JPH03148471A - 半導体または半導体部品の保存方法 - Google Patents
半導体または半導体部品の保存方法Info
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- JPH03148471A JPH03148471A JP1273727A JP27372789A JPH03148471A JP H03148471 A JPH03148471 A JP H03148471A JP 1273727 A JP1273727 A JP 1273727A JP 27372789 A JP27372789 A JP 27372789A JP H03148471 A JPH03148471 A JP H03148471A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体または半導体部品を輸送または保管する
際の保存方法右よび包装品に関する発明である。 〔従来の技術とその問題点〕 半導体は、銅合金または鉄・ニッケル合金の薄板に銀ま
たは金をメッキして形成されたリードフレームにＩＣチ
ップを接着剤で接着し、さらにＩＣチップとリードフレ
ームとの間を金糸で配線機全体を樹脂で封止して製造さ
れている。 しかしリードフレームは空気に暴露されると合金表面が
錆び、銀または金のメッキができない、プリント基板へ
のハンダ接着性が低下する等の問題が生じていた。また
、ＩＣチップには配線素材としてアルミニウムが使用さ
れており、接着剤または封止剤から揮散する酸性ガス、
ハロゲン化金属等、雰囲気からの水分、酸素等によりア
ルミニウムが錆び、断線等の原因となっていた。 これらの鯖発生を防止する方法として、従来から次の方
法が知られている。 （１）保存期間の短縮による方法二半導体の生産にふい
て、各工程は各々異なった場所で分担して行われること
が多いが、各場所間の輸送と倉庫での保管の期間を短期
間に抑える。しかし、この方法は計画生産ができないた
めに過剰な設備と人員配置を抱えなければならなかった
。また半導体装置品を海外で生産する場合は輸送に時間
を要し、保存期間の短縮には自ずから限界があった。 ０）接着剤、封止剤の選択による方法：接着剤、封止剤
として使用されているエポキシ樹脂またはシリコン樹脂
等から揮散してくる有機酸、ハロゲン化合物等の量を減
少させる為に材料の選定や加工条件の調整がなされてき
た。しかし、この場合は非常に微妙な晶質管理が必要で
あり、安定した製品の供給は至難のことであった。 （３）ガス置換による方法：特開平１−１３９３７０号
公報では窒素ガスで容器内の空気と置換する方法が提案
されている。しかしこの方法も、■窒素ガス置換に特別
の装置が必要である、■容器内を効率よく窒素ガス置換
することは難しく、大量の窒素ガスを用いても、結局目
的の達成は困難である、等の問題を有していた。 （４）窒素ガス置換と乾燥剤を併用する方法：特開平１
−１３９３８０号公報では窒素ガス置換と乾燥剤を併用
する方法が提案されている。しかしこの方法も、前記の
（３）の場合と同様の問題を有していた。 上記のように、従来の技術ではいずれも半導体または半
導体部品の防錆を達成することができず、安定した半導
体または半導体部品の供給は不可能であった。 〔発明が解決しようとする課題〕 本発明の課題は、上述した従来の技術における問題点に
鑑み、半導体または半導体部品を輸送、流通、保管時に
錆びることなく保存することである。 〔課題を解決するための手段〕 前記の課題を解決するための手段は、半導体または半導
体部品を、不飽和脂肪酸化合物を主剤とする組成物が通
気性包装材料に包装されてなる包装体とともに、ガスバ
リアー性の容器に密封することである。 なお、前記の解決手段にふいて、不飽和脂肪酸化合物と
しては、たとえば不飽和脂肪酸、または不飽和脂肪酸エ
ステル、不飽和脂肪酸塩等の不飽和脂肪酸誘導体などが
挙げられ、炭素数が１０以上の不飽和脂肪酸またはその
誘導体が好ましく用いられ、不飽和脂肪酸の遷移金属塩
が特に好ましい。ここでいう不飽和脂肪酸化合物は純品
である必要はなく、混合物であってもよいし、前記不飽
和脂肪酸化合物を含む物質であってもよい。 不飽和脂肪酸を主剤とする組成物には塩基性物質または
吸着物質が、必要に応じて副剤としてより好ましくは併
用して用いられる。この場合に右いて、塩基性物質は、
水に溶解しであるいは作用して塩基性を呈する物質であ
り、たとえばアルカリ金属またはアルカリ土類金属の酸
化物、水酸化物、炭酸塩、有機酸塩等、またはアミン化
合物類等が挙げられ、これらの中でアルカリ土類金属の
酸化物、水酸化物、炭酸塩、有機酸塩が好ましく、アル
カリ土類金属の酸化物、水酸化物、炭酸塩等が特に好ま
しい。吸着物質としては、たとえばシリカゲル、活性炭
、ゼオライト、活性白土等が挙げられる。前記組成物に
おける不飽和脂肪酸化合物と塩基性物質と吸着物質との
割合は、不飽和脂肪酸化合物１００重量部に対して、塩
基性物質０．１〜１．０００重量部、吸着物質５０〜２
．０００重量部とするのが好ましく、不飽和脂肪酸化合
物１００重量部に対して塩基性物質１〜５００重量部、
吸着物質１００〜ｌ、 ０００重量部とするのが特に好
ましい。組成物の形状は、顆粒状、錠剤状、シート状で
特に限定されない。組成物には上記以外の他成分を加え
てもよい。 この組成物を包装する通気性包装材料としては、酸素透
過度が１．０００ＷＩｌ／ゴ・ａｔ＋＋ｒｄａｙ以上の
フイ）ｋｌｈまたはシートが好ましく、例えば紙または
不織布と有孔プラスチックフィルムとを積層したシート
でガーレ一式透気度が１００．０００秒以下のものが挙
げられる。包装体の形成方法としては、たとえば、前記
組成物を通気性包装材料に内部に装填して周縁をヒート
シールで接着する方法が挙げられる。 包装体の形状、形態は特に限定されないが、パウチ状、
シート状、ブリスタ一等が挙げられる。 ガスバリアー性の容器としては、ガスバリヤ−性包材を
用いた一般に袋といわれるものも包含される。容器とし
ては、酸素透過速度が容積１００ｍ１当たり１０ｍｊ！
／ｄａｙ以下のものが好ましく、５ ｗＩｌ／ｄａｙ以
下のものが特に好ましい。また、透湿速度は容積１００
５１１当たりＩＱｇ／ｄａｙ以下のものが好ましく、５
ｇ／ｄａｙｄａｙ以下のものが特に好ましい。容器の
材質としては、プラスチックまたは金属等が好ましい。 たとえば、鉄、ブリキ、ステンレス、アルミニウム等か
らなる金属缶類、ナイロン等のポリアミド、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエチレン
テレフタレート等のポリエステル、アルミニウム、塩化
ビニリデン、塩ビニルなどの単層または複合フィルムか
ら形成された袋類−ポリアミド、ポリオレフィン、ポリ
エステル、塩化ビニル、ポリスチレン、ポリカーボネー
トなどから形成されたプラスチックケース類などが挙げ
られる。袋類の場合、密封のために内面熱接着性の材料
が好ましい。 容器には前記包装体を収納する収納部を設けてもよい。 この場合の収納部を形成する材料としては、酸素透過度
が１０ｈｄ！／ゴ・ａｔｍ・ｄａｙ以上のフィルム、ま
たはガーレ一式透気度がｉｏｏ、 ｏｏｏ秒／１００−
以下のマイクロポーラスフィルム、紙、不織布等を基材
としてこれに有孔フィルム等を積層したもの、酸素透過
度が１００１１１７！／ｍａｔｎ−ｄａｙ以上のフィル
ムと有孔フィルムとをガーレ一式透気度が１ｏｏ、 ｏ
ｏｏ秒／１００１ＩＩｌ以下の基材の両面に貼り合わせ
たものなどを用いることができ、半導体または半導体部
品と前記包装体とを隔離することが可能である。また、
半導体または半導体部品を紙、通気性プラスチックフィ
ルム等に包んで包装体との直接接触を避けてもよい。半
導体または半導体部品か包装体のいずれかを容器に固定
ないし固着して直接接触を避けることも可能である。 容器に半導体または半導体部品と包装体とを収容し密閉
ないし密封する場合、容器内の空気を予め窒素ガス等と
置換してもよい。また、容器内を予め減圧した後密封な
いし密閉してもよい。 半導体部品としては、リードフレーム、ＩＣチップ等が
挙げられる。リードフレームはＩＣチップと接着するも
のであり、成形された銅合金の表面を研磨（物理研磨右
よび化学研磨）したものであり、さらに銀または金メッ
キを施したものが挙げられる。ＩＣチップはシリコン基
板上に回路が作られ、配線素材として蒸着アルミニウム
が装着されたもの等である。 半導体としては、前記リードフレームにエポキシ樹脂な
どの接着剤を塗布し、ＩＣチップを接着後、金糸でリー
ドフレームとＩＣチップ間を配線し、シリコン樹脂エポ
キシ樹脂等で封止し成形したものが例示される。この場
合の接着剤としてはアミン系硬化剤、エポキシ系樹脂等
が挙げられる。 たとえば、パースアミド−４，４−ジアミノジフェニル
スルホン、メタ−フェニレンジアミン、ジメチルアミノ
メニルアミン、トリメチルアミン、トリメチレンテトラ
アミン、エチレンジアミン等が挙げられる。これらの硬
イε剤とビスフェノールＡ化合物等と反応させ、硬化さ
せることにより接着される。この際の反応の条件は温度
１０〜１００℃、湿度９０ＲＨ％以下、好ましくは温度
２０〜８０℃、湿度７０ＲＨ％以下である。 − ここで前記の解決手段における包装・保存方法として、
リードフレームに接着剤を塗布し、ＩＣチップを装着せ
しめ、上記の反応条件で保存して接着剤を固め接着し、
これをガスバリヤ−性の容器に防錆剤とともに入れて包
装し、保存する方法が挙げられる。更に好ましい方法と
して、リードフレームに接着剤を塗布しＩＣチップを装
着せしめ、これを防錆剤とともにガスバリヤ−性の容器
に入れて包装し、上記の反応条件で保存して接着剤を固
め接着するとともに接着リードフレームを保存する方法
が挙げられる。この方法は簡単に上記の接着条件が得ら
れかつ容易にそのままの形態で効率良く鯖の発生を抑制
して保存でき好ましい。 その上、接着剤から揮散して（るハロゲン化合物、酸性
物質等、雰囲気から浸透して（ろ水分、酸素、酸性ガス
等によるリードフレームとＩＣチップ等の錆発生を抑制
できる。 さらに、このＩＣチップ接着リードフレームは半導体製
造工程で、ワイヤー（金糸）でリードフレームとＩＣチ
ップ間を配線され、封止される。 これに用いられる封止剤は、シリコン系樹脂、工ポヰシ
系樹脂に無機フィラーを添加したものである。樹脂とし
てはシリコン樹脂、エポキシ／ノボラック系樹脂、エポ
キシ／酸無水物系樹脂等が挙げられ、好ましくはシリコ
ン樹脂、エポキシ／酸無水物系樹脂等が挙げられる。無
機フィラーはＳｉ０２化合物などである。封止は硬化剤
（アミン類、酸無水物等）とビスフェノールＡ１無機フ
ィラーの混合物とシリコンモノマ一等のモノマー、触媒
、無機フィラーの混合物とをＩＣチップの上で反応、硬
化させ、封止が行われる。この反応の条件は温度５０〜
２５０℃、湿度９０ＲＨ％以下、好ましくは温度７０〜
２００℃湿度７０ＲＨ％以下である。 ここで前記の解決手段における包装・保存方法として、
封止剤を装着した後容器に入れて上記の反応条件で保存
し、封止を行ったのち、防錆剤とともにガスバリヤ−性
の容器に包装し保存する方法、および封止剤を装着した
後防錆剤とともにガスバリヤ−性容器に密封し、上記の
反応条件で封止を行いつつ保存する方法が挙げられる。 好ましくは後者である。 〔作用〕 前記の解決手段は以下のように作用する。 不飽和脂肪酸を主剤とする防錆剤は半導体および半導体
部品中の接着剤、封止剤等から揮散して（る酸性物資、
アミン化合物、ハロゲン化合物、保存容器内の酸素、水
分、保存容器の外から透過してくる酸性ガス、水分、酸
素等を吸収することが可能であり、半導体もしくは半導
体部品、たとえばリードフレームの銅合金表面、銀メッ
キの錆の抑制、ＩＣチップの配線素材であるアルミニウ
ムの錯交生を抑制しうる。 〔実施例〕 参考例ｌ 大豆油脂肪酸鉄１ｇ、消石灰０．２ｇ、粉末活性炭１、
５ｇをカッターミキサーで混合し、２５℃にてｌＯ分間
静置すると塊状になった。この塊を粉砕して顆粒状組成
物を得た。この組成物２．７ｇとシリカゲル２．５ｇを
別々に秤量し、通気性包装材料（紙／開孔ポリエチレン
）の小袋（サイズ： ５ Ｘ７．５ ｅｌｌ）に充填
した後、小袋の周囲をヒートシールして、防錆剤を製造
した。この防錆剤を各種のガスを含んだ空気２５０ｄを
ＫＯＮ （ポリ塩化ビニリデンコートナイロン）／ＰＥ
（ポリエチレン）製の袋（す イズ： １５Ｘ２４ｃ
ｍ）に封入した。これを３５℃、ＲＨ８０％の雰囲気下
に保存し、袋内の各ガス濃度の１１含有ガス１スター）
１ １日目１１４日目１３０日目１ド１酢酸 １１９
５ ｐｐｍ ｌ≦１ｐｐｍ ｌ≦ｌｐｐｍ ｌ≦ｌ
ｐｐｍ １１１硫化水素 ２１０ ｐｐｍ ｌ≦ｌｐ
ｐｍｊ≦ｌｐｐｍ ｌ≦１ｐｐａ＋ １１ １
塩化Ｊｆ＆ ｌ ２２５ ｐｐｆｆｌ Ｉ
≦ ＩＰＰＩＩＩ ｌ ≦ ｔｐｐｍ −１
≦ ｌｐｐｍ １１ １ナフチルフミｔ ｊ
１８９ ｐｐｍ ｊ ≦ ｌｐｐｍｊ ≦
ｉｐｐｍ ｌ ≦ ｔｐｐｍ ｌド１硫化
水素ｌ １９７ｐｐｍｌ ３ｐｐｍｌ≦ｌｐｐａ＋ｊ
≦ｌｐｐｍ ｊｌ １塩化メチル ｌ ２１
５ｐｐｍｌ １２９ｐｐｍｌ ３ｐｐａＩ
ｌ ２ｐｐｍ １１ １ナフチルフミン
ｌ ２０？ｐｐｍｌ １０４ｐｐｍｌ ７
ｐｐｍ ｌ ６ｐｐｍ １経時変化を測
定した。結果を第１表に示す。 比較参考例１ 組成物がシリカゲル２．５ｇである以外は実施例１と同
じ方法で乾燥剤を製造した。実施例１における防錆剤の
代わりにこの乾燥剤を用いた以外は参考例１と同じ試験
を実施した。結果を第１表に示す。 実施例１ 銅合金薄板（厚み０．０２７ｍ、幅６２■、長１６０
ｇｉＩＩ）をプレスで打ち抜き、硫酸と過酸化水素の水
溶液で表面をエッチフグした。このリードフレームのＩ
Ｃチップ接着部に金を装着せしめ、これを５０枚毎に３
東に東ね、ポリプロピレンフィルムに（るんだ後、ポリ
プロピレン製のケース（幅？ＯＸ長２００Ｘ高５０■）
に参考例１で製造した防錆剤とともに封入し、ＫＯＮ／
ＰＥの袋（サイズ１７０Ｘ３００■）に密封した。この
リードフレームを密封包装したものを２５℃、ＲＨ５０
％の雰囲気下で１日間保存し、袋内の酸素濃度が０．０
１％以下になっているのを確認後、３５℃、ＲＨ９５％
の雰囲気下で保存した。保存後のリードフレームの銅合
金表面を観察した。その結果を第２表に示す。 比較例１ 参考例１の防錆剤の代わりに比較例参考例１で製造した
乾燥剤を用いる以外は実施例１と同じ方法で乾燥剤をリ
ードフレームとともに密封包装した。このものを実施例
１と同じ方法で保存し、リードフレームの銅合金表面を
観察した。結果を第２表に示す。 比較例２ 比較例１においてＫＯＮ／ＰＥ袋に密封する際、窒素ガ
スで酸素濃度が０．７％になるまで袋内の空筒２表 １ １１回目１１２日目１１７日目１２２日目
１３０日目１実施例１ − − − −
−比較例１ −４− ＋
＋＋ ＋＋＋＋比較例２ − − −
＋＋ ＋＋＋＋＋＋＋ ａ＜父色、はば全開 気を置換する以外は比較例１と同じ方法でリードフレー
ムを密封包装し、保存した。保存後のリードフレーム銅
合金表面を観察した。結果を第２表に示す。 実施例２ 実施例１で３０日間保存したリードフレームのＩＣチッ
プ接着部に、ジエチルトリアミン１０部とビスフェノー
ルＡ１００部とを混合したエポキシ樹脂系接着剤を３μ
塗布し、ＩＭＲＡＭのＩＣチップ（３００Ａの蒸着アル
ミニウムで配線、線幅０．７μ）を接着した。ＩＣチッ
プと接着したリードフレームを防錆剤の収納部を設けた
ポリプロピレン製のケース（輻２００Ｘ長４００Ｘ高１
０ｍｍ）に５枚並べて参考例１で製造した防錆剤を収納
部に装着し、ＫＯＮ／ＰＥの袋に密封せしめ、３５℃、
ＲＨ６０％の雰囲気下で保存した。袋内の酸素濃度、湿
度の経時変化を測定した。結果を第３表に示す。更にり
＝ドフレームの銅合金とＩＣチップのアルミニウム表面
変色状況を観察した。その結果を第４表に示す。 第３表 １ ｌ検体区 １１日目１７日目１１４日目１３
０日目１１ ％■比較例４ ｌ １．８１ ｌ
４．９６ ｌ ８．３１ １１１３５ ｌｌ Ｒ
Ｈ％１比較例４１≦１０ １ ２７ １ ４６ ｌ
６０ １ 第４表 １＋ｃｌ ｈ回目１７日目ｌｔａ日目：３０
日目Ｉ十＋＋＋ Ｓ＜支払、はば金回 比較例３ 実施例２にふける防錆剤の代わりに比較参考例。 ｌで製造した乾燥剤を用いる以外は実施例２と同じ方法
で実施した。結果を第３表および第４表に示す。 比較例４ 比較例３においてＫＯＮ／ＰＥの袋に密封する際、窒素
ガスで酸素濃度１２％になるまで置換する以外は比較例
４と同じ方法で実施し、た。結果を第３表右よび第４表
に示す。 実施例３ 実施例２で３０日間保存したＩＣチップ接着リードフレ
ームを取り出し、ワイヤポーリング後ビスフェノールＡ
１００部と粒径５〜１０ミのＳｉＯｉ粉末２９部を混合
せしめ、無水フタル酸ｌＯ部を添加したエポキシ樹脂で
封止した。この封止した部品を実施例２と同じ方法で密
封包装し、３５℃、ＲＨ８０％の雰囲気で３０日間保存
した。保存後取り出し、リードフレームの成形、および
マーキングをして半導体を製造した。このように製造し
た半導体のリードフレーム表面は変色部分がなく、プリ
ント基板にハンダ接着したが、振動を与えても剥離がな
く、良好な接着であった。また自動テスターで検査した
ところ不良率は５％であった。 比較例５ 実施例３にふける防錆剤の代わりに比較参考例１で製造
した乾燥剤を用いる以外は実施例３と同じ方法で半導体
を製造したところ、リードフレームの銅合金表面に１０
０個中７個に変色部分がみられた。これをプリント基板
にハンダ接着したが、振動を与えたところ１００個中３
個が剥離した。また自動テスターで検査したとこる不良
率は２５％であった。 比較例６ 比較例５の密封包装において、袋内の空気を窒素ガスで
酸素濃度が２．４％になるように置換した以外は比較例
５と同じ方法で半導体を製造したところ、リードフレー
ムの銅合金表面に１００個中６個に変色部分がみられた
。これをプリント基板にハンダ接着したが、振動を与え
たところ１００個中２個が剥離した。また自動テスター
で検査したところ不良率は２１％であった。 実施例４ 実施例３で製造した半導体をマガジンに封入し参考例１
で製造した防錆剤とともにＫＯＮ／ＰＥ袋（サイズ：
２２０ Ｘ３４０ ｍ）に密封し、３５℃、ＲＨ９５％
の雰囲気下で３０日間保存した。保存後の半導体のリー
ドフレーム表面は変色部分がなく、プリント基板にハン
ダ接着したが、振動を与えても剥離がなく、良好な接着
であった。 比較例７ 実施例４における防錆剤の代わりに比較参考例１で製造
した乾燥剤を用いる以外は実施例４と同じ方法で半導体
を保存したところ、リードフレームの銅合金表面に１０
０個中７個に変色部分がみられた。これをプリント基板
にハンダ接着したが、振動を与えたところ１００個中２
３個が剥離した。 比較例８ 比較例４の密封包装において、袋内の空気を窒素ガスで
酸素濃度が２．８％になるように置換した以外は比較例
７と同じ方法で半導体を保存したところ、リードフレー
ムの銅合金表面に１００個中１９個に変色部分がみられ
た。これをプリント基板にハンダ接着したが、振動を与
えたところ１００個中１８個が剥離した。 実施例５ ビスフェノール＾１００部にジエチレントリアミン５部
を添加した接着剤を、厚み５１１１１で径１５■■のガ
ラス管に塗布し、実施例１で製造した防錆剤とともにＫ
ＯＮ （１５μ）／ＰＥ（６０μ）の袋に空気１５０
−と共に密封し、３５℃、２４時間硬化させた。硬化後
、種々の金属線をガラス管の塗布面に巻きつけて再びＫ
ＯＮ （１５μ）／ＰＥ（６０μ）の袋に入れ、金属
線の両端を袋の封緘口から出すようにしてシールし密封
し、３５℃、ＲＨ９５％にて７日間保存した。その後、
金属線の両端をそれぞれ陽極および陰極として５ｖの直
流電圧を１４日間（雰囲気湿度ＲＨ９５％、３５℃）掛
け、電極間に流れる電流の経時変化、および金属線の腐
蝕状況を観察した。結果を第５表に示す。 第５表 比較例９ 実施例５で用いた防錆剤の代わりに比較参考例１で製造
した乾燥剤を用いた以外は実施例５と同様の試験を行っ
た。結果を第５表に示す。 比較例１０ 比較例９にふいてＫＯＮ／ＰＥの袋に密封する際、窒素
ガスで酸素濃度１２％になるまで置換する以外は、比較
例９と同様に行った。結果を第５表に示す。 〔発明の効果〕 本発明によれば、リードフレームの銅合金表面ふよび銀
メッキの錆の抑制またはおよびＩＣチップの配線素材で
あるアルミニュームの錆抑制しつつ半導体または半導体
部品を簡易に保存することが可能である。その結果、半
導体ふよび半導体部品は計画生産ができ、海外からまた
は海外への船による輸送も可能とした。 特許出願人 三菱瓦斯化学株式会社 代理人 弁理士 手掘 貞文
際の保存方法右よび包装品に関する発明である。 〔従来の技術とその問題点〕 半導体は、銅合金または鉄・ニッケル合金の薄板に銀ま
たは金をメッキして形成されたリードフレームにＩＣチ
ップを接着剤で接着し、さらにＩＣチップとリードフレ
ームとの間を金糸で配線機全体を樹脂で封止して製造さ
れている。 しかしリードフレームは空気に暴露されると合金表面が
錆び、銀または金のメッキができない、プリント基板へ
のハンダ接着性が低下する等の問題が生じていた。また
、ＩＣチップには配線素材としてアルミニウムが使用さ
れており、接着剤または封止剤から揮散する酸性ガス、
ハロゲン化金属等、雰囲気からの水分、酸素等によりア
ルミニウムが錆び、断線等の原因となっていた。 これらの鯖発生を防止する方法として、従来から次の方
法が知られている。 （１）保存期間の短縮による方法二半導体の生産にふい
て、各工程は各々異なった場所で分担して行われること
が多いが、各場所間の輸送と倉庫での保管の期間を短期
間に抑える。しかし、この方法は計画生産ができないた
めに過剰な設備と人員配置を抱えなければならなかった
。また半導体装置品を海外で生産する場合は輸送に時間
を要し、保存期間の短縮には自ずから限界があった。 ０）接着剤、封止剤の選択による方法：接着剤、封止剤
として使用されているエポキシ樹脂またはシリコン樹脂
等から揮散してくる有機酸、ハロゲン化合物等の量を減
少させる為に材料の選定や加工条件の調整がなされてき
た。しかし、この場合は非常に微妙な晶質管理が必要で
あり、安定した製品の供給は至難のことであった。 （３）ガス置換による方法：特開平１−１３９３７０号
公報では窒素ガスで容器内の空気と置換する方法が提案
されている。しかしこの方法も、■窒素ガス置換に特別
の装置が必要である、■容器内を効率よく窒素ガス置換
することは難しく、大量の窒素ガスを用いても、結局目
的の達成は困難である、等の問題を有していた。 （４）窒素ガス置換と乾燥剤を併用する方法：特開平１
−１３９３８０号公報では窒素ガス置換と乾燥剤を併用
する方法が提案されている。しかしこの方法も、前記の
（３）の場合と同様の問題を有していた。 上記のように、従来の技術ではいずれも半導体または半
導体部品の防錆を達成することができず、安定した半導
体または半導体部品の供給は不可能であった。 〔発明が解決しようとする課題〕 本発明の課題は、上述した従来の技術における問題点に
鑑み、半導体または半導体部品を輸送、流通、保管時に
錆びることなく保存することである。 〔課題を解決するための手段〕 前記の課題を解決するための手段は、半導体または半導
体部品を、不飽和脂肪酸化合物を主剤とする組成物が通
気性包装材料に包装されてなる包装体とともに、ガスバ
リアー性の容器に密封することである。 なお、前記の解決手段にふいて、不飽和脂肪酸化合物と
しては、たとえば不飽和脂肪酸、または不飽和脂肪酸エ
ステル、不飽和脂肪酸塩等の不飽和脂肪酸誘導体などが
挙げられ、炭素数が１０以上の不飽和脂肪酸またはその
誘導体が好ましく用いられ、不飽和脂肪酸の遷移金属塩
が特に好ましい。ここでいう不飽和脂肪酸化合物は純品
である必要はなく、混合物であってもよいし、前記不飽
和脂肪酸化合物を含む物質であってもよい。 不飽和脂肪酸を主剤とする組成物には塩基性物質または
吸着物質が、必要に応じて副剤としてより好ましくは併
用して用いられる。この場合に右いて、塩基性物質は、
水に溶解しであるいは作用して塩基性を呈する物質であ
り、たとえばアルカリ金属またはアルカリ土類金属の酸
化物、水酸化物、炭酸塩、有機酸塩等、またはアミン化
合物類等が挙げられ、これらの中でアルカリ土類金属の
酸化物、水酸化物、炭酸塩、有機酸塩が好ましく、アル
カリ土類金属の酸化物、水酸化物、炭酸塩等が特に好ま
しい。吸着物質としては、たとえばシリカゲル、活性炭
、ゼオライト、活性白土等が挙げられる。前記組成物に
おける不飽和脂肪酸化合物と塩基性物質と吸着物質との
割合は、不飽和脂肪酸化合物１００重量部に対して、塩
基性物質０．１〜１．０００重量部、吸着物質５０〜２
．０００重量部とするのが好ましく、不飽和脂肪酸化合
物１００重量部に対して塩基性物質１〜５００重量部、
吸着物質１００〜ｌ、 ０００重量部とするのが特に好
ましい。組成物の形状は、顆粒状、錠剤状、シート状で
特に限定されない。組成物には上記以外の他成分を加え
てもよい。 この組成物を包装する通気性包装材料としては、酸素透
過度が１．０００ＷＩｌ／ゴ・ａｔ＋＋ｒｄａｙ以上の
フイ）ｋｌｈまたはシートが好ましく、例えば紙または
不織布と有孔プラスチックフィルムとを積層したシート
でガーレ一式透気度が１００．０００秒以下のものが挙
げられる。包装体の形成方法としては、たとえば、前記
組成物を通気性包装材料に内部に装填して周縁をヒート
シールで接着する方法が挙げられる。 包装体の形状、形態は特に限定されないが、パウチ状、
シート状、ブリスタ一等が挙げられる。 ガスバリアー性の容器としては、ガスバリヤ−性包材を
用いた一般に袋といわれるものも包含される。容器とし
ては、酸素透過速度が容積１００ｍ１当たり１０ｍｊ！
／ｄａｙ以下のものが好ましく、５ ｗＩｌ／ｄａｙ以
下のものが特に好ましい。また、透湿速度は容積１００
５１１当たりＩＱｇ／ｄａｙ以下のものが好ましく、５
ｇ／ｄａｙｄａｙ以下のものが特に好ましい。容器の
材質としては、プラスチックまたは金属等が好ましい。 たとえば、鉄、ブリキ、ステンレス、アルミニウム等か
らなる金属缶類、ナイロン等のポリアミド、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエチレン
テレフタレート等のポリエステル、アルミニウム、塩化
ビニリデン、塩ビニルなどの単層または複合フィルムか
ら形成された袋類−ポリアミド、ポリオレフィン、ポリ
エステル、塩化ビニル、ポリスチレン、ポリカーボネー
トなどから形成されたプラスチックケース類などが挙げ
られる。袋類の場合、密封のために内面熱接着性の材料
が好ましい。 容器には前記包装体を収納する収納部を設けてもよい。 この場合の収納部を形成する材料としては、酸素透過度
が１０ｈｄ！／ゴ・ａｔｍ・ｄａｙ以上のフィルム、ま
たはガーレ一式透気度がｉｏｏ、 ｏｏｏ秒／１００−
以下のマイクロポーラスフィルム、紙、不織布等を基材
としてこれに有孔フィルム等を積層したもの、酸素透過
度が１００１１１７！／ｍａｔｎ−ｄａｙ以上のフィル
ムと有孔フィルムとをガーレ一式透気度が１ｏｏ、 ｏ
ｏｏ秒／１００１ＩＩｌ以下の基材の両面に貼り合わせ
たものなどを用いることができ、半導体または半導体部
品と前記包装体とを隔離することが可能である。また、
半導体または半導体部品を紙、通気性プラスチックフィ
ルム等に包んで包装体との直接接触を避けてもよい。半
導体または半導体部品か包装体のいずれかを容器に固定
ないし固着して直接接触を避けることも可能である。 容器に半導体または半導体部品と包装体とを収容し密閉
ないし密封する場合、容器内の空気を予め窒素ガス等と
置換してもよい。また、容器内を予め減圧した後密封な
いし密閉してもよい。 半導体部品としては、リードフレーム、ＩＣチップ等が
挙げられる。リードフレームはＩＣチップと接着するも
のであり、成形された銅合金の表面を研磨（物理研磨右
よび化学研磨）したものであり、さらに銀または金メッ
キを施したものが挙げられる。ＩＣチップはシリコン基
板上に回路が作られ、配線素材として蒸着アルミニウム
が装着されたもの等である。 半導体としては、前記リードフレームにエポキシ樹脂な
どの接着剤を塗布し、ＩＣチップを接着後、金糸でリー
ドフレームとＩＣチップ間を配線し、シリコン樹脂エポ
キシ樹脂等で封止し成形したものが例示される。この場
合の接着剤としてはアミン系硬化剤、エポキシ系樹脂等
が挙げられる。 たとえば、パースアミド−４，４−ジアミノジフェニル
スルホン、メタ−フェニレンジアミン、ジメチルアミノ
メニルアミン、トリメチルアミン、トリメチレンテトラ
アミン、エチレンジアミン等が挙げられる。これらの硬
イε剤とビスフェノールＡ化合物等と反応させ、硬化さ
せることにより接着される。この際の反応の条件は温度
１０〜１００℃、湿度９０ＲＨ％以下、好ましくは温度
２０〜８０℃、湿度７０ＲＨ％以下である。 − ここで前記の解決手段における包装・保存方法として、
リードフレームに接着剤を塗布し、ＩＣチップを装着せ
しめ、上記の反応条件で保存して接着剤を固め接着し、
これをガスバリヤ−性の容器に防錆剤とともに入れて包
装し、保存する方法が挙げられる。更に好ましい方法と
して、リードフレームに接着剤を塗布しＩＣチップを装
着せしめ、これを防錆剤とともにガスバリヤ−性の容器
に入れて包装し、上記の反応条件で保存して接着剤を固
め接着するとともに接着リードフレームを保存する方法
が挙げられる。この方法は簡単に上記の接着条件が得ら
れかつ容易にそのままの形態で効率良く鯖の発生を抑制
して保存でき好ましい。 その上、接着剤から揮散して（るハロゲン化合物、酸性
物質等、雰囲気から浸透して（ろ水分、酸素、酸性ガス
等によるリードフレームとＩＣチップ等の錆発生を抑制
できる。 さらに、このＩＣチップ接着リードフレームは半導体製
造工程で、ワイヤー（金糸）でリードフレームとＩＣチ
ップ間を配線され、封止される。 これに用いられる封止剤は、シリコン系樹脂、工ポヰシ
系樹脂に無機フィラーを添加したものである。樹脂とし
てはシリコン樹脂、エポキシ／ノボラック系樹脂、エポ
キシ／酸無水物系樹脂等が挙げられ、好ましくはシリコ
ン樹脂、エポキシ／酸無水物系樹脂等が挙げられる。無
機フィラーはＳｉ０２化合物などである。封止は硬化剤
（アミン類、酸無水物等）とビスフェノールＡ１無機フ
ィラーの混合物とシリコンモノマ一等のモノマー、触媒
、無機フィラーの混合物とをＩＣチップの上で反応、硬
化させ、封止が行われる。この反応の条件は温度５０〜
２５０℃、湿度９０ＲＨ％以下、好ましくは温度７０〜
２００℃湿度７０ＲＨ％以下である。 ここで前記の解決手段における包装・保存方法として、
封止剤を装着した後容器に入れて上記の反応条件で保存
し、封止を行ったのち、防錆剤とともにガスバリヤ−性
の容器に包装し保存する方法、および封止剤を装着した
後防錆剤とともにガスバリヤ−性容器に密封し、上記の
反応条件で封止を行いつつ保存する方法が挙げられる。 好ましくは後者である。 〔作用〕 前記の解決手段は以下のように作用する。 不飽和脂肪酸を主剤とする防錆剤は半導体および半導体
部品中の接着剤、封止剤等から揮散して（る酸性物資、
アミン化合物、ハロゲン化合物、保存容器内の酸素、水
分、保存容器の外から透過してくる酸性ガス、水分、酸
素等を吸収することが可能であり、半導体もしくは半導
体部品、たとえばリードフレームの銅合金表面、銀メッ
キの錆の抑制、ＩＣチップの配線素材であるアルミニウ
ムの錯交生を抑制しうる。 〔実施例〕 参考例ｌ 大豆油脂肪酸鉄１ｇ、消石灰０．２ｇ、粉末活性炭１、
５ｇをカッターミキサーで混合し、２５℃にてｌＯ分間
静置すると塊状になった。この塊を粉砕して顆粒状組成
物を得た。この組成物２．７ｇとシリカゲル２．５ｇを
別々に秤量し、通気性包装材料（紙／開孔ポリエチレン
）の小袋（サイズ： ５ Ｘ７．５ ｅｌｌ）に充填
した後、小袋の周囲をヒートシールして、防錆剤を製造
した。この防錆剤を各種のガスを含んだ空気２５０ｄを
ＫＯＮ （ポリ塩化ビニリデンコートナイロン）／ＰＥ
（ポリエチレン）製の袋（す イズ： １５Ｘ２４ｃ
ｍ）に封入した。これを３５℃、ＲＨ８０％の雰囲気下
に保存し、袋内の各ガス濃度の１１含有ガス１スター）
１ １日目１１４日目１３０日目１ド１酢酸 １１９
５ ｐｐｍ ｌ≦１ｐｐｍ ｌ≦ｌｐｐｍ ｌ≦ｌ
ｐｐｍ １１１硫化水素 ２１０ ｐｐｍ ｌ≦ｌｐ
ｐｍｊ≦ｌｐｐｍ ｌ≦１ｐｐａ＋ １１ １
塩化Ｊｆ＆ ｌ ２２５ ｐｐｆｆｌ Ｉ
≦ ＩＰＰＩＩＩ ｌ ≦ ｔｐｐｍ −１
≦ ｌｐｐｍ １１ １ナフチルフミｔ ｊ
１８９ ｐｐｍ ｊ ≦ ｌｐｐｍｊ ≦
ｉｐｐｍ ｌ ≦ ｔｐｐｍ ｌド１硫化
水素ｌ １９７ｐｐｍｌ ３ｐｐｍｌ≦ｌｐｐａ＋ｊ
≦ｌｐｐｍ ｊｌ １塩化メチル ｌ ２１
５ｐｐｍｌ １２９ｐｐｍｌ ３ｐｐａＩ
ｌ ２ｐｐｍ １１ １ナフチルフミン
ｌ ２０？ｐｐｍｌ １０４ｐｐｍｌ ７
ｐｐｍ ｌ ６ｐｐｍ １経時変化を測
定した。結果を第１表に示す。 比較参考例１ 組成物がシリカゲル２．５ｇである以外は実施例１と同
じ方法で乾燥剤を製造した。実施例１における防錆剤の
代わりにこの乾燥剤を用いた以外は参考例１と同じ試験
を実施した。結果を第１表に示す。 実施例１ 銅合金薄板（厚み０．０２７ｍ、幅６２■、長１６０
ｇｉＩＩ）をプレスで打ち抜き、硫酸と過酸化水素の水
溶液で表面をエッチフグした。このリードフレームのＩ
Ｃチップ接着部に金を装着せしめ、これを５０枚毎に３
東に東ね、ポリプロピレンフィルムに（るんだ後、ポリ
プロピレン製のケース（幅？ＯＸ長２００Ｘ高５０■）
に参考例１で製造した防錆剤とともに封入し、ＫＯＮ／
ＰＥの袋（サイズ１７０Ｘ３００■）に密封した。この
リードフレームを密封包装したものを２５℃、ＲＨ５０
％の雰囲気下で１日間保存し、袋内の酸素濃度が０．０
１％以下になっているのを確認後、３５℃、ＲＨ９５％
の雰囲気下で保存した。保存後のリードフレームの銅合
金表面を観察した。その結果を第２表に示す。 比較例１ 参考例１の防錆剤の代わりに比較例参考例１で製造した
乾燥剤を用いる以外は実施例１と同じ方法で乾燥剤をリ
ードフレームとともに密封包装した。このものを実施例
１と同じ方法で保存し、リードフレームの銅合金表面を
観察した。結果を第２表に示す。 比較例２ 比較例１においてＫＯＮ／ＰＥ袋に密封する際、窒素ガ
スで酸素濃度が０．７％になるまで袋内の空筒２表 １ １１回目１１２日目１１７日目１２２日目
１３０日目１実施例１ − − − −
−比較例１ −４− ＋
＋＋ ＋＋＋＋比較例２ − − −
＋＋ ＋＋＋＋＋＋＋ ａ＜父色、はば全開 気を置換する以外は比較例１と同じ方法でリードフレー
ムを密封包装し、保存した。保存後のリードフレーム銅
合金表面を観察した。結果を第２表に示す。 実施例２ 実施例１で３０日間保存したリードフレームのＩＣチッ
プ接着部に、ジエチルトリアミン１０部とビスフェノー
ルＡ１００部とを混合したエポキシ樹脂系接着剤を３μ
塗布し、ＩＭＲＡＭのＩＣチップ（３００Ａの蒸着アル
ミニウムで配線、線幅０．７μ）を接着した。ＩＣチッ
プと接着したリードフレームを防錆剤の収納部を設けた
ポリプロピレン製のケース（輻２００Ｘ長４００Ｘ高１
０ｍｍ）に５枚並べて参考例１で製造した防錆剤を収納
部に装着し、ＫＯＮ／ＰＥの袋に密封せしめ、３５℃、
ＲＨ６０％の雰囲気下で保存した。袋内の酸素濃度、湿
度の経時変化を測定した。結果を第３表に示す。更にり
＝ドフレームの銅合金とＩＣチップのアルミニウム表面
変色状況を観察した。その結果を第４表に示す。 第３表 １ ｌ検体区 １１日目１７日目１１４日目１３
０日目１１ ％■比較例４ ｌ １．８１ ｌ
４．９６ ｌ ８．３１ １１１３５ ｌｌ Ｒ
Ｈ％１比較例４１≦１０ １ ２７ １ ４６ ｌ
６０ １ 第４表 １＋ｃｌ ｈ回目１７日目ｌｔａ日目：３０
日目Ｉ十＋＋＋ Ｓ＜支払、はば金回 比較例３ 実施例２にふける防錆剤の代わりに比較参考例。 ｌで製造した乾燥剤を用いる以外は実施例２と同じ方法
で実施した。結果を第３表および第４表に示す。 比較例４ 比較例３においてＫＯＮ／ＰＥの袋に密封する際、窒素
ガスで酸素濃度１２％になるまで置換する以外は比較例
４と同じ方法で実施し、た。結果を第３表右よび第４表
に示す。 実施例３ 実施例２で３０日間保存したＩＣチップ接着リードフレ
ームを取り出し、ワイヤポーリング後ビスフェノールＡ
１００部と粒径５〜１０ミのＳｉＯｉ粉末２９部を混合
せしめ、無水フタル酸ｌＯ部を添加したエポキシ樹脂で
封止した。この封止した部品を実施例２と同じ方法で密
封包装し、３５℃、ＲＨ８０％の雰囲気で３０日間保存
した。保存後取り出し、リードフレームの成形、および
マーキングをして半導体を製造した。このように製造し
た半導体のリードフレーム表面は変色部分がなく、プリ
ント基板にハンダ接着したが、振動を与えても剥離がな
く、良好な接着であった。また自動テスターで検査した
ところ不良率は５％であった。 比較例５ 実施例３にふける防錆剤の代わりに比較参考例１で製造
した乾燥剤を用いる以外は実施例３と同じ方法で半導体
を製造したところ、リードフレームの銅合金表面に１０
０個中７個に変色部分がみられた。これをプリント基板
にハンダ接着したが、振動を与えたところ１００個中３
個が剥離した。また自動テスターで検査したとこる不良
率は２５％であった。 比較例６ 比較例５の密封包装において、袋内の空気を窒素ガスで
酸素濃度が２．４％になるように置換した以外は比較例
５と同じ方法で半導体を製造したところ、リードフレー
ムの銅合金表面に１００個中６個に変色部分がみられた
。これをプリント基板にハンダ接着したが、振動を与え
たところ１００個中２個が剥離した。また自動テスター
で検査したところ不良率は２１％であった。 実施例４ 実施例３で製造した半導体をマガジンに封入し参考例１
で製造した防錆剤とともにＫＯＮ／ＰＥ袋（サイズ：
２２０ Ｘ３４０ ｍ）に密封し、３５℃、ＲＨ９５％
の雰囲気下で３０日間保存した。保存後の半導体のリー
ドフレーム表面は変色部分がなく、プリント基板にハン
ダ接着したが、振動を与えても剥離がなく、良好な接着
であった。 比較例７ 実施例４における防錆剤の代わりに比較参考例１で製造
した乾燥剤を用いる以外は実施例４と同じ方法で半導体
を保存したところ、リードフレームの銅合金表面に１０
０個中７個に変色部分がみられた。これをプリント基板
にハンダ接着したが、振動を与えたところ１００個中２
３個が剥離した。 比較例８ 比較例４の密封包装において、袋内の空気を窒素ガスで
酸素濃度が２．８％になるように置換した以外は比較例
７と同じ方法で半導体を保存したところ、リードフレー
ムの銅合金表面に１００個中１９個に変色部分がみられ
た。これをプリント基板にハンダ接着したが、振動を与
えたところ１００個中１８個が剥離した。 実施例５ ビスフェノール＾１００部にジエチレントリアミン５部
を添加した接着剤を、厚み５１１１１で径１５■■のガ
ラス管に塗布し、実施例１で製造した防錆剤とともにＫ
ＯＮ （１５μ）／ＰＥ（６０μ）の袋に空気１５０
−と共に密封し、３５℃、２４時間硬化させた。硬化後
、種々の金属線をガラス管の塗布面に巻きつけて再びＫ
ＯＮ （１５μ）／ＰＥ（６０μ）の袋に入れ、金属
線の両端を袋の封緘口から出すようにしてシールし密封
し、３５℃、ＲＨ９５％にて７日間保存した。その後、
金属線の両端をそれぞれ陽極および陰極として５ｖの直
流電圧を１４日間（雰囲気湿度ＲＨ９５％、３５℃）掛
け、電極間に流れる電流の経時変化、および金属線の腐
蝕状況を観察した。結果を第５表に示す。 第５表 比較例９ 実施例５で用いた防錆剤の代わりに比較参考例１で製造
した乾燥剤を用いた以外は実施例５と同様の試験を行っ
た。結果を第５表に示す。 比較例１０ 比較例９にふいてＫＯＮ／ＰＥの袋に密封する際、窒素
ガスで酸素濃度１２％になるまで置換する以外は、比較
例９と同様に行った。結果を第５表に示す。 〔発明の効果〕 本発明によれば、リードフレームの銅合金表面ふよび銀
メッキの錆の抑制またはおよびＩＣチップの配線素材で
あるアルミニュームの錆抑制しつつ半導体または半導体
部品を簡易に保存することが可能である。その結果、半
導体ふよび半導体部品は計画生産ができ、海外からまた
は海外への船による輸送も可能とした。 特許出願人 三菱瓦斯化学株式会社 代理人 弁理士 手掘 貞文
Claims (2)
- （１） 半導体または半導体部品を、不飽和脂肪酸化合
物を主剤とする組成物が通気性包装材料に包装されてな
る包装体とともに、ガスバリアー性の容器に密封するこ
とを特徴とする半導体または半導体部品の保存方法。 - （２） 半導体または半導体部品が、不飽和脂肪酸化合
物を主剤とする組成物を通気性包装材料に包装してなる
包装体とともに、ガスバリアー性の容器に密封されてな
る半導体または半導体部品の包装品。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1273727A JP2850405B2 (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | 半導体または半導体部品の保存方法 |
| MYPI90001779A MY106642A (en) | 1989-10-23 | 1990-10-12 | Inhibitor parcel and method for preserving electronic devices or electronic parts. |
| CA002027534A CA2027534C (en) | 1989-10-23 | 1990-10-12 | Inhibitor parcel and method for preserving electronic devices or electronic parts |
| US07/599,525 US5415907A (en) | 1989-10-23 | 1990-10-18 | Inhibitor parcel and method for preserving electronic devices or electronic parts |
| SG1995907176A SG26411G (en) | 1989-10-23 | 1990-10-22 | Inhibitor parcel and method for preserving electronic devices or electronic parts |
| DE69008474T DE69008474T2 (de) | 1989-10-23 | 1990-10-22 | Inhibitorpäckchen und Verfahren zum Schützen elektronischer Vorrichtungen oder elektronischer Bauelemente. |
| EP90120249A EP0424855B1 (en) | 1989-10-23 | 1990-10-22 | Inhibitor parcel and method for preserving electronic devices or electronic parts |
| KR1019900016987A KR0173982B1 (ko) | 1989-10-23 | 1990-10-23 | 억제제 포장용기 및 전자장치 또는 전자부품을 보존하는 방법 |
| US08/381,403 US5510166A (en) | 1989-01-23 | 1995-01-31 | Inhibitor parcel and method for preserving electronic devices or electronic parts |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1273727A JP2850405B2 (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | 半導体または半導体部品の保存方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03148471A true JPH03148471A (ja) | 1991-06-25 |
| JP2850405B2 JP2850405B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=17531722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1273727A Expired - Lifetime JP2850405B2 (ja) | 1989-01-23 | 1989-10-23 | 半導体または半導体部品の保存方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2850405B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0551779U (ja) * | 1991-12-12 | 1993-07-09 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 金属または金属を含む製品の包装形態 |
| US5305948A (en) * | 1992-06-02 | 1994-04-26 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Method of bonding a metal by solder |
-
1989
- 1989-10-23 JP JP1273727A patent/JP2850405B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0551779U (ja) * | 1991-12-12 | 1993-07-09 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 金属または金属を含む製品の包装形態 |
| US5305948A (en) * | 1992-06-02 | 1994-04-26 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Method of bonding a metal by solder |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2850405B2 (ja) | 1999-01-27 |
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