JPH03159179A - 光電変換素子の製造方法 - Google Patents
光電変換素子の製造方法Info
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- JPH03159179A JPH03159179A JP1298330A JP29833089A JPH03159179A JP H03159179 A JPH03159179 A JP H03159179A JP 1298330 A JP1298330 A JP 1298330A JP 29833089 A JP29833089 A JP 29833089A JP H03159179 A JPH03159179 A JP H03159179A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は太陽光や人工照明下で発電動作する太陽電池や
光信号を電気信号に変換動作する光センサ等の光電変換
素子の製造方法に関する。
光信号を電気信号に変換動作する光センサ等の光電変換
素子の製造方法に関する。
（ロ）従来の技術
非晶質半導体を光活性層とする光起電力装置は既に知ら
れており、その基本構成は、光透過を許容するガラス等
の基板上に、Ｉ Ｔ Ｏ，Ｓ ｎ Ｏｒ等の透光性導電
酸化物（以下ＴＣＯと略記する）からなる受光面電極を
配置し、この受光面電極を基板の導電性表面としてｐｎ
、ｐｉｎ等の半導体接合を備える半導体膜と、該半導体
膜とオーミ・ツク接触する背面電極をこの順序で積層し
である。
れており、その基本構成は、光透過を許容するガラス等
の基板上に、Ｉ Ｔ Ｏ，Ｓ ｎ Ｏｒ等の透光性導電
酸化物（以下ＴＣＯと略記する）からなる受光面電極を
配置し、この受光面電極を基板の導電性表面としてｐｎ
、ｐｉｎ等の半導体接合を備える半導体膜と、該半導体
膜とオーミ・ツク接触する背面電極をこの順序で積層し
である。
また、ステンレス等の金属を基板とし、この上に半導体
接合を備える半導体膜と、ＴＣＯの受光面電極をこの順
序で積層したものもある。
接合を備える半導体膜と、ＴＣＯの受光面電極をこの順
序で積層したものもある。
このような光起電力装置の殆どは光入射側に設けられる
ｐ型やｎ型の一導電型の不純物層としてこの層における
光吸収を可及的に抑圧するために米国特許第４１０９２
７１号明細書及び図面に開示されたように、ワイドバン
ドギャップ材料である水素化非晶質シリコンカーバイド
（以下ａ −Ｓｉｃ：Ｈと略記する）を用いることが試
みられている。
ｐ型やｎ型の一導電型の不純物層としてこの層における
光吸収を可及的に抑圧するために米国特許第４１０９２
７１号明細書及び図面に開示されたように、ワイドバン
ドギャップ材料である水素化非晶質シリコンカーバイド
（以下ａ −Ｓｉｃ：Ｈと略記する）を用いることが試
みられている。
（ハ）発明が解決しようとする課題
然し乍ら、バンドギャップを広げるためにａ−ｇｉｃ：
Ｈ層に対するカーボン量を増加させると膜中の欠陥密度
が増加するのみならず、導電率を改善するために導電型
決定不純物のドープ量を増しても例えばｐ型層において
抵抗率にして１×１０−１Ω口程度め値が限度であり、
十分に低抵抗且つ高光透過性の膜を得るに至っていない
。従って、当該光入射側に設けられる一導電型不純物層
における光学的損失及び電気的損失を無視することがで
きず、光電変換効率の上昇を阻害していた。
Ｈ層に対するカーボン量を増加させると膜中の欠陥密度
が増加するのみならず、導電率を改善するために導電型
決定不純物のドープ量を増しても例えばｐ型層において
抵抗率にして１×１０−１Ω口程度め値が限度であり、
十分に低抵抗且つ高光透過性の膜を得るに至っていない
。従って、当該光入射側に設けられる一導電型不純物層
における光学的損失及び電気的損失を無視することがで
きず、光電変換効率の上昇を阻害していた。
また光センサにあっては光学的損失及び電気的損失を招
くと可視光領域における短波長側の分光感度特性を低下
するという問題がある。
くと可視光領域における短波長側の分光感度特性を低下
するという問題がある。
本発明は斯る光入射側に設けられる一導電型不純物層に
おける光学的損失及び電気的損失を抑制し光電変換効率
や分光感度特性における短波長悪魔を改善することを技
術的課題とする。
おける光学的損失及び電気的損失を抑制し光電変換効率
や分光感度特性における短波長悪魔を改善することを技
術的課題とする。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明製造方法は、基板の導電性表面に、−導を型の第
１の半導体層とｉ型又は実質的にｉ型の非晶質半導体層
を形成した後、当該非晶質半導体層の露出表面に逆導電
型決定不純物を含む雰囲気中でエネルギビームを照射し
、上記非晶質半導体層の露出表面を逆導電型の第２の半
導体層とする−ことを特徴とする。
１の半導体層とｉ型又は実質的にｉ型の非晶質半導体層
を形成した後、当該非晶質半導体層の露出表面に逆導電
型決定不純物を含む雰囲気中でエネルギビームを照射し
、上記非晶質半導体層の露出表面を逆導電型の第２の半
導体層とする−ことを特徴とする。
（ホ） Ｃヤ 用
上述の如く非晶質半導体層の露出表面に逆導電型決定不
純物を含む雰囲気中でエネルギビームを照射することに
よって、当該非晶質半導体層の露出表面を多結晶化し電
気的且つ光学的損失の少ない第２の半導体層を形成する
。
純物を含む雰囲気中でエネルギビームを照射することに
よって、当該非晶質半導体層の露出表面を多結晶化し電
気的且つ光学的損失の少ない第２の半導体層を形成する
。
（へ）実施例
第１図（ａ）乃至同図（ｃ）は本発明製造方法を工程別
に示す模式的断面図であって、第１図（ａ）の工程では
、ステンレス、アルミ等の金属基板酸るいはガラス、耐
熱性プラスチック等の絶縁材料に導電性材料が被着され
た基板（１）上に、５ｉ）１．．５ｉｓＨｓ、 ５ｉＦ
ａ等のシリコン化合物ガスを主原料ガスとし、先ず膜厚
数１００〜５００人程度の一導電型の非晶質シリコンか
らなる第１の半導体層（２）と、膜厚３０００人〜ｊａ
ｍ程度のｉ型又は実質的にｉ型の非晶質シリコンからな
る非晶質半導体層（３）が周知のプラズマＣＶＤ法によ
り形成される。例えば、一導電型の第１の半導体層（２
）がｎ型のとき、主原料ガスに対し０．０１〜１％のＰ
Ｈ，が添加され、またｐ型のとき０．０５〜２％のＢ
ｘ Ｈａが添加される。
に示す模式的断面図であって、第１図（ａ）の工程では
、ステンレス、アルミ等の金属基板酸るいはガラス、耐
熱性プラスチック等の絶縁材料に導電性材料が被着され
た基板（１）上に、５ｉ）１．．５ｉｓＨｓ、 ５ｉＦ
ａ等のシリコン化合物ガスを主原料ガスとし、先ず膜厚
数１００〜５００人程度の一導電型の非晶質シリコンか
らなる第１の半導体層（２）と、膜厚３０００人〜ｊａ
ｍ程度のｉ型又は実質的にｉ型の非晶質シリコンからな
る非晶質半導体層（３）が周知のプラズマＣＶＤ法によ
り形成される。例えば、一導電型の第１の半導体層（２
）がｎ型のとき、主原料ガスに対し０．０１〜１％のＰ
Ｈ，が添加され、またｐ型のとき０．０５〜２％のＢ
ｘ Ｈａが添加される。
また、ノンドープな状態で成膜された非晶質シリコンは
実質的にｉ型であるが僅かながらｎ型であることが知ら
れているので、このｎ型をｉ型に補償すべく極微量のＢ
ｔＨ−を添加しても良い。
実質的にｉ型であるが僅かながらｎ型であることが知ら
れているので、このｎ型をｉ型に補償すべく極微量のＢ
ｔＨ−を添加しても良い。
第１図（ｂ）の工程では、上記非晶質半導体層（３）の
成膜が終了すると、この非晶質半導体層（３）の露出面
に導電型決定不純物をドーピングすべく Ｉ Ｘ １０
−’Ｔｏｒｒ以下に減圧し得る反応容器に収納し、当該
反応容器内を一旦Ｉ Ｘ １０−”Ｔａｒｒ以下に減圧
後、第１の半導体層（２）と逆導電型となる導電型決定
不純物を含むドーピングガスを導入し、反応容器の外部
から上記ドーピングガスから不純物を分解すべき波長の
レーザビームを照射する。上記ドーピングガスとしてｐ
型決定不純物としてＢを使用する場合、Ｂ、Ｈ，、ＢＣ
ｔ、、Ｂ（ＣＨ，）＄が用いられ、ｎ型決定不純物とし
てＰを使用する場合、Ｐ （Ｃ１，）、、ＰＨ，、ＰＣ
ｌ、、ｐｏｃｇｔが用いられる。また、斯るドーピング
ガスを光分解するレーザビームとして、紫外線を照射す
るＡｒＦ、ＫｒＦ、ＸｅＣ１のエキシマレーザが使用さ
れる。例えば−例としてＢ ！ Ｈａをドーピングガス
として５ Ｔｏｒｒ反応容器に導入したとき、ＡｒＦエ
キシマレーザ（波長１９３ｎｍ）を非晶質半導体層（３
）の露出面に照射する。このときの照射条件は、二本ル
ギ密度１００−３５０ｍＪ ／′Ｃ１１１”、パルス数
１−１００パルスである。斯る照射条件におけるＢのド
ーピング量と、その深さ方向のドーピング分布をＳＩＭ
Ｓにより測定した結果を第２図に示す。この第２図から
明らかな如くＢは表面から数１００人程０の領域まで約
６Ｘ１０”ａｔｏｍｓ／ｃｃドーピングされ、そのＨｔ
ｓｏｏ人程度の領域までほぼ測定限界に近い約ｌＸｌ０
”ａｔｏｍｓ／ｃｃに向って序々に減少する所謂傾斜ド
ーピングとなっている。尚、ＳＩＭＳによる測定はスパ
ッタを利用して検出対象の原子を露出面から特定の深さ
周期で測定するために、実際の濃度分布より深さ方向に
緩慢な分布となることが知られている。泥って、上記Ｂ
のドーピングは実際には本発明者らの経験から表面から
約１０００人程度の領域までであると推測している。
成膜が終了すると、この非晶質半導体層（３）の露出面
に導電型決定不純物をドーピングすべく Ｉ Ｘ １０
−’Ｔｏｒｒ以下に減圧し得る反応容器に収納し、当該
反応容器内を一旦Ｉ Ｘ １０−”Ｔａｒｒ以下に減圧
後、第１の半導体層（２）と逆導電型となる導電型決定
不純物を含むドーピングガスを導入し、反応容器の外部
から上記ドーピングガスから不純物を分解すべき波長の
レーザビームを照射する。上記ドーピングガスとしてｐ
型決定不純物としてＢを使用する場合、Ｂ、Ｈ，、ＢＣ
ｔ、、Ｂ（ＣＨ，）＄が用いられ、ｎ型決定不純物とし
てＰを使用する場合、Ｐ （Ｃ１，）、、ＰＨ，、ＰＣ
ｌ、、ｐｏｃｇｔが用いられる。また、斯るドーピング
ガスを光分解するレーザビームとして、紫外線を照射す
るＡｒＦ、ＫｒＦ、ＸｅＣ１のエキシマレーザが使用さ
れる。例えば−例としてＢ ！ Ｈａをドーピングガス
として５ Ｔｏｒｒ反応容器に導入したとき、ＡｒＦエ
キシマレーザ（波長１９３ｎｍ）を非晶質半導体層（３
）の露出面に照射する。このときの照射条件は、二本ル
ギ密度１００−３５０ｍＪ ／′Ｃ１１１”、パルス数
１−１００パルスである。斯る照射条件におけるＢのド
ーピング量と、その深さ方向のドーピング分布をＳＩＭ
Ｓにより測定した結果を第２図に示す。この第２図から
明らかな如くＢは表面から数１００人程０の領域まで約
６Ｘ１０”ａｔｏｍｓ／ｃｃドーピングされ、そのＨｔ
ｓｏｏ人程度の領域までほぼ測定限界に近い約ｌＸｌ０
”ａｔｏｍｓ／ｃｃに向って序々に減少する所謂傾斜ド
ーピングとなっている。尚、ＳＩＭＳによる測定はスパ
ッタを利用して検出対象の原子を露出面から特定の深さ
周期で測定するために、実際の濃度分布より深さ方向に
緩慢な分布となることが知られている。泥って、上記Ｂ
のドーピングは実際には本発明者らの経験から表面から
約１０００人程度の領域までであると推測している。
一方、ドーピングの対象となる非晶質シリコンからなる
非晶質半導体層（３）の波長１９３ｎｍでの吸収係数は
１０ ”ｃｍ−’以上であることから、ＡｒＦエキシマ
レーザは照射表面から数１００人と極表面にのみ吸収さ
れる。その結果、斯る吸収領域では、Ｂのドーピングの
みならずレーザビームの照射により熱的に溶融（アニー
ル）され結晶化されることによって粒径２００〜１００
０人の多結晶シリコンに置換される。この表面から数１
００人の多結晶化領域（４ａ）は上述の如くＢのドープ
量が約６ Ｘ １０ ”ａｔｏｍｓ／ ｃｃと高濃度に
ドーピングされることから抵抗率２Ｘ１０−”Ωｃｍ以
下の低抵抗なｐ型領域を形成し、また主に可視光を吸収
し発電や光検出に寄与する電子及び／又は正孔の光キャ
リアを発生する非晶質シリコンの非晶質半導体層（３）
の吸収係数より約１借手さいことがら、当該多結晶化領
域（４ａ）では可視光を殆ど吸収するに至らず、下層の
非晶質半導体層（３）に斯る可視光を透過させることと
なる。
非晶質半導体層（３）の波長１９３ｎｍでの吸収係数は
１０ ”ｃｍ−’以上であることから、ＡｒＦエキシマ
レーザは照射表面から数１００人と極表面にのみ吸収さ
れる。その結果、斯る吸収領域では、Ｂのドーピングの
みならずレーザビームの照射により熱的に溶融（アニー
ル）され結晶化されることによって粒径２００〜１００
０人の多結晶シリコンに置換される。この表面から数１
００人の多結晶化領域（４ａ）は上述の如くＢのドープ
量が約６ Ｘ １０ ”ａｔｏｍｓ／ ｃｃと高濃度に
ドーピングされることから抵抗率２Ｘ１０−”Ωｃｍ以
下の低抵抗なｐ型領域を形成し、また主に可視光を吸収
し発電や光検出に寄与する電子及び／又は正孔の光キャ
リアを発生する非晶質シリコンの非晶質半導体層（３）
の吸収係数より約１借手さいことがら、当該多結晶化領
域（４ａ）では可視光を殆ど吸収するに至らず、下層の
非晶質半導体層（３）に斯る可視光を透過させることと
なる。
更に、上記レーザビームによるアニーリングでは表面か
ら数１００人を多結晶化領域（４ａ）に置換したが、ド
ーピングが傾斜した部分を微結晶化領域（４ｂ）とする
。即ち、レーザビームの照射は表面から数１００人の領
域で吸収され、この領域を多結晶化領域（４ａ）とする
と共に、下層への熱伝導の結果、ドーピングが進行する
約１０００人の深さを微結晶化領域（４ｂ）に自から置
換することとなる。この傾斜ドープの微結晶化領域（４
ｂ）は、多結晶化領域（４ａ）と非晶質半導体層（３）
の間に位置することから、両者の構造的ストレスの緩和
及び界面準位等の発生を抑制し、非晶質半導体層（３）
で発生した光キャリアの効率的な取り出しを可能とする
。
ら数１００人を多結晶化領域（４ａ）に置換したが、ド
ーピングが傾斜した部分を微結晶化領域（４ｂ）とする
。即ち、レーザビームの照射は表面から数１００人の領
域で吸収され、この領域を多結晶化領域（４ａ）とする
と共に、下層への熱伝導の結果、ドーピングが進行する
約１０００人の深さを微結晶化領域（４ｂ）に自から置
換することとなる。この傾斜ドープの微結晶化領域（４
ｂ）は、多結晶化領域（４ａ）と非晶質半導体層（３）
の間に位置することから、両者の構造的ストレスの緩和
及び界面準位等の発生を抑制し、非晶質半導体層（３）
で発生した光キャリアの効率的な取り出しを可能とする
。
このようにして、非晶質半導体層（３）の露出表面を、
多結晶化領域（４ａ）及び微結晶化領域（４ｂ）からな
る逆導電型の第２の半導体層（４）に置換が終了すると
、第１図Ｃの工程では、第２半導体層（４）表面に受光
面電極（５）としてのＩＴＯ１ＳｎＯ８等のＴＣＯが形
成される。
多結晶化領域（４ａ）及び微結晶化領域（４ｂ）からな
る逆導電型の第２の半導体層（４）に置換が終了すると
、第１図Ｃの工程では、第２半導体層（４）表面に受光
面電極（５）としてのＩＴＯ１ＳｎＯ８等のＴＣＯが形
成される。
斯る製造方法によりｆヤ成された光電変換素子に対し、
ＡＭ−１，１００ｍＷ、／ｃｍ”の太陽光を照射したと
ころ、１１．９％の高光電変換効率が得られた。
ＡＭ−１，１００ｍＷ、／ｃｍ”の太陽光を照射したと
ころ、１１．９％の高光電変換効率が得られた。
上記実施例の具体例では第２の半導体層（４）をｐ型と
したが、ｎ型とするためには、例えばＰ（ＣＨ３）３を
０．５Ｔｏｒｒ導入し、他は同一条件でレーザビームを
照射したときら、表面から数１００人の領域を粒径２０
０〜１０００人の多結晶化領域（４ａ）とし、その下層
に傾斜ドーピングの微結晶化領域（４ｂ）を形成するこ
とができた。斯る方法により作成された多結晶化領域（
４ａ）もｎ型の高濃度ドーピングが実現できるために、
その抵抗率はＩＸＩＱ−”Ω何重下と低抵抗且つ可視光
における吸収係数も非晶質半導体層（３）より１桁小さ
く、電気的損失及び光学的損失の低減に有効である。
したが、ｎ型とするためには、例えばＰ（ＣＨ３）３を
０．５Ｔｏｒｒ導入し、他は同一条件でレーザビームを
照射したときら、表面から数１００人の領域を粒径２０
０〜１０００人の多結晶化領域（４ａ）とし、その下層
に傾斜ドーピングの微結晶化領域（４ｂ）を形成するこ
とができた。斯る方法により作成された多結晶化領域（
４ａ）もｎ型の高濃度ドーピングが実現できるために、
その抵抗率はＩＸＩＱ−”Ω何重下と低抵抗且つ可視光
における吸収係数も非晶質半導体層（３）より１桁小さ
く、電気的損失及び光学的損失の低減に有効である。
このように、レーザビームを利用したドーピングはｐ型
、ｎ型の何れにおいても有効である。
、ｎ型の何れにおいても有効である。
従って、基板（１）に当接する第１半導体層（２）への
ドーピングにも適用することができる。即ち、基板（１
）表面にプラズマＣＶ Ｄ法によりノンドープな非晶質
半導体層を予め成膜し、この非晶質半導体層にレーザビ
ーム利用のドーピングを施す。
ドーピングにも適用することができる。即ち、基板（１
）表面にプラズマＣＶ Ｄ法によりノンドープな非晶質
半導体層を予め成膜し、この非晶質半導体層にレーザビ
ーム利用のドーピングを施す。
このドーピングでも非晶質半導体層は多結晶半導体装置
換される。もし、非晶質半導体層の膜厚が数１００人で
あれば、第３図の如く全て多結晶半導体装置換され、低
抵抗な膜となる。斯る第１半導体層（２）及び第２半導
体層（４）へのドーピングをレーザビームを利用した場
合、従来からｐ型層、ｉ型層、ｎ型層の各導電型の成膜
を個別の専用ＣＶＤ装置（インライン型ＣＶＤ装置）を
用いる王室分離形成方式に代って単室の反応容器でｐ型
層、ｉ型層、ｎ型層をこの順序或いは逆の順序で形成し
ても、ＣＶＤ装置のように反応容器壁面にＢやＰを含ん
だフレークの付着が発生しないので、上記ＢやＰの残留
不純物による汚染を発生することなく、高効率素子の製
造が可能となる。
換される。もし、非晶質半導体層の膜厚が数１００人で
あれば、第３図の如く全て多結晶半導体装置換され、低
抵抗な膜となる。斯る第１半導体層（２）及び第２半導
体層（４）へのドーピングをレーザビームを利用した場
合、従来からｐ型層、ｉ型層、ｎ型層の各導電型の成膜
を個別の専用ＣＶＤ装置（インライン型ＣＶＤ装置）を
用いる王室分離形成方式に代って単室の反応容器でｐ型
層、ｉ型層、ｎ型層をこの順序或いは逆の順序で形成し
ても、ＣＶＤ装置のように反応容器壁面にＢやＰを含ん
だフレークの付着が発生しないので、上記ＢやＰの残留
不純物による汚染を発生することなく、高効率素子の製
造が可能となる。
第４図は本発明製造方法をファクシミリやイメージスキ
ャナのイメージセンサの製造方法への適用を説明するた
めのらのである。レーザビームは例えば米国特許第４，
７５５＋４７５号明細書及び図面に開示された如く、ア
イリス等の光学系を利用することにより矩形状の微小な
均一ビームを得ることができるために各光電変換素子（
６）（６）（６）・・・を、共通の基板（１）に対して
一導電型の第１の半導体層（２）、ｉ型スは実質的にｎ
型の非晶質シリコンの非晶質半導体層（３）を全領域に
形成後、上記レーザビームを個別に照射することによっ
て、−次元的或いは二次元的に高密度に配置形成できる
。即ち、リソグラフィ技術を利用することなく局所的に
選択ドーピングが可能となり、プロセスの簡略化が図ル
る。特にこの実施例にあっては、可視光領域における分
光感度特性の改善に有益である。
ャナのイメージセンサの製造方法への適用を説明するた
めのらのである。レーザビームは例えば米国特許第４，
７５５＋４７５号明細書及び図面に開示された如く、ア
イリス等の光学系を利用することにより矩形状の微小な
均一ビームを得ることができるために各光電変換素子（
６）（６）（６）・・・を、共通の基板（１）に対して
一導電型の第１の半導体層（２）、ｉ型スは実質的にｎ
型の非晶質シリコンの非晶質半導体層（３）を全領域に
形成後、上記レーザビームを個別に照射することによっ
て、−次元的或いは二次元的に高密度に配置形成できる
。即ち、リソグラフィ技術を利用することなく局所的に
選択ドーピングが可能となり、プロセスの簡略化が図ル
る。特にこの実施例にあっては、可視光領域における分
光感度特性の改善に有益である。
（ト）発明の効果
本発明は以上の説明から明らかな如く、エネルギビーム
の照射によるドーピング時、当該エネルギビームの照射
を受けた非晶質半導体層の露出表面は多結晶化されるの
で、低抵抗率かつ可視光で高光透過性のｐ型又はｎ型の
半導体層を得ることができ、太陽電池にあっては電気的
且つ光学的損失の抑制が図れ高光電変換効率を達成でき
、光センサにあっては可視光領域における短波長側の分
光感度特性の改善を実現することができる。
の照射によるドーピング時、当該エネルギビームの照射
を受けた非晶質半導体層の露出表面は多結晶化されるの
で、低抵抗率かつ可視光で高光透過性のｐ型又はｎ型の
半導体層を得ることができ、太陽電池にあっては電気的
且つ光学的損失の抑制が図れ高光電変換効率を達成でき
、光センサにあっては可視光領域における短波長側の分
光感度特性の改善を実現することができる。
第１図（ａ）乃至同図（ｃ）は本発明製造方法を工程別
に示す模式的断面図、第２図はポロンのＳＩＭＳによる
濃度分布を示す測定図、第３図及び第４図は他の実施例
を夫々示す模式的断面図である。
に示す模式的断面図、第２図はポロンのＳＩＭＳによる
濃度分布を示す測定図、第３図及び第４図は他の実施例
を夫々示す模式的断面図である。
Claims (1)
- （１）基板の導電性表面に、一導電型の第１の半導体層
とｉ型又は実質的にｉ型の非晶質半導体層を形成した後
、当該非晶質半導体層の露出表面に逆導電型決定不純物
を含む雰囲気中でエネルギビームを照射し、上記非晶質
半導体層の露出表面を逆導電型の第２の半導体層とする
ことを特徴とする光電変換素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1298330A JP2815934B2 (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | 光電変換素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1298330A JP2815934B2 (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | 光電変換素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03159179A true JPH03159179A (ja) | 1991-07-09 |
| JP2815934B2 JP2815934B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=17858267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1298330A Expired - Fee Related JP2815934B2 (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | 光電変換素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2815934B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001069690A1 (en) * | 2000-03-13 | 2001-09-20 | Sony Corporation | Optical energy transducer |
| WO2008047567A1 (en) * | 2006-09-27 | 2008-04-24 | Kyocera Corporation | Solar cell device and method for manufacturing the same |
| CN102629636A (zh) * | 2011-02-08 | 2012-08-08 | 三星Sdi株式会社 | 太阳能电池及其制造方法 |
| JP2014222759A (ja) * | 2009-05-02 | 2014-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換モジュールの作製方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101303471B1 (ko) * | 2009-09-09 | 2013-09-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 태양전지 및 그 제조방법 |
-
1989
- 1989-11-16 JP JP1298330A patent/JP2815934B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| WO2001069690A1 (en) * | 2000-03-13 | 2001-09-20 | Sony Corporation | Optical energy transducer |
| US7199303B2 (en) | 2000-03-13 | 2007-04-03 | Sony Corporation | Optical energy conversion apparatus |
| KR100768414B1 (ko) * | 2000-03-13 | 2007-10-18 | 소니 가부시끼 가이샤 | 광 에너지 변환 장치 |
| JP4752168B2 (ja) * | 2000-03-13 | 2011-08-17 | ソニー株式会社 | 光エネルギー変換装置 |
| WO2008047567A1 (en) * | 2006-09-27 | 2008-04-24 | Kyocera Corporation | Solar cell device and method for manufacturing the same |
| JPWO2008047567A1 (ja) * | 2006-09-27 | 2010-02-25 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子とその製造方法 |
| JP5047186B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2012-10-10 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子とその製造方法 |
| US8975172B2 (en) | 2006-09-27 | 2015-03-10 | Kyocera Corporation | Solar cell element and method for manufacturing solar cell element |
| JP2014222759A (ja) * | 2009-05-02 | 2014-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換モジュールの作製方法 |
| CN102629636A (zh) * | 2011-02-08 | 2012-08-08 | 三星Sdi株式会社 | 太阳能电池及其制造方法 |
| JP2012164961A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Samsung Sdi Co Ltd | 太陽電池およびその製造方法 |
| CN102629636B (zh) * | 2011-02-08 | 2016-05-11 | 智基石盾科技有限责任公司 | 太阳能电池及其制造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2815934B2 (ja) | 1998-10-27 |
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