JPH03159110A - 磁器コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
磁器コンデンサ及びその製造方法Info
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- JPH03159110A JPH03159110A JP1298138A JP29813889A JPH03159110A JP H03159110 A JPH03159110 A JP H03159110A JP 1298138 A JP1298138 A JP 1298138A JP 29813889 A JP29813889 A JP 29813889A JP H03159110 A JPH03159110 A JP H03159110A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、誘電体磁器と少なくとも2つの電極とから成
る単層又は積層構造の磁器コンデンサ及びその製造方法
に関する。
る単層又は積層構造の磁器コンデンサ及びその製造方法
に関する。
[従来の技術]
従来、積層磁器コンデンサを製造する際には、誘電体磁
器原料粉末から成るグリーンシート(未焼結磁器シート
)に白金又はパラジウム等の貴金属の導電性ペーストを
所望パターンに印刷し、これを複数枚積み重ねて圧着し
、1300°C〜1600℃の酸化性雰囲気中で焼結さ
ぜな。これにより、誘電体磁器と内部電極とが同時に得
られる。
器原料粉末から成るグリーンシート(未焼結磁器シート
)に白金又はパラジウム等の貴金属の導電性ペーストを
所望パターンに印刷し、これを複数枚積み重ねて圧着し
、1300°C〜1600℃の酸化性雰囲気中で焼結さ
ぜな。これにより、誘電体磁器と内部電極とが同時に得
られる。
上述の々口<、貴金属を使用すれば、酸化性雰囲気中で
高温で焼結させても目的とする内部電極を得ることがで
きる。しかし、白金、パラジウム等の貴金属は高価であ
るため、必然的に積層磁器コンデンサがコスト高になっ
た。
高温で焼結させても目的とする内部電極を得ることがで
きる。しかし、白金、パラジウム等の貴金属は高価であ
るため、必然的に積層磁器コンデンサがコスト高になっ
た。
上述の問題を解決することができるものとして、本件出
願人に係わる特公昭61−14607号公報には、 (B a M ) OT i 02 (但し、M
はM−xxk g及びZnの内の少なくとも1種〉から成る基本成分と
、L l 2OとSiO3とから成る添加成分とを含む
誘電体磁器組成物が開示されている。
願人に係わる特公昭61−14607号公報には、 (B a M ) OT i 02 (但し、M
はM−xxk g及びZnの内の少なくとも1種〉から成る基本成分と
、L l 2OとSiO3とから成る添加成分とを含む
誘電体磁器組成物が開示されている。
また、特公昭61−14608号公報には、上記の特公
昭61−14607号公報のL l 2OとSiOの代
りに、L i2OとS i O2とMO(但し、MOは
BaO1CaO及びSrOの内の少なくとも1種)とか
ら成る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されて
いる。
昭61−14607号公報のL l 2OとSiOの代
りに、L i2OとS i O2とMO(但し、MOは
BaO1CaO及びSrOの内の少なくとも1種)とか
ら成る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されて
いる。
また、特公昭61−14609号公報には、(Bak−
x−yMxLy)OkTiO2(但し、MはMg及びZ
nの少なくとも1種、LはSr及びCaの内の少なくと
も1種)から成る基本成分とし12OとSiO□とから
成る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されてい
る。
x−yMxLy)OkTiO2(但し、MはMg及びZ
nの少なくとも1種、LはSr及びCaの内の少なくと
も1種)から成る基本成分とし12OとSiO□とから
成る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されてい
る。
また、特公昭61−14610号公報には、上記の特公
昭61−14609号公報におけるLi2OとS iO
2の代りに、L 12OとS i O2とMO(但し、
MOはBaO1CaO及びSrOの内の少なくとも1種
)とから成る添加成分を含む誘電体磁器組成物が開示さ
れている。
昭61−14609号公報におけるLi2OとS iO
2の代りに、L 12OとS i O2とMO(但し、
MOはBaO1CaO及びSrOの内の少なくとも1種
)とから成る添加成分を含む誘電体磁器組成物が開示さ
れている。
また、特公昭61−14611号公報には、(B a
M ) OT i 02 (但し、MはMg、
−XXk Zn、Sr及びCaの少なくとも1種)から成る基本成
分と、B OとSiO2とから成る添加3 成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されている。
M ) OT i 02 (但し、MはMg、
−XXk Zn、Sr及びCaの少なくとも1種)から成る基本成
分と、B OとSiO2とから成る添加3 成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されている。
また、特公昭62−1595号公報には、(Ba
M ) OTiO2(但し、MはMg、Zk−xx、
k n、Sr及びCaの内の少なくとも1種)から成る基本
成分と、B 2O3とMO(但しMOはBaO3MgO
,ZnO1SrO及びCaOの少なくとも1種)とから
成る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されてい
る。
M ) OTiO2(但し、MはMg、Zk−xx、
k n、Sr及びCaの内の少なくとも1種)から成る基本
成分と、B 2O3とMO(但しMOはBaO3MgO
,ZnO1SrO及びCaOの少なくとも1種)とから
成る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されてい
る。
また、特公昭62−1596号公報には、上記の特公昭
62−1595号公報の82O3とMoの代りに、B2
O3とS iO2とMO(但しMOはBaOlMgO,
ZnO1SrO及びCaOの内の少なくとも1種)とか
ら成る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されて
いる。
62−1595号公報の82O3とMoの代りに、B2
O3とS iO2とMO(但しMOはBaOlMgO,
ZnO1SrO及びCaOの内の少なくとも1種)とか
ら成る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されて
いる。
これらに開示されている誘電体磁器組成物は、還元性雰
囲気12O0℃以下の条件の焼成で得ることができ、比
誘電率が2.000以上、静電容量の温度変化率が一2
5°C〜+85℃で±10%の範囲にすることができる
ものである。
囲気12O0℃以下の条件の焼成で得ることができ、比
誘電率が2.000以上、静電容量の温度変化率が一2
5°C〜+85℃で±10%の範囲にすることができる
ものである。
[発明が解決しようとする課題]
ところで、近年の電子回路の高密度化に伴い、積層コン
デンサの小型化の要求が非常に強く、これに対応する為
に、温度変化率を悪化させることなく誘電体の比誘電率
を、上記各公報に開示されている誘電体磁器組成物の比
誘電率よりも更に増大させることが望まれている。
デンサの小型化の要求が非常に強く、これに対応する為
に、温度変化率を悪化させることなく誘電体の比誘電率
を、上記各公報に開示されている誘電体磁器組成物の比
誘電率よりも更に増大させることが望まれている。
そこで、本発明の目的は、非酸化性雰囲気、12O0°
C以下の温度での焼成で得るものであるにも拘らず、高
い誘電率を有し、且つ広い温度範囲にわたって誘電率の
温度変化率が小さい誘電体磁器を備えている磁器コンデ
ンサ及びその製造方法を提供することにある。
C以下の温度での焼成で得るものであるにも拘らず、高
い誘電率を有し、且つ広い温度範囲にわたって誘電率の
温度変化率が小さい誘電体磁器を備えている磁器コンデ
ンサ及びその製造方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するための本発明は、誘電体磁器と、前
記磁器に接触している少なくとも2つの電極とから成る
磁器コンデンサにおいて、前記磁器がioo、o重量部
の基本成分と、0.01〜3.00重量部の第1の添加
成分と、0.2〜5゜0重量部の第2の添加成分とから
成り、前記基本成分が、(B a M L
) OT iO2に−x−yxyk ((8L、MはMg、Znの内の少なくとも1種の金属
、LはCa、Srの内の少なくとも1種の金属、k、x
、yは、 1.00≦k≦1.05 0<x<0.10 o<y≦0.05 0.01≦x十y≦0.10を満足する数値)であり、
前記第1の添加成分がCr2O3とAl2O3の内の少
なくとも1種の金属酸化物であり、前記第2の添加成分
がB OとS iO2とM03 (但し、MOはBaO、SrOlCaOlM g O及
びZnOの内の少なくとも1種の金属酸化物)から成り
、且つ前記B2O3と前記S iO2と前記MOとの組
成範囲がこれ等の組成をモル%で示す三角図における前
記B2O3が1モル%、前記SiO2が80モル%、前
記MOが19モル%の点(A>と、前記B2O3が1モ
ル%、前記Si○2が39モル%、前記MOが60モル
%の点(B)と、前記B2O3が29モル%、前記Si
O2が1モル%、前記MOが70モル%の点(C)と、
前記B2O3が90モル%、前記S 102が1モル%
、前記MOが9モル%の点(D)と、前記B2O3が9
0モル%、前記S iO2が9モル%、前記MOが1モ
ル%の点(E)と、前記B2O3が19モル%、前記S
iO2が80モル%、前記MOか1モル%の点(F)と
を順に結ぶ6本の直線で囲まれた領域内のものであるコ
ンデンサに係わるものである。なお、基本成分を示す組
成式において、k−x、x、には勿論それぞれの元素の
原子数を示し、Baはバリウム、04.を酸素、Tiは
チタン、Mgはマグネシウム、Znは亜鉛、Caはカル
シウム、Srはストロンチムである。
記磁器に接触している少なくとも2つの電極とから成る
磁器コンデンサにおいて、前記磁器がioo、o重量部
の基本成分と、0.01〜3.00重量部の第1の添加
成分と、0.2〜5゜0重量部の第2の添加成分とから
成り、前記基本成分が、(B a M L
) OT iO2に−x−yxyk ((8L、MはMg、Znの内の少なくとも1種の金属
、LはCa、Srの内の少なくとも1種の金属、k、x
、yは、 1.00≦k≦1.05 0<x<0.10 o<y≦0.05 0.01≦x十y≦0.10を満足する数値)であり、
前記第1の添加成分がCr2O3とAl2O3の内の少
なくとも1種の金属酸化物であり、前記第2の添加成分
がB OとS iO2とM03 (但し、MOはBaO、SrOlCaOlM g O及
びZnOの内の少なくとも1種の金属酸化物)から成り
、且つ前記B2O3と前記S iO2と前記MOとの組
成範囲がこれ等の組成をモル%で示す三角図における前
記B2O3が1モル%、前記SiO2が80モル%、前
記MOが19モル%の点(A>と、前記B2O3が1モ
ル%、前記Si○2が39モル%、前記MOが60モル
%の点(B)と、前記B2O3が29モル%、前記Si
O2が1モル%、前記MOが70モル%の点(C)と、
前記B2O3が90モル%、前記S 102が1モル%
、前記MOが9モル%の点(D)と、前記B2O3が9
0モル%、前記S iO2が9モル%、前記MOが1モ
ル%の点(E)と、前記B2O3が19モル%、前記S
iO2が80モル%、前記MOか1モル%の点(F)と
を順に結ぶ6本の直線で囲まれた領域内のものであるコ
ンデンサに係わるものである。なお、基本成分を示す組
成式において、k−x、x、には勿論それぞれの元素の
原子数を示し、Baはバリウム、04.を酸素、Tiは
チタン、Mgはマグネシウム、Znは亜鉛、Caはカル
シウム、Srはストロンチムである。
第1の添加成分のCr2O3は酸化クロム、Al2O3
は酸化アルミニウムである。第2の添加成分におけるB
Oは酸化ホウ素、SiO□は酸3 化けい素、BaOは酸化バリウム、SrOは酸化ストロ
ンチウム、CaOは酸化カルシウム、MgOは酸化マグ
ネシウム、ZnOは酸化亜鉛である。
は酸化アルミニウムである。第2の添加成分におけるB
Oは酸化ホウ素、SiO□は酸3 化けい素、BaOは酸化バリウム、SrOは酸化ストロ
ンチウム、CaOは酸化カルシウム、MgOは酸化マグ
ネシウム、ZnOは酸化亜鉛である。
製造方法に係わる発明は、上記の基本成分と第1及び第
2の添加成分との混合物を用意する工程と、少なくとも
2つの電極部分を有する前記混合物の成形物を作る工程
と、前記電極部分を有する前記成形物を非酸化性雰囲気
で焼成する工程と、前記焼成で得られた成形物を酸化性
雰囲気で熱処理する工程とを含む磁器コンデンサの製造
方法に係わるものである。
2の添加成分との混合物を用意する工程と、少なくとも
2つの電極部分を有する前記混合物の成形物を作る工程
と、前記電極部分を有する前記成形物を非酸化性雰囲気
で焼成する工程と、前記焼成で得られた成形物を酸化性
雰囲気で熱処理する工程とを含む磁器コンデンサの製造
方法に係わるものである。
[作用効果]
上記発明の磁器コンデンサにおける誘電体磁器を非酸化
性雰囲気、12O0℃以下の焼成で得ることができる。
性雰囲気、12O0℃以下の焼成で得ることができる。
従って、ニッケル等の卑金属の導電性ペーストをグリー
ンシートに塗布し、グリーンシートと導電性ペーストと
を同時に焼成する方法によって磁器コンデンサを製造す
ることが可能になる。誘電体磁器の組成を本発明で特定
された範囲にすることによって、比誘電率が3000以
上、誘電体損失tanδが2.5%以下、抵抗率ρがl
X106MΩ・cm以上であり、且つ比誘電率の温度変
化率が一55℃〜125℃で一15%〜+15%(25
℃を基準>、−25°C〜85℃で一10%〜+10%
(2O℃を基準)の範囲に収まる誘電体磁器を備えたコ
ンデンサを提供することができる。
ンシートに塗布し、グリーンシートと導電性ペーストと
を同時に焼成する方法によって磁器コンデンサを製造す
ることが可能になる。誘電体磁器の組成を本発明で特定
された範囲にすることによって、比誘電率が3000以
上、誘電体損失tanδが2.5%以下、抵抗率ρがl
X106MΩ・cm以上であり、且つ比誘電率の温度変
化率が一55℃〜125℃で一15%〜+15%(25
℃を基準>、−25°C〜85℃で一10%〜+10%
(2O℃を基準)の範囲に収まる誘電体磁器を備えたコ
ンデンサを提供することができる。
[実施例1
次に、本発明に従う実施例及び比較例について説明する
。
。
まず、本発明に従う基本成分の組成式
(Bak−x−yMXし、)OTiO2を第1表のに
試料NO,1のMx、Lx、にの欄に示す割合で得るた
め、換言すれば、’ Ba0.96M0.04し0.0
2)01.02TiO、更に詳細には、MO,04=M
gO,03Zno、oi及びLo、02= caO,0
18r0.01である0で、 (Ba0,96Mgo、03Zn0.01°aO,01
SrO,0(E)OT i O2を得るなめに、純度9
9.0%以1.02 上のB a CO3(炭酸バリウム) 、MgO(酸化
マグネシウム)、ZnMO(酸化亜鉛)、及びTiO□
(酸化チタン)を用意し、不純物を目方に入れないで BaC0:1037.72g(0,96モル部相当) MgO: 6.62g (0,03モル部相当)ZnO
:4.46g (0,01モル部相当)CaCO:5.
48g<0.01モル部相当)S r CO3: 8.
09 g (0、01モル部相当)Ti02 : 43
7.63g (1,00モル部相当)を秤量した。
め、換言すれば、’ Ba0.96M0.04し0.0
2)01.02TiO、更に詳細には、MO,04=M
gO,03Zno、oi及びLo、02= caO,0
18r0.01である0で、 (Ba0,96Mgo、03Zn0.01°aO,01
SrO,0(E)OT i O2を得るなめに、純度9
9.0%以1.02 上のB a CO3(炭酸バリウム) 、MgO(酸化
マグネシウム)、ZnMO(酸化亜鉛)、及びTiO□
(酸化チタン)を用意し、不純物を目方に入れないで BaC0:1037.72g(0,96モル部相当) MgO: 6.62g (0,03モル部相当)ZnO
:4.46g (0,01モル部相当)CaCO:5.
48g<0.01モル部相当)S r CO3: 8.
09 g (0、01モル部相当)Ti02 : 43
7.63g (1,00モル部相当)を秤量した。
次に、秤量されたこれ等の原料をボ・ットミル(pot
1ill)に入れ、更にアルミナボールと水2゜54
1とを入れ、15時時間式攪拌した後、攪拌物をステン
レスポットに入れて熱風式乾燥器で150℃、4時間乾
燥しな0次にこの乾燥物を粗粉砕し、この粗粉砕物をト
ンネル炉にて大気中で12O0℃、2時間仮焼し、上記
組成式の基本成分を得た。
1ill)に入れ、更にアルミナボールと水2゜54
1とを入れ、15時時間式攪拌した後、攪拌物をステン
レスポットに入れて熱風式乾燥器で150℃、4時間乾
燥しな0次にこの乾燥物を粗粉砕し、この粗粉砕物をト
ンネル炉にて大気中で12O0℃、2時間仮焼し、上記
組成式の基本成分を得た。
一方、第2表の試料NQ 1の第2の添加成分を得るた
めに、B2O3を0.99g (1モル部)と、S ]
O02を68.38g (80モル部)と、BaCO
3を10.67g<3.8モル部)と、5rC03を7
.98g (3−8モル部)と、CaCO3を5.41
g (3,8モル部)と、MgOを2.18g (3,
8モル部)と、ZnOを4.40g(3,8モル部)を
それぞれ秤量し、この混合物にアルコールを300cc
加え、ポリエチレンポットにてアルミナボールを用いて
10時間攪拌した後、大気中1000℃で2時間仮焼成
し、これを300CCの水と共にアルミナポットに入れ
、アルミナボールで15時間粉砕し、しかる後、150
°Cで4時間乾燥させてB2O3が1モル%、S iO
2が80モル%、MOが19モル%(Ba03.8モル
%+SrO3,8モル%士Ca03.8モル%+MgO
3,8モル%+Zn03,8モル%)の組成の第2の添
加成分の粉末を得た。なお、MOの内容であるBaOと
SrOとCaOとMgOとZnOとの割合は第2表に示
すようにいずれも2Oモル%となる。
めに、B2O3を0.99g (1モル部)と、S ]
O02を68.38g (80モル部)と、BaCO
3を10.67g<3.8モル部)と、5rC03を7
.98g (3−8モル部)と、CaCO3を5.41
g (3,8モル部)と、MgOを2.18g (3,
8モル部)と、ZnOを4.40g(3,8モル部)を
それぞれ秤量し、この混合物にアルコールを300cc
加え、ポリエチレンポットにてアルミナボールを用いて
10時間攪拌した後、大気中1000℃で2時間仮焼成
し、これを300CCの水と共にアルミナポットに入れ
、アルミナボールで15時間粉砕し、しかる後、150
°Cで4時間乾燥させてB2O3が1モル%、S iO
2が80モル%、MOが19モル%(Ba03.8モル
%+SrO3,8モル%士Ca03.8モル%+MgO
3,8モル%+Zn03,8モル%)の組成の第2の添
加成分の粉末を得た。なお、MOの内容であるBaOと
SrOとCaOとMgOとZnOとの割合は第2表に示
すようにいずれも2Oモル%となる。
次に、100重量部(1000g)の基本成分に2重量
部(2Og>の第2の添加成分を添加し、更に、第1の
添加成分として平均粒径が0.5μmでよく粒の揃った
純度99.0%以上のCr 2O3を0.1重量部(1
g)添加し、更に、アクリル酸エステルポリマー、グリ
セリン、縮合リン酸塩の水溶液から成る有機バインダを
基本成分と第1及び第2の添加成分との合計重量に対し
て15重量%添加し、更に、50重重量の水を加え、こ
れ等をボールミルに入れて粉砕及び混合して磁器原料の
スラリーを作製しな。
部(2Og>の第2の添加成分を添加し、更に、第1の
添加成分として平均粒径が0.5μmでよく粒の揃った
純度99.0%以上のCr 2O3を0.1重量部(1
g)添加し、更に、アクリル酸エステルポリマー、グリ
セリン、縮合リン酸塩の水溶液から成る有機バインダを
基本成分と第1及び第2の添加成分との合計重量に対し
て15重量%添加し、更に、50重重量の水を加え、こ
れ等をボールミルに入れて粉砕及び混合して磁器原料の
スラリーを作製しな。
次に、上記スラリーを真空脱泡機に入れて脱泡し、この
スラリーをリバースロールコータに入れ、ここから得ら
れる薄膜成形物を長尺なポリエステルフィルム上に連続
して受は取ると共に、同フィルム上でこれを100°C
に加熱して乾燥させ、厚さ約25μmの未焼結磁器シー
トを得た。このシートは長尺なものであるが、これを1
0C1角の正方形に裁断して使用する。
スラリーをリバースロールコータに入れ、ここから得ら
れる薄膜成形物を長尺なポリエステルフィルム上に連続
して受は取ると共に、同フィルム上でこれを100°C
に加熱して乾燥させ、厚さ約25μmの未焼結磁器シー
トを得た。このシートは長尺なものであるが、これを1
0C1角の正方形に裁断して使用する。
一方、内部電極用の導電ペーストは、粒径平均1.5μ
mのニッケル粉末10gと、エチルセルロース0゜9g
をブチルカルピトール9.1gに溶解させたものとを撹
拌機に入れ、10時間撹拌することにより得た。この導
電ペーストを長さ111 +nn、幅7市のパターンを
50個有するスクリンを介して上記未焼結磁器シートの
片側に印刷した後、これを乾燥させた。
mのニッケル粉末10gと、エチルセルロース0゜9g
をブチルカルピトール9.1gに溶解させたものとを撹
拌機に入れ、10時間撹拌することにより得た。この導
電ペーストを長さ111 +nn、幅7市のパターンを
50個有するスクリンを介して上記未焼結磁器シートの
片側に印刷した後、これを乾燥させた。
次に、上記印刷面を上にして未焼結磁器シートを2枚積
層した。この際、隣接する上下のシートにおいて、その
印刷面がパターンの長手方向に約半分程ずれるように配
置した。更に、この積層物の上下両面にそれぞれ4枚ず
つ厚さ60μmの未焼結磁器シートを積層した0次いで
、この積層物を約50℃の温度で厚さ方向に約40トン
の荷重を加えて圧着させた。しかる後、この積層物を格
子状に裁断し、50個の積層チップを得た。
層した。この際、隣接する上下のシートにおいて、その
印刷面がパターンの長手方向に約半分程ずれるように配
置した。更に、この積層物の上下両面にそれぞれ4枚ず
つ厚さ60μmの未焼結磁器シートを積層した0次いで
、この積層物を約50℃の温度で厚さ方向に約40トン
の荷重を加えて圧着させた。しかる後、この積層物を格
子状に裁断し、50個の積層チップを得た。
次に、この積層体を雰囲気焼成が可能な炉に入れ、大気
雰囲気中で100℃/hの速度で600°Cまで昇温し
て、有機バインダを燃焼させた。しかる後、炉の雰囲気
を大気からH2(2体積%)十N2 (98体積%)の
雰囲気に変えた。そして、炉を上述の如き還元性雰囲気
とした状態を保って、積層体加熱温度を600℃から焼
結温度の1150℃まで、100℃/hの速度で昇温し
て1150℃l高温度)を3時間保持した後、100℃
/hの速度で600℃まで降温し、雰囲気を大気雰囲気
(酸化性雰囲気)におきかえて、600°Cを30分間
保持して酸化処理を行い、その後、室温まで冷却して積
層焼結体チップを作製した。
雰囲気中で100℃/hの速度で600°Cまで昇温し
て、有機バインダを燃焼させた。しかる後、炉の雰囲気
を大気からH2(2体積%)十N2 (98体積%)の
雰囲気に変えた。そして、炉を上述の如き還元性雰囲気
とした状態を保って、積層体加熱温度を600℃から焼
結温度の1150℃まで、100℃/hの速度で昇温し
て1150℃l高温度)を3時間保持した後、100℃
/hの速度で600℃まで降温し、雰囲気を大気雰囲気
(酸化性雰囲気)におきかえて、600°Cを30分間
保持して酸化処理を行い、その後、室温まで冷却して積
層焼結体チップを作製した。
次に、第1図に示す積層磁器コンデンサ10を得るため
に、3つの誘電体磁器層12と2つの内部電極14とか
ら成る積層焼結体チップ15に一対の外部電極16を形
成した。なお、外部電極16は、電極が露出する焼結体
チップ15の側面に亜鉛とガラスフリット(glass
frit)とビヒクル(vehicle)とから成
る導電性ペーストを塗布して乾燥し、これを大気中で5
50°Cの温度で15分間焼付け、亜鉛電極層18を形
成し、更にこの上に無電解メツキで法で銅層2Oを形成
し、更にこの上に電気メツキ法でpbSn半田層22を
設けたものから成る。
に、3つの誘電体磁器層12と2つの内部電極14とか
ら成る積層焼結体チップ15に一対の外部電極16を形
成した。なお、外部電極16は、電極が露出する焼結体
チップ15の側面に亜鉛とガラスフリット(glass
frit)とビヒクル(vehicle)とから成
る導電性ペーストを塗布して乾燥し、これを大気中で5
50°Cの温度で15分間焼付け、亜鉛電極層18を形
成し、更にこの上に無電解メツキで法で銅層2Oを形成
し、更にこの上に電気メツキ法でpbSn半田層22を
設けたものから成る。
このコンデンサ10の誘電体磁器層12の厚さは0.0
2nc、一対の内部電極14の対向面積は5關×5市−
25關2である。なお、焼結後の磁器層12の組成は、
焼結前の基本成分と添加成分との混合組成と実質的に同
じである。
2nc、一対の内部電極14の対向面積は5關×5市−
25關2である。なお、焼結後の磁器層12の組成は、
焼結前の基本成分と添加成分との混合組成と実質的に同
じである。
次に、コンデンサ10の電気特性を測定し、その平均値
を求めたところ、第3表に示す如く、比誘電率ε、が3
810、tanδが1.1%、抵抗率ρが3.8X10
6MΩ−C11,25℃の静電容量を基準にした一55
°C及び+125℃の静電容tの変化率ΔC1ΔC12
,が−10,6%、55 +3.6%、2O°Cの静電容量を基準にした一25℃
、+85°Cの静電容量の変化率ΔC、Δ25 C85は−5,1%、−6,1%であった。
を求めたところ、第3表に示す如く、比誘電率ε、が3
810、tanδが1.1%、抵抗率ρが3.8X10
6MΩ−C11,25℃の静電容量を基準にした一55
°C及び+125℃の静電容tの変化率ΔC1ΔC12
,が−10,6%、55 +3.6%、2O°Cの静電容量を基準にした一25℃
、+85°Cの静電容量の変化率ΔC、Δ25 C85は−5,1%、−6,1%であった。
なお、電気的特性は次の要領で測定した。
(A) 比誘電率ε、は、温度2O℃、周波数1kH
z、電圧(実効値>1.OVの条件で静電容量を測定し
、この測定値一対の内部電極14の対向面積25關2と
一対の内部型ai14間の磁器層12の厚さ0.02m
+から計算で求めた。
z、電圧(実効値>1.OVの条件で静電容量を測定し
、この測定値一対の内部電極14の対向面積25關2と
一対の内部型ai14間の磁器層12の厚さ0.02m
+から計算で求めた。
(B) 誘電体損失tanδ(%)は比誘電率と同一
条件で測定した。
条件で測定した。
(C) 抵抗率ρ(MO・cl)は、温度2O℃にお
いてDCl 00Vを1分間印加した後に一対の外部電
極16間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基づ
いて計算で求めた。
いてDCl 00Vを1分間印加した後に一対の外部電
極16間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基づ
いて計算で求めた。
(D) 静電容量の温度特性は、恒温槽の中に試料を
入れ、−55℃、−25℃、0℃、+2O℃、25℃、
+40℃、+60℃、十85℃、+105℃、+125
℃の各温度において、周波数1 kHz、電圧(実効値
)1.OVの条件で静電容量を測定し、2O℃及び25
℃の時の静電容量に対する各温度における変化率を求め
ることによって得た。
入れ、−55℃、−25℃、0℃、+2O℃、25℃、
+40℃、+60℃、十85℃、+105℃、+125
℃の各温度において、周波数1 kHz、電圧(実効値
)1.OVの条件で静電容量を測定し、2O℃及び25
℃の時の静電容量に対する各温度における変化率を求め
ることによって得た。
以上、試料No、 1の作製方法及びその特性について
述べたが、試料NG 2〜99についても、基本成分、
第1及び第2の添加成分の組成、これ等の割合、及び還
元性雰囲気での焼成温度を第1表〜第3表に示すように
変えた他は、試料NQIと全く同一の方法で積層磁器コ
ンデンサを作製し、同一方法で電気的特性を測定した。
述べたが、試料NG 2〜99についても、基本成分、
第1及び第2の添加成分の組成、これ等の割合、及び還
元性雰囲気での焼成温度を第1表〜第3表に示すように
変えた他は、試料NQIと全く同一の方法で積層磁器コ
ンデンサを作製し、同一方法で電気的特性を測定した。
第1表は、それぞれの試料の基本成分と第1のと
添加成分の組成tr加量び第2の添加成分の添加量を示
し、第2表はそれぞれの試料の第2の添加成分の組成を
示し、第3表はそれぞれの試料の焼成温度、及び電気的
特性を示す、なお、第1表の基本成分の欄のx、y、に
は組成式の各元素の原子数、即ちTiの原子数を1とし
た場合の各元素の原子数の割合を示す、Xの柵のMg、
Znは、一般式のMの内容を示し、Mg、Znの棚には
これ等の原子数が示され、yの冊のCa、Srは一般式
りの内容を示し、Ca、5rlliJにはこれ等の原子
数が示され、合計の欄にはこれ等の合計値(y)が示さ
れている。x+yの欄には、Mg、Zn、Ca、Srの
原子数の和が示されている。
し、第2表はそれぞれの試料の第2の添加成分の組成を
示し、第3表はそれぞれの試料の焼成温度、及び電気的
特性を示す、なお、第1表の基本成分の欄のx、y、に
は組成式の各元素の原子数、即ちTiの原子数を1とし
た場合の各元素の原子数の割合を示す、Xの柵のMg、
Znは、一般式のMの内容を示し、Mg、Znの棚には
これ等の原子数が示され、yの冊のCa、Srは一般式
りの内容を示し、Ca、5rlliJにはこれ等の原子
数が示され、合計の欄にはこれ等の合計値(y)が示さ
れている。x+yの欄には、Mg、Zn、Ca、Srの
原子数の和が示されている。
第1及び第2の添加成分の添加量は基本成分100重量
部に対する重量部で示されている。第2表の第2の添加
成分のMOの内容の欄には、BaO1Mg01ZnO,
5rO1CaOの割合がモル%で示されている。第3表
において、静電容量の温度特性は、25℃の静電容量を
基準にした一55゛C及び+125℃の静電容量変化率
をΔC−55(%)ΔC(%)、2O℃の静電容量を基
準25 にした−25℃及び+85℃の静電容量変化率をΔC−
25(%)、ΔC85(%)で示されている。
部に対する重量部で示されている。第2表の第2の添加
成分のMOの内容の欄には、BaO1Mg01ZnO,
5rO1CaOの割合がモル%で示されている。第3表
において、静電容量の温度特性は、25℃の静電容量を
基準にした一55゛C及び+125℃の静電容量変化率
をΔC−55(%)ΔC(%)、2O℃の静電容量を基
準25 にした−25℃及び+85℃の静電容量変化率をΔC−
25(%)、ΔC85(%)で示されている。
第1表〜第3表から明らかな如く、本発明に従う試料で
は、非酸化性雰囲気、12O0℃以下のMΩ・cm以上
、静電容量の温度変化率ΔC−55及びΔCが−15%
〜+15%、ΔC−25及び25 ΔC8,は一10%〜+10%の範囲となり、所望特性
のコンデンサを得ることが出来る。一方、試料No、
7〜10.26.31.32.37.38.50〜56
.64〜70.75.76.80.81.90.91.
92.98.99では本発明の目的を達成することがで
きない。従って、これ等は本発明の範囲外のものである
。
は、非酸化性雰囲気、12O0℃以下のMΩ・cm以上
、静電容量の温度変化率ΔC−55及びΔCが−15%
〜+15%、ΔC−25及び25 ΔC8,は一10%〜+10%の範囲となり、所望特性
のコンデンサを得ることが出来る。一方、試料No、
7〜10.26.31.32.37.38.50〜56
.64〜70.75.76.80.81.90.91.
92.98.99では本発明の目的を達成することがで
きない。従って、これ等は本発明の範囲外のものである
。
第3表にはΔC、ΔC、ΔC、Δ
−55125−25
085のみが示されているが、本発明の範囲に属する試
料の一り5℃〜十85℃の範囲の種々の静電容量の変化
率ΔCは、−10%〜+10%の範囲に収まり、また、
−55℃〜+125℃の範囲の種々の静電容量の変化率
ΔCは、−15%〜+15%の範囲に収まっている。
料の一り5℃〜十85℃の範囲の種々の静電容量の変化
率ΔCは、−10%〜+10%の範囲に収まり、また、
−55℃〜+125℃の範囲の種々の静電容量の変化率
ΔCは、−15%〜+15%の範囲に収まっている。
次に、組成の限定理由について述べる。
x十yの値が、試料順38.56に示す如く、零の場合
には、ΔC−55が一15%〜+15%の範囲外及びΔ
C−25が一10%〜+15%の範囲外となるが、試料
Nα39.40.41.42.57.58に示す如く、
x +yの値が0.01の場合には、所望の電気的特性
を得ることができる。
には、ΔC−55が一15%〜+15%の範囲外及びΔ
C−25が一10%〜+15%の範囲外となるが、試料
Nα39.40.41.42.57.58に示す如く、
x +yの値が0.01の場合には、所望の電気的特性
を得ることができる。
従って、x+yの値の下限は0.01である。
方、試lNG52〜55.65〜69に示す如く、x+
yの値が0.12の場合には、ΔC85が一10%〜士
10%の範囲外となるが、試料恥46〜49.62.6
3に示す如く、x+yの値が0゜10の場合には、所望
の電気的特性を得ることができる。但し、x+yの値が
試料NO,50,51,64に示す如く、0.10であ
ってもyの値が0゜05を越えてしまう場合にはΔcg
sが範囲外になる。従って、x+yの上限値は0.10
であるが、同時にyの上限値を0,05にしなければな
らない、なお、M成分のMgとZn及びL成分のCaと
Srはほぼ同様に働き、O<x<0.10を満足する範
囲でMgとZnの内の一方又は両方を使用すること、ま
たO<y≦0,05を満足する範囲でCa、Srの内の
一方又は両方を使用することができる。そして、■成分
及びL成分の1種又は複数種の何れの場合においてもx
+yの値を0゜01〜0.10の範囲にすることが望ま
しい。
yの値が0.12の場合には、ΔC85が一10%〜士
10%の範囲外となるが、試料恥46〜49.62.6
3に示す如く、x+yの値が0゜10の場合には、所望
の電気的特性を得ることができる。但し、x+yの値が
試料NO,50,51,64に示す如く、0.10であ
ってもyの値が0゜05を越えてしまう場合にはΔcg
sが範囲外になる。従って、x+yの上限値は0.10
であるが、同時にyの上限値を0,05にしなければな
らない、なお、M成分のMgとZn及びL成分のCaと
Srはほぼ同様に働き、O<x<0.10を満足する範
囲でMgとZnの内の一方又は両方を使用すること、ま
たO<y≦0,05を満足する範囲でCa、Srの内の
一方又は両方を使用することができる。そして、■成分
及びL成分の1種又は複数種の何れの場合においてもx
+yの値を0゜01〜0.10の範囲にすることが望ま
しい。
kの値が、試料に70.76に示す如く、1゜0よりも
小さい場合には、ρがlX106MΩ・chi未満とな
り、大幅に低くなるが、試料NQ71.77に示す如く
、kの値が1.00の場合には、所望の電気的特性が得
られる。従って、kの値の下限は1.00である。一方
、kの値が、試料N075.80に示す如く、1.05
より大きい場合には緻密な焼結体が得られないが、試料
110.74.79に示す如く、kの値が1.05の場
合には所望の電気的特性が得られる。従って、kの値の
上限は1.05である。
小さい場合には、ρがlX106MΩ・chi未満とな
り、大幅に低くなるが、試料NQ71.77に示す如く
、kの値が1.00の場合には、所望の電気的特性が得
られる。従って、kの値の下限は1.00である。一方
、kの値が、試料N075.80に示す如く、1.05
より大きい場合には緻密な焼結体が得られないが、試料
110.74.79に示す如く、kの値が1.05の場
合には所望の電気的特性が得られる。従って、kの値の
上限は1.05である。
第1の添加成分であるCr2O3及び/又はAl2O3
の添加量が試料懇81.92に示す如く零の場合は、Δ
C−55が一15%未満となるが、試料Nf182.8
3.93.94に示す如く添加量が100重量部の基本
成分に対して0101重量部の場合には所望の特性を得
ることができる。従って第1の添加成分の下限は0.0
1である。
の添加量が試料懇81.92に示す如く零の場合は、Δ
C−55が一15%未満となるが、試料Nf182.8
3.93.94に示す如く添加量が100重量部の基本
成分に対して0101重量部の場合には所望の特性を得
ることができる。従って第1の添加成分の下限は0.0
1である。
方、試料Nα90.91.98.99に示す如く添加量
が3.0重量部よりも多い場合には1250℃で焼成し
ても緻密な焼結体が得られないが、試料Nα87.88
.89.97に示す如く添加量が3.0重量部の場合に
は所望の特性を得ることができる。従って第1の添加成
分の上限は3.0重量部である。なお、第1の添加成分
のCr2O3とAl2O3とはほぼ同様に働き、これ等
がら選択された1つを使用しても、又は複数を使用して
も同様な結果が得られる。そして、第1の添加成分が1
種又は複数種の何れの場合に於いても、添加量は0,0
1〜3.0の範囲にすることが望ましい、なお、この第
1の添加成分は、静電容量の温度特性の改善に寄与する
。即ち、第1の添加成分の添加によって一り5℃〜12
5“Cの範囲での静電容量の温度変化率ΔC−55〜Δ
C1゜5を一15%〜+15%の範囲に容易に収めるこ
とが可能になると共に、−25℃〜85℃の範囲での静
電容量の温度変化率へC〜ΔC85を一10%〜25 +10%の範囲に容易に収めることが可能になり、且つ
各温度範囲における静電容量の温度変化率の変動幅を小
さくすることができる。また、第1の添加成分は抵抗率
ρを大きくする作用を若子育する。
が3.0重量部よりも多い場合には1250℃で焼成し
ても緻密な焼結体が得られないが、試料Nα87.88
.89.97に示す如く添加量が3.0重量部の場合に
は所望の特性を得ることができる。従って第1の添加成
分の上限は3.0重量部である。なお、第1の添加成分
のCr2O3とAl2O3とはほぼ同様に働き、これ等
がら選択された1つを使用しても、又は複数を使用して
も同様な結果が得られる。そして、第1の添加成分が1
種又は複数種の何れの場合に於いても、添加量は0,0
1〜3.0の範囲にすることが望ましい、なお、この第
1の添加成分は、静電容量の温度特性の改善に寄与する
。即ち、第1の添加成分の添加によって一り5℃〜12
5“Cの範囲での静電容量の温度変化率ΔC−55〜Δ
C1゜5を一15%〜+15%の範囲に容易に収めるこ
とが可能になると共に、−25℃〜85℃の範囲での静
電容量の温度変化率へC〜ΔC85を一10%〜25 +10%の範囲に容易に収めることが可能になり、且つ
各温度範囲における静電容量の温度変化率の変動幅を小
さくすることができる。また、第1の添加成分は抵抗率
ρを大きくする作用を若子育する。
第2の添加成分の添加量が零の場合には、試料N026
.32から明らかな如く、焼成温度が1250℃であっ
ても緻密な焼結体が得られないが、試料N027.33
に示す如く、添加量が100重量部の基本成分に対して
0.2重量部の場合には、1190℃の焼成で所望の電
気的特性を有する焼結体が得られる。従って、第2の添
加成分の下限は0.2重量部である。一方、試料Nn3
1.37に示す如く、第2の添加成分の添加量が6.0
重量部の場合には、ε が3000未満となり、更にΔ
C−55が一15%〜+15%の範囲外となるが、試料
NQ30.36に示す如く、添加量が5゜0重量部の場
合には所望特性を得ることができる。
.32から明らかな如く、焼成温度が1250℃であっ
ても緻密な焼結体が得られないが、試料N027.33
に示す如く、添加量が100重量部の基本成分に対して
0.2重量部の場合には、1190℃の焼成で所望の電
気的特性を有する焼結体が得られる。従って、第2の添
加成分の下限は0.2重量部である。一方、試料Nn3
1.37に示す如く、第2の添加成分の添加量が6.0
重量部の場合には、ε が3000未満となり、更にΔ
C−55が一15%〜+15%の範囲外となるが、試料
NQ30.36に示す如く、添加量が5゜0重量部の場
合には所望特性を得ることができる。
従って、添加量の上限は5.0重量部である。
第2の添加成分の好ましい組成は、第2図のB2B2O
3−8iO2−の組成比を示す三角図に基づいて決定す
ることができる。三角図の第1の点(A>は、試料NO
,1の82O3が1モル%、SiO2が80モル%、M
Oが19モル%の組成を示し、第2の点(B)は、試料
Na 2のB2O3が1モル%、S iO2が39モル
%、MOが60モル%の組成を示し、第3の点(C)は
、試料Nα3のB2O3が29モル%、SiO2が1モ
ル%、MOが70モル%の組成を示し、第4の点(D)
は、試料NQ4のB 2O3が90モル%、S i O
2が1モル%、MOが9モル%の組成を示し、第5の点
(E)は、試料11Q5のB2O3が90モル%、S
iO2が9モル%、MOが1モル%の組成を示し、第6
の点(F)は試1’l No、 6の82O37¥19
モル%、S io 2が80モル%、MOが1モル%の
組成を示す。
3−8iO2−の組成比を示す三角図に基づいて決定す
ることができる。三角図の第1の点(A>は、試料NO
,1の82O3が1モル%、SiO2が80モル%、M
Oが19モル%の組成を示し、第2の点(B)は、試料
Na 2のB2O3が1モル%、S iO2が39モル
%、MOが60モル%の組成を示し、第3の点(C)は
、試料Nα3のB2O3が29モル%、SiO2が1モ
ル%、MOが70モル%の組成を示し、第4の点(D)
は、試料NQ4のB 2O3が90モル%、S i O
2が1モル%、MOが9モル%の組成を示し、第5の点
(E)は、試料11Q5のB2O3が90モル%、S
iO2が9モル%、MOが1モル%の組成を示し、第6
の点(F)は試1’l No、 6の82O37¥19
モル%、S io 2が80モル%、MOが1モル%の
組成を示す。
本発明の範囲に属する試料の第2の添加成分の組成は三
角図の第1〜6の点(A)〜(F)を順に結ぶ6本の直
線で囲まれた領域内の組成になっている。この領域内の
組成とすれば、所望の電気的特性を得ることができる。
角図の第1〜6の点(A)〜(F)を順に結ぶ6本の直
線で囲まれた領域内の組成になっている。この領域内の
組成とすれば、所望の電気的特性を得ることができる。
一方、試料順7〜10のように、第2の添加成分の組成
が本発明で特定した範囲外となれば、緻密な焼結体を得
ることができない、なお、MO酸成分例えば試料NO,
17〜21に示す如(BaOlMgO,ZnO,5rO
1CaOのいずれか1つであってもよいし、又は他の試
料で示すように適当な比率としてもよい。
が本発明で特定した範囲外となれば、緻密な焼結体を得
ることができない、なお、MO酸成分例えば試料NO,
17〜21に示す如(BaOlMgO,ZnO,5rO
1CaOのいずれか1つであってもよいし、又は他の試
料で示すように適当な比率としてもよい。
[変形例]
以上、本発明の実施例について述べたが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、例えば次の変形例が可能な
ものである。
に限定されるものではなく、例えば次の変形例が可能な
ものである。
(a) 基本成分の中に、本発明の目的を阻害しない
範囲で微量のMnO□ (好ましくは0.05〜0.1
重量%)等の鉱化剤を添加し、焼結性を向上させてもよ
い、また、その他の物質を必要に応じて添加してもよい
。
範囲で微量のMnO□ (好ましくは0.05〜0.1
重量%)等の鉱化剤を添加し、焼結性を向上させてもよ
い、また、その他の物質を必要に応じて添加してもよい
。
(b) 出発原料を、実施例で示したちの以外の酸化
物又は水酸化物又はその他の化合物としてもよい。
物又は水酸化物又はその他の化合物としてもよい。
(c) 焼成時の非酸化性雰囲気での処理の後の酸化
性雰囲気での処理の温度を600℃以外の焼結温度より
も低い温度(好ましくは500℃〜1000℃の範囲)
としてもよい、即ち、ニッケル等の電極材料と磁器の酸
化とを考慮して種々変更することが可能である。
性雰囲気での処理の温度を600℃以外の焼結温度より
も低い温度(好ましくは500℃〜1000℃の範囲)
としてもよい、即ち、ニッケル等の電極材料と磁器の酸
化とを考慮して種々変更することが可能である。
(d) 非酸化性雰囲気中の焼成温度を、電極材料を
考慮して種々変えることができる。ニッケルを内部電極
とする場合には、1050℃〜12O0℃の範囲でニッ
ケル粒子の凝集がほとんど生じない。
考慮して種々変えることができる。ニッケルを内部電極
とする場合には、1050℃〜12O0℃の範囲でニッ
ケル粒子の凝集がほとんど生じない。
(e) 焼結を中性雰囲気で行ってもよい。
(f) 積層磁器コンデンサ以外の一般的な単層の磁
器コンデンサにも勿論適用可能である。
器コンデンサにも勿論適用可能である。
第1図は本発明の実施例に係わる積層型磁器コンデンサ
を示す断面図、 第2図は添加成分の組成範囲を示す三角図であ12・・
・磁器層、 桶。 4・・・内部電極、 6・・・外部電
を示す断面図、 第2図は添加成分の組成範囲を示す三角図であ12・・
・磁器層、 桶。 4・・・内部電極、 6・・・外部電
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 [1]誘電体磁器と、前記磁器に接触している少なくと
も2つの電極とから成る磁器コンデンサにおいて、 前記磁器が100.0重量部の基本成分と、0.01〜
3.00重量部の第1の添加成分と、0.2〜5.0重
量部の第2の添加成分とから成り、 前記基本成分が、 (Ba_k_−_x_−_yM_xL_y)O_kTi
O_2(但し、MはMg、Znの内の少なくとも1種の
金属、LはCa、Srの内の少なくとも1種の金属、k
、x、yは 1.00≦k≦1.05 0<x<0.10 0<y≦0.05 0.01≦x+y≦0.10を満足する数値)であり、 前記第1の添加成分がCr_2O_3とAl_2O_3
の内の少なくとも1種の金属酸化物であり、前記第2の
添加成分がB_2O_3とSiO_2とMO(但し、M
OはBaO、SrO、CaO、MgO及びZnOの内の
少なくとも1種の金属酸化物)から成り、且つ前記B_
2O_3と前記SiO_2と前記MOとの組成範囲がこ
れ等の組成をモル%で示す三角図における 前記B_2O_3が1モル%、前記SiO_2が80モ
ル%、前記MOが19モル%の点(A)と、前記B_2
O_3が1モル%、前記SiO_2が39モル%、前記
MOが60モル%の点(B)と、前記B_2O_3が2
9モル%、前記SiO_2が1モル%、前記MOが70
モル%の点(C)と、前記B_2O_3が90モル%、
前記SiO_2が1モル%、前記MOが9モル%の点(
D)と、前記B_2O_3が90モル%、前記SiO_
2が9モル%、前記MOが1モル%の点(E)と、前記
B_2O_3が19モル%、前記SiO_2が80モル
%、前記MOが1モル%の点(F) を順に結ぶ6本の直線で囲まれた領域内のものであるこ
とを特徴とするコンデンサ。 [2]100.0重量部の基本成分と、0.01〜3.
00重量部の第1の添加成分と、0.2〜5.0重量部
の第2の添加成分とから成り、前記基本成分が、 (Ba_k_−_x_−_yM_xL_y)O_kTi
O_2(但し、MはMg、Znの内の少なくとも1種の
金属、LはCa、Srの内の少なくとも1種の金属、k
、x、yは、 1.00≦k≦1.05 0<x<0.10 0<y≦0.05 0.01≦x+y≦0.10を満足する数値)であり、
前記第1の添加成分がCr_2O_3とAl_2O_3
の内の少なくとも1種の金属酸化物であり、前記第2の
添加成分がB_2O_3とSiO_2とMO(但し、M
OはBaO、SrO、CaO、MgO及びZnOの内の
少なくとも1種の金属酸化物)から成り、且つ前記B_
2O_3と前記SiO_2と前記MOとの組成範囲がこ
れ等の組成をモル%で示す三角図における前記B_2O
_3が1モル%、前記SiO_2が80モル%、前記M
Oが19モル%の点(A)と、前記B_2O_3が1モ
ル%、前記SiO_2が39モル%、前記MOが60モ
ル%の点(B)と、前記B_2O_3が29モル%、前
記SiO_2が1モル%、前記MOが70モル%の点(
C)と、前記B_2O_3が90モル%、前記SiO_
2が1モル%、前記MOが9モル%の点(D)と、前記
B_2O_3が90モル%、前記SiO_2が9モル%
、前記MOが1モル%の点(E)と、前記B_2O_3
が19モル%、前記SiO_2が80モル%、前記MO
が1モル%の点(F)とを順に結ぶ6本の直線で囲まれ
た領域内のものであることを特徴とする混合物を用意す
る工程と、 少なくとも2つの電極部分を有する前記混合物の成形物
を作る工程と、 前記電極部分を有する前記成形物を非酸化性雰囲気で焼
成する工程と、 前記焼成で得られた成形物を酸化性雰囲気で熱処理する
工程と を含む磁器コンデンサの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1298138A JPH03159110A (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
US07/601,315 US5111357A (en) | 1989-11-16 | 1990-10-22 | Solid dielectric capacitor and method of manufacture |
DE69016619T DE69016619T2 (de) | 1989-11-16 | 1990-10-22 | Festdielektrikumkondensator und Verfahren zur Herstellung. |
EP90120258A EP0432418B1 (en) | 1989-11-16 | 1990-10-22 | Solid dielectric capacitor and method of manufacture |
KR1019900018687A KR930011190B1 (ko) | 1989-11-16 | 1990-11-16 | 자기 콘덴서 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1298138A JPH03159110A (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03159110A true JPH03159110A (ja) | 1991-07-09 |
JPH0525377B2 JPH0525377B2 (ja) | 1993-04-12 |
Family
ID=17855680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1298138A Granted JPH03159110A (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03159110A (ja) |
-
1989
- 1989-11-16 JP JP1298138A patent/JPH03159110A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0525377B2 (ja) | 1993-04-12 |
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