JPH03155161A - 完全密着型イメージセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、原稿を縮小せずに読み取る小型ファクシミリ
等に用いる完全密着型イメージセンサに関するものであ
る。

〔従来の技術〕

密着型イメージセンサ（以下、単にイメージセンサとも
称する。）は縮小光学系を用いずに原稿を読み取ること
ができるので、光路長が短く、装置を小型化することが
できる。このため、近年、小型ファクシミリやバーコー
ドリーグ等の読み取り装置として広く使用されている。

従来の！着型イメージセンサでは、縮小光学系のかわり
にセルフォックレンズに代表される等倍光学系を使って
、センサ面上に像を形成している。

かかる従来の密着型イメージセンサでは、センサ素子の
受光面にセルフォックレンズを配置し、原稿上の像をセ
ルフォックレンズを介してセンサ素子上に結像させ、鮮
明な像を得ている。

しかしながら、この方法はレンズを用いているので、焦
点距離の短いものを使用したとしても、センサを薄型に
することができず、また焦点距離を短くすると、色収差
が生じ、像がぼけるという欠点がある。特に、セルフォ
ックレンズを使用したカラーセンサは、焦点距離の長い
レンズを使用しなければならず、イメージセンサを小型
化できないという欠点があった。そこで、イメージセン
サの低価格化とコンパクト化をねらって、セルフォック
レンズを省き、センサ素子を原稿に密着させて画像を読
み取る方式の密着型イメージセンサが開発されている。

以後、この方式の密着型イメ−ジセンサを完全密着型イ
メージセンサと呼ぶ。

第６図は従来の完全密着型イメージセンサの長手方向の
概略部分断面図、第７図はそのセンサ素子の断面図、第
８図はそのセンサ素子の平面図である。第６図から第８
図において、１はガラス基板である。ガラス基Ｆｉｆの
下面には、光信号を電気信号に変換する多数のセンサ素
子２が形成されている。センサ素子２はアモルファスシ
リコンを用いたｐｉｎ構造のホトダイオード５とブロン
キングダイオード６とからなる。ホトダイオード５は光
電変換素子であり、ブロッキングダイオード６は各ホト
ダイオード５に蓄積された情報を読み出すためのスイッ
チイング素子である。ホトダイオード５とブロッキング
ダイオード６とは共通の下部電極ｌｌ上に形成されてい
る。また、ホトダイオード５とブロッキングダイオード
６の上部には、透明導電膜１３を介して上部電極１２が
形成されている。１４はセンサ素子２を保護するために
ポリイミド等を用いて形成した保護膜、１５は眉間ｍ縁
膜である。尚、矢印は原稿Ａによって反射された光の光
路を示す。また、ガラス基板ｌの背面には、図示しない
が、光源やセンサ素子２を駆動してセンサ素子２に蓄積
された情報を読み出すための駆動用ＩＣ等が配置されて
いる。

上記の構成により、図示しない光源からの光は原稿Ａに
よって四方に反射され、ホトダイオード５に入射する。

ホトダイオード５はこの光信号を電気信号に変換する。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、完全密着型イメージセンサでも、センサ素子
２とセンサ素子２を駆動する駆動部とを接続するための
ヒート・シールや保護膜Ｉ４がセンサ素子２の上部に設
けられているので、センサ素子２と原稿Ａとの間には隙
間Ｓがある。この隙間Ｓのために、第６図に示すように
原稿Ａからの反射光は対応するセンサ素子２だけでなく
、そのセンサ素子２と隣合った他のセンサ素子２にも入
射する。このため、従来の完全密着型イメージセンサで
は、ホトダイオード５からの信号の読取を行うと、原稿
へからの反射光によるクロストークによりＭＴ　Ｆ　（
Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ　Ｆｕｎｃｔ
ｉｏｎ）が劣化するという問題があった。

本発明は、上記事情に基づいてなされたものであり、原
稿からの反射光によるクロストークを防止して解像度の
向上を図ることができる完全密着型イメージセンサを提
供することを目的とするものである。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するための本発明は、原稿からの反射光
を光電変換するホトダイオードが複数配列された完全密
着型イメージセンサにおいて、隣り合う前記ホトダイオ
ード間の中央部に遮光膜を設けたことを特徴とするもの
である。

〔作用〕

本発明は前記の構成によって、隣り合うホトダイオード
間から入射する光のうち、その中央部から入射する光を
遮光膜によって遮ることにより、原稿からの反射光が対
応するホトダイオード以外の他のホトダイオードに入射
するのを阻止する。

〔実施例〕

以下に本発明の一実施例を第１図から第３図を参照して
説明する。

第１図は本発明の一実施例である完全密着型イメージセ
ンサの長手方向の概略部分断面図、第２図はそのセンサ
素子の断面図、第３図はそのセンサ素子の平面図である
。第１図から第３図において、７は層間絶縁膜１５中に
遮光性を有するポリマにより形成した遮光膜である。尚
、第１図から第３図に示す実施例において、第６図から
第８図に示す従来の実施例と同一の機能を有するものに
ついては、同一の符号を付すことにより、その詳細な説
明を省略する。

上記の構成により、図示しない光源から発せられた光の
うち、隣り合うダイオード５間の中央部に照射された光
は遮光膜７により原稿への入射が阻止される。また、光
源が発した光のうちホトダイオード５と遮光膜７との間
から入射した光は、原［Ａによって四方に反射される。

そして、たとえば第１図に示す光ａは、光ａに近いホト
ダイオード５１には入射するが、光ａから遠いホトダイ
オード５２へは入射できない。この結果、原稿Ａからの
反射光によるクロストークを防止して、ＭＴＦの向上を
図ることができる。

発明者等が上記構成のイメージセンサで８　ｄｏｔｓ／
輸輸の素子密度のものを使用して、４　ｊ！　ｐ／ｌａ
ｕの線密度の原稿を読み取ったところ、従来例ではＭＴ
Ｆが３０％であったものが、５０％に向上した。

上記の本実施例によれば、隣合うホトダイオード５間に
設けた遮光膜７により、反射光に起因するクロストーク
を阻止するので、ホトダイオード５の容量を減少するこ
となく、ＭＴＦの向上を図ることができる。

また、上記の本実施例によれば、レンズを使用しておら
ず、色収差が生じないので、カラーセン、すとしても好
適である。更に、セルフォックレンズを用いたものに比
べて、小型で、廉価なセンサとなる。

第４図及び第５図は遮光膜の変形例を示す図であり、第
４図は長手方向の概略部分断面図、第５図はセンサ素子
の断面図である。尚、センサ素子の平面図は第３図と同
様であるので省略する。

本変形例が前記の実施例と異なるのは、前記の実施例で
は遮光層７が層間絶縁膜１５中に形成されているのに対
して、本変形例では遮光層８が表面の保護膜１４中に形
成されている点にある。

尚、作用・効果は前記の実施例と同様である。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、隣り合うホトダイ
オード間に形成した遮光膜によって、原稿からの反射光
によるクロストークを防止し、解像度の向上を図ること
ができる完全密着型イメージセンサを提供することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である完全密着型イメージセ
ンサの長手方向の概略部分断面図、第２図はそのセンサ
素子の断面図、第３図はそのセンサ素子の平面図、第４
図及び第５図は遮光膜の変形例を示す図、第６図は従来
の完全密着型イメージセンサの長手方向の概略部分断面
図、第７図はそのセンサ素子の断面図、第８図はそのセ
ンサ素子の平面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・センサ素子、５・・・　
ホトダイオード、 ６・・・プロンキングダイオード、 ７・・・遮光層、 １１・・・下部電極、１２′・・・上部電臘、１４・・
・保護膜、１５・・・層間絶縁膜。 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 原稿からの反射光を光電変換するホトダイオードが複数
   配列された完全密着型イメージセンサにおいて、隣り合
   う前記ホトダイオード間の中央部に遮光膜を設けたこと
   を特徴とする完全密着型イメージセンサ。