JPS6019161B2 - フエリ磁性体回路素子 - Google Patents
フエリ磁性体回路素子Info
- Publication number
- JPS6019161B2 JPS6019161B2 JP14132175A JP14132175A JPS6019161B2 JP S6019161 B2 JPS6019161 B2 JP S6019161B2 JP 14132175 A JP14132175 A JP 14132175A JP 14132175 A JP14132175 A JP 14132175A JP S6019161 B2 JPS6019161 B2 JP S6019161B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- ferrimagnetic
- external magnetic
- temperature
- circulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
- H01P1/38—Circulators
- H01P1/383—Junction circulators, e.g. Y-circulators
- H01P1/387—Strip line circulators
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は低磁界で動作するフェリ磁性体回路素子の温度
特性の改良に関する。
特性の改良に関する。
一般にフェリ磁性体回路素子には強磁性共鳴点付近で動
作するものと、共鳴点以外の上下で動作するものとに大
別され、共鳴点以下で動作するもので低磁界動作形、共
鳴点以上の磁界で動作するものを高磁界動作形と呼んで
いる。
作するものと、共鳴点以外の上下で動作するものとに大
別され、共鳴点以下で動作するもので低磁界動作形、共
鳴点以上の磁界で動作するものを高磁界動作形と呼んで
いる。
低磁界動作形のフェＩＪ磁性体回路素子の例としては亀
界偏位形ァィソレータ、移相器、サーキュレータ、及び
磁界によるりの変化を利用した整合用素子等がある。従
来、これらの低磁界動作形フヱＩＪ磁性体回路素子の温
度特性の改良方法としては、■フェリ磁性体の組成を変
えて所要温度範囲内のフェリ磁性体素子の飽和磁化４ｍ
Ｍｓの温度変化を最小にする方法、■４ｍＭｓの温度変
化は通常のままでフェリ磁性体素子に外部より磁場を印
加する磁気装置に細工を施して外部磁場或いはフェリ磁
性体素子の内部磁場に適当な温度変化を持たせ４ｍＭｓ
の温度変化を補償する方法とが殆んどであった。
界偏位形ァィソレータ、移相器、サーキュレータ、及び
磁界によるりの変化を利用した整合用素子等がある。従
来、これらの低磁界動作形フヱＩＪ磁性体回路素子の温
度特性の改良方法としては、■フェリ磁性体の組成を変
えて所要温度範囲内のフェリ磁性体素子の飽和磁化４ｍ
Ｍｓの温度変化を最小にする方法、■４ｍＭｓの温度変
化は通常のままでフェリ磁性体素子に外部より磁場を印
加する磁気装置に細工を施して外部磁場或いはフェリ磁
性体素子の内部磁場に適当な温度変化を持たせ４ｍＭｓ
の温度変化を補償する方法とが殆んどであった。
然るに上記従来の方法は次の様な欠点を有していた。先
ず、■の方法はフェリ磁性体素子の組成を変えるため、
４ｍＭｓの値そのものが変化（通常低下する）し、磁気
的性質が劣化する。即ち、非可逆性を劣化させることに
なる。更に添加物等のためｔａｎ８が増加し回路の挿入
損失を増大させる。次に、■の方法は例えば整磁鋼等を
使用するため磁気装置が大形となる他、外部磁場の値に
よっては全く温度補償の用をなさなくなることがあつた
。尚、これら従来の方法に於いては、フェリ磁性体素子
は飽和状態で使われていたものであった。
ず、■の方法はフェリ磁性体素子の組成を変えるため、
４ｍＭｓの値そのものが変化（通常低下する）し、磁気
的性質が劣化する。即ち、非可逆性を劣化させることに
なる。更に添加物等のためｔａｎ８が増加し回路の挿入
損失を増大させる。次に、■の方法は例えば整磁鋼等を
使用するため磁気装置が大形となる他、外部磁場の値に
よっては全く温度補償の用をなさなくなることがあつた
。尚、これら従来の方法に於いては、フェリ磁性体素子
は飽和状態で使われていたものであった。
本発明は上記従来の欠点を除去すべく、小形・簡便にし
て且つ有効な温度特性の改良方法を提供するものである
以下、図面に従って本発明を詳細に説明する。
て且つ有効な温度特性の改良方法を提供するものである
以下、図面に従って本発明を詳細に説明する。
低磁界動作形フェリ磁性体回路素子の最も一般的に用い
られているサーキュレータを例にとって説明する。サー
キュレータは例えばイットリウム・アイアン・ガーネッ
ト（ＹＩＧ）、フェライト等のフェリ磁性体素子（以下
フェライト素子と呼ぶ）を３対の端子を有する伝送線路
接合部に設置し、上記フェライト素子に例えば永久磁石
等の磁気装置により外部磁場を印加して、フェライト素
子のテンソル透磁率に起因する右廻り円偏波に対する山
十、左廻り円偏波に対する山一との差によりフェライト
素子内のマイクロ波磁界分布を歪曲させ、或る端子より
入射したマイクロ波を他の１つの端子にのみ出力し、他
の残りの端子には出力しない。以下同様に別の端子から
入射した場合も前述の回転方向の端子に出力する。豹１
図はサーキュレータの基本的構造を示すための図で、第
１図ａはストリップライン形、第１図ｂは導波管形の場
合を示す。第１図においてｌａ，ｌｂ，ｌｃはフェライ
ト素子、２ａ，２ｂ及び２ｃは入出力端子、３はその接
合部であり、フェライト素子ｌａ，ｌｂ，ｌｃには直流
バイアス磁場として図の矢印の方向に外部磁場ＨＤｃが
印加されている。サーキュレータ設計の際の重要因子と
してフェライト素子の材料定数、特に４汀Ｍｓ、フェラ
イト素子の大きさ、外部磁場の強さの３因子が挙げられ
る。４ｍＭｓは通常、サーキュレータの動作中心周波数
をの（ＭＨＺ）、ジャィロ磁気定数をッ（３２．８）と
すると、４汀Ｍｓら（の／ｙ）×０．７５程度に選ぶの
が良いとされている。
られているサーキュレータを例にとって説明する。サー
キュレータは例えばイットリウム・アイアン・ガーネッ
ト（ＹＩＧ）、フェライト等のフェリ磁性体素子（以下
フェライト素子と呼ぶ）を３対の端子を有する伝送線路
接合部に設置し、上記フェライト素子に例えば永久磁石
等の磁気装置により外部磁場を印加して、フェライト素
子のテンソル透磁率に起因する右廻り円偏波に対する山
十、左廻り円偏波に対する山一との差によりフェライト
素子内のマイクロ波磁界分布を歪曲させ、或る端子より
入射したマイクロ波を他の１つの端子にのみ出力し、他
の残りの端子には出力しない。以下同様に別の端子から
入射した場合も前述の回転方向の端子に出力する。豹１
図はサーキュレータの基本的構造を示すための図で、第
１図ａはストリップライン形、第１図ｂは導波管形の場
合を示す。第１図においてｌａ，ｌｂ，ｌｃはフェライ
ト素子、２ａ，２ｂ及び２ｃは入出力端子、３はその接
合部であり、フェライト素子ｌａ，ｌｂ，ｌｃには直流
バイアス磁場として図の矢印の方向に外部磁場ＨＤｃが
印加されている。サーキュレータ設計の際の重要因子と
してフェライト素子の材料定数、特に４汀Ｍｓ、フェラ
イト素子の大きさ、外部磁場の強さの３因子が挙げられ
る。４ｍＭｓは通常、サーキュレータの動作中心周波数
をの（ＭＨＺ）、ジャィロ磁気定数をッ（３２．８）と
すると、４汀Ｍｓら（の／ｙ）×０．７５程度に選ぶの
が良いとされている。
フェライト素子の大きさは動作中心周波数でのフェライ
ト素子中の波長を＾ｒ／２程度に選ばれる。最後に外部
磁場の強さＨｏｃは外部磁場印加方向の反磁場係数をＮ
とすれば、日。ｃ２Ｎ・４ｍＭｓ即ち飽和領域に選ばれ
たものである。第２図は本発明の原理を説明するための
図であり、第２図ａは２のＨＺサーキュレータの場合で
、外部磁場の強さＨｏｃをパラメータとして各Ｈｏｃの
時につき温度を変化させた場合のサーキュレータインピ
ーダンスの実測値をスミスチャートで表示したものであ
る。
ト素子中の波長を＾ｒ／２程度に選ばれる。最後に外部
磁場の強さＨｏｃは外部磁場印加方向の反磁場係数をＮ
とすれば、日。ｃ２Ｎ・４ｍＭｓ即ち飽和領域に選ばれ
たものである。第２図は本発明の原理を説明するための
図であり、第２図ａは２のＨＺサーキュレータの場合で
、外部磁場の強さＨｏｃをパラメータとして各Ｈｏｃの
時につき温度を変化させた場合のサーキュレータインピ
ーダンスの実測値をスミスチャートで表示したものであ
る。
尚、第２図ａに於いては繁雑を避ける為、最適であった
外部磁場の強さＨｏｃを中心にしてＨｏｃ−△Ｈｏｃ、
Ｈｏｃ十△Ｈｏｃの３点のみを例示するものであり、又
温度変化は高温を△印、常温を○印、低温を×印で示し
ている。第２図ｂは第２図ａの温度によるインピーダン
スの変化と外部磁場の強さによるインピーダンスの変化
の実測値を判りやすく示したもので夫々矢印の向きが温
度上昇方向又は外部磁場の強さの増加方向を示し、又そ
の矢印の大きさ（変化）がインピーダンスの変化幅を示
している。第２図ｂに於いて、４は外部磁場の強さが比
較的弱い場合の温度によるインピーダンスの変化、６は
外部磁場の強さが比較的強い場合の温度によるインピー
ダンスの変化、５は４と６の中間位の外部磁場の強さの
場合の温度によるィンピ−ダンスの変化（前述の最適で
あった外部磁場の強さの場合に対応する）、７，８は夫
々４と５，５と６の中間位の外部磁場の強さの場合の温
度によるインピーダンスの変化、９は基準温度で外部磁
場の強さを変化させた場合のインピーダンスの変化を示
しいる。図から明らかな様に４及び７と、６及び８とで
は矢印の向きが逆転しており、温度によるインピーダン
スの変化幅を示す矢印の大きさは４よりも７、６よりも
８の方が４・さくなっている。そして５では矢印が折れ
曲がっており、結局４，７，５，８及び６の中で５が最
も変化幅が小さくなっている。また９との関係に着目す
ると４は９と同じ向き、７及び８は９と若干角度を有し
ており、６は９と逆向きである。上述のインピーダンス
の変化幅の最も小さい５を示す場合の外部磁場の強さＨ
ｏｏは、本発明者等の詳細な実験及びその検討による結
果、４ｍＭｓをフェライト素子の基準温度（通常室温）
での飽和磁化、Ｎをフェライト素子の外部磁場印加方向
の反磁場係数とすればＨｏｃ＝ａ・Ｎ●４灯Ｍｓで与え
られ、ａの値は０．５〜０．９の範囲にあることが判明
した。
外部磁場の強さＨｏｃを中心にしてＨｏｃ−△Ｈｏｃ、
Ｈｏｃ十△Ｈｏｃの３点のみを例示するものであり、又
温度変化は高温を△印、常温を○印、低温を×印で示し
ている。第２図ｂは第２図ａの温度によるインピーダン
スの変化と外部磁場の強さによるインピーダンスの変化
の実測値を判りやすく示したもので夫々矢印の向きが温
度上昇方向又は外部磁場の強さの増加方向を示し、又そ
の矢印の大きさ（変化）がインピーダンスの変化幅を示
している。第２図ｂに於いて、４は外部磁場の強さが比
較的弱い場合の温度によるインピーダンスの変化、６は
外部磁場の強さが比較的強い場合の温度によるインピー
ダンスの変化、５は４と６の中間位の外部磁場の強さの
場合の温度によるィンピ−ダンスの変化（前述の最適で
あった外部磁場の強さの場合に対応する）、７，８は夫
々４と５，５と６の中間位の外部磁場の強さの場合の温
度によるインピーダンスの変化、９は基準温度で外部磁
場の強さを変化させた場合のインピーダンスの変化を示
しいる。図から明らかな様に４及び７と、６及び８とで
は矢印の向きが逆転しており、温度によるインピーダン
スの変化幅を示す矢印の大きさは４よりも７、６よりも
８の方が４・さくなっている。そして５では矢印が折れ
曲がっており、結局４，７，５，８及び６の中で５が最
も変化幅が小さくなっている。また９との関係に着目す
ると４は９と同じ向き、７及び８は９と若干角度を有し
ており、６は９と逆向きである。上述のインピーダンス
の変化幅の最も小さい５を示す場合の外部磁場の強さＨ
ｏｏは、本発明者等の詳細な実験及びその検討による結
果、４ｍＭｓをフェライト素子の基準温度（通常室温）
での飽和磁化、Ｎをフェライト素子の外部磁場印加方向
の反磁場係数とすればＨｏｃ＝ａ・Ｎ●４灯Ｍｓで与え
られ、ａの値は０．５〜０．９の範囲にあることが判明
した。
即ち、第３図はその一例を示すものであるが、２昨日Ｚ
帯のサーキュレータを用い、外部磁場の強さを変えた場
合のＶＳＷＲ温度変イ靴富の様子を示すものである。
帯のサーキュレータを用い、外部磁場の強さを変えた場
合のＶＳＷＲ温度変イ靴富の様子を示すものである。
尚、第３図に於いては、機軸はａ＝こ事誌右で規格化し
たものを用い、又特性曲線は４種類の寸法のフェライト
素子を用いた場合が示されている。フェライト素子は円
柱を用い、その直径をＤ、高さをｔとしてｔ／○をパラ
メータとして示してある。第３図よりわかる如く、４つ
の特性曲線の最小値則ちＶＳＷＲ温度変化幅の最も小さ
い点（第２図ｂに於けるインピーダンスの変化５に対応
する）は０．５〜０．弱範囲にあることがわかる。
たものを用い、又特性曲線は４種類の寸法のフェライト
素子を用いた場合が示されている。フェライト素子は円
柱を用い、その直径をＤ、高さをｔとしてｔ／○をパラ
メータとして示してある。第３図よりわかる如く、４つ
の特性曲線の最小値則ちＶＳＷＲ温度変化幅の最も小さ
い点（第２図ｂに於けるインピーダンスの変化５に対応
する）は０．５〜０．弱範囲にあることがわかる。
この範囲はフェライト素子を禾飽和領域で使うことを示
すものであり、従来Ｈｏｃ２Ｎ・４ｍＭｓ（ａ２１）の
領域で使っていたものを未飽和領域で使うようにするこ
とにより温度特性が改良されることを示すものである。
第３図にはフェライト素子の寸法が４つの場合しか示さ
れていないが、本発明者等の詳細な実験によれば、上記
温度変化幅の最も小さい点は全て０．５〜０．９の範囲
になることが確認されている。
すものであり、従来Ｈｏｃ２Ｎ・４ｍＭｓ（ａ２１）の
領域で使っていたものを未飽和領域で使うようにするこ
とにより温度特性が改良されることを示すものである。
第３図にはフェライト素子の寸法が４つの場合しか示さ
れていないが、本発明者等の詳細な実験によれば、上記
温度変化幅の最も小さい点は全て０．５〜０．９の範囲
になることが確認されている。
又、数種の動作周波数帯に於いても全く同様であること
が確認されている。従って本発明によれば、低磁界動作
形フェリ磁性体回路素子に於いて基準温度での外部磁場
の強さＨｏｃと、フヱリ磁性体素子の基準温度での飽和
磁化４汀Ｍｓとフェリ磁性体素子に印加する外部磁場の
方向の反磁場係数Ｎとの頚Ｎ・４ｍＭｓとの比ＨＤｃ／
（Ｎ・４竹Ｍｓ）を０．５〜０．９の範囲となる様な外
部磁場の強さＨＤｃを印加することにより低磁界動作形
フェリ磁性体回路素子の温度特性を良好ならしめること
ができる。
が確認されている。従って本発明によれば、低磁界動作
形フェリ磁性体回路素子に於いて基準温度での外部磁場
の強さＨｏｃと、フヱリ磁性体素子の基準温度での飽和
磁化４汀Ｍｓとフェリ磁性体素子に印加する外部磁場の
方向の反磁場係数Ｎとの頚Ｎ・４ｍＭｓとの比ＨＤｃ／
（Ｎ・４竹Ｍｓ）を０．５〜０．９の範囲となる様な外
部磁場の強さＨＤｃを印加することにより低磁界動作形
フェリ磁性体回路素子の温度特性を良好ならしめること
ができる。
上記の理論を実際のサーキュレータに応用した一実施例
を第４図乃至第７図に示す。
を第４図乃至第７図に示す。
第４図は２の日２帯導波管形サーキュレータでフェライ
ト素子はＮｉ−Ｚｎで４ｍＮね＝４８００ガウス、Ｎ＝
０．入 日ｏｃ＝１１００ェルステツドの場合（ａは約
０．７６）のサーキユレータイソピーダンスの温度変化
を示す。
ト素子はＮｉ−Ｚｎで４ｍＮね＝４８００ガウス、Ｎ＝
０．入 日ｏｃ＝１１００ェルステツドの場合（ａは約
０．７６）のサーキユレータイソピーダンスの温度変化
を示す。
第５図は同じく２鷹ＨＺ帯導波管形サーキュレ‐夕でＨ
Ｄｃ＝１３００ェルステッド、他の条件は同じ場合（ａ
は約０．９）のサーキュレータィンピーダンスの温度変
化を示す。
Ｄｃ＝１３００ェルステッド、他の条件は同じ場合（ａ
は約０．９）のサーキュレータィンピーダンスの温度変
化を示す。
第６図はめ日２帯ストリップライン形サーキュし−夕で
フェライト素子はＣａＶＧ系で４ｍＭｓ＝４００ガウス
、Ｎ＝０．４＆ ＨＤｃ＝１００エルステツドの場合（
ａは約０．５２）のサーキュレータィンピーダンスの温
度変化を示す。
フェライト素子はＣａＶＧ系で４ｍＭｓ＝４００ガウス
、Ｎ＝０．４＆ ＨＤｃ＝１００エルステツドの場合（
ａは約０．５２）のサーキュレータィンピーダンスの温
度変化を示す。
第７図は同じく幻ＨＺ帯ストリップラィン形サーキユレ
ータでＨｏｃ＝１３０ェルステツド、他の条件は同じ場
合（ａは約０．班）のサーキュレータィンピーダンスの
温度変化を示す。
ータでＨｏｃ＝１３０ェルステツド、他の条件は同じ場
合（ａは約０．班）のサーキュレータィンピーダンスの
温度変化を示す。
そして上述の第４図、第６図の場合が第２図ｂに示すイ
ンピーダンスの変化５則ち第３図に示すＶＳＷＲ温度変
化幅の最小値に対応する場合であり、又第５図、第７図
上記最４・値からずれた場合に対応するものである。
ンピーダンスの変化５則ち第３図に示すＶＳＷＲ温度変
化幅の最小値に対応する場合であり、又第５図、第７図
上記最４・値からずれた場合に対応するものである。
即ち第４図〜第７図の実施例ではａの値は、それぞれ０
．７６、０．９ ０．５２、０．総でありいずれも０．
５〜０．９の間にあるがＶＳＷＲの温度変化幅が最小と
なるのは２鷹ＨＺ帯導波管形サーキュレー夕ではａ＝０
．７６２昨日Ｚ帯、ストリップライン形サ−キュレータ
ではａ＝０．５２の場合である。尚、上述の説明はサー
キュレー外こ限定されず他の低磁界動作形フェリ磁性体
回路素子にも適用できる事は勿論である。以上詳述した
如く本発明に被れば温度特性の非常に優れた低磁界動作
形フェリ磁性体回路素子を得ることができる。
．７６、０．９ ０．５２、０．総でありいずれも０．
５〜０．９の間にあるがＶＳＷＲの温度変化幅が最小と
なるのは２鷹ＨＺ帯導波管形サーキュレー夕ではａ＝０
．７６２昨日Ｚ帯、ストリップライン形サ−キュレータ
ではａ＝０．５２の場合である。尚、上述の説明はサー
キュレー外こ限定されず他の低磁界動作形フェリ磁性体
回路素子にも適用できる事は勿論である。以上詳述した
如く本発明に被れば温度特性の非常に優れた低磁界動作
形フェリ磁性体回路素子を得ることができる。
第１図はフヱリ磁性体回路素子で最も一般的なサーキュ
レータの基本的構造を示すためのものでａはストリップ
ライン形サーキュレータ、ｂは導波管形サーキュレータ
を示す図、第２図ａは２的ＨＺ帯導波管形サーキュレー
タで外部磁場の強さ日。 Ｃを変化した場合の各ＨＤｃにおけるサーキュレータィ
ンピーダンスの温度変化の実測値を示す図、第２図ｂは
外部磁場の強さと温度を変えた場合のインピーダンスの
変化の向きと大きさを示す図、第３図は本発明の原理を
説明するためのもので、外部磁場の強さを変えた場合の
ＶＳＷＲ温度変化幅の様子を示す図、第４図、第５図は
２昨日Ｚ帯導波管形サーキュレータでの本発明の実施例
、第６図、第７図はめ日２帯ストリップライン形サーキ
ュレータでの本発明の実施例をそれぞれ示す。第１図に
於いて、ｌａ，ｌｂはフェリ磁性体素子、日。ｃは外部
磁場を示す。第１図 第２図仙 第２図帆 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図
レータの基本的構造を示すためのものでａはストリップ
ライン形サーキュレータ、ｂは導波管形サーキュレータ
を示す図、第２図ａは２的ＨＺ帯導波管形サーキュレー
タで外部磁場の強さ日。 Ｃを変化した場合の各ＨＤｃにおけるサーキュレータィ
ンピーダンスの温度変化の実測値を示す図、第２図ｂは
外部磁場の強さと温度を変えた場合のインピーダンスの
変化の向きと大きさを示す図、第３図は本発明の原理を
説明するためのもので、外部磁場の強さを変えた場合の
ＶＳＷＲ温度変化幅の様子を示す図、第４図、第５図は
２昨日Ｚ帯導波管形サーキュレータでの本発明の実施例
、第６図、第７図はめ日２帯ストリップライン形サーキ
ュレータでの本発明の実施例をそれぞれ示す。第１図に
於いて、ｌａ，ｌｂはフェリ磁性体素子、日。ｃは外部
磁場を示す。第１図 第２図仙 第２図帆 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図
Claims (1)
- １ フエリ磁性体素子と該フエリ磁性体素子に強磁性共
鳴点以下の外部磁場を印加するための磁気装置とを有す
る低磁界動作形フエリ磁性体回路素子に於いて、基準温
度での外部磁場の強さＨ＿Ｄ＿Ｃと、該フエリ磁性体素
子の基準温度での飽和磁化４πＭｓと、該フエリ磁性体
素子に印加する外部磁場の方向の反磁場係数Ｎとの積Ｎ
・４πＭｓとの比Ｈ＿Ｄ＿Ｃ／（Ｎ・４ｍＭｓ）が０．
５〜０．９の範囲となる様な外部磁場の強さＨ＿Ｄ＿Ｃ
を印加し、動作させることを特徴とするフエリ磁性体回
路素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14132175A JPS6019161B2 (ja) | 1975-11-26 | 1975-11-26 | フエリ磁性体回路素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14132175A JPS6019161B2 (ja) | 1975-11-26 | 1975-11-26 | フエリ磁性体回路素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5264852A JPS5264852A (en) | 1977-05-28 |
| JPS6019161B2 true JPS6019161B2 (ja) | 1985-05-15 |
Family
ID=15289187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14132175A Expired JPS6019161B2 (ja) | 1975-11-26 | 1975-11-26 | フエリ磁性体回路素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6019161B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6465781A (en) * | 1987-09-03 | 1989-03-13 | Moji Seisakusho Kk | Lock device for connector socket of board attachment type |
| JPH03184282A (ja) * | 1989-12-14 | 1991-08-12 | Pfu Ltd | コネクタのリードピン整列板 |
| JPH0338955Y2 (ja) * | 1986-04-28 | 1991-08-16 |
-
1975
- 1975-11-26 JP JP14132175A patent/JPS6019161B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0338955Y2 (ja) * | 1986-04-28 | 1991-08-16 | ||
| JPS6465781A (en) * | 1987-09-03 | 1989-03-13 | Moji Seisakusho Kk | Lock device for connector socket of board attachment type |
| JPH03184282A (ja) * | 1989-12-14 | 1991-08-12 | Pfu Ltd | コネクタのリードピン整列板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5264852A (en) | 1977-05-28 |
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