JPH03149263A - スクアリリウム系化合物及びそれを用いた光情報記録媒体 - Google Patents
スクアリリウム系化合物及びそれを用いた光情報記録媒体Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
- C07D209/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom condensed with one carbocyclic ring
- C07D209/04—Indoles; Hydrogenated indoles
- C07D209/10—Indoles; Hydrogenated indoles with substituted hydrocarbon radicals attached to carbon atoms of the hetero ring
- C07D209/12—Radicals substituted by oxygen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
- C07D209/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom condensed with one carbocyclic ring
- C07D209/04—Indoles; Hydrogenated indoles
- C07D209/10—Indoles; Hydrogenated indoles with substituted hydrocarbon radicals attached to carbon atoms of the hetero ring
- C07D209/14—Radicals substituted by nitrogen atoms, not forming part of a nitro radical
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
- C07D209/56—Ring systems containing three or more rings
- C07D209/58—[b]- or [c]-condensed
- C07D209/60—Naphtho [b] pyrroles; Hydrogenated naphtho [b] pyrroles
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Indole Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は近赤外線を吸収するスクアリリウム化合物及び
それを用いた光情報記録媒体に関するものである。
それを用いた光情報記録媒体に関するものである。
近赤外線を吸収する物質は各種の用途に用いられている
。このような用途例としては、例えば、次のようなもの
が挙げられる。
。このような用途例としては、例えば、次のようなもの
が挙げられる。
(i)赤外線感光性感光材料用セーフライトフィルター
、 (…)植物の生育の制御を目的とした赤外線カットフィ
ルター。
、 (…)植物の生育の制御を目的とした赤外線カットフィ
ルター。
(ii)太陽光の熱線の遮断材料、
(iv)人間の目の組織に有害な赤外線カットフィルタ
ー、 (v)半導体受光素子の赤外線カットフィルタ一等。
ー、 (v)半導体受光素子の赤外線カットフィルタ一等。
さらに、近赤外線吸収物質の大きな用途として、光情報
記録媒体における記録材料としての用途を挙げることが
できる。
記録媒体における記録材料としての用途を挙げることが
できる。
これまで、近赤外線吸収性物質としては、フタロシアニ
ン色素等のシアニン色素の他、フェナンスレン系色素、
ナフトキノン系色素、ピリリウム系色素等が知られてお
り、これらの色素を記録材料として用いた光情報記録媒
体も知られている(特開昭55−97033号、5JI
−713344号、5g−224793号。
ン色素等のシアニン色素の他、フェナンスレン系色素、
ナフトキノン系色素、ピリリウム系色素等が知られてお
り、これらの色素を記録材料として用いた光情報記録媒
体も知られている(特開昭55−97033号、5JI
−713344号、5g−224793号。
58−214162号、59−24692号等)。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、フタロシアニン系色素は、光感度が低い
上に、分解点が高く、蒸着しにくい等の問題点を有する
。さらに有機溶媒に対する溶解性が著しく低く、塗布に
よるコーティングに使用することができないという問題
を有している。フェナンスレン系色素やナフトキノン系
色素は、蒸着しやすいという利点を有する反面、反射率
が低いという問題点を有している。反射率が低いと−レ
ーザー光により記録された部分と未記録部分との反射率
に関するコントラストが低くなり、記録さ れた情報
の再生が困難になる。ピリリウム系色素やシアニン系色
素は、塗布によるコーティングができるという利点を有
する反面、耐光性に劣り、再生光により劣化しやすいと
いう問題点がある。
上に、分解点が高く、蒸着しにくい等の問題点を有する
。さらに有機溶媒に対する溶解性が著しく低く、塗布に
よるコーティングに使用することができないという問題
を有している。フェナンスレン系色素やナフトキノン系
色素は、蒸着しやすいという利点を有する反面、反射率
が低いという問題点を有している。反射率が低いと−レ
ーザー光により記録された部分と未記録部分との反射率
に関するコントラストが低くなり、記録さ れた情報
の再生が困難になる。ピリリウム系色素やシアニン系色
素は、塗布によるコーティングができるという利点を有
する反面、耐光性に劣り、再生光により劣化しやすいと
いう問題点がある。
本発明は、蒸着が容易で、有機溶媒への溶解性が高く、
近赤外線に高い吸収性を有し、保存安定性及び耐光性に
すぐれた近赤外吸収性化合物を提供するとともに、それ
を用いた高反射率、高コントラストを示し、保存安定性
及び再生光に対する安定性にすぐれた光情報記録媒体を
提供することを目的とする。
近赤外線に高い吸収性を有し、保存安定性及び耐光性に
すぐれた近赤外吸収性化合物を提供するとともに、それ
を用いた高反射率、高コントラストを示し、保存安定性
及び再生光に対する安定性にすぐれた光情報記録媒体を
提供することを目的とする。
本発明者らは前記目的を達成すべく種々研究を重ねた結
果、下記一般式(1)で表わされるスクアリリウム化合
物がこの目的に適合することを見出し、本発明を完成す
るに到った。
果、下記一般式(1)で表わされるスクアリリウム化合
物がこの目的に適合することを見出し、本発明を完成す
るに到った。
本発明によれば、下記一般式(1)で表わされるスクア
リリウム化合物が提供される。また、基板上に直接又は
下引き層を介して記録層を設けさらに必要に応じて保護
層を設けてなる光情報記録媒4一 体において、前記記録層中に下記一般式(1)で表わさ
れるスクアリリウム化合物を含有させたことを特徴とす
る光情報記#tIIL体が提供される。
リリウム化合物が提供される。また、基板上に直接又は
下引き層を介して記録層を設けさらに必要に応じて保護
層を設けてなる光情報記録媒4一 体において、前記記録層中に下記一般式(1)で表わさ
れるスクアリリウム化合物を含有させたことを特徴とす
る光情報記#tIIL体が提供される。
−/R”
(上記式中、RL、RRは、同一もしくは異って水素原
子、アルキル基、又は置換基を有するか有しないアリー
ル基、アラルキル基を示す。
子、アルキル基、又は置換基を有するか有しないアリー
ル基、アラルキル基を示す。
R2′は、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、
ニトロ基、又は水酸基を示し、nは0から4の整数を示
し、nが2から4の場合R3は同一もしくは異なっても
良い。
ニトロ基、又は水酸基を示し、nは0から4の整数を示
し、nが2から4の場合R3は同一もしくは異なっても
良い。
R4は、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、水
酸基、ニトロ基、シアノ基、トリフロは異なっても良い
。
酸基、ニトロ基、シアノ基、トリフロは異なっても良い
。
Rs及びR@は、同一もしくは異ってアルキル基を示す
。
。
87は、アルキル基、又は置換基を有するか有しないア
リール基、アラルキル基を示す。
リール基、アラルキル基を示す。
R”は、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、又
は置換基を有するか有しないアリール基、アラルキル基
を示し、qは0〜4の整数を示し、qが2〜4の場合R
sは同一もしくは異なってよく、又相隣る2つのn8が
相隣る母核の炭素と一体となって置換基を有するか有し
ない芳香族環を形成してもよい。
は置換基を有するか有しないアリール基、アラルキル基
を示し、qは0〜4の整数を示し、qが2〜4の場合R
sは同一もしくは異なってよく、又相隣る2つのn8が
相隣る母核の炭素と一体となって置換基を有するか有し
ない芳香族環を形成してもよい。
R9,R111は R1と同義である。)上記定義中、
アルキル基は炭素数1〜4のアルキル基を示し、メチル
基−エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基
、イソブチル基、See−ブチル基、tert−ブチル
基などが例示される。
アルキル基は炭素数1〜4のアルキル基を示し、メチル
基−エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基
、イソブチル基、See−ブチル基、tert−ブチル
基などが例示される。
アルコキシ基のアルキル部分は前記アルキル基と同義を
示し、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基などが例示される。
示し、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基などが例示される。
ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原
子などが例示される。
子などが例示される。
アリール基としては、フェニル基、ナフチル基などが例
示される。
示される。
アラルキル基としては、炭素数7〜10のアラルキル基
、例えばベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロ
ピル基などが例示される。
、例えばベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロ
ピル基などが例示される。
アリール基、アラルキル基の置換基としては−ハロゲン
原子、アルキル基、アルコキシ基が例示され、これらは
、R−R”におけるそれらと同義を示す。
原子、アルキル基、アルコキシ基が例示され、これらは
、R−R”におけるそれらと同義を示す。
芳香族環としては、ベンゼン環が例示される。
芳香族環の置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基
、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基が例示され
、これらは、R1〜naにおけるそれらと同義を示す。
、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基が例示され
、これらは、R1〜naにおけるそれらと同義を示す。
本発明のスクアリリウム化合物は、3,4−ジクロロ−
3−シクロブテン−1,2−ジオンと1.1−ジアリー
ルエチレン化合物を溶媒中で反応させたのち、溶媒を除
去し、次いで得られた残さを加水分解し、そフー の生成物とインドリンもしくはインドリウム化合物とを
要すればキルンの存在下溶媒中で加熱反応させることに
より製造することができる。反応は、次の式で表すこと
ができる。
3−シクロブテン−1,2−ジオンと1.1−ジアリー
ルエチレン化合物を溶媒中で反応させたのち、溶媒を除
去し、次いで得られた残さを加水分解し、そフー の生成物とインドリンもしくはインドリウム化合物とを
要すればキルンの存在下溶媒中で加熱反応させることに
より製造することができる。反応は、次の式で表すこと
ができる。
(II) (III) (mV
)反応式1u ! (■) (V) 十 偽情 炉 → 品? (R”)9 (VI−a) − /R″ (I) (■−b) 反応式(1)の反応は、化合物(IT)と等量の化合物
(III)とを、これらを溶解し反応を阻害しない溶媒
中で室温で反応させ、5−60分で完了する。
)反応式1u ! (■) (V) 十 偽情 炉 → 品? (R”)9 (VI−a) − /R″ (I) (■−b) 反応式(1)の反応は、化合物(IT)と等量の化合物
(III)とを、これらを溶解し反応を阻害しない溶媒
中で室温で反応させ、5−60分で完了する。
溶媒としてクロロホルム、ジクロロメタン、1゜2−ジ
クロロメタン、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン
、トルエン、ベンゼン、ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルスルホキシドなどが例示される。反応混合物から溶媒
を留去して化合物(IV)の粗生成物を得る。
クロロメタン、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン
、トルエン、ベンゼン、ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルスルホキシドなどが例示される。反応混合物から溶媒
を留去して化合物(IV)の粗生成物を得る。
反応式(2)の反応は、化合物(■)を50−90(w
t)%の酢酸水溶液中で、90〜110℃に加熱反応さ
せる。
t)%の酢酸水溶液中で、90〜110℃に加熱反応さ
せる。
反応は1〜20時間で完了する。溶媒を留去して化合物
(V)の粗生成物を得る。
(V)の粗生成物を得る。
反応式(3)の反応は、化合物(V)と等量のインドリ
ン(VI−b)もしくはインドリウム誘導体(VI−a
)−インドリウム誘導体を用いる場合は当量のキルン存
在下で、溶媒中90−100℃で行われ、1〜5時間で
完了する。
ン(VI−b)もしくはインドリウム誘導体(VI−a
)−インドリウム誘導体を用いる場合は当量のキルン存
在下で、溶媒中90−100℃で行われ、1〜5時間で
完了する。
溶媒としてC4〜C11のアルコール系溶媒のみ、もし
くはベンゼン又はトルエンとの混合溶媒(アルコール5
0体積で以上)が用いられる。
くはベンゼン又はトルエンとの混合溶媒(アルコール5
0体積で以上)が用いられる。
反応後、溶媒を留去し、残さをシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーで精製することにより、化合物(1)を単
離できる。
トグラフィーで精製することにより、化合物(1)を単
離できる。
次に、本発明のスクアリリウム化合物の具体例を第1表
に示す。
に示す。
なお、表中に示した符号は次の意義を有する。
また、置換基に付されている数値は置換基が結合してい
る母核の位置を示す。
る母核の位置を示す。
Me・・・メチル基
Et−・・エチル基
ph・−フェニル基
A・−・−CH=CH−CH=CH−
Bz・・・ベンジル基
1′I〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜11=I=
= =芸U芸是芸是叢選l是是川トレ芸芸是芸芸芸叢是
叢是叢芸這遭是11シI+!!H2芸是這lII是叢=
= =11−1−−一−−一〜〜〜〜〜−へ〜−−1
一 ! W 0 C)什−−−−
−−−一〜−〜〜〜〜〜1 トレ2Hn芸&芸芸這記芸芸逼川 トー2芸是LIκ22逼SIH是I 12一 本発明のスクアリリウム化合物は、光情報記録媒体の記
録材料として好適のものである。次に、光情報記録媒体
について詳述する。
= =芸U芸是芸是叢選l是是川トレ芸芸是芸芸芸叢是
叢是叢芸這遭是11シI+!!H2芸是這lII是叢=
= =11−1−−一−−一〜〜〜〜〜−へ〜−−1
一 ! W 0 C)什−−−−
−−−一〜−〜〜〜〜〜1 トレ2Hn芸&芸芸這記芸芸逼川 トー2芸是LIκ22逼SIH是I 12一 本発明のスクアリリウム化合物は、光情報記録媒体の記
録材料として好適のものである。次に、光情報記録媒体
について詳述する。
本発明の光情報記録媒体は、基本的には基板上に前記一
般式(1)で表わされる化合物を含有する記録層を設け
ることにより構成されるが、必要に応じて基板と記録層
との間に下引き層あるいは記録層の上に保護層を設ける
ことができる。また、このようにして構成された一対の
記録媒体を記録層を内側にして空間を介して密封したエ
アーサンドインチ構造にしてもよくあるいは保護層を介
して接着した密着サンドインチ(貼合せ構造)にしても
よい。
般式(1)で表わされる化合物を含有する記録層を設け
ることにより構成されるが、必要に応じて基板と記録層
との間に下引き層あるいは記録層の上に保護層を設ける
ことができる。また、このようにして構成された一対の
記録媒体を記録層を内側にして空間を介して密封したエ
アーサンドインチ構造にしてもよくあるいは保護層を介
して接着した密着サンドインチ(貼合せ構造)にしても
よい。
次に、本発明の光情報記録媒体を構成する材料および各
層の必要特性について具体的に説明する。
層の必要特性について具体的に説明する。
(1)基板
基板の必要特性としては基板側より記録再生を行う場合
のみ使用レーザー光に対して透明でなければならず、記
録層側から行う場合は透明である必要はない。基板材料
としては例えばポリエステル、アクリル樹脂、ポリアミ
ド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、
フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などの
プラスチックの他、ガラス、セラミックあるいは金属な
どを用いることができる。
のみ使用レーザー光に対して透明でなければならず、記
録層側から行う場合は透明である必要はない。基板材料
としては例えばポリエステル、アクリル樹脂、ポリアミ
ド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、
フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などの
プラスチックの他、ガラス、セラミックあるいは金属な
どを用いることができる。
なお、基板の表面にはアドレス信号などのプレフォーマ
ットや案内溝のプレグルーブが形成されていてもよい。
ットや案内溝のプレグルーブが形成されていてもよい。
(2)記録層
記録層はレーザー光の照射により何らかの光学的変化を
生じさせその変化により情報を記録できるもので、その
主成分が前記一般式(1)で表わされる化合物からなっ
ている。
生じさせその変化により情報を記録できるもので、その
主成分が前記一般式(1)で表わされる化合物からなっ
ている。
本発明で記録材料として好ましく用いられる化合物の具
体例としては、前記第1表において、&1−16で例示
した化合物を示すことができる。
体例としては、前記第1表において、&1−16で例示
した化合物を示すことができる。
本発明における記録層には、記録特性及び安定性向上の
ために、必要に応じ、他の染料、例えば、ポリメチン系
、フタロシアニン系、テトラヒドロコリン系、ジオキサ
ジン系、トリフェノチアジン系、フェナンスレン系、ア
ントラキノン(インダンスレン)系、シアニン(メロシ
アニン)系、クロコニウム系、キサンチン系、トリアリ
ールメタン系、ピリリウム系、インドフェノール系、ア
ズレン系等の染料や、金属又は金属化合物、例えば、I
n、Sn−Te−Bi−Afi、Se−Tag、、Sn
O,、As、 Cd等を分散含有させてもよく、また積
層してもよい。
ために、必要に応じ、他の染料、例えば、ポリメチン系
、フタロシアニン系、テトラヒドロコリン系、ジオキサ
ジン系、トリフェノチアジン系、フェナンスレン系、ア
ントラキノン(インダンスレン)系、シアニン(メロシ
アニン)系、クロコニウム系、キサンチン系、トリアリ
ールメタン系、ピリリウム系、インドフェノール系、ア
ズレン系等の染料や、金属又は金属化合物、例えば、I
n、Sn−Te−Bi−Afi、Se−Tag、、Sn
O,、As、 Cd等を分散含有させてもよく、また積
層してもよい。
また記録層には、高分子材料、あるいはスクアリリウム
化合物より長波長域に吸収能を有する有機化合物(アミ
ニウム、イモニウム、ジイモニウム系化合物等)又は無
機錯体化合物(ビスジチオジケトン系、ビスフェニルジ
チオール系錯体等)などの低分子化合物を混合分散させ
てもよい。さらに記録層には、その他、保存安定剤(金
属錯体、フェノール系化合物)、分散剤、、難燃剤、滑
剤、可塑剤等を含有させることができる。記録層の膜厚
は100人−10/II+ +好ましくは200人−2
声である。
化合物より長波長域に吸収能を有する有機化合物(アミ
ニウム、イモニウム、ジイモニウム系化合物等)又は無
機錯体化合物(ビスジチオジケトン系、ビスフェニルジ
チオール系錯体等)などの低分子化合物を混合分散させ
てもよい。さらに記録層には、その他、保存安定剤(金
属錯体、フェノール系化合物)、分散剤、、難燃剤、滑
剤、可塑剤等を含有させることができる。記録層の膜厚
は100人−10/II+ +好ましくは200人−2
声である。
記録層の形成方法としては、蒸着+ cvn法、スパッ
タ法の他、溶剤塗工法、例えば、浸漬コーティング、ス
プレーコーティング、スピナーコーテイング、ブレード
コーティング、ローラコーティング、カーテンコーティ
ング等を用いることができる。
タ法の他、溶剤塗工法、例えば、浸漬コーティング、ス
プレーコーティング、スピナーコーテイング、ブレード
コーティング、ローラコーティング、カーテンコーティ
ング等を用いることができる。
(3)下引き層
下引き層は、(a)接着性の向上、(b)水又はガスな
どのバリヤー、(c)記録層の保存安定性の向上及び(
d)反射率の向上、(e)溶剤からの基板の保護、(f
)プレグルーブの形成などを目的として使用される。(
a)の目的に対しては高分子材料例えばアイオノマー樹
脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天然樹脂、天然高
分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の高分子物質及
びシランカップリング剤などを用いることができる。(
b)及び(c)の目的に対しては上記高分子材料以外に
無機化合物、例えば、BIO,I−MgFt、SiO、
Tin、、ZnO、TiN、 SiNなど、金属または
半金属、例えば、Zn−Cu、 S、Ni−Cr、Ge
、 Se、 Au、Ag−1などを用いることができる
。
どのバリヤー、(c)記録層の保存安定性の向上及び(
d)反射率の向上、(e)溶剤からの基板の保護、(f
)プレグルーブの形成などを目的として使用される。(
a)の目的に対しては高分子材料例えばアイオノマー樹
脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天然樹脂、天然高
分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の高分子物質及
びシランカップリング剤などを用いることができる。(
b)及び(c)の目的に対しては上記高分子材料以外に
無機化合物、例えば、BIO,I−MgFt、SiO、
Tin、、ZnO、TiN、 SiNなど、金属または
半金属、例えば、Zn−Cu、 S、Ni−Cr、Ge
、 Se、 Au、Ag−1などを用いることができる
。
また、(d)の目的に対しては金属、例えば−1゜Ag
、 Te等や、金属光沢を有する有機薄膜、例えば、メ
チン系染料、キサンチン系染料等を用いること1フー 1ロー ができ、(e)及び(f)の目的に対しては、紫外線硬
化性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等を用いること
ができる6 (4)保護層 保護層は、(a)記録層をその傷、ホコリ、汚れ等から
保護する、(b)記録層の保存安定性の向上。
、 Te等や、金属光沢を有する有機薄膜、例えば、メ
チン系染料、キサンチン系染料等を用いること1フー 1ロー ができ、(e)及び(f)の目的に対しては、紫外線硬
化性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等を用いること
ができる6 (4)保護層 保護層は、(a)記録層をその傷、ホコリ、汚れ等から
保護する、(b)記録層の保存安定性の向上。
(c)反射率の向上等を目的として使用される。これら
の目的に対しては、前記下引き層に示した材料を用いる
ことができる。
の目的に対しては、前記下引き層に示した材料を用いる
ことができる。
本発明において、前記下引き層及び保護層には、記録層
の場合と同様に、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電
防止剤、界面活性剤、可塑剤等を含有させることができ
る。さらに、下引き層や保護層に対しても、本発明によ
る化合物を含有させることができる。
の場合と同様に、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電
防止剤、界面活性剤、可塑剤等を含有させることができ
る。さらに、下引き層や保護層に対しても、本発明によ
る化合物を含有させることができる。
本発明のスクアリリウム化合物は、蒸着が容易である上
、有機溶媒に対する溶解性も高く、塗布によりコーティ
ングが可能であり、高分子材料との相溶性にすぐれた保
存安定性の高い材料である。
、有機溶媒に対する溶解性も高く、塗布によりコーティ
ングが可能であり、高分子材料との相溶性にすぐれた保
存安定性の高い材料である。
本発明のスクアリリウム化合物を記録材料として用いる
ことにより、反射率及びコントラストが高く、保存安定
性及び再生に対する安定性にすぐれた高品質の光情報記
録媒体を得ることができる。
ことにより、反射率及びコントラストが高く、保存安定
性及び再生に対する安定性にすぐれた高品質の光情報記
録媒体を得ることができる。
次に本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本
発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
実施例1
3.4−ジクロロ−3−シクロブテン−1,2−ジオン
1−5gにジクロロメタン75+dlを加え、室温で、
1.1−ビスCP−ジメチルアミノフェニル)エチレン
2.7gを加えて撹拌する。1時間後に、反応混合物か
らロータリーエバポレーターによりジクロロメタンを留
去する。残さに、酢酸38mlと水10ml&を加え、
100℃のオイルバス上で加熱する。、1時間加熱後に
、ロータリーエバポレーターにより、酢酸及び水を留去
する。残さにn−ブタノール98d及び1,3.3−1
−リメチルー2−メチレンインドリン1.73gを加え
、100℃のオイルバス上で1時間加熱する。溶媒及び
生成した水を留去し、残さをカラムクロマトグラフィー
により精製し、1.6gの化合物1を得た。本化合物は
、21G−216℃の融点を示し、元素分析値(C34
H3s N:IO□として)は下記の通りであった。
1−5gにジクロロメタン75+dlを加え、室温で、
1.1−ビスCP−ジメチルアミノフェニル)エチレン
2.7gを加えて撹拌する。1時間後に、反応混合物か
らロータリーエバポレーターによりジクロロメタンを留
去する。残さに、酢酸38mlと水10ml&を加え、
100℃のオイルバス上で加熱する。、1時間加熱後に
、ロータリーエバポレーターにより、酢酸及び水を留去
する。残さにn−ブタノール98d及び1,3.3−1
−リメチルー2−メチレンインドリン1.73gを加え
、100℃のオイルバス上で1時間加熱する。溶媒及び
生成した水を留去し、残さをカラムクロマトグラフィー
により精製し、1.6gの化合物1を得た。本化合物は
、21G−216℃の融点を示し、元素分析値(C34
H3s N:IO□として)は下記の通りであった。
0% N% N%
計算値 78.89 ロー82 8.1
2実測値 78.70 6.80 8.2
0本化合物の分光特性チャート(λ■axニア21n■
、flogε:4.9.溶媒:CHC13)を第1図に
示す。
2実測値 78.70 6.80 8.2
0本化合物の分光特性チャート(λ■axニア21n■
、flogε:4.9.溶媒:CHC13)を第1図に
示す。
実施例2
実施例1と同様の操作を繰返して反応式1及び2の反応
を行わせ、得られた残さにn−ブタノール98d、トル
エン5071、ヨウ化1,1,2,3−テトラメチルベ
ンズ(、)インドリウム3.5g及びキルン1.3gを
加え、100℃のオイルバス上で、1時間加熱する。
を行わせ、得られた残さにn−ブタノール98d、トル
エン5071、ヨウ化1,1,2,3−テトラメチルベ
ンズ(、)インドリウム3.5g及びキルン1.3gを
加え、100℃のオイルバス上で、1時間加熱する。
冷却後、ロータリーエバポレーターにより濃縮した後、
カラムクロマトグラフィーにより精製し、1.6gの化
合物2を得た。本化合物は、177〜18.O℃の融点
を示す。
カラムクロマトグラフィーにより精製し、1.6gの化
合物2を得た。本化合物は、177〜18.O℃の融点
を示す。
元素分析値(C3,H−47N30.として)は下記の
通りであった。
通りであった。
0% N% N%
計算値 8G−396,577,40実測値
80−48 6.69 7.31本化合物の分
光特性チャート(λwaxニア32nm、log[:4
.9.溶媒:CHC1゜)を第2図に示す。
80−48 6.69 7.31本化合物の分
光特性チャート(λwaxニア32nm、log[:4
.9.溶媒:CHC1゜)を第2図に示す。
実施例3
実施例1において、1,3.3−トリメチル−2−メチ
レンインドリンの代わりに、3,3−ジメチル−2−メ
チレン−1−フェニルインドリン2.4gを用いた以外
は同様にして+ 1.8gの化合物3を得た。本化合物
は、245−250℃の融点を示す。
レンインドリンの代わりに、3,3−ジメチル−2−メ
チレン−1−フェニルインドリン2.4gを用いた以外
は同様にして+ 1.8gの化合物3を得た。本化合物
は、245−250℃の融点を示す。
元素分析値(C,,H3、N30□として)は下記の通
りであった。
りであった。
0% N% N%
計算値 8G−396,577,40実測値
80.48 ロー69 7.31本化合物の
分光特性チャート(λ■ax=140nm、川Ogi
:5−0.溶媒:CICI、l)を第3図に示す。この
図かられかるように、本化合物は近赤外部に大きな吸収
−にー を示す。
80.48 ロー69 7.31本化合物の
分光特性チャート(λ■ax=140nm、川Ogi
:5−0.溶媒:CICI、l)を第3図に示す。この
図かられかるように、本化合物は近赤外部に大きな吸収
−にー を示す。
実施例4
実施例2において+ 1.1−ビス(P−ジメチルアミ
ノフェニル)エチレンの代わりに+ 1−(p−ジメチ
ルアミノフェニル)−1−(p−メトキシフェニル)エ
チレン2.5gを用いた以外は同様にして、1.0gの
化合物4を得た。本化合物は、182〜185℃の融点
を示す。
ノフェニル)エチレンの代わりに+ 1−(p−ジメチ
ルアミノフェニル)−1−(p−メトキシフェニル)エ
チレン2.5gを用いた以外は同様にして、1.0gの
化合物4を得た。本化合物は、182〜185℃の融点
を示す。
元素分析値(C3□■34N203として)は下記の通
りであった。
りであった。
0% N% N%
計算値 8L12 6.18 5.05実
測値 ?9.95 6.32 5.24本
化合物の分光特性チャート(λwax:690rus、
10g1 :4.9、溶媒:r、H(,l、)を第4図
に示す。
測値 ?9.95 6.32 5.24本
化合物の分光特性チャート(λwax:690rus、
10g1 :4.9、溶媒:r、H(,l、)を第4図
に示す。
実施例5
実施例3において、1,1−ビス(p−ジメチルアミノ
フェニル)エチレンの代すりに、1− (p−ジメチル
アミノフェニル)−1−(p−メトキシフェニル)エチ
レン2.5gを用いた以外は同様にしてし1gの化合物
5を得た。本化合物は、195〜200℃の融点を示す
。
フェニル)エチレンの代すりに、1− (p−ジメチル
アミノフェニル)−1−(p−メトキシフェニル)エチ
レン2.5gを用いた以外は同様にしてし1gの化合物
5を得た。本化合物は、195〜200℃の融点を示す
。
元素分析値(C3,II34N、O□として)は下記の
通りであった。
通りであった。
0% N% N%
計算値 8g、54 6.05 4.94
実測値 8g、34 6.11 4−87
本化合物の分光特性チャート(λ■ax:698n■、
10gt :4.9、溶媒:CHC1,)を第5図に示
す。
実測値 8g、34 6.11 4−87
本化合物の分光特性チャート(λ■ax:698n■、
10gt :4.9、溶媒:CHC1,)を第5図に示
す。
実施例6
実施例1において、1.1−ビス(p−ジメチルアミノ
フェニル)エチレンの代わりに、1− (p−ジメチル
アミノフェニル)−1−フェニルエチレン2.2gを用
いた以外は同様にして、1gの化合物14を得た。本化
合物は、148〜15L5℃(分解)の融点を示す。
フェニル)エチレンの代わりに、1− (p−ジメチル
アミノフェニル)−1−フェニルエチレン2.2gを用
いた以外は同様にして、1gの化合物14を得た。本化
合物は、148〜15L5℃(分解)の融点を示す。
元素分析値は(C3□■3゜N、0□として)は下記の
通りであった。
通りであった。
0% N% N%
計算値 8g、98 6.37 5−90実測値 8g
−706,555,79 本化合物の分光特性チャート(λwax:670nm、
]−ogε:4−9.溶媒:CHC1゜)を第6図に示
す。
−706,555,79 本化合物の分光特性チャート(λwax:670nm、
]−ogε:4−9.溶媒:CHC1゜)を第6図に示
す。
実施例7
実施例1において、1,1−ビス(P−ジメチルアミノ
フェニル)エチレンの代わりに+ 1−(p−ジメチル
アミノフェニル)−1−(p−メチルフェニル)エチレ
ン2.4gを用いた以外は同様にして、1.2gの化合
物15を得た。本化合物は、155−5〜157.0℃
(分解)の融点を示す。
フェニル)エチレンの代わりに+ 1−(p−ジメチル
アミノフェニル)−1−(p−メチルフェニル)エチレ
ン2.4gを用いた以外は同様にして、1.2gの化合
物15を得た。本化合物は、155−5〜157.0℃
(分解)の融点を示す。
元素分析値は(C3aH3□N20□として)は下記の
通りであった。
通りであった。
0% N% N%
計算値 81.12 6.60 5−73実測値
81.41 6.37 5.55本化合物の分
光特性チャート(λwax:674nm、logε:4
.9、溶媒:CHC13)を第7図に示す。
81.41 6.37 5.55本化合物の分
光特性チャート(λwax:674nm、logε:4
.9、溶媒:CHC13)を第7図に示す。
実施例8
実施例1において、l、1−ビス(p−ジメチルアミノ
フェニル)エチレンの代わりに、1− (p−ジメチル
アミノフェニル)−1−(p−クロロフェニル)エチレ
ン2.6gを用いた以外は同様にして、0.6gの化合
物16を得た。本化合物は、156.0〜159.0℃
(分解)の融23一 点を示す。
フェニル)エチレンの代わりに、1− (p−ジメチル
アミノフェニル)−1−(p−クロロフェニル)エチレ
ン2.6gを用いた以外は同様にして、0.6gの化合
物16を得た。本化合物は、156.0〜159.0℃
(分解)の融23一 点を示す。
元素分析値は(C3□H2gCIIN、O□として)は
下記の通りであった。
下記の通りであった。
0% N% N%
計算値 75−50 5.74 5.50実測値
75.46 5.48 5.32本化合物の分
光特性チャート(λwax:670nm、logt :
4.8、溶媒:CHC13)を第8図に示す。
75.46 5.48 5.32本化合物の分
光特性チャート(λwax:670nm、logt :
4.8、溶媒:CHC13)を第8図に示す。
応用例1
厚さ1.2mm、直径130mのポリメチルメタクリレ
ート(PMMA)円板上に、ピッチ1.6ミ、深さ20
00人、半値幅0.4.のらせん状の案内溝を、そのP
MNA板上に形成した厚さ50声のアクリル系フォトポ
リマーを介して形成し、この基板上に、記録材料として
前記Nl12の化合物を0−8wt%含む1,2−ジク
ロルエタン溶液をスピナー塗布し、乾燥し、膜厚約80
0人の記録層を設けて記録媒体とした。
ート(PMMA)円板上に、ピッチ1.6ミ、深さ20
00人、半値幅0.4.のらせん状の案内溝を、そのP
MNA板上に形成した厚さ50声のアクリル系フォトポ
リマーを介して形成し、この基板上に、記録材料として
前記Nl12の化合物を0−8wt%含む1,2−ジク
ロルエタン溶液をスピナー塗布し、乾燥し、膜厚約80
0人の記録層を設けて記録媒体とした。
この記録媒体の平滑部の基板を通して見た平行光での分
光特性チャートを第9図に示す。この図から、この記録
媒体は、現在光ディスクに使用さーフ謔− れでいる半導体レーザーの波長域(78G−830nm
)に対して高い反射率を示すことがわかる。
光特性チャートを第9図に示す。この図から、この記録
媒体は、現在光ディスクに使用さーフ謔− れでいる半導体レーザーの波長域(78G−830nm
)に対して高い反射率を示すことがわかる。
次に、前記記録媒体の記録特性を調べるために、ビーム
径1.64、波長790nmの半導体レーザーを用い、
記録周波数1、25MHz、線速度2−1117sec
−記録パワー3m+Vの条件下で、前記記録媒体の基板
面からの書込み、同じ半導体レーザーを用いて0.2m
V/dの光強度の再生光による反射光を検知し、スペク
トル解析(スキャニングフィルター30kHz) シ、
C/N比(初期値)を測定した。また、前記半導体レー
ザーを用い、集光での案内溝間のランド部の反射率(初
期値)も測定した。その結果を後記第2表に示す。
径1.64、波長790nmの半導体レーザーを用い、
記録周波数1、25MHz、線速度2−1117sec
−記録パワー3m+Vの条件下で、前記記録媒体の基板
面からの書込み、同じ半導体レーザーを用いて0.2m
V/dの光強度の再生光による反射光を検知し、スペク
トル解析(スキャニングフィルター30kHz) シ、
C/N比(初期値)を測定した。また、前記半導体レー
ザーを用い、集光での案内溝間のランド部の反射率(初
期値)も測定した。その結果を後記第2表に示す。
さらに、前記記録媒体の再生光に対する安定性評価を行
うために、再生劣化加速試験として、80000ルック
スのタングステン照射光下に10時間放 −置後、その
反射率及びC/N比を前記と同様にして測定した。その
結果を第2表に示す。
うために、再生劣化加速試験として、80000ルック
スのタングステン照射光下に10時間放 −置後、その
反射率及びC/N比を前記と同様にして測定した。その
結果を第2表に示す。
さらにまた、前記記録媒体の保存安定性を評価するため
に、保存安定性加速試験として、記録媒−九一 体を60℃、相対湿度90%の条件下に2000時間放
置した後、そり反射率及びC/N比を前記と同様にして
測定した。その結果を第2表に示す。
に、保存安定性加速試験として、記録媒−九一 体を60℃、相対湿度90%の条件下に2000時間放
置した後、そり反射率及びC/N比を前記と同様にして
測定した。その結果を第2表に示す。
応用例2
前記N[llの化合物を用いて応用例1と同様にして記
録媒体を得た。この記録媒体について、その分光特性チ
ャートを第10図に示すとともに、その記録特性を応用
例1と同様に測定した。その結果を第2表に示す。
録媒体を得た。この記録媒体について、その分光特性チ
ャートを第10図に示すとともに、その記録特性を応用
例1と同様に測定した。その結果を第2表に示す。
応用例3,4
応用例1と同様にして、前記NalO,11の化合物を
それぞれ用いて応用例3.4に対応する記録媒体を得た
。これらの記録媒体について、その記録特性を応用例I
と同様に測定した。その結果を第2表に示す。
それぞれ用いて応用例3.4に対応する記録媒体を得た
。これらの記録媒体について、その記録特性を応用例I
と同様に測定した。その結果を第2表に示す。
応用例5
応用例1と同様の溝形状を転写し得るスタンパーを用い
て得た厚さ1.2m、直径130■の射出成形ポリカー
ボネート円板上に、前記Nα3の化合物を1重量2含む
メタノール/1.2−ジクロルエタンlブタノール(混
合重量比−8/210.5)混合溶液をスピナー塗布し
、記録媒体を得た。
て得た厚さ1.2m、直径130■の射出成形ポリカー
ボネート円板上に、前記Nα3の化合物を1重量2含む
メタノール/1.2−ジクロルエタンlブタノール(混
合重量比−8/210.5)混合溶液をスピナー塗布し
、記録媒体を得た。
この記録媒体について、その分光特性チャートを第11
図に示すとともに、その記録特性を応用例1と同様に測
定した。その結果を第2表に示す。
図に示すとともに、その記録特性を応用例1と同様に測
定した。その結果を第2表に示す。
応用例6,7.8
応用例5において、前記N114.5及び8の化合物を
それぞれ用いた以外は同様にしてそれぞれ応用例6.7
及び8に対応する記録媒体を得た。
それぞれ用いた以外は同様にしてそれぞれ応用例6.7
及び8に対応する記録媒体を得た。
これらの記録媒体について、その記録特性を応用例1と
同様に測定した。その結果を第2表に示す。
同様に測定した。その結果を第2表に示す。
応用例9
応用例2において、記録材料として前記&1の化合物と
下記式で表わされる化合物の混合物(重量比=1/1)
を用いた以外は同様にして記録媒体を得た。また、この
記録媒体について、その記録特性を応用例1と同様に測
定した。その結果を第2表に示す。
下記式で表わされる化合物の混合物(重量比=1/1)
を用いた以外は同様にして記録媒体を得た。また、この
記録媒体について、その記録特性を応用例1と同様に測
定した。その結果を第2表に示す。
2フー
応用例1O
応用例1において、記録材料として、前記&2の化合物
を下記式で表わされる化合物との混合物(重量比=85
715)として用いた以外は同様にして記録媒体を得た
。また。この記録媒体について、応用例1と同様にその
記録特性を測定した。その結果を第2表に示す。
を下記式で表わされる化合物との混合物(重量比=85
715)として用いた以外は同様にして記録媒体を得た
。また。この記録媒体について、応用例1と同様にその
記録特性を測定した。その結果を第2表に示す。
応用例11
応用例1において、記録材料として、前記翫2の化合物
を下記式で表わされる化合物との混合物(重量比=85
715)として用いた以外は同様にして記録媒体を得た
。また。この記録媒体について、応用例1と同様にその
記録特性を測定した。その結n− 果を第2表に示す。
を下記式で表わされる化合物との混合物(重量比=85
715)として用いた以外は同様にして記録媒体を得た
。また。この記録媒体について、応用例1と同様にその
記録特性を測定した。その結n− 果を第2表に示す。
((Bu)、%ll(Il(Bu)謔機応用例12
応用例5に示した基板上にコルコートN 103X(コ
ルコート■H)の25%ブタノール溶液を塗布し、60
℃で2時間乾燥して形成した基板を用いた以外は同様に
して記録媒体を得た。この記録媒体について、その記録
特性を応用例1と同様に測定した。
ルコート■H)の25%ブタノール溶液を塗布し、60
℃で2時間乾燥して形成した基板を用いた以外は同様に
して記録媒体を得た。この記録媒体について、その記録
特性を応用例1と同様に測定した。
その結果を第2表に示す。
応用例13
応用例1と同様にして得た記録媒体上に、1G−″トー
ル(Torr)下で金蒸着(厚さ100人)して記録媒
体を得た。この記録媒体について、その記録特性を応用
例1と同様に測定した。その結果を第2表に示す。
ル(Torr)下で金蒸着(厚さ100人)して記録媒
体を得た。この記録媒体について、その記録特性を応用
例1と同様に測定した。その結果を第2表に示す。
応用例14
応用例5に示した基板に、10−Torr下でテルルを
蒸着しく厚さ150人)、その上に応用例5と同様にし
て記録層を設け、記録媒体を得た。この記録媒−園一 体について、その記録特性を応用例と同様に測定した。
蒸着しく厚さ150人)、その上に応用例5と同様にし
て記録層を設け、記録媒体を得た。この記録媒−園一 体について、その記録特性を応用例と同様に測定した。
その結果を第2表に示す。
比較例1〜3
応用例1において、記録材料として、下記式で表わされ
る化合物(a)、(b)、(e)をそれぞれ用いた以外
は同様にして、それぞれ比較例1〜3に対応する記録媒
体を得た。これらの記録媒体について−その記録特性を
応用例1と同様にして測定した。
る化合物(a)、(b)、(e)をそれぞれ用いた以外
は同様にして、それぞれ比較例1〜3に対応する記録媒
体を得た。これらの記録媒体について−その記録特性を
応用例1と同様にして測定した。
その結果を第2表に示す。
帆 eo。
郎 、h
第2表
II 21 23 1551 20 1531
19.515311 JF 31 25 1551
19.5151 21.515311 1 41
28 1561 18.51501 23 15311
# 51 26 1551 17.51501
18 15011 # 61 27 1561 1
4 1451 17 14911 # 71 20
1551 13 1441 17.515011
# 81 28 1551 20−51521 24
15411 M 91 23 1561 19
1501 19 +5211 JFIOl 23
1561 21 1521 19 15111 #
111 22 154 2.51521 18.51
511″1 #121 31 1571 23 15
21 24 15411 #131 35 1501
29 1481 29 14911 #141 3
g +491 36 1481 34 14411
# 21 18 1541 フ 1# I
15 +431
19.515311 JF 31 25 1551
19.5151 21.515311 1 41
28 1561 18.51501 23 15311
# 51 26 1551 17.51501
18 15011 # 61 27 1561 1
4 1451 17 14911 # 71 20
1551 13 1441 17.515011
# 81 28 1551 20−51521 24
15411 M 91 23 1561 19
1501 19 +5211 JFIOl 23
1561 21 1521 19 15111 #
111 22 154 2.51521 18.51
511″1 #121 31 1571 23 15
21 24 15411 #131 35 1501
29 1481 29 14911 #141 3
g +491 36 1481 34 14411
# 21 18 1541 フ 1# I
15 +431
第1図一第8図は、それぞれ実施例1〜8で得たNal
〜&5及び&14〜Nn16の化合物の分光特性チャー
トである。 第9図一第11図は、応用例1,2.5で得た記録媒体
の分光特性チャートである。 特許出願人 株式会社 り コ ー(ほか1名) −羽一 ゾ躯嶌 ″11゜ −\ I、謙 S2 \ 〔 」9 トー (1゜ ノー。 / I
−+O 1]二 [F] (\
〜&5及び&14〜Nn16の化合物の分光特性チャー
トである。 第9図一第11図は、応用例1,2.5で得た記録媒体
の分光特性チャートである。 特許出願人 株式会社 り コ ー(ほか1名) −羽一 ゾ躯嶌 ″11゜ −\ I、謙 S2 \ 〔 」9 トー (1゜ ノー。 / I
−+O 1]二 [F] (\
Claims (2)
- (1)一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (上記式中、R^1、R^2は、同一もしくは異って水
素原子、アルキル基、又は置換基を有するか有しないア
リール基、アラルキル基を示す。 R^3は、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、
ニトロ基、又は水酸基を示し、nは0から4の整数を示
し、nが2から4の場合R^3は同一もしくは異なって
も良い。 R^4は、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、
水酸基、ニトロ基、シアノ基、トリフロロメチル基、又
は▲数式、化学式、表等があります▼を表し、pは0か
ら5の整数を示し、pが2から5の場合R^4は同一も
しくは異なっても良い。 R^5及びR^6は、同一もしくは異ってアルキル基を
示す。 R^7は、アルキル基、又は置換基を有するか有しない
アリール基、アラルキル基を示す。 R^8は、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、
又は置換基を有するか有しないアリール基、アラルキル
基を示し、qは0〜4の整数を示し、qが2〜4の場合
R^8は同一もしくは異なってよく、又相隣る2つのR
^8が相隣る母核の炭素と一体となって置換基を有する
か有しない芳香族環を形成してもよい。 R^9、R^1^0は、R^1と同義である。)で表わ
されるスクアリリウム化合物。 - (2)基板上に直接又は下引き層を介して記録層を設け
さらに必要に応じて保護層を設けてなる光情報記録媒体
において、前記記録層中に請求項1のスクアリリウム化
合物を含有させたことを特徴とする光情報記録媒体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17963189 | 1989-07-12 | ||
JP1-179631 | 1989-12-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03149263A true JPH03149263A (ja) | 1991-06-25 |
JP2869454B2 JP2869454B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=16069144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2173721A Expired - Fee Related JP2869454B2 (ja) | 1989-07-12 | 1990-06-29 | スクアリリウム系化合物及びそれを用いた光情報記録媒体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0408014B1 (ja) |
JP (1) | JP2869454B2 (ja) |
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Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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DE69332687T2 (de) * | 1992-07-13 | 2004-01-15 | Kyowa Hakko Kogyo Kk | Photopolymerisierbare zusammensetzung |
US5756258A (en) * | 1992-07-13 | 1998-05-26 | Kyowa Hakko Co., Ltd. | Photopolymerizable composition containing an addition polymerizable compound, a radical-producing agent and a squarylium compound |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US4921780A (en) * | 1987-06-12 | 1990-05-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical recording medium |
DE3888759T2 (de) * | 1987-07-28 | 1994-07-28 | Canon Kk | Infrarot-absorbierende Verbindung und diese Verbindung verwendendes optisches Aufzeichnungsmedium. |
-
1990
- 1990-06-29 JP JP2173721A patent/JP2869454B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1990-07-11 EP EP90113288A patent/EP0408014B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-11 DE DE69014452T patent/DE69014452T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69014452T2 (de) | 1995-07-20 |
EP0408014A1 (en) | 1991-01-16 |
EP0408014B1 (en) | 1994-11-30 |
DE69014452D1 (de) | 1995-01-12 |
JP2869454B2 (ja) | 1999-03-10 |
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