JPH0243356A - 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法Info
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- JPH0243356A JPH0243356A JP19337388A JP19337388A JPH0243356A JP H0243356 A JPH0243356 A JP H0243356A JP 19337388 A JP19337388 A JP 19337388A JP 19337388 A JP19337388 A JP 19337388A JP H0243356 A JPH0243356 A JP H0243356A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はELデイスプレィ、液晶デイスプレィ面発熱体
、タッチパネルなどの透明導電膜をスパッタリング法で
形成する際に用いられるスパッタリングターゲットに関
するものである。
、タッチパネルなどの透明導電膜をスパッタリング法で
形成する際に用いられるスパッタリングターゲットに関
するものである。
(従来の技術)
近年、薄膜化技術の発達に伴い表示素子分野などでは透
明導電膜が利用されてきている。現在、透明導電膜の制
質として酸化インジウム−酸化スズ(以下、ITOとい
う)が安定性 高光透過性などの理由から多く用いられ
ている。また、ITOからなる透明導電膜の作製方法と
しては蒸着法インジウム−スズメタルターゲットを用い
た反応性スパッタリング法、ITOターゲットを用いた
スパッタリング法が知られており、特に成膜コントロー
ルの容易さからITOターゲッ!・を用いたスパッタリ
ング法が主流となっている。
明導電膜が利用されてきている。現在、透明導電膜の制
質として酸化インジウム−酸化スズ(以下、ITOとい
う)が安定性 高光透過性などの理由から多く用いられ
ている。また、ITOからなる透明導電膜の作製方法と
しては蒸着法インジウム−スズメタルターゲットを用い
た反応性スパッタリング法、ITOターゲットを用いた
スパッタリング法が知られており、特に成膜コントロー
ルの容易さからITOターゲッ!・を用いたスパッタリ
ング法が主流となっている。
従来ITOターゲットは、ITO粉末を金型プレス法に
より成型して得た成型体を焼成することにより得られて
いる。しかしながら、酸化インジウム及び酸化スズは1
400〜1450℃程度の温度から昇華するため、IT
Oターゲットの製造時の焼成温度は1300〜1450
℃に限定されてしまい、また酸化インジウム及び酸化ス
ズは難焼結性であることから、得られるITOターゲッ
トの相対密度は70%未満と低くなる。通常、相対密度
の低いターゲットは抵抗率が高い、抗折力が弱い、熱伝
導率が低いなどの理由から、これを用いてスパッタリン
グを行った場合、異常放電が発生し、得られるITO透
明導電膜に悪影響を及ぼすという問題がある。
より成型して得た成型体を焼成することにより得られて
いる。しかしながら、酸化インジウム及び酸化スズは1
400〜1450℃程度の温度から昇華するため、IT
Oターゲットの製造時の焼成温度は1300〜1450
℃に限定されてしまい、また酸化インジウム及び酸化ス
ズは難焼結性であることから、得られるITOターゲッ
トの相対密度は70%未満と低くなる。通常、相対密度
の低いターゲットは抵抗率が高い、抗折力が弱い、熱伝
導率が低いなどの理由から、これを用いてスパッタリン
グを行った場合、異常放電が発生し、得られるITO透
明導電膜に悪影響を及ぼすという問題がある。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明の目的は、相対密度の高いITOスノ々・ツタリ
ングターゲットの製造方法を提供することにある。
ングターゲットの製造方法を提供することにある。
(問題を解決するための手段)
本発明者らは上記問題点を解決するために鋭意検討を行
った結果、バインダーを用いてITO成型体を得、該成
型体の脱バインダーを行った後、圧密化、焼成を行えば
相対密度の高いタープ・ソトが得られることを見出だし
本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、酸化イ
ンジウム−酸化スズを含有する粉末を、バインダーを用
いて予備成型して成型体を得、該成型体の脱バインダー
を行った後、冷間静水圧プレスにより成型体を圧密化し
、次いで焼成することを特徴とする透明導電膜用スパッ
タリングターゲットの製造方法である。
った結果、バインダーを用いてITO成型体を得、該成
型体の脱バインダーを行った後、圧密化、焼成を行えば
相対密度の高いタープ・ソトが得られることを見出だし
本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、酸化イ
ンジウム−酸化スズを含有する粉末を、バインダーを用
いて予備成型して成型体を得、該成型体の脱バインダー
を行った後、冷間静水圧プレスにより成型体を圧密化し
、次いで焼成することを特徴とする透明導電膜用スパッ
タリングターゲットの製造方法である。
本発明において用いられるITO粉末は市販の酸化イン
ジウム粉末と酸化スズ粉末を混合する方法や共沈法など
によって得ることができるが、通常酸化インジウムを7
0重量%以上含有するITO粉末が用いられる。更に、
スパッタ後に1;Iられる透明導電膜の導電性、光透過
性を向」ニさせるためにこれらITO粉末に第三成分を
添加した粉末を用いてもよい。
ジウム粉末と酸化スズ粉末を混合する方法や共沈法など
によって得ることができるが、通常酸化インジウムを7
0重量%以上含有するITO粉末が用いられる。更に、
スパッタ後に1;Iられる透明導電膜の導電性、光透過
性を向」ニさせるためにこれらITO粉末に第三成分を
添加した粉末を用いてもよい。
予備成型の方法は通常の粉末の成型法である金型プレス
法、ITO粉末と熱可塑性樹脂を混合し、該混合物を溶
融し射出成型を行う方法あるいはITo粉末と溶媒1分
散剤及びバインダーを混合して得られたスラリーを、例
えばセラコラ型などの吸水性のある多孔質成形型に、常
圧あるいは加圧下で鋳込み成型する鋳込み成型法などを
採用することができる。予備成型を行なう際に用いられ
るバインダーは、特に限定されないが、例えば、アクリ
ルエマルジョン系バインダー、パラフィンなどを挙げる
ことができ、これらの使用量は製造するターゲットの大
きさによって調整される。すなわち、大型のターゲット
を製造する際には、粉末の成型性を向上させるためにバ
インダーを多く用いる。しかしながら、バインダーの使
用量が過剰の場合、成形体の脱バインダー工程において
時間を要する傾向があるので、ITO粉末に対して5重
量%以下用いることが好ましい。
法、ITO粉末と熱可塑性樹脂を混合し、該混合物を溶
融し射出成型を行う方法あるいはITo粉末と溶媒1分
散剤及びバインダーを混合して得られたスラリーを、例
えばセラコラ型などの吸水性のある多孔質成形型に、常
圧あるいは加圧下で鋳込み成型する鋳込み成型法などを
採用することができる。予備成型を行なう際に用いられ
るバインダーは、特に限定されないが、例えば、アクリ
ルエマルジョン系バインダー、パラフィンなどを挙げる
ことができ、これらの使用量は製造するターゲットの大
きさによって調整される。すなわち、大型のターゲット
を製造する際には、粉末の成型性を向上させるためにバ
インダーを多く用いる。しかしながら、バインダーの使
用量が過剰の場合、成形体の脱バインダー工程において
時間を要する傾向があるので、ITO粉末に対して5重
量%以下用いることが好ましい。
上記予備成型のうち、射出成型法、鋳込み成型法を用い
れば所望形状、大きさのターゲットを得ることができる
ので好ましい。鋳込み成型法により予備成型を行う場合
、スラリーを得るための溶媒としては通常水が用いられ
、分散剤としては例えばポリカルボン酸系のものなどが
、バインダーとしてはアクリルエマルジョン系のものな
どが用いられる。また、このときのスラリー濃度は70
%以上であることが好ましく、更に好ましくは75〜8
3%である。スラリー濃度か70%未満である場合、タ
ーゲットの作製中に割れが生じ昌くなるおそれがある。
れば所望形状、大きさのターゲットを得ることができる
ので好ましい。鋳込み成型法により予備成型を行う場合
、スラリーを得るための溶媒としては通常水が用いられ
、分散剤としては例えばポリカルボン酸系のものなどが
、バインダーとしてはアクリルエマルジョン系のものな
どが用いられる。また、このときのスラリー濃度は70
%以上であることが好ましく、更に好ましくは75〜8
3%である。スラリー濃度か70%未満である場合、タ
ーゲットの作製中に割れが生じ昌くなるおそれがある。
予備成型により得られたITO成型体を脱バインダーを
行った後、冷間静水圧プレスにより圧密化し、焼成を行
うことにより相対密度の大きいITOターゲットが得ら
れる。
行った後、冷間静水圧プレスにより圧密化し、焼成を行
うことにより相対密度の大きいITOターゲットが得ら
れる。
脱バインダーは、例えば成型体の環境雰囲気を加熱する
ことにより行われる。このときの加熱温度は用いるバイ
ンダーにより異なるが、通常、アクリルエマルジョン系
バインダーの場合450〜550℃程度、パラフィンの
場合900℃程度である。
ことにより行われる。このときの加熱温度は用いるバイ
ンダーにより異なるが、通常、アクリルエマルジョン系
バインダーの場合450〜550℃程度、パラフィンの
場合900℃程度である。
脱バインダー後の冷間静水圧プレスは1ton/d以上
に加圧して行うことが好ましく、更に好ましくは3〜5
ton/cJである。脱バインダーを行った後、該冷間
静水圧プレスを施すことにより、あらかじめITO成型
体は圧密化し、密度が大きくなるので、この成型体を焼
成することにより相対密度の大きいITOターゲットを
得ることかできる。加圧か1 ton / cJ未膚の
場合、1υられる夕−ゲットの相対密度か顕著に向上し
ないおそれがある。また焼成は1200℃以上、好まし
くは1300〜1450℃で1時間以上行うことが好ま
しい。
に加圧して行うことが好ましく、更に好ましくは3〜5
ton/cJである。脱バインダーを行った後、該冷間
静水圧プレスを施すことにより、あらかじめITO成型
体は圧密化し、密度が大きくなるので、この成型体を焼
成することにより相対密度の大きいITOターゲットを
得ることかできる。加圧か1 ton / cJ未膚の
場合、1υられる夕−ゲットの相対密度か顕著に向上し
ないおそれがある。また焼成は1200℃以上、好まし
くは1300〜1450℃で1時間以上行うことが好ま
しい。
以上の方法により害られたITOターゲットは相対密度
が75%以上と高いものとなり、ターゲット特性も良好
なものとなる。
が75%以上と高いものとなり、ターゲット特性も良好
なものとなる。
(実施例)
以下、実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本
発明は何らこれらに限定されるものではない。
発明は何らこれらに限定されるものではない。
ンダーとして粉末パラフィンを45g添加し、260φ
金型に装入し、100kg/c+aの圧力で金型プレス
成型により予備成型を行いITO成型体を得た。
金型に装入し、100kg/c+aの圧力で金型プレス
成型により予備成型を行いITO成型体を得た。
その後、得られた成型体を大気中にて900℃まで加熱
し、脱バインダーを行い、次いで冷間静水圧プレスにて
5ton/cdの圧力で圧密化し、1350℃で5時間
焼成しITO焼結体を得、これを放電加工および平面研
削で加工し、203φX6tのiToターゲットを得た
。
し、脱バインダーを行い、次いで冷間静水圧プレスにて
5ton/cdの圧力で圧密化し、1350℃で5時間
焼成しITO焼結体を得、これを放電加工および平面研
削で加工し、203φX6tのiToターゲットを得た
。
得られたターゲットの相対密度は79.1%であった。
実施例1
市販の酸化インジウム粉末1900gと酸化スズ粉末1
00gを5gナイロン製ポット中で直径15mmの鉄芯
入り樹脂ボールを用いて回転ボールミルにより16時時
間式混合し、ITO粉末を得た。
00gを5gナイロン製ポット中で直径15mmの鉄芯
入り樹脂ボールを用いて回転ボールミルにより16時時
間式混合し、ITO粉末を得た。
次いで、得られたITO粉末1500gにバイ実施例2
市販の酸化インジウム粉末2250g、酸化スズ粉末2
50g、ポリカルボン酸系分散剤(固形分40%)56
.25g、アクリルエマルジョン系バインダー(固形分
40%)56.25g及び純水569gを10Ωナイロ
ン製ポツト中で直径15mmの鉄芯入り樹脂ボールを用
いて回転ボールミルにより16時間混合しスラリーを得
た。
50g、ポリカルボン酸系分散剤(固形分40%)56
.25g、アクリルエマルジョン系バインダー(固形分
40%)56.25g及び純水569gを10Ωナイロ
ン製ポツト中で直径15mmの鉄芯入り樹脂ボールを用
いて回転ボールミルにより16時間混合しスラリーを得
た。
得られたスラリーを充分脱泡した後、内寸法160 x
480 x ]、 Otのセラコラ型を用いた加圧鋳
込み成型により予備成型を行い、ITO成型体を街だ。
480 x ]、 Otのセラコラ型を用いた加圧鋳
込み成型により予備成型を行い、ITO成型体を街だ。
その後、得られた成型体を大気中にて450℃まで加熱
し、脱バインダーを行ない、次いで冷間水圧プレスにて
5ton/c−の圧力で圧密化し、1400℃で5時間
焼成しITO焼結体を得、これを放電加工及び平面研削
で加工し、127×381×6tのITOターゲットを
得た。
し、脱バインダーを行ない、次いで冷間水圧プレスにて
5ton/c−の圧力で圧密化し、1400℃で5時間
焼成しITO焼結体を得、これを放電加工及び平面研削
で加工し、127×381×6tのITOターゲットを
得た。
得られたターゲットの相対密度は80.1%であった。
(発明の効果)
以上述べたとおり、本発明によれば相対密度75%を越
えるITOターゲットを得ることができ、このターゲッ
トは抵抗率、抗折力及び熱伝導率にすぐれたものであり
、スパッタリング時に放電の安定性が良好となる。更に
密度が高いので、スパッタレートが高くなり、成膜の生
産性が高くなる。
えるITOターゲットを得ることができ、このターゲッ
トは抵抗率、抗折力及び熱伝導率にすぐれたものであり
、スパッタリング時に放電の安定性が良好となる。更に
密度が高いので、スパッタレートが高くなり、成膜の生
産性が高くなる。
Claims (1)
- (1)酸化インジウム−酸化スズを含有する粉末を、バ
インダーを用いて予備成型して成型体を得、該成型体の
脱バインダーを行った後、冷間静水圧プレスにより成型
体を圧密化し、次いで焼成することを特徴とする透明導
電膜用スパッタリングターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19337388A JPH0243356A (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19337388A JPH0243356A (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0243356A true JPH0243356A (ja) | 1990-02-13 |
Family
ID=16306838
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19337388A Pending JPH0243356A (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0243356A (ja) |
Cited By (5)
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FR2680799A1 (fr) * | 1991-09-03 | 1993-03-05 | Elf Aquitaine | Element de cible pour pulverisation cathodique, procede de preparation dudit element et cibles, notamment de grande surface, realisees a partir de cet element. |
US5656216A (en) * | 1994-08-25 | 1997-08-12 | Sony Corporation | Method for making metal oxide sputtering targets (barrier powder envelope) |
US6582641B1 (en) | 1994-08-25 | 2003-06-24 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Apparatus and method for making metal oxide sputtering targets |
CN115159975A (zh) * | 2022-07-04 | 2022-10-11 | 中山智隆新材料科技有限公司 | 一种ito溅射靶材的制备方法 |
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-
1988
- 1988-08-04 JP JP19337388A patent/JPH0243356A/ja active Pending
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