出力ストリ
ップ導体５に沿って入射した電磁波の高周波磁束は、そ
の周波数が円形フェリ磁性体薄膜共振器１の共振周波数
に一致する場合に、円形フェリ磁性体薄膜共振器１に結
合する。
ップ導体５に沿って入射した電磁波の高周波磁束は、そ
の周波数が円形フェリ磁性体薄膜共振器１の共振周波数
に一致する場合に、円形フェリ磁性体薄膜共振器１に結
合する。
【０００４】円形フェリ磁性体薄膜共振器１が共振した
状態では、フェリ磁性体内の電子スピンの軸が直流磁界
の方向を軸として歳差運動する。この歳差運動によりフ
ェリ磁性体薄膜外には入射した高周波磁束ベクトルと直
交するベクトル成分が現れ、ストリップ導体４に高周波
電流を誘起する。この高周波電流により誘起された高周
波磁束は円形フェリ磁性体薄膜共振器２に結合する。円
形フェリ磁性体薄膜共振器２の高周波磁束は出力用スト
リップ導体６に結合しこれに接続される外部回路へ電磁
波が伝搬する。以上の現象は円形フェリ磁性体薄膜共振
器１，２の共振周波数近傍でのみ起きるため帯域通過フ
ィルタが実現できる。また、共振周波数は直流磁界で制
御できるため通過周波数を可変にすることができる。
状態では、フェリ磁性体内の電子スピンの軸が直流磁界
の方向を軸として歳差運動する。この歳差運動によりフ
ェリ磁性体薄膜外には入射した高周波磁束ベクトルと直
交するベクトル成分が現れ、ストリップ導体４に高周波
電流を誘起する。この高周波電流により誘起された高周
波磁束は円形フェリ磁性体薄膜共振器２に結合する。円
形フェリ磁性体薄膜共振器２の高周波磁束は出力用スト
リップ導体６に結合しこれに接続される外部回路へ電磁
波が伝搬する。以上の現象は円形フェリ磁性体薄膜共振
器１，２の共振周波数近傍でのみ起きるため帯域通過フ
ィルタが実現できる。また、共振周波数は直流磁界で制
御できるため通過周波数を可変にすることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のフェリ磁性体フ
ィルタは以上のように構成されているので、フェリ磁性
帯フィルタの高さは、ヨーク、永久磁石、円形フェリ磁
性体薄膜を有するフェリ磁性体回路、永久磁石とストリ
ップ導体の間の空間、フェリ磁性体薄膜用誘電体基板、
誘電体基板の和であり、永久磁石の長さがフェリ磁性体
フィルタの寸法に直接影響するため高さを低くして小形
化しようとする場合、小形化に限度があるという問題が
ある。特に、高い周波数で動作させようとした場合、強
い直流磁界が必要となり、従来の構成では永久磁石の高
さを高くする必要があるためフェリ磁性体フィルタが大
形化する。この発明は上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、高さを低くして小形化した安定し
た直流磁界で動作する小形の静磁波デバイスを得ことを
目的とする。
ィルタは以上のように構成されているので、フェリ磁性
帯フィルタの高さは、ヨーク、永久磁石、円形フェリ磁
性体薄膜を有するフェリ磁性体回路、永久磁石とストリ
ップ導体の間の空間、フェリ磁性体薄膜用誘電体基板、
誘電体基板の和であり、永久磁石の長さがフェリ磁性体
フィルタの寸法に直接影響するため高さを低くして小形
化しようとする場合、小形化に限度があるという問題が
ある。特に、高い周波数で動作させようとした場合、強
い直流磁界が必要となり、従来の構成では永久磁石の高
さを高くする必要があるためフェリ磁性体フィルタが大
形化する。この発明は上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、高さを低くして小形化した安定し
た直流磁界で動作する小形の静磁波デバイスを得ことを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る静磁波デ
バイスは、永久磁石を有して構成された磁気回路により
、フェリ磁性体回路のフェリ磁性体に直流磁界を印加す
る静磁波デバイスにおいて、上記永久磁石の正負の磁極
間の少なくとも一部分を、上記フェリ磁性体への直流磁
界印加方向に略平行する上記フェリ磁性体回路の周囲に
配置したものである。
バイスは、永久磁石を有して構成された磁気回路により
、フェリ磁性体回路のフェリ磁性体に直流磁界を印加す
る静磁波デバイスにおいて、上記永久磁石の正負の磁極
間の少なくとも一部分を、上記フェリ磁性体への直流磁
界印加方向に略平行する上記フェリ磁性体回路の周囲に
配置したものである。
【０００７】
【作用】上記のように構成された静磁波デバイスでは、
永久磁石の正負の磁極間の少なくとも一部分を、フェリ
磁性体への直流磁界印加方向に略平行するフェリ磁性体
回路の周囲に配置したので、直流磁界の磁束密度を大き
くするためにフェリ磁性体回路の寸法の範囲内で永久磁
石の長さを長くすることができ、フェリ磁性体に印加す
るに必要な直流磁界の磁束密度を得るに十分な寸法の永
久磁石を備えた小形の静磁波デバイスを実現できる。
永久磁石の正負の磁極間の少なくとも一部分を、フェリ
磁性体への直流磁界印加方向に略平行するフェリ磁性体
回路の周囲に配置したので、直流磁界の磁束密度を大き
くするためにフェリ磁性体回路の寸法の範囲内で永久磁
石の長さを長くすることができ、フェリ磁性体に印加す
るに必要な直流磁界の磁束密度を得るに十分な寸法の永
久磁石を備えた小形の静磁波デバイスを実現できる。
【０００８】
実施例１．図１はこの発明の静磁波デバイスの実施例１
を示す斜視図であり、図２は図１の実施例１を示す断面
図である。ここでは、比較を容易にするため従来例同様
静磁波デバイスの一例であるフェリ磁性体フィルタの実
施例を示す。図において、１，２は同一の共振周波数を
もつ円形フェリ磁性体薄膜共振器、３は円形フェリ磁性
体薄膜共振器１，２を液相成長法などにより作成し保持
するのに必要なフェリ磁性体薄膜用誘電体基板、４は円
形フェリ磁性体薄膜共振器１，２を相互に結合するため
のストリップ導体、５，６は円形フェリ磁性体薄膜共振
器１，２と外部回路とを結合するための入出力ストリッ
プ導体、７は地導体、８は入出力ストリップ導体５，６
と地導体７とを保持しマイクロストリップ線路を形成す
るための誘電体基板である。また、９は筒状の永久磁石
板、１０は永久磁石９の両端面にそれぞれ設けた鉄など
の軟磁性材料で形成されたヨークであり、円形フェリ磁
性体薄膜共振器１，２の膜面に垂直に直流磁界が印加さ
れている。１２は直流磁界の強さを変え円形フェリ磁性
体薄膜共振器１，２の共振周波数を可変にするためのコ
イルであり、１３は入出力ストリップ導体５，６および
コイル１２を外部と接続するために永久磁石９に設けた
貫通孔である。なお、１１はヨーク１０とストリップ導
体４を短絡しないようにヨーク１０と円形フェリ磁性体
薄膜共振器１，２の表面との間に設けた空間である。こ
こで、１４は円形フェリ磁性体薄膜共振器１，２、フェ
リ磁性体薄膜用誘電体基板３、ストリップ導体４、入出
力ストリップ導体５，６、地導体７、誘電体基板８から
なるフェリ磁性体回路、１５は永久磁石９とヨーク１０
およびコイル１２からなる磁気回路である。なお、フェ
リ磁性体フィルタの動作については従来例と同様である
ため省略する。
を示す斜視図であり、図２は図１の実施例１を示す断面
図である。ここでは、比較を容易にするため従来例同様
静磁波デバイスの一例であるフェリ磁性体フィルタの実
施例を示す。図において、１，２は同一の共振周波数を
もつ円形フェリ磁性体薄膜共振器、３は円形フェリ磁性
体薄膜共振器１，２を液相成長法などにより作成し保持
するのに必要なフェリ磁性体薄膜用誘電体基板、４は円
形フェリ磁性体薄膜共振器１，２を相互に結合するため
のストリップ導体、５，６は円形フェリ磁性体薄膜共振
器１，２と外部回路とを結合するための入出力ストリッ
プ導体、７は地導体、８は入出力ストリップ導体５，６
と地導体７とを保持しマイクロストリップ線路を形成す
るための誘電体基板である。また、９は筒状の永久磁石
板、１０は永久磁石９の両端面にそれぞれ設けた鉄など
の軟磁性材料で形成されたヨークであり、円形フェリ磁
性体薄膜共振器１，２の膜面に垂直に直流磁界が印加さ
れている。１２は直流磁界の強さを変え円形フェリ磁性
体薄膜共振器１，２の共振周波数を可変にするためのコ
イルであり、１３は入出力ストリップ導体５，６および
コイル１２を外部と接続するために永久磁石９に設けた
貫通孔である。なお、１１はヨーク１０とストリップ導
体４を短絡しないようにヨーク１０と円形フェリ磁性体
薄膜共振器１，２の表面との間に設けた空間である。こ
こで、１４は円形フェリ磁性体薄膜共振器１，２、フェ
リ磁性体薄膜用誘電体基板３、ストリップ導体４、入出
力ストリップ導体５，６、地導体７、誘電体基板８から
なるフェリ磁性体回路、１５は永久磁石９とヨーク１０
およびコイル１２からなる磁気回路である。なお、フェ
リ磁性体フィルタの動作については従来例と同様である
ため省略する。
【０００９】図２の断面図において破線は磁束線を示し
たものである。この実施例では永久磁石９は筒状で筒の
軸方向に磁化されており、正負の磁極間の部分がフェリ
磁性体回路１４の周囲に配置されているので、磁気回路
１５において永久磁石９の内部を貫通する磁束に対する
磁気抵抗は外部に比べ低いため、内部に磁束が集中し効
率良く円形フェリ磁性体薄膜共振器１，２に直流磁界を
印加することができる。また、特に高い共振周波数でフ
ェリ磁性体回路１４を動作させる場合、フェリ磁性体回
路１４に印加するに必要な大きな直流磁界の磁束密度を
得るために永久磁石９の正負の磁極間の長さを長くする
必要があるが、この実施例では上記のように正負の磁極
間の部分がフェリ磁性体回路１４の周囲に配置されてい
るのでこの部分で長さを稼ぐことができ、フェリ磁性体
フィルタの全高さは永久磁石９の高さと上下のヨーク１
０の厚さのみで決まり、従来のものに比べ小形化できる
。
たものである。この実施例では永久磁石９は筒状で筒の
軸方向に磁化されており、正負の磁極間の部分がフェリ
磁性体回路１４の周囲に配置されているので、磁気回路
１５において永久磁石９の内部を貫通する磁束に対する
磁気抵抗は外部に比べ低いため、内部に磁束が集中し効
率良く円形フェリ磁性体薄膜共振器１，２に直流磁界を
印加することができる。また、特に高い共振周波数でフ
ェリ磁性体回路１４を動作させる場合、フェリ磁性体回
路１４に印加するに必要な大きな直流磁界の磁束密度を
得るために永久磁石９の正負の磁極間の長さを長くする
必要があるが、この実施例では上記のように正負の磁極
間の部分がフェリ磁性体回路１４の周囲に配置されてい
るのでこの部分で長さを稼ぐことができ、フェリ磁性体
フィルタの全高さは永久磁石９の高さと上下のヨーク１
０の厚さのみで決まり、従来のものに比べ小形化できる
。
【００１０】実施例２．図３はこの発明の静磁波デバイ
スの実施例２を示す断面図であり、実施例１においてヨ
ーク１０をその内側の円形フェリ磁性体薄膜共振器１，
２に対向する部分に凸部１６を設けた構造としたもので
ある。上記のように構成することにより、磁気回路１５
による磁束を円形フェリ磁性体薄膜共振器１，２を集中
でき、効率良く円形フェリ磁性体薄膜共振器１，２に直
流磁界を印加することができるため、永久磁石９の高さ
を低くでき小形化できる。
スの実施例２を示す断面図であり、実施例１においてヨ
ーク１０をその内側の円形フェリ磁性体薄膜共振器１，
２に対向する部分に凸部１６を設けた構造としたもので
ある。上記のように構成することにより、磁気回路１５
による磁束を円形フェリ磁性体薄膜共振器１，２を集中
でき、効率良く円形フェリ磁性体薄膜共振器１，２に直
流磁界を印加することができるため、永久磁石９の高さ
を低くでき小形化できる。
【００１１】実施例３．図４はこの発明の静磁波デバイ
スの実施例３を示す斜視図であり、図５は図４の実施例
３を示す断面図である。図において、１７，１８は矩形
フェリ磁性体薄膜共振器である。このように上記実施例
１および実施例２において円形フェリ磁性体薄膜共振器
１，２に代えて矩形フェリ磁性体薄膜共振器１７，１８
を用い、矩形フェリ磁性体薄膜共振器１７，１８のそれ
ぞれの辺を互いに平行に配置することにより、矩形フェ
リ磁性体薄膜共振器１７，１８間の結合度をストリップ
導体４を用いずに十分大きくできる。従ってフェリ磁性
体薄膜用誘電体基板３のみでフェリ磁性体フィルタを形
成でき、実施例１および実施例２における誘電体基板８
が不要となり構造を簡単にできるため、小形化できると
ともに低価格化できる。なお、ここでは図５に示すよう
にヨーク１０をその内側の矩形フェリ磁性体薄膜共振器
１７，１８に対向する部分に一続きの凸部１６を設けた
構造としたが、実施例１および実施例２の構成の磁気回
路１５としても上記同様の効果を得られることは言うま
でもない。
スの実施例３を示す斜視図であり、図５は図４の実施例
３を示す断面図である。図において、１７，１８は矩形
フェリ磁性体薄膜共振器である。このように上記実施例
１および実施例２において円形フェリ磁性体薄膜共振器
１，２に代えて矩形フェリ磁性体薄膜共振器１７，１８
を用い、矩形フェリ磁性体薄膜共振器１７，１８のそれ
ぞれの辺を互いに平行に配置することにより、矩形フェ
リ磁性体薄膜共振器１７，１８間の結合度をストリップ
導体４を用いずに十分大きくできる。従ってフェリ磁性
体薄膜用誘電体基板３のみでフェリ磁性体フィルタを形
成でき、実施例１および実施例２における誘電体基板８
が不要となり構造を簡単にできるため、小形化できると
ともに低価格化できる。なお、ここでは図５に示すよう
にヨーク１０をその内側の矩形フェリ磁性体薄膜共振器
１７，１８に対向する部分に一続きの凸部１６を設けた
構造としたが、実施例１および実施例２の構成の磁気回
路１５としても上記同様の効果を得られることは言うま
でもない。
【００１２】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、永久磁
石の正負の磁極間の少なくとも一部分を、フェリ磁性体
への直流磁界印加方向に略平行するフェリ磁性体回路の
周囲に配置したので、フェリ磁性体に印加するに必要な
直流磁界の磁束密度を得るに十分な寸法の永久磁石を備
え、安定した直流磁界で動作する小形の静磁波デバイス
を得られる効果がある。
石の正負の磁極間の少なくとも一部分を、フェリ磁性体
への直流磁界印加方向に略平行するフェリ磁性体回路の
周囲に配置したので、フェリ磁性体に印加するに必要な
直流磁界の磁束密度を得るに十分な寸法の永久磁石を備
え、安定した直流磁界で動作する小形の静磁波デバイス
を得られる効果がある。
【図１】この発明の実施例１を示す斜視図である。
【図２】この発明の実施例１を示す断面図である。
【図３】この発明の実施例２を示す断面図である。
【図４】この発明の実施例３を示す斜視図である。
【図５】この発明の実施例３を示す断面図である。
【図６】従来の静磁波デバイスの一例であるフェリ磁性
体フィルタを示す斜視図である。
体フィルタを示す斜視図である。
【図７】従来の静磁波デバイスの一例であるフェリ磁性
体フィルタを示す断面図である。
体フィルタを示す断面図である。
１，２ 円形フェリ磁性体薄膜共振器３ フェリ磁
性体薄膜誘電体基板 ４ ストリップ導体 ５，６ 入出力ストリップ導体 ７ 地導体 ８ 誘電体基板 ９ 永久磁石 １０ ヨーク １１ 空間 １２ コイル １３ 貫通孔 １４ フェリ磁性体回路 １５ 磁気回路 １６ 凸部
性体薄膜誘電体基板 ４ ストリップ導体 ５，６ 入出力ストリップ導体 ７ 地導体 ８ 誘電体基板 ９ 永久磁石 １０ ヨーク １１ 空間 １２ コイル １３ 貫通孔 １４ フェリ磁性体回路 １５ 磁気回路 １６ 凸部
Claims (1)
- 【請求項１】 永久磁石を有して構成された磁気回路
により、フェリ磁性体回路のフェリ磁性体に直流磁界を
印加する静磁波デバイスにおいて、上記永久磁石の正負
の磁極間の少なくとも一部分が、上記フェリ磁性体への
直流磁界印加方面に略平行する上記フェリ磁性体回路の
周囲に配置されていることを特徴とする静磁波デバイス
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9090191A JPH04322501A (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 静磁波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9090191A JPH04322501A (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 静磁波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04322501A true JPH04322501A (ja) | 1992-11-12 |
Family
ID=14011304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9090191A Pending JPH04322501A (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 静磁波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04322501A (ja) |
-
1991
- 1991-04-23 JP JP9090191A patent/JPH04322501A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5949311A (en) | Tunable resonators | |
| KR940000431B1 (ko) | 신호 변환기 | |
| US6433649B2 (en) | Non-reciprocal circuit element and millimeter-wave hybrid integrated circuit board with the non-reciprocal circuit element | |
| US5484765A (en) | Ferrite/superconductor microwave device | |
| US6507249B1 (en) | Isolator for a broad frequency band with at least two magnetic materials | |
| US20020039054A1 (en) | Confined-flux ferrite structure for circulator/isolator | |
| US3422375A (en) | Microwave power dividing network | |
| US3471809A (en) | Latching reciprocal ferrite phase shifter having mode suppressing means | |
| US3320554A (en) | Cylindrical film ferromagnetic resonance devices | |
| US3480888A (en) | Electronically tuned filter | |
| US3648199A (en) | Temperature-independent yig filter | |
| JPH04322501A (ja) | 静磁波デバイス | |
| JPH0799402A (ja) | 静磁波マイクロ波装置 | |
| US4050038A (en) | Edge-guided mode non-reciprocal circuit element for microwave energy | |
| JP2522579B2 (ja) | Ｐｌｌ制御を行う静磁波マイクロ波発振装置 | |
| JP2694440B2 (ja) | 磁気装置 | |
| KR960006463B1 (ko) | 강자성 공명 장치 및 필터 장치 | |
| US3270298A (en) | Four port circulator having mutually coupled resonant cavities | |
| JP3272967B2 (ja) | 静磁波デバイスおよびこれを用いた電圧制御発振器 | |
| US5068627A (en) | Narrow band microstrip isolator | |
| JPH0685507A (ja) | 静磁波マイクロ波装置 | |
| JP3204435B2 (ja) | 分布定数型マイクロ波非相反素子 | |
| JP2517913B2 (ja) | 強磁性共鳴装置 | |
| JPS6019161B2 (ja) | フエリ磁性体回路素子 | |
| JP2667523B2 (ja) | マイクロ波装置 |