JPH03151659A - 半導体装置の外囲器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は半導体装置に関するもので、特に高周波用の
外囲器の寄生容量を改善した半導体装置の外囲器に関す
る。

（従来の技術） 従来より使用されている半導体装置に於いて、例えばＩ
Ｃの外囲器は、所定形状のモールド上にリード部材、回
路部等を設けている。第９図は、従来の半導体装置の外
囲器の構成を示したもので、モールドの基板ｌｌ上に、
図示形状のリード部材１２ａＳ１２ｂＳ１２ｃ、　　１
２ｄ、　　１２ｅ及び　１２１’と、リード部材１３ａ
及び１３ｂを有した回路部１４が配設されている。この
ようにリード部材等を配設した外囲器に、例えば第１０
図に示すダブルバランスドミキサ回路が組込まれるもの
とする。このダブルバランスドミキサ回路は、ダイオー
ド１５＋　、１５２．１５３．１５４、コンデンサ１６
１．１６２　、抵抗１７１．１７２及びインダクタンス
１ｇ、１９等により、図示の如く構成される。

そして、このように構成されたダブルバランスドミキサ
回路を、上述した外囲器に組込むと、第１１図に示され
るようになる。すなわち、ダイオード１５＋　、１５□
、１５３．１５４を回路部１４に組込み、これらダイオ
ード１５□、１５□、１５８．１５４の両端間のノード
と、各リード部材　ｔ２ａＳ１２ｂｓ　　１２ｃ。

１２ｄ、　　１２ｅ及び１２ｆとを接続した構成となっ
ている。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上述したような構成の外囲器に於いて、
ダイオードの端子間容量は、例えば０．１ｐＦあり、外
囲器による寄生容量のために、それ以上小さくすること
は困難なものであった。

このため、第１１図の外囲器に於いて、リード部材１３
ａを接地して前記寄生容量を改善しようとすると、次の
ような結果が生じる。すなわち、ダイオード１５２の両
端間であるリード部材１２ｂと１２ａ間、及びダイオー
ド１５３の両端間であるリード部材１２ａと　１２ａ間
は、シールド効果によってダイオードのチップの固有の
容量と同程度にまで小さくすることができる。しかしな
がら、リード部材　１２ａと　１２ｃ間、及びリード部
材　＋２ｂと　１２１’間に於いては、寄生容量を減少
させることができないものであった。したがって、ダイ
オード間の容量偏差が大きくなるという現象が生ずる。

また、上述したダブルバランスドミキサ回路に於いて、
ダイオードの容量とその回路の動作限界周波数との関係
を表すと、第１２図に示されるようになる。これによる
と、ダイオード容量が減少すると動作限界周波数が上昇
し、逆にダイオ−′ド容量が上昇すれば動作限界周波数
が下がるようになっている。したがって、上述した従来
の技術による半導体装置では、その容量が増大するか、
若しくは容量偏差が大きくなって、第１０図の如きダブ
ルバランスドミキサ回路に使用することは困難なもので
あった。更に、前記容量偏差は、外囲器に起因するもの
であるため、特性の揃った複数の半導体素子を外囲器に
組込む場合、この容量偏差を改善することは困難であっ
た。

この発明は上記のような点に鑑みてなされたもので、複
数の半導体素子を外囲器に組込んだ半導体装置の端子間
容量の低減及び容量偏差を改善することのできる半導体
装置の外囲器を提供することを目的とする。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） すなわちこの発明は、少なくとも３本の外部端子が第１
の方向に延設され、この第１の方向に対向した第２の方
向に少なくとも３本の外部端子が延設された半導体装置
の外囲器に於いて、上記外部端子の少なくとも１本は接
地されるべくもので、上記第１の方向と上記第２の方向
に延設された他の外部端子の間を遮蔽する遮蔽部を有す
ることを特徴とする。

（作用） この発明による半導体装置の外囲器は、少なくとも６本
の外部端子を有しており、そのうち３本ずつの外部端子
が互いに対向して延設されている。そして、上記外部端
子の少なくとも１本が接地用の端子となるもので、この
接地用の外部端子は他の対向する外部端子の間を遮蔽す
るように遮蔽部を有して設けられている。これにより、
端子間の容量偏差が改善された半導体装置の外囲器を実
現する。

（実施例） 以下図面を参照して、この発明の詳細な説明する。尚、
同実施例に於いて、前述の従来例と同じ部分には同一の
参照番号を付して、その説明を省略する。

第１図はこの発明に従った第１の実施例に係る半導体装
置の外囲器の構成を示すもので、１端子支持型の外囲器
を示したものである。同図に於いて、モールドの基板２
０上に、図示形状のリード部材２１　ａ　−２１ｂ　％
　　２１　ｃ　ｓ　　２１　ｄ　ｓ　　２１　ｅ　１２
１　ｆ及び２］ｇと、リード部材２２を有した回路部２
３が配設されている。つまり、回路部２３と直接接続し
ているリード部材は１つたけである。これらリード部材
は、例えば鉄、ニッケル、銅等により構成されている。

また、回路部２３は、リード部材２１ａと　２１ｄ１　
リド部材２１ｃと２１ｇを、それぞれ遮蔽するように形
成した遮蔽部２４１及び２４２を有している。すなわち
、リード部材　２１ａと　２１ｄ、　　リード部材２１
ｃと２１ｇのように、対向する端子間に、遮蔽部２４．
及び２４□が挿入されたように構成されている。

また、第２図は、この発明の第２の実施例による半導体
装置の外囲器の構成を示したもので、２端子支持型のも
のである。この第２の実施例では、回路部と直接接続し
ているリード部材を２つにしている。すなわち、モール
ドの基板２０上に、図示形状のリード部材２５ａ、　　
２５ｂ、　　２５ｃ、　　２５ｄ、　　２５ｅ及び２５
ｒと、リード部材２８ａ及び２Ｂｂを有した回路部２７
が配設されている。そして、回路部２７には、対向する
リード部材２５ａと　２５０１　リード部材２５ｂと　
２５ｆとを、それぞれ遮蔽するように形成した遮蔽部２
８．及び２８２か形成されている。上記回路部２７とリ
ード部材２８ａ及び２Ｂｂの如く、２端子支持の外囲器
では、第１図の外囲器に比べ、半導体装置の左右対称化
と樹脂封止以前のリード部材の強度を増している。

この外囲器に、実際にダブルバランスドミキサ回路を組
込むと、第３図に示すようになる。すなわち、１チツプ
内に組込まれた４つのダイオード１５１．１５２．１５
３及び１５４が、回路部２７に配設される。そして、こ
れらのダイオード１５＋　、１５□、１５、及び１５４
の両端は、それぞれのリード部材に接続される。

この状態でリード部材２６ａまたは２６ｂを接地すると
、ダイオード１５、を介したリード部材２５ｂ１２５ｆ
間、ダイオード１５２を介したリード部材２５ｂ、２５
ａ間、ダイオード１５３を介したリード部材２５ａ１２
５ａ間、そしてダイオード１５４を介したリード部材２
５ａ、２５ｃ間の、それぞれの端子間容量はチ・ツブ固
有の容量まで低減することができる。これは、リード部
材２６ａまたは２６ｂを接地することにより、回路部２
７の外側に形成された遮蔽部２８１及び２８２も接地状
態になる。これによって、リード部材２５ｂ、　　２５
ｆ間、及びリード部材２５ａ、　　２５ｃ間が遮蔽され
、それらの端子間に生じていた容量を無視できる。した
がって、半導体装置の容量偏差を、実質的に無くすこと
ができるものである。

このように、対向するリード部材の間に遮蔽部を設けた
ことにより、この対向するリード部材の端子間の寄生容
量を改善することができる。これによって、他の端子間
容量との容量偏差を無くすことができる。

また、第４図は、この発明の第３の実施例に係る半導体
装置の外囲器の構成を示したものである。

同図の外囲器は、１端子支持型で、基板２０上にり一ド
部材　２９ａ、　　２９ｂ、　　２９ｃ、　　２９ｄ、
　　２９ｅ、　　２９ｆ及び２９ｇと、リード部材３０
及び遮蔽部３１を有した回路部３２が配設された構成と
なっている。この場合、接地用の端子は、リード部材３
０である。そして、上記遮蔽部３１は、対向するリード
部材２９ａ、　　２９ａ間に配設され、これを遮蔽する
ようになっている。

このような構成の半導体装置に於いても、対向するリー
ド部材間を遮蔽部によって遮蔽しているので、上述した
実施例と同様に容量偏差を改善することができるもので
ある。

更に、第５図は、この発明の第４の実施例に係る半導体
装置の外囲器の構成を示したものである。

同図の外囲器は、第４図の外囲器に於いて、接地用の端
子となるリード部材以外の全てのリード部材の間に遮蔽
部を設けたものである。すなわち、基板２０上にリード
部材２９ａ、　　２９ｂ、　　２９ｃ、　　２９ｄ。

２９ｅ、　　２９ｆ’及び２９ｇと、接地用端子となる
リード部材３０を有した回路部３２′が配設された構成
となっている。そして、上記回路部３２′　には、リー
ド部材２９ａ、　　２９ａ間に配設された遮蔽部３１の
他に、０ リード部材２９ａ、’　　２９ｂ間に遮蔽部３１１、リ
ード部材２９ｂ、　　２９ａ間に遮蔽部３１２、リード
部材２９ｄ１２９ｅ間に遮蔽部３１３、リード部材２９
ｅ、　　２９ｆ’間に遮蔽部３１４、そしてリード部材
２９ｆ、　　２９ｇ間に遮蔽部３１５が形成されている
。こうして、リード部材間が全て遮蔽部によって遮蔽さ
れているので、上述した実施例と同様に容量偏差を改善
することができるものである。

ところで、上述した第１乃至第４の実施例では、遮蔽部
は回路部から延設して（図面では横方向に）形成されて
いる。このように、延設して形成された遮蔽部は、所定
の長さを超えると、その組立て工程に於いて、そのフレ
ームのたわみ等が生じる虞れがある。こうした場合、上
記フレームのたわみによるパッケージの引掛かり等、半
導体装置のトラブルが発生し、歩留りを下げる要因にな
る。

したがって、これらの要因を取り除くために、更に改善
された半導体装置を以下に述べる。

第６図は、この発明の第５の実施例に係る半導体装置の
外囲器の構成を示したもので、１端子支１ 詩聖のものである。同図に於いて、基板２０上にリード
部材　８３ａ、　　３３ｂ、　　Ｓａｃ、　　３３ｄ、
　　３３ｅ、　　３３ｆ’及び３３ｇと、接地用の端子
であるリード部材３４及び遮蔽部３５１及び３５□を有
した回路部３６が配設された構成となっている。ここで
、接地用端子以外のリード部材　３３ａ、　　３３ｂ、
　　３３ｃ、　　３３ｄ、　　３３ｅ、　　３３ｆ及び
８３ｇは、通常、インナーリード部３３ａ１．３３ｂ＋
　　　３３ｃ＋、３３ｄ＋　ｓ　　３３ｅ、　　　３３
ｆ＋及び３３ｇ、と、アウターリード部３３ａ２．３３
ｂ２．３３Ｃ２，８３ｄ２．３３ｅ２．３３ｆ２及び３
３ｇ２から成っている。そして、この場合、外側に配列
されているリード部材３３ａ、　　３３ｃ、　　３３ｄ
及び３３ｇの各インナーリード部８８＆ｌ’ｓ　　Ｈｃ
＋　　　Ｈｄ＋及び３３ｇ１は、図示形状に切除し、ま
た遮蔽部３５．及び３５２も上述した第１図乃至第５図
の遮蔽部と比較して短く形成している。

すなわち、遮蔽部３５．及び３５２を短く、例えば外側
のリード部材３３ａ、　　８３ｃ、　　３３ｄ及び３３
ｇのアウターリード部３３ａ２．３３Ｃ２，３３ｄ２及
び３３ｇ２の外側の部分までとする。そして、これに　
２ 対応させて、各インナーリード部３３ａ１．３３ｃ１．
３３ｄ１及び３３ｇ１を、第６図に示す如く（同図に於
いて外側を斜めに）テーバ等でカットする。このように
インナーリード部８３ａ□　　３３ｃ１８８ｄ１及び３
８ｇ１を切除すると、遮蔽部８５１及び３５□によって
生じたシールド効果を損なうことがない。

また、上記インナーリード部の切除による、対向するリ
ード部材間の寄生容量は、はとんど変化しないものであ
る。

このように、遮蔽部及びリード部材の一部を切除するこ
とにより、上述した実施例と同様に容量偏差を改善する
ことができると共に、フレームのたわみによるパッケー
ジの引掛かり等、半導体装置のトラブルの発生、歩留り
を下げるこことができる。

第７図は、この発明の第６の実施例１ごよる半導体装置
の外囲器の構成を示したもので、２端子支持型のもので
ある。この第６の実施例では、回路部と直接接続してい
るリード部材を２つにしてい３ る。すなわち、モールドの基板２０上に、図示形状のリ
ード部材３７ａ、　　８７ｂ、　　３１ｃｓ　　８７ｄ
ｑ　　３７ｅ及び８７ｆ’と、リード部材３８ａ及び８
８ｂを有した回路部３９が配設されている。そして、回
路部３９には、対向するリード部材８７ａと　３７Ｃ１
リード部材３７ｂと８７１’とを、それぞれ遮蔽するよ
うに形成した遮蔽部４０１及び４０２が形成されている
。そして、これらの遮蔽部４０１及び４０２と、リード
部材３７ａ１８７ｂ、　　３７ｃ及び３Ｈのインナーリ
ード部３７ａ１．３７ｂ１．３７ｃ１及び３７ｆ１は、
第６図の外囲器と同様の形状に構成されている。尚、こ
の２端子支持の外囲器では、第６図の外囲器に比べ、半
導体装置の左右対称化と樹脂封止以前のリード部材の強
度を増している。

更に、第８図は、この発明の第７の実施例に係る半導体
装置の外囲器の構成を示したものである。

この第７の実施例は、上述した第５の実施例に於けるリ
ード部材のインナーリード部の形状を異ならせたもので
ある。すなわち、リード部材４１ａ。

４１ｂ、　　４１ｃ、　　４１ｄ、　　４１ｅ及び４１
ｆ’が基板２０上に配置４ 設されており、これらのリード部材４１ａ、　　４１ｂ
。

４１ｃ及び４１ｆのインナーリード部４１ａ、、　４１
ｂ１．４１Ｃ１及び４１ｆ１は、同図に於いてその外側
が、遮蔽部４０．及び４０２の長さに応じた矩形上に切
除された形状となっている。その他の部分の構成は、上
述した第５の実施例と同様であるので、ここでは説明を
省略する。

このようにして、遮蔽部を対向するリード部材の間に設
けると共に、この遮蔽部及びリード部材の一部を切除す
ることにより、その容量偏差を改善することができると
共に、フレームのたわみによるパッケージの引掛かり等
、半導体装置のトラブルの発生、歩留りを下げるここと
ができる。

［発明の効果］ 以上のように、この発明によれば、複数の半導体素子を
外囲器に組込んだ半導体装置の端子間容量の低減及び容
量偏差を改善することのできる半導体装置の外囲器を提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の第１の実施例に係る半導　５ 体装置の外囲器の構成を示す平面図、第２図はこの発明
の第２の実施例に係る半導体装置の外囲器の構成を示す
平面図、第３図は第１図の半導体装置の外囲器にダブル
バランスドミキサ回路を組込んだ構成を示す概略的平面
図、第４図乃至第８図は、それぞれこの発明の第３乃至
第７の実施例に係る半導体装置の外囲器の構成を示す平
面図、第９図は従来の半導体装置の外囲器の構成を示す
平面図、第１０図はダブルバランスドミキサ回路の回路
構成図、第１１図は第９図の半導体装置の外囲器に第１
１図のダブルバランスドミキサ回路を組込んだ構成を示
す概略的平面図、第１２図は従来の半導体装置の外囲器
に於けるダイオード端子間容量と動作限界周波数の関係
を示したグラフ図である。 １５１　　１５２　　１５３　　１５４　・・・ダイオ
ード、２０　・・・基板、２１ａ、　　２１ｂ、　　２
１ｃ、　４１ｄ、　　２１ｅ、　　２１ｆ。 ２１ｇ、　２２．２５ａ、　　２５ｂ、　　２５ｃ、　
　２５ｄ、　　２５ｅ、　　２５ｆ。 ２６　ａ　ｓ　　２６　ｂ　−３３ａ　１３３　ｂ　％
　　３３　ｃ　−３３ｄ　−３３ｅ　−３３ｆ、　　３
３ｇ、　３４−・・リード部材、　３３ａ１　、３３ｂ
１、６ ３３ｃ１　、　３３ｄ１　、　３３ｅ１ナ一リード部、
　３３ａ２． ３３ｅ２　、　３３ｆ２　、　３３ｇ２２７．３６・・
・回路部、２４３． ３５２・・・遮蔽部。 、３３ｆｌ、　３３ｇ１・・・イン ３３ｂ２　、　３３Ｃ２、３３ｄ２　、・・・アウター
リード部、２３． ２４□、２８１．２８２．３５１、

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも３本の外部端子が第１の方向に延設さ
   れ、この第１の方向に対向した第２の方向に少なくとも
   ３本の外部端子が延設された半導体装置の外囲器に於い
   て、 上記外部端子の少なくとも１本は接地されるべくもので
   、上記第１の方向と上記第２の方向に延設された他の外
   部端子の間を遮蔽する遮蔽部を有することを特徴とする
   半導体装置の外囲器。
2. （２）上記遮蔽部は上記第１及び第２の方向に対して略
   垂直方向に延設される請求項１に記載の半導体装置の外
   囲器。
3. （３）上記遮蔽部は上記第１及び第２の方向に対して略
   垂直の第３及びこの第３の方向と反対の第４の方向に延
   設される請求項２に記載の半導体装置の外囲器。
4. （４）上記遮蔽部を有する外部端子は他の隣接する外部
   端子間を遮蔽する隣接遮蔽部を有する請求項１に記載の
   半導体装置の外囲器。
5. （５）上記遮蔽部を有していない外部端子の互いに対向
   する対向面は上記第３及び第４の方向に延設される上記
   遮蔽部の長さに応じて設定可能である請求項３に記載の
   半導体装置の外囲器。
6. （６）上記遮蔽部を有していない外部端子の互いに対向
   する対向面は上記遮蔽部によって遮蔽されない部分が切
   除される請求項５に記載の半導体装置の外囲器。