JPH03152738A - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、大容量、高密度の情報の記録が可能な光ディ
スク、光カード等に供するための光記録媒体の製造方法
に関し、さらに詳しくはレーザビームを照射して照射部
に、光学的変化を起こさせて情報を記録するのに適した
光記録媒体の製造方法に関する。

（従来の技術） 近年、小型で高性能のレーザの発展にともない、レーザ
光を利用した技術分野、すなわち光通信、光計測、光記
録などの、いわゆる光関連技術の研究が急速に進展し、
一部は実用に供されている。

中でも集束レーザ光を基板上に薄膜状媒体に照射して、
薄膜に穿孔もしくは非晶質−結晶転移のような構造変化
を生じさせて情報の記録を行う光記録は、磁気記録をし
のぐ高密度、大容量の情報の記録を可能にする新しい技
術として注目されている。ここで、薄膜に穿孔して記録
を行う方式は、−たん、情報を書込んだ後は、消去が不
可能で恒人的に情報が保持できることを特徴とし、追記
型記録媒体と呼ばれる。

一方、非晶質−結晶転移に基づいて記録を行う方式は、
二つの状態間の遷移を可逆的になすことにより、多数回
の書込みと消去が可能であることから書換型記録媒体と
呼ばれている。この書換型記録媒体には、通常、Ｔｅ系
カルコゲナイド・ガラスの薄膜が用いられ、レーザビー
ムによる薄膜の急熱急冷により膜中のＴｅを非晶質化さ
せて書込みを行い、またレーザビームによる除熱徐冷に
より非晶質Ｔｅを結晶化させて消去を行う。しかし、書
込みと消去を多数回繰り返した時、膜に変形、穿孔など
の不可逆変化が生じ、このため情報の消し残りが起こる
という問題があった。多数回のレーザ加熱による記録膜
の変形を防ぐため、また外力による機械的損傷を防ぐた
め、通常、ＳｉＯ□膜、ＺｎＳ膜などのオーバー・コー
ト層およびアンダー・コート層を付加し、機械的に変形
を抑止するなどの方法が採用されている。この場合でも
、レーザ加熱にともなう保護膜中の残留応力の解放によ
る媒体の変形の問題がある。これらの保護膜の残留応力
が小さく無歪化したものであれば、１０６回を越える書
込み〈消去の繰返し動作が可能となると言われている。

しかし、共有結合性の強い硬い誘電体膜を無歪化した状
態で製造することは難しく、一般に製膜速度が遅く、膜
質も欠陥の多い、質の悪いものになることが多い。しか
もＳｌＯ□やＺｎＳ等の無機の誘電体の膜は、一般に熱
伝導率が大きく、レーザ加熱時に記録膜から誘電体膜へ
の熱拡散によるエネルギー損失が生ずる。このため、無
機の誘電体膜を保護層とした記録媒体は、繰返し性の問
題とともに、書込み、消去に要するレーザパワーが大き
くなる。すなわち記録感度が低下するという問題があっ
た。

これを解決するには、記録感度の面では熱伝導率の小さ
い誘電体膜を保護層とすればよいが、般に熱伝導率の小
さい材料は有機物であり、耐熱性に劣ることが多い。例
えばアクリル樹脂やポリカーボネイト樹脂は、熱伝導率
はＳＩＯ□等の無機材料より１桁小さいものの、１５０
℃以上に熱すると変形してしまう。

したがって、有機膜を保護層とした記録媒体は、記録感
度に優れるものの、繰返し性が著しく低下し、１０２回
程度の書込み、消去で動作しなくなるという問題がある
。

このような事情のため、書換型の、結晶−非晶質転移を
利用する、いわゆる相変化光記録媒体は、記録感度と繰
返し性について、性能向上させることは極めて難しいと
されてきた。

このような問題を解決した革新的技術が、最近、発明さ
れたεＣＲプラズマＣｖＤ法を用いて無機物と有機物の
中間の特性を有する誘電体層を作製する技術である（特
願平１−２０２９１８、特願平１−２０１４１７参照）
。この新技術により、上記の従来の問題点はほとんど解
決された。しかし、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法はその技術
自体が比較的最近確立されたものであり、光デイスク作
製のような量産に適用するには、製造装置の開発が新た
に必要になるという難点があった。このような情況から
、例えばスパッタリングや蒸着のような簡便で、すでに
量産向き技術として確立された方法により、ＥＣＲプラ
ズマＣｖＤ法と同様の効果を実現することが生産現場に
おいて切望されていた。

（発明が解決しようとする課題） 本発明は、前述した従来の光記録媒体の記録感度と書込
み・消去の繰返し性を同時に向上させ得る光記録媒体を
簡便に製造するための作製技術を提供することにある。

（課題を解決するための手段） 本発明においては、記録層に接する誘電体保護層として
、熱伝導性と耐熱性に関し、無機物と有機物の中間の性
質を持つ材料、例えば水素を含有する５ｉ−Ｎ膜、Ｓｉ
Ｃ膜および炭素と水素を含有する５ｉ−０膜、Ｚｎ−３
膜等を用いる。これらの膜を作製するのに、制御性が良
く、簡便で、生産性に優れた技術として、スパッタ法ま
たは蒸着法を採用するものである。一般にＣＶＤ法が反
応性ガス中に含まれるＣ、　Ｈを膜中に取り込み易く、
無機物と有機物の中間の膜を得易いのに対し、スパッタ
、蒸着等の方法は、これらの元素を取り込みにくい。こ
のため本発明では炭化水素、水素、アンモニア、酸素等
の反応性ガスを用いた反応性スパッタまたは反応性蒸着
により、炭素、水素等を含んだ誘電体膜を作製した。こ
の場合、反応性ガスが製造装置を汚染し、作製した薄膜
の膜質の再現性に問題が生ずることがあるが、本発明で
は、作製条件を十分にチエツクし、装置の汚染なく、再
現性の良い条件を見出だすことができた。

得られた誘電体膜は、低熱伝導性と耐熱性に優れ、言わ
ば有機物と無機物の双方の長所を組み合わせたような特
性を示す。さらに膜中の残留応力を低減することも容易
に達成できる。すなわち、記録感度と繰返し性の双方を
同時に満たすことを要求される書換型相変化光デイスク
用媒体に対して最適の特性を提供するものである。

（実施例） 以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。

実施例１ 相変化書換型光ディスクの作製と特性測定の実験を行っ
た。まず、５インチφの溝付きポリカーボネイト樹脂円
板を基板として、基板／誘電体保護層（アンダー・コー
ト）／記録層／誘電体保護層（オーバー・コート）／金
属反射層／封止用エポキシ樹脂層の構成で光ディスクを
作製した（特願昭６１−６４４９６参照）。ここでアン
ダー・コートおよびオーバー・コートとして、５ｉｎ−
Ｎ−１４膜をＲＦスパッタ法により作製した。ここでタ
ーゲットはＳ’３Ｎ４　、スパッタ室に導入するガスは
、＾ｒとＨ２の２種を用い、各々についてガス流量を制
御した。

ガス圧ＩＱ　’Ｔｏｒｒ、　Ｒｆハワ−３００Ｗテスハ
−７９＋Ｊ　ツクを行った。膜厚はアンダー・コート１
１００ｎ　、オーバー・コー）　２００ｎｍである。膜
中のＨ含有量は、Ｈ２のガス流量を２　ｓｅｃｍから２
９ｓｅｃｍに変えて制御し、Ｈ含有量２ａｔ、％、５ａ
ｔ、％、　１Ｑａｔ、％、　２Ｑａｔ１％の各々４種類
のディスクを作製した。記録層には５ｂ−Ｔｅ系合金膜
（膜厚４０ｎｍ）を用い、金属反射層にはＡｕ　（膜厚
２０ｎｍ）を用い、いずれもＲＦスパッタリングで作製
した。なおアンダー・コート、オーバー・コート中の水
素含有量は赤外吸収の測定から推定される値である。ま
た封止用エポキシ樹脂層は、スピナー・コートで作製し
、膜厚は約ＩＯμｍである。

これらのディスクについて、光デイスク動特性評価装置
により、記録感度と、記録・消去の繰返し性の測定を行
った。

記録感度に対する結果を第１図に示す。第１図において
Ｒは反射率である。測定条件は、線速１０ｒｎ／ｓ　、
記録周波数５Ｍ）１２、デユーティ−３０％であり、記
録パルス幅にして５Ｑｎｓに相当する。ディスクは記録
層をすでに初期化して結晶状態にしであるものを非晶質
化することにより記録した。記録パワーに対して信号コ
ントラストの変化をみると、誘電体保護膜中のＨ含有量
が多くなるにつれて低パワーで記録可能であり、このこ
とから記録感度の向上したことがわかる。これはＨ含有
量の多くなるほど、誘電体保護層の熱伝導率が小さくな
り、したがって熱拡散によるエネルギー損失を少なくで
きることを示唆している。

次に繰返し性の測定結果を第２図に示す。記録・消去条
件は、第１図の測定結果などから各々のディスクに対し
て最適の条件で行った。これから、保護層中のＨ含有量
の多いほど繰返し性が優れ、Ｈ含有量２Ｑａｔ、％のデ
ィスクでは１０７回以上の繰返し動作に十分耐えること
がわかった。（なお一般に繰返し性の限界はノイズレベ
ルの増加によって表わされる。）これは、この実施例で
検討した条件では、Ｈ含有量を多くすると、５ｉ−Ｎ−
Ｈ膜中の残留応力が小さくなり、無歪の保護膜が得られ
るためと推測される。

一般に、誘電体材料を、スパッタ、蒸着などで薄膜状に
すると、膜は非晶質になり易く、膜中にダングリング・
ボンドが生じる。特に共有結合性の強い材料では、それ
が内部歪を生じせしめ、強い残留応力をもった膜となる
。この場合、Ｈ原子を膜中に混入せしめれば、水素がダ
ングリング・ボンドをターミネイトするので、内部歪を
低減させる効果を期待できる。

この実施例では、この効果のため水素添加につれ、内部
歪の小さい保護膜が得られ、したがって第２図に示すよ
うに、記録・消去の繰返し性が向上したものと考えられ
る。

第１図、第２図の特性を合わせると、ここで検討した範
囲では、Ｎ含有量が多いほど、記録閾値と繰返し性に優
れた相変化光デイスク媒体が作製できる。特に、Ｈ含有
量ＩＱａｔ、％〜２０ａｔ９％のものでは、記録闇値１
５ｍＷ以下、繰返し性１０’回以上であり、書換型光デ
ィスクに要求される高記録密度と繰返し性の特性を十分
に満たしている。

したがって、ＲＦスパッタ法で、水素添加のスパッタリ
ングにより、低熱伝導性と無歪化に優れた誘電体保護層
をともなった光ディスクを実現することができた。

一方、Ｎ２を含まず、ＡｒガスのみでＲＦスパッタリン
グで作製した５ｉ−Ｎ膜をオーバー・コート、アンダー
・コートとした媒体では、記録闇値が２０ｍＷ以上とな
り、記録感度に問題がある。また繰返し性も１０３回程
度であった。内部歪の解放による媒体の変形が生ずるた
めと考えられる。ここでスパッタ膜の残留応力を測定し
、５ｉ−Ｎ−Ｈ膜中の水素含有量に対して整理すると、
第３図に示す結果を得た。

水素を含まない５ｉ−Ｎ膜の場合、残留応力は圧縮性で
約５　Ｘ１０’ｄｙｎ／　ｃｍ”の値である。水素含有
量を増すにつれ応力は低下し、Ｈ含有量２０ａｔ９％の
場合、約６　Ｘ１０’ｄｙｎ／　ｃｍ２　と小さくなる
。この結果は、水素添加による５ｉ−Ｎ膜の無歪化を明
瞭に表わしている。水素添加による繰返し性の向上は、
この傾向を反映したものとみられる。

通常のＡｒガスのみで行うＲＦスパッタリングにおいて
も、ガス圧を高くして製膜速度を十分遅くすれば、無歪
膜を得ることが可能である。しかし、製膜に極めて長い
時間を要したり、膜質が劣化する等の問題があり、現実
的な製造条件とは言えない。

また、この実施例のＲＦスパッタ法による５ｉ−Ｎ−Ｈ
膜の熱伝導率を実測すると、例えばＨ含有量１５ａｔ０
％のものでは、１．３　ＸＩＯ’ｃａｉ’／ｃｍ−ｓｅ
ｃ　　′ｄｃ４（Ｈを含まない５ｉ−Ｎの実測値２．２
　Ｘ　１０−’ｃａ　Ｒ７ｃｍ・ｓｅｃ　　−ｄｅｇ　
、エポキシ樹脂の実測値約５Ｘ１０−’ｃａ　Ｉ；！　
７ｃｍ　−ｓｅｃ　　−ｄｅｇ）であり、水素添加によ
り熱伝導率が低下したことが確認できた。

無機誘電体膜に水素を添加して、有機材料的な性質を賦
与した場合、問題となるのはその耐熱性である。この実
施例で作製した５ｉ−Ｎ−Ｈ膜の耐熱性を熱重量分析で
実測すると、熱分解温度７００℃以上（水素を含まない
５ｉ−Ｎの実測値１２００℃以上、エポキシ樹脂の実測
値１７０℃）となり、熱物性的にも有機物と無機物の中
間の性質を有するが、書換型光ディスク材料の耐熱性と
しては十分許容できるものである。ただし、５ｉ−Ｎ−
Ｈ中の水素添加量をさらに増してゆくと、熱分解温度は
６００℃以下となるので、記録時のレーザ照射により、
記録層に接する部分で５ｉ−Ｎ−Ｈ膜の熱損傷が生ずる
等の問題が起こる。（記録時のレーザ照射により、記録
層の５ｂ−Ｔｅ合金膜は最大６２０℃まで温度が上昇す
ると言われる。）予備的な実験によれば、水素添加量２
５ａｔ０％を越える５ｔ−Ｎ−）１膜の熱分解温度は６
００℃以下であり、この膜を保護膜とする相変化光ディ
スクは、繰返し性が逆に低下する傾向がみられた。

したがって、水素添加による誘電体保護膜の安定化も、
水素が多すぎるとあまり有効でなく、やはり書換型光デ
ィスクの要求性能にあわせて、水素含有量の最適化が必
要であり、この実施例の場合、水素量ＩＱａｔ、％〜２
Ｑａｔ、％が適する。

実施例２ 実施例１において、スパッタリング・ガスとして、Ａｒ
とＮ２の混合ガスの代わりに、Ｎ２とＮ２の混合ガスま
たはＡｒとＮ２とＮ２の混合ガスまたはＡｒとＮＨ３の
混合ガスまたはＮ２とＮＨ３の混合ガスまたはＡｒとＮ
２とＮＨ，の混合ガスのいずれかを用いて、各々同様の
実験を行った。スパッタリングのターゲットとしては、
Ｓｉ、Ｎ、またはＳｉを用いた。実施例１と同じ＜Ｎ２
またはＮＨ３またはＮ２のガス流量を変え、膜中の水素
含有量と窒素含有量を変えたサンプルを作製した。この
場合、膜中の窒素含有量は実施例１の場合より多くなり
、光電子分光分析によれば、化学量論組成のＳｉ、Ｎ、
に近くなった。

これらのサンプルについて実施例１と同様の測定を行っ
たところ、やはり５ｉ−Ｎ−１（膜中のＮ含有量および
Ｎ含有量の多くなるほど低熱伝導率、低残留応力となり
、これを保護層としてともなった相変化光ディスクも、
記録感度、繰返し性がともに優れ、高性能の光ディスク
を実現することができた。すなわち、ここでもスパッタ
リング法において、誘電体保護層中の水素と窒素の含有
量を調節して膜質を熱伝導性、残留応力、耐熱性の面で
最適化することの有効性が実証された。

実施例３ 実施例１においてスパッタリ・ング・ガスとしてＡｒと
Ｈ２の混合ガスの代わりに、ＡｒとＣＨ，の混合ガスま
たはＡ［とＣ，Ｈ，の混合ガスまたはＮ２とＣＨｌの混
合ガスまたはＮ２とＣ，Ｈ，の混合ガスまたはＡｒとＮ
２とＣＨ，またはＡｒとＮ２とＣ２Ｈ４の混合ガスのい
ずれかを用いて、各々同様の実験を行った。スパッタリ
ングのターゲットとしては、Ｓ＋３Ｎ、またはＳｉを用
いた。実施例１と同じ＜　ＣＨ，またはＣ２Ｈ，または
Ｎ２のガス流量を変えて、膜中の水素含有量、炭素含有
量、窒素含有量を変えたサンプルを作製した。

これらのサンプルについて実施例１と同様の測定を行っ
たところ、やはり５ｉ−Ｎ−Ｃ−Ｈ膜中のＮ含有量、Ｃ
含有量、Ｎ含有量の多くなるほど、低熱伝導率、低残留
応力となり、これを保護層としてともなった相変化光デ
ィスクも、記録感度、繰返し性がともに優れ、高性能の
光ディスクを実現することができた。すなわちここでも
スパッタリング法において、誘電体保護層中の水素、窒
素、炭素の含有量を調節して、膜質を熱伝導性、残留応
力、耐熱性の面で最適化することの有効性が実証された
。

実施例４ 実施例１〜３において、スパッタリングのターゲットを
Ｓｉ３Ｎ、からＳｉＣに変えて、同様の実験を行った。

スパッタリングのガスとして、ＡｒとＨ２の混合ガスま
たはＮ２とＨ２の混合ガスまたはＡｒとＮ２とＨ２の混
合ガスまたはＡｒとＮＨ３の混合ガスまたはＮ２とＮＨ
３の混合ガスまたはＡｒ１１！：Ｎ２とＮＨ３の混合ガ
スまたはＡｒとＣＨ，の混合ガスまたはＡ「とＣ２シの
混合ガスまたはＮ２とＣＨ４の混合ガスまたはＮ２とＣ
２Ｈ，の混合ガスまたはＡ「とＮ２とＣＨ，の混合ガス
のいずれかを用いて、各々同様の実験を行った。実施例
１〜３と同じ＜、Ｈ２またはＮ２またはＮｌ’＋３また
はＣＨｌまたはＣ，Ｈ４のガス流量を変えて、膜中の炭
素含有量、水素含有量、窒素含有量を変えたサンプルを
作製した。

これらのサンプルについて実施例１と同様の測定を行っ
たところ、やはり５ｉ−Ｃ−Ｎ−Ｈ膜中のＮ含有量、Ｎ
含有量、Ｃ含有量の多くなるほど低熱伝導率、低残留応
力となり、これを保護層としてともなった相変化光ディ
スクも記録感度、繰返し性がともに優れ、高性能の光デ
ィスクを実現することができた。すなわちここでもスパ
ッタリング法において、誘電体保護層中の水素、窒素、
炭素の含有量を調節して、膜質を熱伝導性、残留応力、
耐熱性の面で最適化することの有効性が実証された。

なお、ＣＩ’＋４またはＣ２Ｈ４を含むガスでスパッタ
する場合は、ターゲットをＳｉＣでな（、Ｓｉを用いて
も、ガス流量を調節することにより、同様の結果が得ら
れた。

実施例５ 実施例４において、スパッタリングのターゲットをＳｉ
ＣからＳＩＯ□に変えて、同様の実験を行った。

スパッタリングのガスとしては実施例４に記したものに
加えて、さらにＡｒとＣＤ□の混合ガスまたはＡｒとＣ
０２とＨ２の混合ガスまたはＡｒとＣ０２とＣＨ，の混
合ガスまたはＡｒとＣＯ２とＣ２Ｈ４の混合ガス等、炭
酸ガスを付加したもの、またはさらに０２を付加したも
ののうちの中からいずれかを用い、ガス流量を変えて膜
中の酸素含有量、炭素含有量、窒素含有量、水素含有量
を変えたサンプルを作製した。

これらのサンプルについて実施例１と同様の測定を行っ
たところ、やはりＳ　１−Ｏ−Ｃ−Ｎ−Ｈ膜中のＮ含有
量、Ｎ含有量、Ｃ含有量、０含有量の多くなるほど低熱
伝導率、低残留応力となり、これを保護層としてともな
った相変化光ディスクも記録感度、繰返し性がともに優
れ、高性能の光ディスクを実現することができた。すな
わちここでもスパッタリング法において、誘電体保護層
中の水素、窒素、炭素、酸素の含有量を調節して、膜質
を熱伝導性、残留応力、耐熱性の面で最適化することの
有効性が実証された。なお、０□を付加したスパッタリ
ング・ガスを用いる場合、ターゲットとして、Ｓｉ口。

でなくＳｉを用いても、ガス流量を調節することにより
同様の結果が得られた。

実施例６ 実施例４において、スパッタリングのターゲットをＳｉ
ＣからＺｎＳに変えて同様の実験を行った。

スパッタリングのガスとして、実施例４に記したものに
加えて、さらにＡｒとＨ２Ｓの混合ガス等、二硫化炭素
を付加したもののうちの中がらいずれかを用い、ガス流
量を変えて、膜中の炭素含有量、窒素含有量、水素含有
量、イオウ含有量を変えたサンプルを作製した。ここで
、Ｈ２Ｓは常温で液体のため、ヒーターで熱してガス化
してスパッタリング装置内に導入した。

これらのサンプルについて実施例１と同様の測定を行っ
たところ、やはりＺｎ−５−Ｃ−Ｎ−ｆ（膜中のＮ含有
量、Ｎ含有量、Ｃ含有量、Ｓ含有量の多くなるほど低熱
伝導率、低残留応力となり、これを保護層としてともな
った相変化光ディスクも記録感度、繰返し性がともに優
れ、高性能の光ディスクを実現することができた。すな
わちここでもスパッタリング法において、誘電体保護層
中の水素、窒素、炭素、イオウの含有量を調節して、膜
質を熱伝導性、残留応力、耐熱性の面で最適化すること
の有効性が実証された。

実施例７ 実施例１〜６において、ＲＦスパッタリングを真空蒸着
に変えて同様の実験を行った。母材はＳｉ３Ｎ４゜Ｓｉ
Ｃ，５ｉｎ２．　ＺｎＳのいずれかであり、電子ビーム
蒸着により蒸発させて薄膜とした。蒸着装置に導入した
ガスは、Ｎ２．　Ｎ２．　ＮＨ３，ＣＩ（４，Ｃ２Ｈ４
，Ｈ２Ｓ、　［：０２．　Ｃｏ、　０２のうち少なくと
も一つ以上を組合わせたものである。

蒸着装置を、まず１０−’Ｔｏｒｒ以下の圧力に排気し
た後、これらのうちから選んだ混合ガスを１０−’Ｔｏ
ｒｒ〜１０−’Ｔｏｒｒのガス圧で導入して、そのガス
雰囲気中で電子ビーム蒸着を行い、いわゆる反応性蒸着
により、ディスク基板上に、水素、窒素、炭素、酸素、
イオウ等を含んだ誘電体膜を作製した。

これらのサンプルについて実施例１と同様の測定を行っ
たところ、やはり膜中のＮ含有量、Ｎ含有量、Ｃ含有量
、Ｓ含有量、Ｏ含有量の多くなるほど低熱伝導率、低残
留応力となり、これを保護層としてともなった相変化光
ディスクも記録感度、繰返し性がともに優れ、高性能の
光ディスクを実現することができた。すなわち真空蒸着
法において、誘電体保護層中の水素、炭素、窒素、酸素
、イオウの含有量を調節して、膜質を熱伝導性、残留応
力、耐熱性の面で最適化することの有効性が実証された
。

以上述べた各実施例中で、保護層中の水素、炭素、窒素
、酸素、イオウ等が過剰に多くなると、誘電体保護層の
耐熱性が損われ、繰返し性などの特性が劣化することは
、実施例１で述べた通りである。熱伝導率、残留応力を
低減し、かつ耐熱性を熱分解温度にして、６００℃以上
に保つ程度に、保護層中の水素、炭素、窒素、酸素、イ
オウの含有量を調整するのはもち論のことである。

またスパッタリングにおいて、ＲＦスパッタリングばか
りでなく、イオンビームスパッタリング法によっても、
上述の反応性スパッタリングの効果を用いて、膜質改善
を行うことも十分可能である。

さらに真空蒸着において導入するガスを放電させてプラ
ズマ中で蒸着を行う、いわゆるプラズマ重合またはイオ
ン・ブレーティング法も１種の反応性蒸着であり、これ
らの方法で膜質改善を行うことも十分可能である。

膜質改善については、これまで熱伝導率、残留応力、耐
熱性を中心に述べたが、他に、いわゆる耐候性、すなわ
ち高温高湿下でのディスク媒体の耐久性の改善について
も、本発明の方法が有効であることは言うまでもない。

例えば実施例１の５ｉ−Ｎ−Ｈ膜を保護層とした相変化
光ディスクについて、８５℃、９０％ＲＨの高温高湿下
で環境試験を行ったところ、３か月経過した後も、特性
上、何ら劣化するところはなかった。これは、おそらく
Ｈ原子が、保護膜中のダングリングボンドをターミネイ
トして緻密なものとするので、高温高湿下でも、媒体中
に水分が浸透しなくなることによると考えられる。

さらに本発明では、相変化光ディスクにおける保護膜の
改良について述べたが、本発明の製造方法は、光磁気媒
体の保護膜にも同様に適用可能であり、有効であること
は言うまでもない。

なお本発明の方法では、誘電体保護層が水素、炭素など
を膜中に取り込むため、膜質が無機物と有機物の中間の
性質を示すものとなる。

したがってポリカーボネート等のプラスチック材料を基
板とする光デイスク媒体において、従来の純粋な無機物
を保護層とするよりも、基板とのなじみが良くなること
が期待できる。すなわち、基板と保護層との密着性が改
善され、それによって媒体の長期安定性、繰返し性が改
善される効果がある。

（発明の効果） 以上説明したように、本発明はスパッタ法または蒸着法
により、保護層中の水素、炭素、窒素、酸素、イオンの
含有量を調節した光ディスクは、記録感度、繰返し性に
優れた高性能のものである。

従来の無機誘電体膜を保護層としたディスクでは実現で
きないような優れた特性を示す。特に本発明の製造方法
は、いわゆる反応性スパッタリング法または反応性蒸着
法と呼ばれるものであり、市販の量産型装置に、本発明
で述べたガス種を規定量導入して、膜形成を行うことに
より達成できる。

製造コストの面から競争の激しい書換型光ディスクの製
造方法として、最適の技術を提供するものである。

本発明の光記録媒体の製造方法は、記録感度と繰返し性
という書換型光ディスクの直面する最大の問題点を解決
するための簡便な製造方法を見出だし、かつ媒体の膜質
を最適化するための指針を与えるものであり、その産業
界に与えるインパクトは極めて大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明の実施例１．のＲＦスパッ
タ法による５ｉ−Ｎ−Ｈ膜を誘電体保護層とした光ディ
スクのそれぞれ記録感度特性および記録・消去の繰返し
特性を、誘電体保護層中のＨ含有量をパラメータとして
示した図、 第３図は実施例１のＲＦスパッタ法による５ｉ−Ｎ−Ｈ
膜の残留応力をＨ含有量に対して示した図である。 第１図 第３図 水素に４量（ａで、幻

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、光を吸収して変質する記録層と、該記録層に近接し
   て配された誘電体層とを有する光記録媒体の製造方法で
   あって、スパッタリング法を用いて、スパッタリングの
   条件を制御することにより、前記誘電体層中の炭素と水
   素と窒素と酸素とイオウのうち、少なくとも一つの含有
   量を調節し、前記誘電体層の熱伝導性、残留応力、耐熱
   性を最適化することを特徴とする光記録媒体の製造方法
   。 ２、光を吸収して変質する記録層と、該記録層に近接し
   て配された誘電体層とを有する光記録媒体の製造方法で
   あって、蒸着法を用い、蒸着の条件を制御することによ
   り、誘電体層中の炭素と水素と窒素と酸素とイオウのう
   ち、少なくとも一つの含有量を調節し、前記誘電体層の
   熱伝導性、残留応力、耐熱性を最適化することを特徴と
   する光記録媒体の製造方法。