JPH03153867A - 円筒形状のｉｔｏターゲットの製造方法 - Google Patents
円筒形状のｉｔｏターゲットの製造方法Info
- Publication number
- JPH03153867A JPH03153867A JP1291024A JP29102489A JPH03153867A JP H03153867 A JPH03153867 A JP H03153867A JP 1291024 A JP1291024 A JP 1291024A JP 29102489 A JP29102489 A JP 29102489A JP H03153867 A JPH03153867 A JP H03153867A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ito
- target
- cylindrical
- powder
- ito target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 abstract description 16
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 7
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 abstract description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 5
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 abstract description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract 1
- 229910052602 gypsum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010440 gypsum Substances 0.000 abstract 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000006210 lotion Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はインジウム−スズ酸化物（以下、ＩＴＯという
）膜をスパッタリング法により形成するために用いられ
るＩＴＯターゲットに関するものであり、特にＩＴＯ膜
を効率良く得るために冑用なＥＣＲ（エレクトロン サ
イクロトロン レゾナンス） 、ＲＣＭ （ローチータ
プル シリンドリカル マグネトロン）などのスパッタ
リング装置に用いられる円筒形状のＩＴＯターゲットの
製造方法に関するものである。
）膜をスパッタリング法により形成するために用いられ
るＩＴＯターゲットに関するものであり、特にＩＴＯ膜
を効率良く得るために冑用なＥＣＲ（エレクトロン サ
イクロトロン レゾナンス） 、ＲＣＭ （ローチータ
プル シリンドリカル マグネトロン）などのスパッタ
リング装置に用いられる円筒形状のＩＴＯターゲットの
製造方法に関するものである。
なお、ＩＴＯ膜は透明導電膜であり、例えば液晶デイス
プレィ、ＥＬ （エレクトロルミネセンス）デイスプレ
ィ、選択透過膜、面発熱体、タッチパネルの電極などと
して広く使用されるでいる。
プレィ、ＥＬ （エレクトロルミネセンス）デイスプレ
ィ、選択透過膜、面発熱体、タッチパネルの電極などと
して広く使用されるでいる。
（従来の技術）
現在、ＩＴＯ膜をスパッタリング法により得るために、
平板形状のＩＴＯターゲットが用いられており、これら
平板形状のＩＴＯターゲットの製造方法としては、 ■ＩＴＯ粉末を金型プレスし、焼成して！Ｔｏインゴッ
トを得、これを加工してターゲットを得る方法 ■ＩＴＯ粉末をホットプレスしてＩＴＯインゴットを得
、これを加工してターゲットを得る方法などが知られて
いる。
平板形状のＩＴＯターゲットが用いられており、これら
平板形状のＩＴＯターゲットの製造方法としては、 ■ＩＴＯ粉末を金型プレスし、焼成して！Ｔｏインゴッ
トを得、これを加工してターゲットを得る方法 ■ＩＴＯ粉末をホットプレスしてＩＴＯインゴットを得
、これを加工してターゲットを得る方法などが知られて
いる。
ところで、平板形状のターゲットを使用したマグネトロ
ンスパッタリング法においては、マグネットによってプ
ラズマを制御しながらターゲットをスパッタリングする
ために、ターゲット表面には、マグネット形状の二ロー
ション部が発生し、その部分の厚み方向がなくなった時
点においてターゲット寿命となってしまい、ターゲット
使用効率は２０％前後と低いものであった。そこでター
ゲットの使用効率の点から、近年、円筒形状のターゲッ
トを使用したＥＣＲ，ＲＣＭなどのスパッタリング装置
が開発され、すでに金属ターゲットではこの装置を用い
成膜が行われてきている。
ンスパッタリング法においては、マグネットによってプ
ラズマを制御しながらターゲットをスパッタリングする
ために、ターゲット表面には、マグネット形状の二ロー
ション部が発生し、その部分の厚み方向がなくなった時
点においてターゲット寿命となってしまい、ターゲット
使用効率は２０％前後と低いものであった。そこでター
ゲットの使用効率の点から、近年、円筒形状のターゲッ
トを使用したＥＣＲ，ＲＣＭなどのスパッタリング装置
が開発され、すでに金属ターゲットではこの装置を用い
成膜が行われてきている。
しかしながら、セラミックス系ターゲットであるＩＴＯ
ターゲットにおいては、上記円筒形状のターゲットを得
るためには前記■または■の製造方法により一旦インゴ
ットを成形し、その後内部をくり抜くという加工が必要
であり、歩留り、加工難度の点で問題があった。すなわ
ち、くり抜きにより円筒形状のターゲットを得る場合、
くり抜かれる芯中空部分は、もとの円柱形状のターゲッ
トの６０％以上の体積を占めるため、原料歩留まりは悪
く、またくり抜き加工についても容易ではない。さらに
金型ブレス成形法により、ＩＴＯ粉末を円筒形状に成形
し、これを焼成することも考えられるが、円筒形状の金
型を均一にプレスすることは困難であり、さらには用い
る金型の設計。
ターゲットにおいては、上記円筒形状のターゲットを得
るためには前記■または■の製造方法により一旦インゴ
ットを成形し、その後内部をくり抜くという加工が必要
であり、歩留り、加工難度の点で問題があった。すなわ
ち、くり抜きにより円筒形状のターゲットを得る場合、
くり抜かれる芯中空部分は、もとの円柱形状のターゲッ
トの６０％以上の体積を占めるため、原料歩留まりは悪
く、またくり抜き加工についても容易ではない。さらに
金型ブレス成形法により、ＩＴＯ粉末を円筒形状に成形
し、これを焼成することも考えられるが、円筒形状の金
型を均一にプレスすることは困難であり、さらには用い
る金型の設計。
製作が困難であるという問題がある。
（発明が解決しようとする課題）
本発明の目的は、利用効率の優れた円筒形状のＩＴＯタ
ーゲットを原料歩留まり良く、簡便に製造する方法を提
供することにある。
ーゲットを原料歩留まり良く、簡便に製造する方法を提
供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明者らは、高歩留りの円筒形状のＩＴＯターゲット
の製造方法について鋭意検討を行った結果、鋳込成形法
によるＩＴＯ粉末の成形工程を経ることにより、円筒形
状のＩＴＯターゲットを歩留まり良く製造することがで
きることを見出だし本発明を完成するに至った。すなわ
ち本発明は、鋳込成形法により円筒形状のＩＴＯ粉末成
形体を得る工程および得られた成形体を焼成する工程を
含むことを特徴とする円筒形状のＩＴＯターゲットの製
造方法である。以下、本発明の詳細な説明する。
の製造方法について鋭意検討を行った結果、鋳込成形法
によるＩＴＯ粉末の成形工程を経ることにより、円筒形
状のＩＴＯターゲットを歩留まり良く製造することがで
きることを見出だし本発明を完成するに至った。すなわ
ち本発明は、鋳込成形法により円筒形状のＩＴＯ粉末成
形体を得る工程および得られた成形体を焼成する工程を
含むことを特徴とする円筒形状のＩＴＯターゲットの製
造方法である。以下、本発明の詳細な説明する。
本発明における円筒形状のＩＴＯターゲットの製造方法
は、鋳込成形法により円筒形状のＩＴＯ粉末成形体を得
る工程を含むが、該工程はＩＴＯ粉末スラリーを鋳込用
鋳型に注入することにより行なわれる。ここで用いられ
る鋳込用鋳型は円筒の形状を有していれば特に限定され
ないが、例えば第１図に示すような形状の鋳込用鋳型を
用いることにより行なうことができる。第１図に示す鋳
込用鋳型は、中子部分３を有する上部フタ部分１と外部
容器部２から構成されており、外部容器部２と中子部分
３に挟まれる部分にＩＴＯ粉末スラリーが注入され、円
筒形状のＩＴＯ粉末成形体が得られる。また、鋳込用鋳
型の材質についてもスラリーの溶媒を吸収するものであ
れば限定はないが、例えばセラコラ型、樹脂型などが好
ましく用いられる。さらに用いるＩＴＯ粉末スラリーは
、例えばＩＴＯ粉末に水、バインダー（アクリルエマル
ジョン系のものなどが例示される）、分散剤（ポリカル
ボン酸系のものなどが例示される）を加えることにより
得られる。このときスラリーに含まれるバインダー、分
散剤は少量であることが好ましい。また水はスラリー濃
度の調整に用いられるが、スラリー濃度は７０％以上で
あることが好ましく、更に好ましくは７５〜８０％であ
る。
は、鋳込成形法により円筒形状のＩＴＯ粉末成形体を得
る工程を含むが、該工程はＩＴＯ粉末スラリーを鋳込用
鋳型に注入することにより行なわれる。ここで用いられ
る鋳込用鋳型は円筒の形状を有していれば特に限定され
ないが、例えば第１図に示すような形状の鋳込用鋳型を
用いることにより行なうことができる。第１図に示す鋳
込用鋳型は、中子部分３を有する上部フタ部分１と外部
容器部２から構成されており、外部容器部２と中子部分
３に挟まれる部分にＩＴＯ粉末スラリーが注入され、円
筒形状のＩＴＯ粉末成形体が得られる。また、鋳込用鋳
型の材質についてもスラリーの溶媒を吸収するものであ
れば限定はないが、例えばセラコラ型、樹脂型などが好
ましく用いられる。さらに用いるＩＴＯ粉末スラリーは
、例えばＩＴＯ粉末に水、バインダー（アクリルエマル
ジョン系のものなどが例示される）、分散剤（ポリカル
ボン酸系のものなどが例示される）を加えることにより
得られる。このときスラリーに含まれるバインダー、分
散剤は少量であることが好ましい。また水はスラリー濃
度の調整に用いられるが、スラリー濃度は７０％以上で
あることが好ましく、更に好ましくは７５〜８０％であ
る。
スラリー濃度が７０％未満の場合ターゲットの作製中に
割れが生じ易くなる傾向がある。また、成形はスラリー
を０．５ｋｇ／ｃｊ以上、更に好ましくは、２．０ｋｇ
／ｃｄ以上の加圧で鋳型に注入する加圧鋳込を行うこと
が好ましく、これにより得られるターゲットの密度が高
くなると同時に乾燥時の収縮も抑えられる。
割れが生じ易くなる傾向がある。また、成形はスラリー
を０．５ｋｇ／ｃｊ以上、更に好ましくは、２．０ｋｇ
／ｃｄ以上の加圧で鋳型に注入する加圧鋳込を行うこと
が好ましく、これにより得られるターゲットの密度が高
くなると同時に乾燥時の収縮も抑えられる。
次いで、上記円筒形状ＩＴＯ成形体を焼成することによ
り、円筒形状ＩＴＯターゲットが得られる。このときの
焼成温度は、１３００−１４５０℃で１時間以上行うこ
とが好ましい。
り、円筒形状ＩＴＯターゲットが得られる。このときの
焼成温度は、１３００−１４５０℃で１時間以上行うこ
とが好ましい。
以上のとおり得られた焼結体は、すでに円筒形状を有し
ているため、これを乾燥、焼成、最終加エすることによ
り、円筒形状のＩＴＯターゲットを原料歩留まり良く、
容易に得ることができる。
ているため、これを乾燥、焼成、最終加エすることによ
り、円筒形状のＩＴＯターゲットを原料歩留まり良く、
容易に得ることができる。
（実施例）
以下、実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本
発明はこれらに限定されるものではない。
発明はこれらに限定されるものではない。
実施例１
市販のＩｎ２Ｏ３粉末２３７５ ｇ １Ｓ ｎ Ｏ２粉
末１２５ ｇ、アクリルエマルジョン系バインダー（固
形分４０％）１１２．５ｇ、ポリカルボン酸系分散剤（
固形分４０％）５６．２５ｇおよび純水５５４．７ｇを
５１のナイロン製ポット中で直径１５ｍｍの鉄芯入り樹
脂ボー′ルを使用し、回転ボールミルにより１６時間混
合して濃度８０％のＩＴＯ粉末スラリーを得た。
末１２５ ｇ、アクリルエマルジョン系バインダー（固
形分４０％）１１２．５ｇ、ポリカルボン酸系分散剤（
固形分４０％）５６．２５ｇおよび純水５５４．７ｇを
５１のナイロン製ポット中で直径１５ｍｍの鉄芯入り樹
脂ボー′ルを使用し、回転ボールミルにより１６時間混
合して濃度８０％のＩＴＯ粉末スラリーを得た。
次いで、マリられたスラリーを充分脱泡した後、第１図
に示す鋳込用鋳型に注入した。なお、この鋳型はセラコ
ラ型とし、円筒形状の部分のサイズは外径１３０ｍｍ、
内径９５ｍｍ、高さ８８關とした。
に示す鋳込用鋳型に注入した。なお、この鋳型はセラコ
ラ型とし、円筒形状の部分のサイズは外径１３０ｍｍ、
内径９５ｍｍ、高さ８８關とした。
またスラリーの注入後、２．０ｋｇ／ｃ−で加圧を行な
い、ＩＴＯ粉末の円筒形状の成形体を得、この成形体を
脱バインダーした後、１３５０”Ｃで５時間焼成し、円
筒形状の焼結体を得た。その後、得られた焼結体を最終
加工し、外径１１０ｍｍ、内径９０ｍ、高さ５０■ｌの
円筒形状のターゲットを得た。
い、ＩＴＯ粉末の円筒形状の成形体を得、この成形体を
脱バインダーした後、１３５０”Ｃで５時間焼成し、円
筒形状の焼結体を得た。その後、得られた焼結体を最終
加工し、外径１１０ｍｍ、内径９０ｍ、高さ５０■ｌの
円筒形状のターゲットを得た。
以上の方法において最終加工工程を経ているため、原料
歩留りは、使用スラリー量に対して６３％であった。
歩留りは、使用スラリー量に対して６３％であった。
実施例２
実施例１と同様の方法でスラリーを得た後、円筒形状の
部分のサイズが外径９５ｍｍ、内径８０ｍｍｍ、高さ２
３０ ＋ｕのセラコラ製鋳込型を使用し、実施例１と同
様の方法でＩＴＯ粉末の円筒形状の成形体を得た。その
後、この成形体を１３５０ ”Ｃで５時間焼成し、最終
加工を行ない外径１１１２ｍｍ、内径７４鰭、高さ２◇
Ｑ ａｍの円筒形状のターゲットを得た。
部分のサイズが外径９５ｍｍ、内径８０ｍｍｍ、高さ２
３０ ＋ｕのセラコラ製鋳込型を使用し、実施例１と同
様の方法でＩＴＯ粉末の円筒形状の成形体を得た。その
後、この成形体を１３５０ ”Ｃで５時間焼成し、最終
加工を行ない外径１１１２ｍｍ、内径７４鰭、高さ２◇
Ｑ ａｍの円筒形状のターゲットを得た。
以上の方法において、原料歩留りは使用スラリー量に対
して５８％であった。
して５８％であった。
比較例
市販のＩｎ２Ｏ３粉末９５００ ｇ −Ｓ ｎ Ｏ２粉
末５００ｇおよびバインダー（パラフィン）３０ｇを、
１０ｇナイロン製ポット中で直径１５關の鉄芯入り樹脂
ボールを使用し回転ボールミルにより１６時時間式混合
し、これにより得られた混合粉末を直径１３０關、高さ
１５０ ＋ｕの円柱形状の金型に充填し、２００ｋｇ／
ｃｊでプレスしてＩＴＯ粉末成形体を得た。その後、得
られた成形体を脱バインダーし、１３５０℃で５時間焼
成して直径１１５龍、高さ８０ｍｍのインゴットを得、
くり抜き加工によって外径１１０ｍｍ、内径９０關、高
さ５０關の円筒形状のターゲットを得た。
末５００ｇおよびバインダー（パラフィン）３０ｇを、
１０ｇナイロン製ポット中で直径１５關の鉄芯入り樹脂
ボールを使用し回転ボールミルにより１６時時間式混合
し、これにより得られた混合粉末を直径１３０關、高さ
１５０ ＋ｕの円柱形状の金型に充填し、２００ｋｇ／
ｃｊでプレスしてＩＴＯ粉末成形体を得た。その後、得
られた成形体を脱バインダーし、１３５０℃で５時間焼
成して直径１１５龍、高さ８０ｍｍのインゴットを得、
くり抜き加工によって外径１１０ｍｍ、内径９０關、高
さ５０關の円筒形状のターゲットを得た。
以上の方法において、原料歩留りは使用原料に対して１
９％であった。
９％であった。
（発明の効果）
以上述べたとおり、本発明によれば利用効率の優れた円
筒形状のＩＴＯターゲットを原料歩留り良く、簡便に製
造することができる。
筒形状のＩＴＯターゲットを原料歩留り良く、簡便に製
造することができる。
第１図は本発明において用いられる鋳込用鋳型の一例を
示す図である。
示す図である。
Claims (1)
- （１）鋳込成形法により円筒形状のＩＴＯ粉末成形体を
得る工程および得られた成形体を焼成する工程を含むこ
とを特徴とする円筒形状のＩＴＯターゲットの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1291024A JP2913053B2 (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 円筒形状のｉｔｏターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1291024A JP2913053B2 (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 円筒形状のｉｔｏターゲットの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03153867A true JPH03153867A (ja) | 1991-07-01 |
| JP2913053B2 JP2913053B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=17763468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1291024A Expired - Fee Related JP2913053B2 (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 円筒形状のｉｔｏターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2913053B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1097766A1 (de) * | 1999-11-05 | 2001-05-09 | W.C. Heraeus GmbH & Co. KG | Rohrtarget |
| US8206561B2 (en) | 2004-03-05 | 2012-06-26 | Tosoh Corporation | Cylindrical sputtering target, ceramic sintered body, and process for producing sintered body |
-
1989
- 1989-11-10 JP JP1291024A patent/JP2913053B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1097766A1 (de) * | 1999-11-05 | 2001-05-09 | W.C. Heraeus GmbH & Co. KG | Rohrtarget |
| US6793784B1 (en) | 1999-11-05 | 2004-09-21 | W. C. Heraeus Gmbh & Co. Kg | Tube target |
| CN1296513C (zh) * | 1999-11-05 | 2007-01-24 | W.C.贺利氏股份有限及两合公司 | 管靶 |
| US8206561B2 (en) | 2004-03-05 | 2012-06-26 | Tosoh Corporation | Cylindrical sputtering target, ceramic sintered body, and process for producing sintered body |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2913053B2 (ja) | 1999-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103695852B (zh) | 钨硅靶材的制造方法 | |
| CN108046767A (zh) | 一种制备氧化物陶瓷靶材坯体的方法 | |
| JPH03153868A (ja) | 円筒形状のｉｔｏターゲットの製造法 | |
| CN1196552C (zh) | 用于电解电容器的钽烧结体的制造方法 | |
| JP4562318B2 (ja) | 成形型およびその成形型を用いたスパッタリングターゲットの製造方法 | |
| CN112760538B (zh) | 一种钒钨合金靶坯的制备方法 | |
| JPH03153867A (ja) | 円筒形状のｉｔｏターゲットの製造方法 | |
| CN110078477A (zh) | 一种氧化镁陶瓷型芯及其制备方法 | |
| CN111807838A (zh) | 一种Na0.25K0.25Bi2.5Nb2O9陶瓷的制备方法及其产品 | |
| KR102272222B1 (ko) | 고순도 ｉｔｏ 타겟 제조 방법 | |
| JP3409345B2 (ja) | セラミックスタ−ゲットの製造方法 | |
| JPH0243356A (ja) | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JP2005324987A (ja) | Ｉｔｏ成型体、これを用いたｉｔｏスパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JPH01290551A (ja) | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JPH06659B2 (ja) | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造法 | |
| JP2002274956A (ja) | セラミックス焼結体の製造方法 | |
| CN106083040A (zh) | 一种锰锑锆钛酸铅压电陶瓷曲面环形薄壁件及其制备方法 | |
| JP2003160861A (ja) | Ｍｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法 | |
| CN104909723B (zh) | 一种高密度ito靶材的制备方法 | |
| JPH11228220A (ja) | 泥漿鋳込み法によるｉｔｏ焼結体の製造 | |
| CN107324778A (zh) | 一种高密度、高导电性ito靶材的制备方法 | |
| US3989794A (en) | Process of manufacturing ferrite bodies of low porosity | |
| RU2720427C1 (ru) | Способ получения огнеупорных изделий из керамического материала на основе ниобата калия-натрия | |
| JP3381328B2 (ja) | Ｉｔｏ焼結体の製造方法 | |
| JP2002179469A (ja) | ターゲット用焼結体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |