JPH0243356A - 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents

透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法

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JPH0243356A
JPH0243356A JP19337388A JP19337388A JPH0243356A JP H0243356 A JPH0243356 A JP H0243356A JP 19337388 A JP19337388 A JP 19337388A JP 19337388 A JP19337388 A JP 19337388A JP H0243356 A JPH0243356 A JP H0243356A
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JP
Japan
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binder
ito
target
transparent conductive
molding
Prior art date
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Pending
Application number
JP19337388A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsushi Iwamoto
哲志 岩元
Yasunobu Yoshida
吉田 康宣
Toshiaki Kotou
古頭 俊明
Koichi Sudo
孝一 須藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tosoh Corp
Original Assignee
Tosoh Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0243356A publication Critical patent/JPH0243356A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はELデイスプレィ、液晶デイスプレィ面発熱体
、タッチパネルなどの透明導電膜をスパッタリング法で
形成する際に用いられるスパッタリングターゲットに関
するものである。
(従来の技術) 近年、薄膜化技術の発達に伴い表示素子分野などでは透
明導電膜が利用されてきている。現在、透明導電膜の制
質として酸化インジウム−酸化スズ(以下、ITOとい
う)が安定性 高光透過性などの理由から多く用いられ
ている。また、ITOからなる透明導電膜の作製方法と
しては蒸着法インジウム−スズメタルターゲットを用い
た反応性スパッタリング法、ITOターゲットを用いた
スパッタリング法が知られており、特に成膜コントロー
ルの容易さからITOターゲッ!・を用いたスパッタリ
ング法が主流となっている。
従来ITOターゲットは、ITO粉末を金型プレス法に
より成型して得た成型体を焼成することにより得られて
いる。しかしながら、酸化インジウム及び酸化スズは1
400〜1450℃程度の温度から昇華するため、IT
Oターゲットの製造時の焼成温度は1300〜1450
℃に限定されてしまい、また酸化インジウム及び酸化ス
ズは難焼結性であることから、得られるITOターゲッ
トの相対密度は70%未満と低くなる。通常、相対密度
の低いターゲットは抵抗率が高い、抗折力が弱い、熱伝
導率が低いなどの理由から、これを用いてスパッタリン
グを行った場合、異常放電が発生し、得られるITO透
明導電膜に悪影響を及ぼすという問題がある。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明の目的は、相対密度の高いITOスノ々・ツタリ
ングターゲットの製造方法を提供することにある。
(問題を解決するための手段) 本発明者らは上記問題点を解決するために鋭意検討を行
った結果、バインダーを用いてITO成型体を得、該成
型体の脱バインダーを行った後、圧密化、焼成を行えば
相対密度の高いタープ・ソトが得られることを見出だし
本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、酸化イ
ンジウム−酸化スズを含有する粉末を、バインダーを用
いて予備成型して成型体を得、該成型体の脱バインダー
を行った後、冷間静水圧プレスにより成型体を圧密化し
、次いで焼成することを特徴とする透明導電膜用スパッ
タリングターゲットの製造方法である。
本発明において用いられるITO粉末は市販の酸化イン
ジウム粉末と酸化スズ粉末を混合する方法や共沈法など
によって得ることができるが、通常酸化インジウムを7
0重量%以上含有するITO粉末が用いられる。更に、
スパッタ後に1;Iられる透明導電膜の導電性、光透過
性を向」ニさせるためにこれらITO粉末に第三成分を
添加した粉末を用いてもよい。
予備成型の方法は通常の粉末の成型法である金型プレス
法、ITO粉末と熱可塑性樹脂を混合し、該混合物を溶
融し射出成型を行う方法あるいはITo粉末と溶媒1分
散剤及びバインダーを混合して得られたスラリーを、例
えばセラコラ型などの吸水性のある多孔質成形型に、常
圧あるいは加圧下で鋳込み成型する鋳込み成型法などを
採用することができる。予備成型を行なう際に用いられ
るバインダーは、特に限定されないが、例えば、アクリ
ルエマルジョン系バインダー、パラフィンなどを挙げる
ことができ、これらの使用量は製造するターゲットの大
きさによって調整される。すなわち、大型のターゲット
を製造する際には、粉末の成型性を向上させるためにバ
インダーを多く用いる。しかしながら、バインダーの使
用量が過剰の場合、成形体の脱バインダー工程において
時間を要する傾向があるので、ITO粉末に対して5重
量%以下用いることが好ましい。
上記予備成型のうち、射出成型法、鋳込み成型法を用い
れば所望形状、大きさのターゲットを得ることができる
ので好ましい。鋳込み成型法により予備成型を行う場合
、スラリーを得るための溶媒としては通常水が用いられ
、分散剤としては例えばポリカルボン酸系のものなどが
、バインダーとしてはアクリルエマルジョン系のものな
どが用いられる。また、このときのスラリー濃度は70
%以上であることが好ましく、更に好ましくは75〜8
3%である。スラリー濃度か70%未満である場合、タ
ーゲットの作製中に割れが生じ昌くなるおそれがある。
予備成型により得られたITO成型体を脱バインダーを
行った後、冷間静水圧プレスにより圧密化し、焼成を行
うことにより相対密度の大きいITOターゲットが得ら
れる。
脱バインダーは、例えば成型体の環境雰囲気を加熱する
ことにより行われる。このときの加熱温度は用いるバイ
ンダーにより異なるが、通常、アクリルエマルジョン系
バインダーの場合450〜550℃程度、パラフィンの
場合900℃程度である。
脱バインダー後の冷間静水圧プレスは1ton/d以上
に加圧して行うことが好ましく、更に好ましくは3〜5
ton/cJである。脱バインダーを行った後、該冷間
静水圧プレスを施すことにより、あらかじめITO成型
体は圧密化し、密度が大きくなるので、この成型体を焼
成することにより相対密度の大きいITOターゲットを
得ることかできる。加圧か1 ton / cJ未膚の
場合、1υられる夕−ゲットの相対密度か顕著に向上し
ないおそれがある。また焼成は1200℃以上、好まし
くは1300〜1450℃で1時間以上行うことが好ま
しい。
以上の方法により害られたITOターゲットは相対密度
が75%以上と高いものとなり、ターゲット特性も良好
なものとなる。
(実施例) 以下、実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本
発明は何らこれらに限定されるものではない。
ンダーとして粉末パラフィンを45g添加し、260φ
金型に装入し、100kg/c+aの圧力で金型プレス
成型により予備成型を行いITO成型体を得た。
その後、得られた成型体を大気中にて900℃まで加熱
し、脱バインダーを行い、次いで冷間静水圧プレスにて
5ton/cdの圧力で圧密化し、1350℃で5時間
焼成しITO焼結体を得、これを放電加工および平面研
削で加工し、203φX6tのiToターゲットを得た
得られたターゲットの相対密度は79.1%であった。
実施例1 市販の酸化インジウム粉末1900gと酸化スズ粉末1
00gを5gナイロン製ポット中で直径15mmの鉄芯
入り樹脂ボールを用いて回転ボールミルにより16時時
間式混合し、ITO粉末を得た。
次いで、得られたITO粉末1500gにバイ実施例2 市販の酸化インジウム粉末2250g、酸化スズ粉末2
50g、ポリカルボン酸系分散剤(固形分40%)56
.25g、アクリルエマルジョン系バインダー(固形分
40%)56.25g及び純水569gを10Ωナイロ
ン製ポツト中で直径15mmの鉄芯入り樹脂ボールを用
いて回転ボールミルにより16時間混合しスラリーを得
た。
得られたスラリーを充分脱泡した後、内寸法160 x
 480 x ]、 Otのセラコラ型を用いた加圧鋳
込み成型により予備成型を行い、ITO成型体を街だ。
その後、得られた成型体を大気中にて450℃まで加熱
し、脱バインダーを行ない、次いで冷間水圧プレスにて
5ton/c−の圧力で圧密化し、1400℃で5時間
焼成しITO焼結体を得、これを放電加工及び平面研削
で加工し、127×381×6tのITOターゲットを
得た。
得られたターゲットの相対密度は80.1%であった。
(発明の効果) 以上述べたとおり、本発明によれば相対密度75%を越
えるITOターゲットを得ることができ、このターゲッ
トは抵抗率、抗折力及び熱伝導率にすぐれたものであり
、スパッタリング時に放電の安定性が良好となる。更に
密度が高いので、スパッタレートが高くなり、成膜の生
産性が高くなる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)酸化インジウム−酸化スズを含有する粉末を、バ
    インダーを用いて予備成型して成型体を得、該成型体の
    脱バインダーを行った後、冷間静水圧プレスにより成型
    体を圧密化し、次いで焼成することを特徴とする透明導
    電膜用スパッタリングターゲットの製造方法。
JP19337388A 1988-08-04 1988-08-04 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 Pending JPH0243356A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0474860A (ja) * 1990-07-12 1992-03-10 Dowa Mining Co Ltd Itoスパッタリングターゲット材の製造方法
FR2680799A1 (fr) * 1991-09-03 1993-03-05 Elf Aquitaine Element de cible pour pulverisation cathodique, procede de preparation dudit element et cibles, notamment de grande surface, realisees a partir de cet element.
US5656216A (en) * 1994-08-25 1997-08-12 Sony Corporation Method for making metal oxide sputtering targets (barrier powder envelope)
US6582641B1 (en) 1994-08-25 2003-06-24 Praxair S.T. Technology, Inc. Apparatus and method for making metal oxide sputtering targets
CN115159975A (zh) * 2022-07-04 2022-10-11 中山智隆新材料科技有限公司 一种ito溅射靶材的制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5520259A (en) * 1978-07-28 1980-02-13 Ngk Spark Plug Co Production of high density sintered body
JPS6065760A (ja) * 1983-09-21 1985-04-15 東ソー株式会社 高電気伝導性酸化錫薄膜材料の製造法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5520259A (en) * 1978-07-28 1980-02-13 Ngk Spark Plug Co Production of high density sintered body
JPS6065760A (ja) * 1983-09-21 1985-04-15 東ソー株式会社 高電気伝導性酸化錫薄膜材料の製造法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0474860A (ja) * 1990-07-12 1992-03-10 Dowa Mining Co Ltd Itoスパッタリングターゲット材の製造方法
FR2680799A1 (fr) * 1991-09-03 1993-03-05 Elf Aquitaine Element de cible pour pulverisation cathodique, procede de preparation dudit element et cibles, notamment de grande surface, realisees a partir de cet element.
US5656216A (en) * 1994-08-25 1997-08-12 Sony Corporation Method for making metal oxide sputtering targets (barrier powder envelope)
US6582641B1 (en) 1994-08-25 2003-06-24 Praxair S.T. Technology, Inc. Apparatus and method for making metal oxide sputtering targets
CN115159975A (zh) * 2022-07-04 2022-10-11 中山智隆新材料科技有限公司 一种ito溅射靶材的制备方法

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