JPH03153570A - 多結晶スピネル焼結体 - Google Patents
多結晶スピネル焼結体Info
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- JPH03153570A JPH03153570A JP1293016A JP29301689A JPH03153570A JP H03153570 A JPH03153570 A JP H03153570A JP 1293016 A JP1293016 A JP 1293016A JP 29301689 A JP29301689 A JP 29301689A JP H03153570 A JPH03153570 A JP H03153570A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、新規な多結晶スピネル焼結体に関するもの
である。
である。
[従来の技術]
マグネシア−アルミナスピネルは融点が高く、化学的に
も安定であるだけでなく、多結晶体においても光学異方
性に基づく光散乱が生じないため、可視および赤外の領
域における耐熱性窓材料への応用が期待される。従来セ
ラミックス焼結体は、透光性酸化アルミニウム焼結体な
どにあるように、結晶粒が小さく揃った焼結体とするこ
とにより、その透光性は付与されてきた。スピネル焼結
体においても。
も安定であるだけでなく、多結晶体においても光学異方
性に基づく光散乱が生じないため、可視および赤外の領
域における耐熱性窓材料への応用が期待される。従来セ
ラミックス焼結体は、透光性酸化アルミニウム焼結体な
どにあるように、結晶粒が小さく揃った焼結体とするこ
とにより、その透光性は付与されてきた。スピネル焼結
体においても。
例えば刊行物(窯業協会誌85巻5号P225〜230
(1977))に示されているように、焼結を1400
℃で1時間までに抑え、焼結粒径を1〜2μ腫とするこ
とによって透光性のあるスピネル焼結体が得られている
。このように焼結の過程において結晶粒を小さく揃えて
おくことは、粒成長に伴う気孔の凝集が抑えられるため
、気孔の排斥が進み易く緻密な焼結体となるからである
。
(1977))に示されているように、焼結を1400
℃で1時間までに抑え、焼結粒径を1〜2μ腫とするこ
とによって透光性のあるスピネル焼結体が得られている
。このように焼結の過程において結晶粒を小さく揃えて
おくことは、粒成長に伴う気孔の凝集が抑えられるため
、気孔の排斥が進み易く緻密な焼結体となるからである
。
[発明が解決しようとする課題]
このように、従来のスピネル焼結体は焼結温度を下げる
などの方法により粒成長を抑え、均一でしかも粒径の小
さい結晶粒からなる焼結体とすることにより透光性を付
与していたが、この様な焼結体では不可避的に存在する
巨大気孔や、焼結過程の初期に生じた凝集気孔は焼結中
に消滅しないため、必ずしも充分な透過率が得られない
という課題がある。
などの方法により粒成長を抑え、均一でしかも粒径の小
さい結晶粒からなる焼結体とすることにより透光性を付
与していたが、この様な焼結体では不可避的に存在する
巨大気孔や、焼結過程の初期に生じた凝集気孔は焼結中
に消滅しないため、必ずしも充分な透過率が得られない
という課題がある。
この発明はかかる課題を解決するためになされたもので
、高い透光性を有する多結晶スピネル焼結体を得ること
を目的とする。
、高い透光性を有する多結晶スピネル焼結体を得ること
を目的とする。
〔8題を解決するための手段]
この発明の多結晶スピネル焼結体は、理論密度の98%
以」二の密度を有し、平均結晶粒径が3μI11以下の
結晶粒子と、この結晶粒子に対して平均結晶粒径が20
倍以上の結晶粒子を体積比にして5〜70%の割合で含
む透光性を有するものである。
以」二の密度を有し、平均結晶粒径が3μI11以下の
結晶粒子と、この結晶粒子に対して平均結晶粒径が20
倍以上の結晶粒子を体積比にして5〜70%の割合で含
む透光性を有するものである。
[作用コ
この発明において、結晶粒子構成を上記のようにするこ
とにより、巨大気孔に異常粒子の粒界が進行し、巨大気
孔と結晶粒子との境界面の曲率が変わり。
とにより、巨大気孔に異常粒子の粒界が進行し、巨大気
孔と結晶粒子との境界面の曲率が変わり。
巨大気孔が排斥消滅され、高い透光性を有する多結晶ス
ピネル焼結体となる。
ピネル焼結体となる。
[実施例コ
まず、高純度のアルミニウム粉末と酸化マグネシウム粉
末をモル比1:lとなるように混合する。原料粉末とし
ては水酸化物をそれぞれ大気中で暇焼することによって
酸化物としたものでもよいが、原料粉末の粒径は焼結中
の反応を容易に行うために、平均粒径としてとして2μ
■以下、望ましくは1μm以下がよく、純度については
光の吸収を引き起こす金属イオンの混入を避けるため、
99%以上、望ましくは99.5%以上の物を使うのが
よい1モル比についてはスピネルは若干の固溶域を持っ
ているので、実際には10%程度の誤差を有しても問題
とはならない、この混合粉末を金型プレス等の方法によ
り成型を行い、真空中にて1400〜1800℃で0.
5〜200時間の範囲で焼結する。焼結時間と焼結温度
の関係については、例えば1400℃の時は5〜200
時間、1800℃の時は0.5〜1時間と焼結温度によ
って時間を調整することにより、理論密度の98%以上
の密度を有し、平均結晶粒径が3μm以下の結晶粒子と
、この結晶粒子に対して平均結晶粒径が20倍以上に粒
成長(異常粒成長)した結晶粒子を体積比にして5〜7
0%の割合で含む焼結体を得ることができる。理論密度
が98%未満では焼結体中の気孔量が多すぎ、散乱が多
くなり透光性が低下する。上記結晶粒子の粒径が3μm
未満では粒成長に伴う気孔の凝集がおこり、透光性が低
下する。異常粒の平均粒径が20倍未満では異常粒発生
による効果が得られない、また上記体積比以上に異常粒
成長を起こすことは、異常粒同士の接触が多くなり、そ
の粒子間に閉じ込められた凝集気孔が透光性に悪影響を
及ぼすことになる。また5%以下では異常粒成長の発生
による緻密化の効果は得られない。
末をモル比1:lとなるように混合する。原料粉末とし
ては水酸化物をそれぞれ大気中で暇焼することによって
酸化物としたものでもよいが、原料粉末の粒径は焼結中
の反応を容易に行うために、平均粒径としてとして2μ
■以下、望ましくは1μm以下がよく、純度については
光の吸収を引き起こす金属イオンの混入を避けるため、
99%以上、望ましくは99.5%以上の物を使うのが
よい1モル比についてはスピネルは若干の固溶域を持っ
ているので、実際には10%程度の誤差を有しても問題
とはならない、この混合粉末を金型プレス等の方法によ
り成型を行い、真空中にて1400〜1800℃で0.
5〜200時間の範囲で焼結する。焼結時間と焼結温度
の関係については、例えば1400℃の時は5〜200
時間、1800℃の時は0.5〜1時間と焼結温度によ
って時間を調整することにより、理論密度の98%以上
の密度を有し、平均結晶粒径が3μm以下の結晶粒子と
、この結晶粒子に対して平均結晶粒径が20倍以上に粒
成長(異常粒成長)した結晶粒子を体積比にして5〜7
0%の割合で含む焼結体を得ることができる。理論密度
が98%未満では焼結体中の気孔量が多すぎ、散乱が多
くなり透光性が低下する。上記結晶粒子の粒径が3μm
未満では粒成長に伴う気孔の凝集がおこり、透光性が低
下する。異常粒の平均粒径が20倍未満では異常粒発生
による効果が得られない、また上記体積比以上に異常粒
成長を起こすことは、異常粒同士の接触が多くなり、そ
の粒子間に閉じ込められた凝集気孔が透光性に悪影響を
及ぼすことになる。また5%以下では異常粒成長の発生
による緻密化の効果は得られない。
上記以外の方法として、a化アルミニウムと酸化マグネ
シウムの混合粉末を1300〜1500℃で焼結した後
粉砕し、得られたスピネル粉末を成形して焼結しても上
記焼結体は得られる。この場合の異常粒成長の体積比の
調整は上記と同様の方法によって行うことができる。ま
た焼結法については、無加圧で行うよりも、ホットプレ
ス等の加圧焼結法を用いた方が気孔の排斥と微小化が起
こり、li密な焼結体が得られやすい、かかる方法によ
って得られた焼結体は、例えば刊行物(J、Am、Ce
ram、Soc、、72巻2号P341〜344)に示
されたBaTiO3のように巨大気孔に異常粒子の粒界
が進行してくることにより、巨大気孔と結晶粒子との境
界面の曲率が変わるため、巨大気孔が排斥消滅され、高
い透光性を有する多結晶スピネル焼結体が得られる。
シウムの混合粉末を1300〜1500℃で焼結した後
粉砕し、得られたスピネル粉末を成形して焼結しても上
記焼結体は得られる。この場合の異常粒成長の体積比の
調整は上記と同様の方法によって行うことができる。ま
た焼結法については、無加圧で行うよりも、ホットプレ
ス等の加圧焼結法を用いた方が気孔の排斥と微小化が起
こり、li密な焼結体が得られやすい、かかる方法によ
って得られた焼結体は、例えば刊行物(J、Am、Ce
ram、Soc、、72巻2号P341〜344)に示
されたBaTiO3のように巨大気孔に異常粒子の粒界
が進行してくることにより、巨大気孔と結晶粒子との境
界面の曲率が変わるため、巨大気孔が排斥消滅され、高
い透光性を有する多結晶スピネル焼結体が得られる。
以下、この発明を実施例により具体的に説明する。
実施例1
純度99.7%の水酸化アルミニウム粉末および純度9
9.9%の水酸化マグネシウム粉末を、大気中でそれぞ
れ1400℃、900℃で暇焼した。得られた酸化アル
ミニウム粉末および酸化マグネシウム粉末をモル比1:
1となるようにしてポリエチレン製ポットに入れ、エチ
ルアルコール中で純度99.5%以上のアルミナボール
を泪いてボールミル混合を行った。混合した粉末を乾燥
し造粒した後、金型プレス法にて成型をおこない、ホッ
トプレス用カーボンダイズにセットした。誘導加熱型ホ
ットプレス装置により上記成型体を500Kgf/cm
2の加圧下で、真空中1400℃で5時間ホットプレス
焼結を行った。得られた焼結体はアルキメデス法による
測定の結果から理論密度の99.6%の密度を有してい
ることが解った。また、走査電子顕8に#!による1!
l構造の観察から粒径が3μm未満の結晶粒子に対して
、平均粒子径が上記粒径の20倍以とに異常粒成長した
粒子が体積化に17て10%分散していることがわかっ
た。得られた焼結体を厚さ1mmに加工し5両面を1μ
mダイヤモンドピースト研磨した後、赤外分光光度計に
より光透過率を測定した。その結果4μmの波長の光に
対して透過率は86%であった。
9.9%の水酸化マグネシウム粉末を、大気中でそれぞ
れ1400℃、900℃で暇焼した。得られた酸化アル
ミニウム粉末および酸化マグネシウム粉末をモル比1:
1となるようにしてポリエチレン製ポットに入れ、エチ
ルアルコール中で純度99.5%以上のアルミナボール
を泪いてボールミル混合を行った。混合した粉末を乾燥
し造粒した後、金型プレス法にて成型をおこない、ホッ
トプレス用カーボンダイズにセットした。誘導加熱型ホ
ットプレス装置により上記成型体を500Kgf/cm
2の加圧下で、真空中1400℃で5時間ホットプレス
焼結を行った。得られた焼結体はアルキメデス法による
測定の結果から理論密度の99.6%の密度を有してい
ることが解った。また、走査電子顕8に#!による1!
l構造の観察から粒径が3μm未満の結晶粒子に対して
、平均粒子径が上記粒径の20倍以とに異常粒成長した
粒子が体積化に17て10%分散していることがわかっ
た。得られた焼結体を厚さ1mmに加工し5両面を1μ
mダイヤモンドピースト研磨した後、赤外分光光度計に
より光透過率を測定した。その結果4μmの波長の光に
対して透過率は86%であった。
実施例2
実施例1と同様な方法で得た混合粉末の成型体を、50
0Kgf/cm2の加圧下で真空中1600℃で3時間
ホットプレス焼結を行った。実施例1と同様な測定の結
果、得られた焼結体は理論密度の99.8%の密度を有
し、実施例1と同様の粒子構成で、即ち異常粒成長した
粒子が体積比にして20%分散していることが解った。
0Kgf/cm2の加圧下で真空中1600℃で3時間
ホットプレス焼結を行った。実施例1と同様な測定の結
果、得られた焼結体は理論密度の99.8%の密度を有
し、実施例1と同様の粒子構成で、即ち異常粒成長した
粒子が体積比にして20%分散していることが解った。
得られた焼結体を厚さInmに加工研磨した物の光透過
率は、4μmの波長の光に対して89%であった。
率は、4μmの波長の光に対して89%であった。
実施例3
実施例1と同様な方法で得た混合粉末の成型体を500
ににf/cm2の加圧下で真空中1700℃で2時間ホ
ットプレス焼結を行った。実施例1と同様な測定の結果
、得られた焼結体は理論密度の99.9%の密度を有し
、実施例1と同様の粒子構成で、即ち異常粒成長した粒
子が体積比にして50%分散していることが解った。得
られた焼結体を厚さ1m+++に加工研磨した物の光透
過率は、4μ■の波長の光に対して85%であった。
ににf/cm2の加圧下で真空中1700℃で2時間ホ
ットプレス焼結を行った。実施例1と同様な測定の結果
、得られた焼結体は理論密度の99.9%の密度を有し
、実施例1と同様の粒子構成で、即ち異常粒成長した粒
子が体積比にして50%分散していることが解った。得
られた焼結体を厚さ1m+++に加工研磨した物の光透
過率は、4μ■の波長の光に対して85%であった。
実施例4
実施例1と同様な方法で得た混合粉末の成型体を500
Kd/am2の加圧下で真空中1800℃で1時間ホッ
トプレス焼結を行った。実施例1と同様な測定の結果、
得られた焼結体は理論密度の99.9%の密度を有し、
実施例1と同様の粒子構成で、かつ異常粒成長した粒子
が体積比にして70%分散していることが解った。得ら
れた焼結体を厚さ1i+nに加工研磨した物の光透過率
は、4μmの波長の光に対して53%であった。
Kd/am2の加圧下で真空中1800℃で1時間ホッ
トプレス焼結を行った。実施例1と同様な測定の結果、
得られた焼結体は理論密度の99.9%の密度を有し、
実施例1と同様の粒子構成で、かつ異常粒成長した粒子
が体積比にして70%分散していることが解った。得ら
れた焼結体を厚さ1i+nに加工研磨した物の光透過率
は、4μmの波長の光に対して53%であった。
比較例1
実施例1と同様な方法で得た混合粉末の成型体を500
Kgf/cm2の加圧下で真空中1400℃で0.5時
間ホットプレス焼結を行った。実施例1と同様な測定の
結果、得られた焼結体は理論密度の99.3%の密度を
有した。また焼結体中に異常粒成長は観察されなかった
。得られた焼結体を厚さ1mmに加工研磨した物の光透
過率は、4μmの波長の光に対して45%であった。
Kgf/cm2の加圧下で真空中1400℃で0.5時
間ホットプレス焼結を行った。実施例1と同様な測定の
結果、得られた焼結体は理論密度の99.3%の密度を
有した。また焼結体中に異常粒成長は観察されなかった
。得られた焼結体を厚さ1mmに加工研磨した物の光透
過率は、4μmの波長の光に対して45%であった。
比較例2
実施例1と同様な方法で得た混合粉末の成型体を500
Kgf/c+a2の加圧下で真空中1800℃で5時間
ホットプレス焼結を行った。実施例1と同様な測定の結
果、得られた焼結体は理論密度の99.9%の密度を有
し、また異常粒成長した粒子が体積比にして80%分散
していることが解った。得られた焼結体を厚さ1mmに
加工研磨した物の光透過率は、4μmの波長の光に対し
て35%であった。
Kgf/c+a2の加圧下で真空中1800℃で5時間
ホットプレス焼結を行った。実施例1と同様な測定の結
果、得られた焼結体は理論密度の99.9%の密度を有
し、また異常粒成長した粒子が体積比にして80%分散
していることが解った。得られた焼結体を厚さ1mmに
加工研磨した物の光透過率は、4μmの波長の光に対し
て35%であった。
実施例1〜4および比較例1,2の結果を表に示す。
また第1図はこの発明の実施例の焼結体と比較例の焼結
体を比較する焼結体中の異常粒成長した粒子の体積比に
よる4μmの波長の光に対する透過率変化を示す特性図
で、縦軸は4μmの波長の光に対する透過率(%)、横
軸は焼結体中の異常粒成長した粒子の体積比(%)であ
り、第2図はこの発明の実施例の焼結体と比較例の焼結
体を比較する紫外〜赤外域での透過率を示す特性図で、
縦軸は透過率(%)、横軸は波長(μm)である0図に
おいて(1)、 (2)および(3)は各々実施例1.
実施例2および比較例1の特性である。第1図および第
2図から解るように、異常粒成長した粒子の体積比が1
0〜70%であるスピネル焼結体は、4μmの光に対す
る透過率が50%以上であり、しかも紫外〜可視域での
透過率が比較例より高くなっている。
体を比較する焼結体中の異常粒成長した粒子の体積比に
よる4μmの波長の光に対する透過率変化を示す特性図
で、縦軸は4μmの波長の光に対する透過率(%)、横
軸は焼結体中の異常粒成長した粒子の体積比(%)であ
り、第2図はこの発明の実施例の焼結体と比較例の焼結
体を比較する紫外〜赤外域での透過率を示す特性図で、
縦軸は透過率(%)、横軸は波長(μm)である0図に
おいて(1)、 (2)および(3)は各々実施例1.
実施例2および比較例1の特性である。第1図および第
2図から解るように、異常粒成長した粒子の体積比が1
0〜70%であるスピネル焼結体は、4μmの光に対す
る透過率が50%以上であり、しかも紫外〜可視域での
透過率が比較例より高くなっている。
[発明の効果]
以上説明したとうり、この発明は理論密度の98%以上
の密度を有し、平均結晶粒径が3μ厘以下の結晶粒子と
、この結晶粒子に対して平均結晶粒径が20倍以上の結
晶粒子を体積比にして5〜70%の割合で含む透光性を
有するものを用いることにより、透過率の高い多結晶ス
ピネル焼結体を得ることができる。
の密度を有し、平均結晶粒径が3μ厘以下の結晶粒子と
、この結晶粒子に対して平均結晶粒径が20倍以上の結
晶粒子を体積比にして5〜70%の割合で含む透光性を
有するものを用いることにより、透過率の高い多結晶ス
ピネル焼結体を得ることができる。
第1図はこの発明の実施例の焼結体と比較例の焼結体を
比較する焼結体中の異常粒成長した粒子の体積比による
4μ道の波長の光に対する透過率変化を示す特性図、第
2図はこの発明の実施例の焼結体と比較例の焼結体を比
較する紫外〜赤外域での透過率を示す特性図である。 図において、(1)および(2)は各々実施例1および
実施例2の特性、(3)は比較例1の特性である。
比較する焼結体中の異常粒成長した粒子の体積比による
4μ道の波長の光に対する透過率変化を示す特性図、第
2図はこの発明の実施例の焼結体と比較例の焼結体を比
較する紫外〜赤外域での透過率を示す特性図である。 図において、(1)および(2)は各々実施例1および
実施例2の特性、(3)は比較例1の特性である。
Claims (1)
- 理論密度の98%以上の密度を有し、平均結晶粒径が
3μm以下の結晶粒子と、この結晶粒子に対して平均結
晶粒径が20倍以上の結晶粒子を体積比にして5〜70
%の割合で含む透光性を有する多結晶スピネル焼結体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1293016A JPH03153570A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 多結晶スピネル焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1293016A JPH03153570A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 多結晶スピネル焼結体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03153570A true JPH03153570A (ja) | 1991-07-01 |
Family
ID=17789390
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1293016A Pending JPH03153570A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 多結晶スピネル焼結体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03153570A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006290688A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Tosoh Corp | 透光性セラミックス |
JP2006315878A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 透光性セラミックスおよびその製造方法 |
JP2009107917A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-05-21 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 多結晶性モノリシックアルミン酸マグネシウムスピネル |
-
1989
- 1989-11-10 JP JP1293016A patent/JPH03153570A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006290688A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Tosoh Corp | 透光性セラミックス |
JP2006315878A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 透光性セラミックスおよびその製造方法 |
JP2009107917A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-05-21 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 多結晶性モノリシックアルミン酸マグネシウムスピネル |
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