JPH03153214A - 配線パターンの絶縁方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ＴＦＴパネル、ＩＣパネルなどにおける基板
に形成された配線パターンを絶縁する配線パターンの絶
縁方法に関する。

［従来の技術］ 一般に、ＴＦＴパネル、ＩＣパネルなどにおける基板に
おいては、その表面にウェットエツチングにより配線パ
ターンが形成され、こののち基板の表面の全域に亘って
絶縁膜が被覆され、この絶縁膜で配線パターンの絶縁が
図られる。

従来このような絶縁膜は、５ｉ０２やＳｉＮなどをＣＶ
Ｄ法により成膜して被覆したり、或いはポリイミドやＳ
ＯＧをスピン塗布法により塗布して被覆している。

［発明が解決しようとする；１１１１ｍ］しかしながら
このような方法においては、基板の表面の全域に絶縁膜
が被覆されため、この絶縁膜の全体に生じる応力、ある
いは絶縁膜と基板との熱膨張差などにより基板が反るよ
うに変形したり、クラックが生じてしまうことがある。

また絶縁膜をＣＶＤ法により被覆する場合やスピン塗布
法で被覆する場合、配線パターンを形成する工程とは別
の工程で絶縁膜を形成しなければならないため、作業工
程が複雑となり製造能率が低下し、またコストが高くな
る難点があった。

本発明はこのような点に着目してなされたもので、その
目的とするところは、基板に反りやクラックが生じる恐
れがなく、また配線パターンを形成する工程中に能率よ
く配線パターンに絶縁膜を被覆して絶縁することができ
る配線パターンの絶縁方法を提供することにある。

［課題を解決するためのｆ段］ 本発明はこのような目的を達成するために、基板上に配
線となる導電性の被膜を形成し、この被膜の上に絶縁性
のフォトレジストを塗布し、このフォトレジストをパタ
ーニングして配線パターンに対応するマスクを形成し、
このマスクから露出する部分の前記被膜をエツチングに
より除去して前記被膜を配線パターンに形成し、この配
線パターンの上に残る前記マスクを該マスクの溶融点近
くまで加熱して軟化させ、この軟化させたマスクで前記
配線パターンの表側面の全体を被覆して絶縁するように
したものである。

Ｃ作　用〕 このような絶縁方法においては、配線パターンに対応す
る部分にのみ絶縁膜が形成され、基板の表面の全域が絶
縁膜で被覆されるようなことがない。そして配線パター
ンに対する絶縁膜がその配線パターンの形成工程中に能
率よく形成される。

［実施例］ 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図に第１の実施例を示し、図中１が基板で、まずこ
の基板１の表面に第１図（ａ）に示すように、ＡＪ％Ｃ
ｒ、ＩＴＯなどの導電性の被Ｍ　２　ａを形成し、さら
にこの被Ｈ２の上に絶縁性のフォトレジスト３ａを塗布
する。そしてこのフォトレジスト３ａの所要部分を露光
し、かつ現像してフォトレジスト３ａによるマスク３を
形成し、さらにこの状態で前記被膜２ａの露出部分を薬
液でエツチングして第１図（ｂ）に示すように前記マス
ク３に対応する配線パターン２を形成する。

通常の場合においては、こののち配線パターン２の上に
残っているマスク３を剥離して除去するわけであるが、
本発明においては、エツチングにより配線パターン２を
形成したのちに、この配線パターン２の上のマスク３を
その溶融点近くの温度、例えば１７０〜２００”Ｃ程度
の温度でベークする。

周知のように、被１１１ｉ　２　ａをエツチングした際
には、配線パターン２となる部分の両側部にマスク３の
両側部よりもその内側に浸蝕するようなサイドエツチン
グ部Ｅが形成される。このため上述のようにマスク３を
溶融点近くまで加熱すると、第１図（Ｃ）に示すように
マスク３が軟化してその両側部が垂れ下がり、この垂れ
下がった部分で配線パターン２の両側部が覆われ、これ
により配線パターン２の表面側の全体が被覆され、これ
により配線パターン２の絶縁が図られる。

このような絶縁方法によれば、配線パターン２のみがマ
スク３による絶縁膜で覆われるだけで、基板１の全体に
亘って絶縁膜が形成されることがなぐ、このため絶縁膜
の総面積が僅かとなり、したがって絶縁膜に生じる応力
が小さくなり、基板１と絶縁膜との熱膨張差によるよう
な変形やクラックの発生が防止される。

また配線パターン２を形成するためのマスク３をそのま
ま利用して、その配線パターン２の形成工程中に前記絶
縁膜を形成することができ、したがって絶縁膜形成用の
別工程が全く不要で、さらにはマスク３の除去工程も省
略でき、このため作業工程が簡単となり製造能率が向上
し、コストも低減する。

次に第２の実施例について第２図を参照して説明する。

この第２の実施例は、配線パターンの絶縁膜の材料とし
て有機物ではなく、信頼性のの点などを考慮して無機物
を使用する場合の例である。

まず第２図（ａ）に示すように、基板ｌの表面に導電性
の被膜２ａを形成し、この被膜２ａの上に第１層目のフ
ォトレジスト３ａとして無機質の例えばＰＳＧ　（燐珪
酸ガラス）を塗布し、さらにこのフォトレジスト３ａの
上に第２層目のフォトレジスト３ｂとして有機質の通常
のフォトレジスト３ｂを塗布する。そしてこのフォトレ
ジスト３ａ、３ｂの所要部分を露光し、かつ現像して第
２図（ｂ）に示すように７オトレジスト３ａ、３ｂによ
るマスク３．３を形成し、さらにこの状態で前記被膜２
の露出部分を薬液でエツチングして前記マスク３．３に
対応する配線パターン２を形成する。

こののち、第２図（Ｃ）に示すように、有機質のフォト
レジスト３ｂで形成された一方のマスク３を剥離して除
去する。次に無機質のフォトレジスト３ａで形成された
他方のマスク３をその溶融点近くまで加熱してベークす
る。このべ−り処理により第２図（ｄ）に示すように、
前記マスク３の両側部が軟化して垂れ下がり、配線パタ
ーン２の両側部が覆われ、これにより配線パターン２の
表面側の全体がマスク３すなわち無機質の絶縁膜で被覆
されて絶縁される。

［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、基板の表面の全域
に絶縁膜が形成されるようなことがなく、このため基板
に対する反りゃクラックの発生を防ｃｍでき、また配線
パターンに対する絶縁膜をその配線パターンの形成工程
中に形成でき、このため作業工程がｎ　＋＋ｔとなり製
造能率が向上し、かつコストも低減する利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例による絶縁方法の工程図
、第２図は本発明の第２の実施例による絶縁方法の工程
図である。 １・・・基板、２・・・配線パターン、２ａ・・・被膜
、３・・・マスク、３ａ・・・フォトレジスト。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上に配線となる導電性の被膜を形成し、この被膜の
   上に絶縁性のフォトレジストを塗布し、このフォトレジ
   ストをパターニングして配線パターンに対応するマスク
   を形成し、このマスクから露出する部分の前記被膜をエ
   ッチングにより除去して前記被膜を配線パターンに形成
   し、この配線パターンの上に残る前記マスクを該マスク
   の溶融点近くまで加熱して軟化させ、この軟化させたマ
   スクで前記配線パターンの表側面の全体を被覆して絶縁
   することを特徴とする配線パターンの絶縁方法。