JPH03150861A - 半導体製造方法 - Google Patents
半導体製造方法Info
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- JPH03150861A JPH03150861A JP29086189A JP29086189A JPH03150861A JP H03150861 A JPH03150861 A JP H03150861A JP 29086189 A JP29086189 A JP 29086189A JP 29086189 A JP29086189 A JP 29086189A JP H03150861 A JPH03150861 A JP H03150861A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- IBBLRJGOOANPTQ-JKVLGAQCSA-N quinapril hydrochloride Chemical compound Cl.C([C@@H](C(=O)OCC)N[C@@H](C)C(=O)N1[C@@H](CC2=CC=CC=C2C1)C(O)=O)CC1=CC=CC=C1 IBBLRJGOOANPTQ-JKVLGAQCSA-N 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば数字等のロフト番号からなる指標部に
基づいてウェハ処理が施される半導体製造方法に関する
ものである。
基づいてウェハ処理が施される半導体製造方法に関する
ものである。
近年、半導体回路の高集積化に伴い、回路の構造は複雑
化してきており、半導体基板（以下、半導体ウェハと称
する）の製造プロセスも複雑化している。このことは、
例えば多品種少量生産に適するＡＳＩＧの品種において
特に顕著である。
化してきており、半導体基板（以下、半導体ウェハと称
する）の製造プロセスも複雑化している。このことは、
例えば多品種少量生産に適するＡＳＩＧの品種において
特に顕著である。
従来、このような半導体製造プロセスが円滑に管理され
るために、次に示す半導体製造方法が採用されている。
るために、次に示す半導体製造方法が採用されている。
すなわち、この種の半導体製造方法は、第２図に示すよ
うに予め半導体ウェハ１のチップ領域２外に蝕刻等の手
段によって印字された例えば数字、アルファベット等の
ロフト情報からなる指標部３を設け、この指標部３に基
づいて半導体ウェハ１に処理を施すことにより行われる
ものである。なお、指標部３は、製造プロセスにおいて
半導体の品種や履歴等を明確にするものであれば、第３
図にＡで示すように例えば文字、数字によって印字して
なるものと、同図にＢで示すようにコード符号によって
印字してなるものとを問わない。
うに予め半導体ウェハ１のチップ領域２外に蝕刻等の手
段によって印字された例えば数字、アルファベット等の
ロフト情報からなる指標部３を設け、この指標部３に基
づいて半導体ウェハ１に処理を施すことにより行われる
ものである。なお、指標部３は、製造プロセスにおいて
半導体の品種や履歴等を明確にするものであれば、第３
図にＡで示すように例えば文字、数字によって印字して
なるものと、同図にＢで示すようにコード符号によって
印字してなるものとを問わない。
ところで、この種の製造プロセスにおいては、ロフト番
号が生産システムの形態に応じて作業者により認識され
る場合とＣＣＤカメラ等により認識される場合とがある
。なお、前者はロフト情報によって工程進捗上の現物確
認と装置への加工パラメータの設定が行われ、後者はロ
フト番号によって自動的に認識処理されると、その情報
を確認した上で装置内での処理と装置間の搬送が行われ
る。
号が生産システムの形態に応じて作業者により認識され
る場合とＣＣＤカメラ等により認識される場合とがある
。なお、前者はロフト情報によって工程進捗上の現物確
認と装置への加工パラメータの設定が行われ、後者はロ
フト番号によって自動的に認識処理されると、その情報
を確認した上で装置内での処理と装置間の搬送が行われ
る。
しかるに、従来の半導体製造方法においては、指標部３
の表示が半導体ウェハ１の処理前に行われるものである
ため、半導体製造時に全てのロフト情報が予め書き込ま
れた半導体ウェハ１を使用しなければならず、多品種の
半導体ウェハ１が必要であった。すなわち、半導体製品
の品種が異なると、その製造形態や工程数が異なること
から、これに伴い各半導体ウェハ１に書き込まれる生産
管理用のロフト情報に差異が生じてくるからである。こ
の結果、生産管理を能率的に行うことができず、多品種
化する生産システムには適合させることができないとい
う問題があった。
の表示が半導体ウェハ１の処理前に行われるものである
ため、半導体製造時に全てのロフト情報が予め書き込ま
れた半導体ウェハ１を使用しなければならず、多品種の
半導体ウェハ１が必要であった。すなわち、半導体製品
の品種が異なると、その製造形態や工程数が異なること
から、これに伴い各半導体ウェハ１に書き込まれる生産
管理用のロフト情報に差異が生じてくるからである。こ
の結果、生産管理を能率的に行うことができず、多品種
化する生産システムには適合させることができないとい
う問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、生産
管理を能率的に行うことができ、もって多品種化する生
産システムに適合させることができる半導体製造方法を
提供するものである。
管理を能率的に行うことができ、もって多品種化する生
産システムに適合させることができる半導体製造方法を
提供するものである。
本発明に係る半導体製造方法は、半導体基板のチ・ノブ
領域外に表示された製造管理用の指標部に基づいて半導
体基板に処理を施す半導体製造方法であって、指標部の
表示を半導体基板の処理前と処理途中に行うものである
。
領域外に表示された製造管理用の指標部に基づいて半導
体基板に処理を施す半導体製造方法であって、指標部の
表示を半導体基板の処理前と処理途中に行うものである
。
本発明においては、半導体製造時に共通のロフト情報が
書き込まれた半導体基体を使用することができる。
書き込まれた半導体基体を使用することができる。
以下、本発明の半導体方法等を図に示す実施例によって
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図は本発明に係る半導体製造方法に使用する半導体
ウェハを示す平面図で、同図において第２図と同一の部
材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する
。同図において、符号１１で示すものは、処理前に表示
されたロフト番号からなる第１の指標部１２と、処理途
中に表示されたロフト番号からなる第２の指標部１３を
存する半導体ウェハである。
ウェハを示す平面図で、同図において第２図と同一の部
材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する
。同図において、符号１１で示すものは、処理前に表示
されたロフト番号からなる第１の指標部１２と、処理途
中に表示されたロフト番号からなる第２の指標部１３を
存する半導体ウェハである。
次に、本発明による半導体製造方法について説明する。
これは、半導体ウェハ１１のチップ領域２外に表示され
た製造管理用の指標部１２．１３に基づいて半導体ウェ
ハ１．１に処理を施す半導体製造方法であって、半導体
ウェハ１１の処理前に指標部１２を表示し、処理途中に
指標部１３を表示することにより行うものである。
た製造管理用の指標部１２．１３に基づいて半導体ウェ
ハ１．１に処理を施す半導体製造方法であって、半導体
ウェハ１１の処理前に指標部１２を表示し、処理途中に
指標部１３を表示することにより行うものである。
したがって、本発明においては、半導体製造時に共通の
ロフト情報（指標部１２）が書き込まれた半導体ウェハ
１１を使用することができるから、生産管理を能率的に
行うことができる。
ロフト情報（指標部１２）が書き込まれた半導体ウェハ
１１を使用することができるから、生産管理を能率的に
行うことができる。
ここで、例えばＡＳＩＣの代表であるゲートアレイの製
造プロセスについて説明すると、製造プロセス前半では
ゲートの製造プロセスは共通であり、ウェハ処理前に表
示された指標部１２のロット番号によって生産管理され
る。一方、後半の製造プロセスでは、顧客の仕様に応じ
てゲートを組み合わせる回路が形成されるから、多種の
製造プロセスを必要とし、ウェハ処理中に表示される指
標部１３のロフト番号によって生産管理される。
造プロセスについて説明すると、製造プロセス前半では
ゲートの製造プロセスは共通であり、ウェハ処理前に表
示された指標部１２のロット番号によって生産管理され
る。一方、後半の製造プロセスでは、顧客の仕様に応じ
てゲートを組み合わせる回路が形成されるから、多種の
製造プロセスを必要とし、ウェハ処理中に表示される指
標部１３のロフト番号によって生産管理される。
これにより、多品種生産システムにおいて十分な情報を
得ることができ、円滑なシステム運営を図ることができ
る。
得ることができ、円滑なシステム運営を図ることができ
る。
なお、本発明における指標部１２．１３の形成位置は、
半導体ウェハ１１ウ工ハ表面と裏面を問わず、また各指
標部１２．１３の相対位置関係も任意に設定できること
は勿論である。
半導体ウェハ１１ウ工ハ表面と裏面を問わず、また各指
標部１２．１３の相対位置関係も任意に設定できること
は勿論である。
以上説明したように本発明によれば、半導体基板のチッ
プ領域外に表示された製造管理用の指標部に基づいて半
導体基板に処理を施す半導体製造方法であって、指標部
の表示を半導体基板の処理前と処理途中に行うので、半
導体製造時に共通のロフト情報が書き込まれた半導体基
体を使用することができる。したがって、生産管理を能
率的に行うことができるから、多品種化する生産システ
ムに適合させることができる。
プ領域外に表示された製造管理用の指標部に基づいて半
導体基板に処理を施す半導体製造方法であって、指標部
の表示を半導体基板の処理前と処理途中に行うので、半
導体製造時に共通のロフト情報が書き込まれた半導体基
体を使用することができる。したがって、生産管理を能
率的に行うことができるから、多品種化する生産システ
ムに適合させることができる。
第１図は本発明に係る半導体製造方法に使用する半導体
ウェハを示す平面図、第２図は従来の半導体製造方法に
使用する半導体ウェハを示す平面図、第３図は半導体ウ
ェハの指標部を拡大して示す平面図である。 ２・・・・チップ領域、１１・・・・半導体ウェハ、１
２・・・・第１の指標部、１３・・・・第２の指標部。 代 理 人 大君増雄 第 図 第 図 第３図 用６７ｉ１層オーＡ １１ヨ三ヨ）可〜Ｂ
ウェハを示す平面図、第２図は従来の半導体製造方法に
使用する半導体ウェハを示す平面図、第３図は半導体ウ
ェハの指標部を拡大して示す平面図である。 ２・・・・チップ領域、１１・・・・半導体ウェハ、１
２・・・・第１の指標部、１３・・・・第２の指標部。 代 理 人 大君増雄 第 図 第 図 第３図 用６７ｉ１層オーＡ １１ヨ三ヨ）可〜Ｂ
Claims (1)
- 半導体基板のチップ領域外に表示された製造管理用の
指標部に基づいて半導体基板に処理を施す半導体製造方
法であって、前記指標部の表示を半導体基板の処理前と
処理途中に行うことを特徴とする半導体製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29086189A JPH03150861A (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | 半導体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29086189A JPH03150861A (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | 半導体製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03150861A true JPH03150861A (ja) | 1991-06-27 |
Family
ID=17761445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29086189A Pending JPH03150861A (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | 半導体製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03150861A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5848414A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-22 | Toshiba Corp | 半導体基板の印字方法 |
| JPS6110232A (ja) * | 1984-06-26 | 1986-01-17 | Toshiba Corp | 半導体ウエハの管理方法 |
| JPS62193240A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-08-25 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-11-07 JP JP29086189A patent/JPH03150861A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5848414A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-22 | Toshiba Corp | 半導体基板の印字方法 |
| JPS6110232A (ja) * | 1984-06-26 | 1986-01-17 | Toshiba Corp | 半導体ウエハの管理方法 |
| JPS62193240A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-08-25 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法 |
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